JP2008196003A - 蒸着用マスク、マスク蒸着法、および有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 - Google Patents
蒸着用マスク、マスク蒸着法、および有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008196003A JP2008196003A JP2007031617A JP2007031617A JP2008196003A JP 2008196003 A JP2008196003 A JP 2008196003A JP 2007031617 A JP2007031617 A JP 2007031617A JP 2007031617 A JP2007031617 A JP 2007031617A JP 2008196003 A JP2008196003 A JP 2008196003A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- vapor deposition
- opening
- openings
- area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims abstract description 95
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 76
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 40
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 33
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 31
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 17
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 64
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 16
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 16
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 10
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 58
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 15
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 229910001853 inorganic hydroxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- SLVIJGCNMLGLMH-UHFFFAOYSA-N 2h-pyran-2,3-dicarbonitrile Chemical class N#CC1OC=CC=C1C#N SLVIJGCNMLGLMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFNMUZCFSDMZPQ-GHXNOFRVSA-N 7-[(z)-3-methyl-4-(4-methyl-5-oxo-2h-furan-2-yl)but-2-enoxy]chromen-2-one Chemical compound C=1C=C2C=CC(=O)OC2=CC=1OC/C=C(/C)CC1OC(=O)C(C)=C1 CFNMUZCFSDMZPQ-GHXNOFRVSA-N 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- BKMIWBZIQAAZBD-UHFFFAOYSA-N diindenoperylene Chemical group C12=C3C4=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=CC=C3C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=C4C1=C32 BKMIWBZIQAAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【課題】１回の蒸着工程により、被成膜領域毎に異なる膜厚の薄膜を形成することのできる蒸着用マスク、マスク蒸着法、および有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】素子基板２に蒸着用マスク３１を重ねて蒸着を行い、素子基板２において、蒸着用マスク３１に形成されているマスク開口部３２に対応する領域に薄膜を形成する。その際、マスク開口部３２（Ｒ）、３２（Ｇ）、３２（Ｂ）では、出側開口３２２の面積に対する入側開口３２１の面積の比率を相違させてあるので、１回の蒸着工程を行なうだけで、比率が大きいマスク開口部３２（Ｒ）に対応する領域には膜厚の厚い電子注入輸送層７を形成でき、比率が小さいマスク開口部３２（Ｂ）に対応する領域には膜厚の薄い電子注入輸送層７を形成することができる。
【選択図】図４
【解決手段】素子基板２に蒸着用マスク３１を重ねて蒸着を行い、素子基板２において、蒸着用マスク３１に形成されているマスク開口部３２に対応する領域に薄膜を形成する。その際、マスク開口部３２（Ｒ）、３２（Ｇ）、３２（Ｂ）では、出側開口３２２の面積に対する入側開口３２１の面積の比率を相違させてあるので、１回の蒸着工程を行なうだけで、比率が大きいマスク開口部３２（Ｒ）に対応する領域には膜厚の厚い電子注入輸送層７を形成でき、比率が小さいマスク開口部３２（Ｂ）に対応する領域には膜厚の薄い電子注入輸送層７を形成することができる。
【選択図】図４
Description
本発明は、被処理基板の複数の被成膜領域の各々に対応するマスク開口部を備えた蒸着用マスク、この蒸着用マスクを被処理基板に重ねた状態で真空蒸着、スパッタ成膜、イオンプレーティングなどの蒸着を行うマスク蒸着法、およびこのマスク蒸着法を用いた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法に関するものである。
各種半導体装置や電気光学装置の製造工程では、成膜パターンに対応するマスク開口部を備えた蒸着用マスクを被処理基板に重ね、この状態で真空蒸着法、スパッタ成膜、イオンプレーティングなどの蒸着を行うことがある。例えば、電気光学装置としての有機エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬという）装置の製造工程において、発光素子用の有機ＥＬ材料（有機機能層）を所定形状に形成する際にフォトリソグラフィ技術を利用すると、パターニング用のレジストマスクをエッチング液や酸素プラズマなどで除去する際に有機機能材料が水分や酸素に触れて劣化するおそれがあるため、レジストマスクを必要としないマスク蒸着法を用いて有機機能層を形成することが提案されている（特許文献１参照）。
特開２００３−２８２２５２号公報
しかしながら、マスク蒸着法では、被処理基板のいずれの被成膜領域にも、等しい膜厚の薄膜が形成されるため、被成膜領域毎に膜厚を変えたい場合には、膜厚の種類に相当する複数回の蒸着工程を行なう必要があり、生産性が低いという問題点がある。
以上の問題に鑑みて、本発明の課題は、１回の蒸着工程により、被成膜領域毎に異なる膜厚の薄膜を形成することのできる蒸着用マスク、マスク蒸着法、およびこのマスク蒸着法を用いた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明では、複数のマスク開口部が形成された蒸着用マスクにおいて、前記複数のマスク開口部には、少なくとも、出側開口の面積に対する入側開口の面積の比率が異なる複数種類のマスク開口部が含まれていることを特徴とする。
また、本発明では、被処理基板の複数の被成膜領域の各々に対応する複数のマスク開口部が形成された蒸着用マスクを前記被処理基板に重ねた状態で蒸着を行なうマスク蒸着法において、前記複数の被成膜領域には、目標成膜厚が異なる複数種類の被成膜領域が含まれているとともに、前記複数のマスク開口部には、前記複数種類の被成膜領域に対応する複数種類のマスク開口部が含まれ、前記複数種類のマスク開口部のうち、目標成膜厚が厚い被成膜領域に対応する種類のマスク開口部は、目標成膜厚が薄い被成膜領域に対応する種類のマスク開口部に比して、出側開口の面積に対する入側開口の面積の比率が大きいことを特徴とする。
本発明において、「蒸着」とは、真空蒸着に限らず、スパッタ成膜やイオンプレーティングなど、成膜材料の原子や分子が蒸着粒子流として供給される気相成膜法全般を含む意味である。
マスク蒸着法では、被処理基板に蒸着用マスクを重ねて蒸着を行い、被処理基板において、蒸着用マスクに形成されているマスク開口部に対応する領域に薄膜を形成する。その際、蒸着粒子流は、マスク開口部を通過して被処理基板に到達するので、マスク開口を通過する蒸着粒子の量は、マスク開口部の入側開口の面積によって規定され、被処理基板において蒸着粒子が到達する領域の面積は、マスク開口部の出側開口の面積によって規定される。ここに本発明では、複数のマスク開口部には、出側開口の面積に対する入側開口の面積の比率が異なる複数種類のマスク開口部が含まれているので、出側開口の面積に対する入側開口の面積の比率が大きいマスク開口部に対応する領域には膜厚の厚い薄膜が形成され、出側開口の面積に対する入側開口の面積の比率が小さいマスク開口部に対応する領域には膜厚の薄い薄膜が形成される。従って、本発明によれば、１回の蒸着工程により、被成膜領域毎に異なる膜厚の薄膜を形成することができ、膜厚の種類に相当する複数回の蒸着工程を行なう必要がない。それ故、生産性を向上することができる。
本発明において、例えば、前記複数種類のマスク開口部の間では、前記出側開口の面積が等しく、前記入側開口の面積が異なっている。このように構成すると、被処理基板において、同一面積の各被成膜領域に異なる膜厚の薄膜を形成することができる。
本発明において、出側開口の面積に対する入側開口の面積の比率を複数種類のマスク開口部で相違させるにあたっては、前記複数種類のマスク開口部の間では、前記入側開口の数が等しく、当該入側開口の１つ当たりの面積が異なる構成を採用することができる。
本発明において、前記複数種類のマスク開口部の間では、前記入側開口の１つ当たりの面積が等しく、当該入側開口の数が異なる構成を採用してもよい。
本発明において、前記マスク開口部では、前記入側開口が円形状をもって複数、形成されていることが好ましい。このように構成すると、複数の入側開口の各々から蒸着粒子流がマスク開口部内に進入するので、出側開口のいずれの位置からも略均一な量の蒸着粒子が出て行くので、被成膜領域内での膜厚ばらつきを抑えることができる。
本発明を適用したマスク蒸着法は、例えば、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造に適用する。この場合、前記被処理基板は、各画素毎に有機エレクトロルミネッセンス素子が形成される素子基板であり、前記画素には、有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する複数の層のうちの少なくとも一層が、画素間で材料が同一で膜厚が異なる複数種類の画素が含まれている。
以下に、図面を参照して、本発明を適用した蒸着用マスク、マスク蒸着法およびマスク蒸着装置について説明する。なお、以下の説明では、各実施の形態で共通の構成を説明した後、各実施の形態の特徴部分を説明する。以下の説明に用いる各図においては、各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせてある。また、以下の実施の形態では、本発明の蒸着用マスクおよびマスク蒸着法が使用される対象として有機ＥＬ装置を例示する。
［共通構成］
（有機ＥＬ装置の構成例）
図１（ａ）、（ｂ）は各々、本発明が適用される有機ＥＬ装置の要部断面図、および各画素を拡大して示す説明図である。図１（ａ）に示す有機ＥＬ装置１は、表示装置などとして用いられるものであり、素子基板２上には、感光性樹脂からなる隔壁２４で囲まれた複数の領域が各々、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に対応するサブ画素３（Ｒ）、３（Ｇ）、３（Ｂ）になっている。画素３（Ｒ）、３（Ｇ）、３（Ｂ）は各々、有機ＥＬ素子９を備えており、有機ＥＬ素子９は、陽極として機能する画素電極４と、この画素電極４からの正孔を注入／輸送する正孔注入輸送層５と、発光層６と、電子を注入／輸送する電子注入輸送層７と、陰極８とを備えている。陰極８の側には、有機ＥＬ素子９が水分や酸素により劣化するのを防止するための封止層や封止部材（図示せず）が配置されている。素子基板２上には、画素電極４に電気的に接続された駆動用トランジスタ２２などを含む回路部２３が、有機ＥＬ素子９の下層側に形成されている。
（有機ＥＬ装置の構成例）
図１（ａ）、（ｂ）は各々、本発明が適用される有機ＥＬ装置の要部断面図、および各画素を拡大して示す説明図である。図１（ａ）に示す有機ＥＬ装置１は、表示装置などとして用いられるものであり、素子基板２上には、感光性樹脂からなる隔壁２４で囲まれた複数の領域が各々、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に対応するサブ画素３（Ｒ）、３（Ｇ）、３（Ｂ）になっている。画素３（Ｒ）、３（Ｇ）、３（Ｂ）は各々、有機ＥＬ素子９を備えており、有機ＥＬ素子９は、陽極として機能する画素電極４と、この画素電極４からの正孔を注入／輸送する正孔注入輸送層５と、発光層６と、電子を注入／輸送する電子注入輸送層７と、陰極８とを備えている。陰極８の側には、有機ＥＬ素子９が水分や酸素により劣化するのを防止するための封止層や封止部材（図示せず）が配置されている。素子基板２上には、画素電極４に電気的に接続された駆動用トランジスタ２２などを含む回路部２３が、有機ＥＬ素子９の下層側に形成されている。
有機ＥＬ装置１がボトムエミッション方式である場合は、発光層６で発光した光を画素電極４の側から出射するため、素子基板２の基体としては、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）などの透明基板が用いられる。その際、陰極８を光反射膜によって構成すれば、発光層６で発光した光を陰極８で反射して透明基板の側から出射することができる。
これに対して、有機ＥＬ装置１がトップエミッション方式である場合は、発光層６で発光した光を陰極８の側から出射するため、素子基板２の基体は透明である必要はない。但し、有機ＥＬ装置１がトップエミッション方式である場合でも、素子基板２に対して光出射側とは反対側の面に反射層（図示せず）を配置して、発光層６で発光した光を陰極８の側から出射する場合には、素子基板２の基体として透明基板を用いること必要がある。これに対して、有機ＥＬ装置１がトップエミッション方式である場合において、素子基板２の基体と発光層６との間、例えば、画素電極４の下層側などに反射層を形成して、発光層６で発光した光を陰極８の側から出射する場合には、素子基板２の基体は透明である必要はない。
有機ＥＬ素子９（Ｒ）、９（Ｇ）、９（Ｂ）において、発光層６は、各色に対応する光を出射可能なようにサブ画素３（Ｒ）、３（Ｇ）、３（Ｂ）毎に所定の発光材料が用いられている。また、単独の発光材料からなる発光層６によって、ＲＧＢ各色の特性を得るのは難しいことが多いにで、ホスト材料に蛍光色素をドーピングした発光層６を形成し、蛍光色素からのルミネッセンスを発光色として取り出すこともある。このようなホスト材料とドーパント材料の組み合わせとしては、例えば、トリス（８−キノリラート）アルミニウムとクマリン誘導体との組み合わせ、アントラセン誘導体とスチリルアミン誘導体との組み合わせ、アントラセン誘導体とナフタセン誘導体との組み合わせ、トリス（８−キノリラート）アルミニウムとジシアノピラン誘導体との組み合わせ、ナフタセン誘導体とジインデノペリレンとの組み合わせなどがある。
このように有機ＥＬ素子９（Ｒ）、９（Ｇ）、９（Ｂ）は、複数の層によって構成されており、複数の層のうちのいずれかについてはその膜厚をサブ画素３（Ｒ）、３（Ｇ）、３（Ｂ）毎に相違させる場合がある。例えば、各サブ画素（Ｒ）、３（Ｇ）、３（Ｂ）において、発光層６から出射された光が出射されるまでの間に各層を光共振器として機能させて色度を高める場合があり、この場合、光が出射されるまでの光路の長さを色光の波長に合わせた構造が採用される。このため、図１（ａ）に示す有機ＥＬ装置１では、図１（ｂ）に示すように、各色光の波長に対応させて、電子注入輸送層７の膜厚をサブ画素（Ｒ）、３（Ｇ）、３（Ｂ）毎に相違させた例を示してある。すなわち、図１（ａ）、（ｂ）に示す例では、電子注入輸送層７の膜厚は、以下の関係
青色のサブ画素３（Ｂ）＜緑色のサブ画素３（Ｇ）＜赤色のサブ画素３（Ｒ）
を満たすように設定されている。
青色のサブ画素３（Ｂ）＜緑色のサブ画素３（Ｇ）＜赤色のサブ画素３（Ｒ）
を満たすように設定されている。
（有機ＥＬ装置１の製造方法）
素子基板２を形成するにあたっては、単品サイズの基板に以下の工程を施す方法の他、素子基板２を多数取りできる大型基板に以下の工程を施した後、単品サイズの素子基板２に切断する方法が採用されるが、以下の説明では、サイズの問わず、素子基板２と称して説明する。
素子基板２を形成するにあたっては、単品サイズの基板に以下の工程を施す方法の他、素子基板２を多数取りできる大型基板に以下の工程を施した後、単品サイズの素子基板２に切断する方法が採用されるが、以下の説明では、サイズの問わず、素子基板２と称して説明する。
有機ＥＬ装置１を製造するには、素子基板２に対して成膜工程、レジストマスクを用いてのパターニング工程などといった半導体プロセスを利用して各層が形成される。但し、正孔注入輸送層５、発光層６、電子注入輸送層７などは、水分や酸素により劣化しやすいため、正孔注入輸送層５、発光層６、電子注入輸送層７を形成する際、さらには、電子注入輸送層７の上層に陰極８を形成する際、レジストマスクを用いてのパターニング工程を行うと、レジストマスクをエッチング液や酸素プラズマなどで除去する際に正孔注入輸送層５、発光層６、電子注入輸送層７が水分や酸素により劣化してしまう。そこで、本形態では、正孔注入輸送層５、発光層６、電子注入輸送層７を形成する際、さらには陰極８を形成する際には、以下に詳述するマスク蒸着法を利用して、素子基板２に所定形状の薄膜を形成し、レジストマスクを用いてのパターニング工程を行わない。
（マスク蒸着装置の構成例）
図２は、マスク蒸着装置の構成を示す概略構成図である。図２に示すように、マスク蒸着装置１０では、蒸着室１１内の上方位置に、素子基板２（被処理基板）および蒸着用マスク３１を保持する基板ホルダ１９が配置されている。素子基板２および蒸着用マスク３１は、素子基板２の下面側（被成膜面側）の所定位置に蒸着用マスク３１を重ねた状態で基板ホルダ１９により保持され、成膜時、この状態で、矢印Ａで示すように回転する。蒸着用マスク３１の構成については、図３（ａ）、（ｂ）を参照して後述するが、素子基板２に対する成膜パターンに対応するマスク開口部３２が形成されている。
図２は、マスク蒸着装置の構成を示す概略構成図である。図２に示すように、マスク蒸着装置１０では、蒸着室１１内の上方位置に、素子基板２（被処理基板）および蒸着用マスク３１を保持する基板ホルダ１９が配置されている。素子基板２および蒸着用マスク３１は、素子基板２の下面側（被成膜面側）の所定位置に蒸着用マスク３１を重ねた状態で基板ホルダ１９により保持され、成膜時、この状態で、矢印Ａで示すように回転する。蒸着用マスク３１の構成については、図３（ａ）、（ｂ）を参照して後述するが、素子基板２に対する成膜パターンに対応するマスク開口部３２が形成されている。
蒸着室１１内の下方位置には、素子基板２に向けて蒸着分子や蒸着原子を供給する蒸着源１２が配置されており、蒸着源１２は、蒸着材料を内部に保持する坩堝１２１、坩堝１２１内の蒸着材料を加熱するためのヒータ１２２、および坩堝１２１の上部開口を開閉するシャッタ１２３などを備えている。
（蒸着用マスク３１の構成）
図３（ａ）、（ｂ）は蒸着用マスクの説明図である。図３（ａ）、（ｂ）に示すマスク部材３０Ａ、３０Ｂのうち、図３（ａ）に示すマスク部材３０Ａは、厚さが約０．２５〜０．５ｍｍの矩形薄板状の蒸着用マスク３１を矩形枠状の枠体３３に取り付けた構成となっている。蒸着用マスク３１および枠体３３は各々、金属材料（例えばステンレス、インバー、４２アロイ、ニッケル合金等）、ガラス、セラミックス、シリコンなどからなり、蒸着用マスク３１についてはシリコン基板からなることが好ましい。蒸着用マスク３１は、素子基板２に対する成膜パターンに対応する複数のマスク開口部３２が、並行かつ一定間隔に形成されている。蒸着用マスク３１がシリコン基板からなる場合、マスク開口部３２は、フォトリソグラフィ技術、およびテトラメチル酸化アルミニウムなどの有機系の水酸化物、水酸化カリウムや水酸化ナトリウムなどの無機系の水酸化物などのアルカリ水溶液を用いたウエットエッチング技術により形成される。枠体３３は、蒸着用マスク３１と略同等の大きさの開口部３４０が形成された支持基板３４と、蒸着用マスク３１のマスク開口部３２の間に配置されてマスク開口部３２の間を支持する梁部３５と、梁部３５に対して長手方向の張力を付与させて支持基板３４に固定する固定部材３６とを備えている。梁部３５は、マスク開口部３２の間のうち、マスク開口部３２の長手方向に沿うように配置されており、マスク開口部３２で挟まれた領域よりも狭い幅寸法を備えている。梁部３５は、金属材料（例えばステンレス、インバー、４２アロイ、ニッケル合金等）、ガラス、セラミックス、シリコン、ＳＵＳ４３０などにより構成されている。
図３（ａ）、（ｂ）は蒸着用マスクの説明図である。図３（ａ）、（ｂ）に示すマスク部材３０Ａ、３０Ｂのうち、図３（ａ）に示すマスク部材３０Ａは、厚さが約０．２５〜０．５ｍｍの矩形薄板状の蒸着用マスク３１を矩形枠状の枠体３３に取り付けた構成となっている。蒸着用マスク３１および枠体３３は各々、金属材料（例えばステンレス、インバー、４２アロイ、ニッケル合金等）、ガラス、セラミックス、シリコンなどからなり、蒸着用マスク３１についてはシリコン基板からなることが好ましい。蒸着用マスク３１は、素子基板２に対する成膜パターンに対応する複数のマスク開口部３２が、並行かつ一定間隔に形成されている。蒸着用マスク３１がシリコン基板からなる場合、マスク開口部３２は、フォトリソグラフィ技術、およびテトラメチル酸化アルミニウムなどの有機系の水酸化物、水酸化カリウムや水酸化ナトリウムなどの無機系の水酸化物などのアルカリ水溶液を用いたウエットエッチング技術により形成される。枠体３３は、蒸着用マスク３１と略同等の大きさの開口部３４０が形成された支持基板３４と、蒸着用マスク３１のマスク開口部３２の間に配置されてマスク開口部３２の間を支持する梁部３５と、梁部３５に対して長手方向の張力を付与させて支持基板３４に固定する固定部材３６とを備えている。梁部３５は、マスク開口部３２の間のうち、マスク開口部３２の長手方向に沿うように配置されており、マスク開口部３２で挟まれた領域よりも狭い幅寸法を備えている。梁部３５は、金属材料（例えばステンレス、インバー、４２アロイ、ニッケル合金等）、ガラス、セラミックス、シリコン、ＳＵＳ４３０などにより構成されている。
図３（ｂ）に示すマスク部材３０Ｂは、ベース基板をなす支持基板３７に、複数のチップ状の蒸着用マスク３１を取り付けた構成を有しており、複数の蒸着用マスク３１は各々、アライメントされて支持基板３７に陽極接合や接着剤などの方法で接合されている。支持基板３７には、複数の開口部３７０が平行、かつ一定間隔で設けられており、複数の蒸着用マスク３１は各々、開口部３７０を塞ぐように支持基板３７上に固定されている。蒸着用マスク３１には、素子基板２に対する成膜パターンに対応するマスク開口部３２が複数一定間隔で平行に設けられている。蒸着用マスク３１は、面方位（１００）を有する単結晶シリコンや、面方位（１１０）を有する単結晶シリコンなどからなり、マスク開口部３２は、フォトリソグラフィ技術、およびテトラメチル酸化アルミニウムなどの有機系の水酸化物、水酸化カリウムや水酸化ナトリウムなどの無機系の水酸化物などのアルカリ水溶液を用いたウエットエッチング技術により形成される。支持基板３７としては、無アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダガラス、石英などからなる透明基板が用いられている。
［実施の形態１］
（蒸着用マスクの構成）
図４（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る蒸着用マスクおよびマスク蒸着法を模式的に示す縦断面図、および蒸着用マスクを素子基板からみたときの平面図である。
（蒸着用マスクの構成）
図４（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る蒸着用マスクおよびマスク蒸着法を模式的に示す縦断面図、および蒸着用マスクを素子基板からみたときの平面図である。
図１に示す有機ＥＬ装置１の製造工程のうち、電子注入輸送層７の膜厚を、以下の関係
青色のサブ画素３（Ｂ）＜緑色のサブ画素３（Ｇ）＜赤色のサブ画素３（Ｒ）
を満たすようにマスク蒸着法により形成するにあたって、本形態では、図３を参照して説明した蒸着用マスク３１を、以下に説明するように構成する。
青色のサブ画素３（Ｂ）＜緑色のサブ画素３（Ｇ）＜赤色のサブ画素３（Ｒ）
を満たすようにマスク蒸着法により形成するにあたって、本形態では、図３を参照して説明した蒸着用マスク３１を、以下に説明するように構成する。
図４（ａ）には、画素電極４、正孔注入輸送層５および発光層６を形成し終えた素子基板２に対して、電子注入輸送層７をマスク蒸着により形成する様子を示してあり、素子基板２において隔壁２４で囲まれた領域の底部には、電子注入輸送層７の目標成膜厚が異なる３種類の被成膜領域２０（Ｒ）、２０（Ｇ）、２０（Ｂ）が存在することになる。ここで、蒸着用マスク３１は、隔壁２４の上端面に当接している。このため、被成膜領域２０（Ｒ）、２０（Ｇ）、２０（Ｂ）の底面と蒸着用マスク３１との間には所定の隙間が存在する。
被成膜領域２０（Ｒ）、２０（Ｇ）、２０（Ｂ）における電子注入輸送層７の目標成膜厚の比は、例えば、
３：２：１
である。
３：２：１
である。
本形態の蒸着用マスク３１では、図３（ａ）、（ｂ）に示すマスク開口部３２として、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、被成膜領域２０（Ｒ）、２０（Ｇ）、２０（Ｂ）の各々に対応する３種類のマスク開口部３２（Ｒ）、３２（Ｇ）、３２（Ｂ）を構成し、３種類のマスク開口部３２（Ｒ）、３２（Ｇ）、３２（Ｂ）のうち、目標成膜厚が厚い被成膜領域に対応する種類のマスク開口部は、目標成膜厚が薄い被成膜領域に対応する種類のマスク開口部に比して、出側開口の面積に対する入側開口の面積の比率を大きくしてある。
具体的には、被成膜領域２０（Ｒ）、２０（Ｇ）、２０（Ｂ）を比較すると、各々は同一面積の矩形形状になっているので、まず、マスク開口部３２（Ｒ）、３２（Ｇ）、３２（Ｂ）の出側開口３２２（Ｒ）、３２２（Ｇ）、３２２（Ｂ）は、いずれも同一面積の矩形形状にしてある。ここで、出側開口３２２（Ｒ）、３２２（Ｇ）、３２２（Ｂ）の縁部分は、隔壁２４の上端面の縁部分と重なっているが、隔壁２４の側面はテーパ面になっているので、出側開口３２２（Ｒ）、３２２（Ｇ）、３２２（Ｂ）は、被成膜領域２０（Ｒ）、２０（Ｇ）、２０（Ｂ）よりも大きい。
次に、蒸着用マスク３１では、出側開口３２２（Ｒ）、３２２（Ｇ）、３２２（Ｂ）から入側まで、入側に向けて開口幅が狭まるテーパ面によって側面壁が形成され、最も入側に位置する底部には、サイズの異なる矩形の入側開口３２１（Ｒ）、入側開口３２１（Ｇ）、入側開口３２１（Ｂ）が１つずつ形成されている。ここで、マスク開口部３２（Ｒ）の入側開口３２１（Ｒ）の面積、マスク開口部３２（Ｇ）の入側開口３２１（Ｇ）の面積、マスク開口部３２（Ｂ）の入側開口３２１（Ｂ）の面積の比は、
３：２：１
に設定されている。
３：２：１
に設定されている。
このため、マスク開口部３２（Ｒ）における出側開口３２２（Ｒ）に対する入側開口３２１（Ｒ）の面積比率、マスク開口部３２（Ｇ）における出側開口３２２（Ｇ）に対する入側開口３２１（Ｇ）の面積比率、マスク開口部３２（Ｂ）における出側開口３２２（Ｂ）に対する入側開口３２１（Ｂ）の面積比率は、以下の比
３：２：１
になっている。
３：２：１
になっている。
このような構成のマスク開口部３２（Ｒ）、３２（Ｇ）、３２（Ｂ）は、蒸着用マスク３１がシリコン基板からなる場合、フォトリソグラフィ技術、およびテトラメチル酸化アルミニウムなどの有機系の水酸化物、水酸化カリウムや水酸化ナトリウムなどの無機系の水酸化物などのアルカリ水溶液を用いたウエットエッチング技術により形成される。
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、素子基板２に蒸着用マスク３１を重ねて蒸着を行い、素子基板２において、蒸着用マスク３１に形成されているマスク開口部３２に対応する領域に電子注入輸送層７を形成する。その際、蒸着粒子流は、マスク開口部３２の入側開口３２１からマスク開口部３２に進入した後、出側開口３２２から出て素子基板２の被成膜領域２０に到達する。その間、蒸着粒子は、蒸着用マスク３１の厚さに相当する空間、および出側開口３２２から被成膜領域２０に至る空間内を発散しながら飛翔する。その結果、蒸着粒子は、入側開口３２１が狭くても、被成膜領域２０に略均一に到達し、電子注入輸送層７を形成する。従って、素子基板２において蒸着粒子が到達する領域の面積は、マスク開口部３２の出側開口３２２の面積によって規定される。また、マスク開口部３２を通過する蒸着粒子の量は、マスク開口部３２の入側開口３２１の面積によって規定される。
以上説明したように、本形態では、素子基板２に蒸着用マスク３１を重ねて蒸着を行い、素子基板２において、蒸着用マスク３１に形成されているマスク開口部３２に対応する領域に電子注入輸送層７を形成する。その際、蒸着粒子流は、マスク開口部３２の入側開口３２１からマスク開口部３２に進入した後、出側開口３２２から出て素子基板２の被成膜領域２０に到達する。その間、蒸着粒子は、蒸着用マスク３１の厚さに相当する空間、および出側開口３２２から被成膜領域２０に至る空間内を発散しながら飛翔する。その結果、蒸着粒子は、入側開口３２１が狭くても、被成膜領域２０に略均一に到達し、電子注入輸送層７を形成する。従って、素子基板２において蒸着粒子が到達する領域の面積は、マスク開口部３２の出側開口３２２の面積によって規定される。また、マスク開口部３２を通過する蒸着粒子の量は、マスク開口部３２の入側開口３２１の面積によって規定される。
ここに本形態では、複数のマスク開口部３２には、出側開口３２２の面積に対する入側開口３２１の面積の比率が異なる複数種類のマスク開口部３２（Ｒ）、３２（Ｇ）、３２（Ｂ）が含まれているので、出側開口３２２の面積に対する入側開口３２１の面積の比率が大きいマスク開口部３２に対応する領域には膜厚の厚い電子注入輸送層７が形成され、出側開口３２２の面積に対する入側開口３２１の面積の比率が小さいマスク開口部３２に対応する領域には膜厚の薄い電子注入輸送層７が形成される。従って、本形態によれば、１回の蒸着工程により、被成膜領域２０（Ｒ）、２０（Ｇ）、２０（Ｂ）毎に異なる膜厚の注入輸送層７を形成することができ、膜厚の種類に相当する複数回の蒸着工程を行なう必要がない。それ故、有機ＥＬ装置１の生産性を向上することができる。
［実施の形態２］
図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、本発明の実施の形態２に係る蒸着用マスクおよびマスク蒸着法を模式的に示す縦断面図、蒸着用マスクを素子基板からみたときの平面図、および蒸着粒子の動きを模式的に示す説明図である。なお、本形態は、基本的な構成が実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの詳細な説明は省略する。
図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、本発明の実施の形態２に係る蒸着用マスクおよびマスク蒸着法を模式的に示す縦断面図、蒸着用マスクを素子基板からみたときの平面図、および蒸着粒子の動きを模式的に示す説明図である。なお、本形態は、基本的な構成が実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの詳細な説明は省略する。
実施の形態１では、入側開口３２１の数が等しく、入側開口３２１の１つ当たりの面積が異なる構成であったが、本形態では、以下に説明するように、入側開口３２１の１つ当たりの面積が等しく、入側開口３２１の数を相違させてもよい。
図５（ａ）には、画素電極４、正孔注入輸送層５および発光層６を形成し終えた素子基板２に対して、電子注入輸送層７を形成する様子を示してあり、素子基板２には、電子注入輸送層７の目標成膜厚が異なる３種類の被成膜領域２０（Ｒ）、２０（Ｇ）、２０（Ｂ）が存在することになる。ここで、素子基板２には隔壁２４が形成されており、蒸着用マスク３１は、隔壁２４の上端面に当接させる。このため、被成膜領域２０（Ｒ）、２０（Ｇ）、２０（Ｂ）の底面と蒸着用マスク３１との間には所定の隙間が存在する。
被成膜領域２０（Ｒ）、２０（Ｇ）、２０（Ｂ）における電子注入輸送層７の目標成膜厚の比は、本形態でも、
３：２：１
である。
３：２：１
である。
本形態の蒸着用マスク３１では、図３（ａ）、（ｂ）に示すマスク開口部３２として、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、被成膜領域２０（Ｒ）、２０（Ｇ）、２０（Ｂ）の各々に対応する３種類のマスク開口部３２（Ｒ）、３２（Ｇ）、３２（Ｂ）を構成し、３種類のマスク開口部３２（Ｒ）、３２（Ｇ）、３２（Ｂ）のうち、目標成膜厚が厚い被成膜領域に対応する種類のマスク開口部は、目標成膜厚が薄い被成膜領域に対応する種類のマスク開口部に比して、出側開口の面積に対する入側開口の面積の比率を大きくしてある。
より具体的には、被成膜領域２０（Ｒ）、２０（Ｇ）、２０（Ｂ）を比較すると、各々は同一面積の矩形形状になっているので、まず、マスク開口部３２（Ｒ）、３２（Ｇ）、３２（Ｂ）の出側開口３２２（Ｒ）、３２２（Ｇ）、３２２（Ｂ）は、いずれも同一面積の矩形形状にしてある。ここで、出側開口３２２（Ｒ）、３２２（Ｇ）、３２２（Ｂ）の縁部分は、隔壁２４の上端面の縁部分と重なっているが、隔壁２４の側面はテーパ面になっているので、出側開口３２２（Ｒ）、３２２（Ｇ）、３２２（Ｂ）は、被成膜領域２０（Ｒ）、２０（Ｇ）、２０（Ｂ）よりも大きい。
次に、蒸着用マスク３１では、出側開口３２２（Ｒ）、３２２（Ｇ）、３２２（Ｂ）から入側まで、入側に向けて開口幅が狭まるテーパ面によって側面壁が形成され、最も入側に位置する底部には、マスク開口部３２（Ｒ）、３２（Ｇ）、３２（Ｂ）のいずれにも、同一サイズの丸穴からなる入側開口３２１（Ｒ）、入側開口３２１（Ｇ）、入側開口３２１（Ｂ）が形成されている。
丸穴の数（入側開口３２１（Ｒ）、入側開口３２１（Ｇ）、入側開口３２１（Ｂ）の数）は、マスク開口部３２（Ｒ）、３２（Ｇ）、３２（Ｂ）毎に相違しており、その数は、
３：２：１
になっている。従って、マスク開口部３２（Ｒ）の入側開口３２１（Ｒ）の総面積、マスク開口部３２（Ｇ）の入側開口３２１（Ｇ）の総面積、マスク開口部３２（Ｂ）の入側開口３２１（Ｂ）の総面積の比は、
３：２：１
である。このため、マスク開口部３２（Ｒ）における出側開口３２２（Ｒ）に対する入側開口３２１（Ｒ）の面積比率、マスク開口部３２（Ｇ）における出側開口３２２（Ｇ）に対する入側開口３２１（Ｇ）の面積比率、マスク開口部３２（Ｂ）における出側開口３２２（Ｂ）に対する入側開口３２１（Ｂ）の面積比率は、以下の比
３：２：１
になっている。
３：２：１
になっている。従って、マスク開口部３２（Ｒ）の入側開口３２１（Ｒ）の総面積、マスク開口部３２（Ｇ）の入側開口３２１（Ｇ）の総面積、マスク開口部３２（Ｂ）の入側開口３２１（Ｂ）の総面積の比は、
３：２：１
である。このため、マスク開口部３２（Ｒ）における出側開口３２２（Ｒ）に対する入側開口３２１（Ｒ）の面積比率、マスク開口部３２（Ｇ）における出側開口３２２（Ｇ）に対する入側開口３２１（Ｇ）の面積比率、マスク開口部３２（Ｂ）における出側開口３２２（Ｂ）に対する入側開口３２１（Ｂ）の面積比率は、以下の比
３：２：１
になっている。
このような構成のマスク開口部３２（Ｒ）、３２（Ｇ）、３２（Ｂ）も、蒸着用マスク３１がシリコン基板からなる場合、フォトリソグラフィ技術、およびテトラメチル酸化アルミニウムなどの有機系の水酸化物、水酸化カリウムや水酸化ナトリウムなどの無機系の水酸化物などのアルカリ水溶液を用いたウエットエッチング技術により形成される。
以上説明したように、本形態でも、実施の形態１と同様、複数のマスク開口部３２には、出側開口３２２の面積に対する入側開口３２１の面積の比率が異なる複数種類のマスク開口部３２（Ｒ）、３２（Ｇ）、３２（Ｂ）が含まれ、出側開口３２２の面積に対する入側開口３２１の面積の比率が大きいマスク開口部３２に対応する領域には膜厚の厚い電子注入輸送層７が形成され、出側開口３２２の面積に対する入側開口３２１の面積の比率が小さいマスク開口部３２に対応する領域には膜厚の薄い電子注入輸送層７が形成される。従って、本形態によれば、１回の蒸着工程により、被成膜領域２０（Ｒ）、２０（Ｇ）、２０（Ｂ）毎に異なる膜厚の注入輸送層７を形成することができるなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。
また、本形態では、マスク開口部３２（Ｒ）、３２（Ｇ）、３２（Ｂ）のいずれにおいても、入側開口３２１（Ｒ）、３２１（Ｇ）、３２１（Ｂ）は複数の丸穴からなる。このため、図５（ｃ）に示すように、マスク開口部３２（Ｒ）、３２（Ｇ）、３２（Ｂ）では、丸穴からなる複数の入側開口３２１（Ｒ）、３２１（Ｇ）、３２１（Ｂ）から分散して蒸着粒子が進入した後、発散しながら、素子基板２に向けて進行する。その際、出側開口３２２（Ｒ）、３２２（Ｇ）、３２２（Ｂ）のいずれの位置からも略均一な量の蒸着粒子が出て行くので、被成膜領域２０（Ｒ）、２０（Ｇ）、２０（Ｂ）内での膜厚ばらつきを抑えることができる。
［その他の実施の形態］
本発明の技術範囲は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば、上記実施の形態では、出側開口３２２（Ｒ）、３２２（Ｇ）、３２２（Ｂ）の面積が等しく、入側開口３２１（Ｒ）、３２１（Ｇ）、３２１（Ｂ）の面積が異なる構成であったが、被成膜領域２０（Ｒ）、２０（Ｇ）、２０（Ｂ）の面積が相違している場合には、出側開口３２２（Ｒ）、３２２（Ｇ）、３２２（Ｂ）の面積を相違させたうえで、出側開口３２２の面積に対する入側開口３２１の面積の比率を相違させればよい。
本発明の技術範囲は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば、上記実施の形態では、出側開口３２２（Ｒ）、３２２（Ｇ）、３２２（Ｂ）の面積が等しく、入側開口３２１（Ｒ）、３２１（Ｇ）、３２１（Ｂ）の面積が異なる構成であったが、被成膜領域２０（Ｒ）、２０（Ｇ）、２０（Ｂ）の面積が相違している場合には、出側開口３２２（Ｒ）、３２２（Ｇ）、３２２（Ｂ）の面積を相違させたうえで、出側開口３２２の面積に対する入側開口３２１の面積の比率を相違させればよい。
また、上記形態については、真空蒸着法により成膜を行う場合を例に説明したが、スパッタ成膜法やイオンプレーティング法などの蒸着法を採用する場合にも本発明を適用することができる。また、近年、イオンプレーティング法についてはプラズマを利用したプラズマコーティングが提案されており、かかる蒸着法に対しても、本発明を適用することができる。
１・・有機ＥＬ装置、２・・素子基板、３・・有機ＥＬ素子、６・・発光層、７・・電子注入輸送層、９・・有機ＥＬ素子、１０・・マスク蒸着装置、１２・・蒸着源、３１・・蒸着用マスク、２４・・隔壁、３２・・マスク開口部、３２１・・マスク開口部の入側開口、３２２・・マスク開口部の出側開口
Claims (9)
- 複数のマスク開口部が形成された蒸着用マスクにおいて、
前記複数のマスク開口部には、出側開口の面積に対する入側開口の面積の比率が異なる複数種類のマスク開口部が含まれていることを特徴とする蒸着用マスク。 - 前記複数種類のマスク開口部の間では、前記出側開口の面積が等しく、前記入側開口の面積が異なることを特徴とする請求項１に記載の蒸着用マスク。
- 前記複数種類のマスク開口部の間では、前記入側開口の数が等しく、当該入側開口の１つ当たりの面積が異なることを特徴とする請求項２に記載の蒸着用マスク。
- 前記複数種類のマスク開口部の間では、前記入側開口の１つ当たりの面積が等しく、当該入側開口の数が異なることを特徴とする請求項２に記載の蒸着用マスク。
- 前記マスク開口部では、前記入側開口が円形状をもって複数、形成されていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の蒸着用マスク。
- 被処理基板の複数の被成膜領域の各々に対応する複数のマスク開口部が形成された蒸着用マスクを前記被処理基板に重ねた状態で蒸着を行なうマスク蒸着法において、
前記複数の被成膜領域には、目標成膜厚が異なる複数種類の被成膜領域が含まれているとともに、前記複数のマスク開口部には、前記複数種類の被成膜領域に対応する複数種類のマスク開口部が含まれ、
前記複数種類のマスク開口部のうち、目標成膜厚が厚い被成膜領域に対応する種類のマスク開口部は、目標成膜厚が薄い被成膜領域に対応する種類のマスク開口部に比して、出側開口の面積に対する入側開口の面積の比率が大きいことを特徴とするマスク蒸着法。 - 前記複数種類のマスク開口部の間では、前記出側開口の面積が等しく、前記入側開口の面積が異なることを特徴とする請求項６に記載のマスク蒸着法。
- 前記マスク開口部では、前記入側開口が円形状をもって複数、形成されていることを特徴とする請求項６乃至７の何れか一項に記載のマスク蒸着法。
- 請求項６乃至８の何れか一項に記載のマスク蒸着法を用いた有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記被処理基板は、各画素毎に有機エレクトロルミネッセンス素子が形成される素子基板であり、
前記画素には、有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する複数の層のうちの少なくとも一層が、画素間で材料が同一で膜厚が異なる複数種類の画素が含まれていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007031617A JP2008196003A (ja) | 2007-02-13 | 2007-02-13 | 蒸着用マスク、マスク蒸着法、および有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007031617A JP2008196003A (ja) | 2007-02-13 | 2007-02-13 | 蒸着用マスク、マスク蒸着法、および有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008196003A true JP2008196003A (ja) | 2008-08-28 |
Family
ID=39755215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007031617A Withdrawn JP2008196003A (ja) | 2007-02-13 | 2007-02-13 | 蒸着用マスク、マスク蒸着法、および有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2008196003A (ja) |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011157625A (ja) * | 2010-02-01 | 2011-08-18 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 薄膜蒸着装置、それを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法及びそれによって製造された有機発光ディスプレイ装置 |
| CN102332539A (zh) * | 2010-07-12 | 2012-01-25 | 三星移动显示器株式会社 | 薄膜沉积设备及制造有机发光显示装置的方法 |
| US8852687B2 (en) | 2010-12-13 | 2014-10-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus |
| US8859325B2 (en) | 2010-01-14 | 2014-10-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
| US8859043B2 (en) | 2011-05-25 | 2014-10-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
| US8865252B2 (en) | 2010-04-06 | 2014-10-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
| US8871542B2 (en) | 2010-10-22 | 2014-10-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing organic light emitting display apparatus, and organic light emitting display apparatus manufactured by using the method |
| US8876975B2 (en) | 2009-10-19 | 2014-11-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
| US8882922B2 (en) | 2010-11-01 | 2014-11-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus |
| US8894458B2 (en) | 2010-04-28 | 2014-11-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
| US8906731B2 (en) | 2011-05-27 | 2014-12-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Patterning slit sheet assembly, organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus, and the organic light-emitting display apparatus |
| US8951610B2 (en) | 2011-07-04 | 2015-02-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus |
| JP2015030874A (ja) * | 2013-08-01 | 2015-02-16 | 株式会社エツミ光学 | 抗菌製品の防汚処理方法 |
| US8968829B2 (en) | 2009-08-25 | 2015-03-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
| US8973525B2 (en) | 2010-03-11 | 2015-03-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
| US9249493B2 (en) | 2011-05-25 | 2016-02-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the same |
| US9279177B2 (en) | 2010-07-07 | 2016-03-08 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
| US9388488B2 (en) | 2010-10-22 | 2016-07-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
| US9450140B2 (en) | 2009-08-27 | 2016-09-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same |
| US9748483B2 (en) | 2011-01-12 | 2017-08-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Deposition source and organic layer deposition apparatus including the same |
| US10246769B2 (en) | 2010-01-11 | 2019-04-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
-
2007
- 2007-02-13 JP JP2007031617A patent/JP2008196003A/ja not_active Withdrawn
Cited By (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8968829B2 (en) | 2009-08-25 | 2015-03-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
| US9450140B2 (en) | 2009-08-27 | 2016-09-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same |
| US8876975B2 (en) | 2009-10-19 | 2014-11-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
| US9224591B2 (en) | 2009-10-19 | 2015-12-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of depositing a thin film |
| US10246769B2 (en) | 2010-01-11 | 2019-04-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
| US10287671B2 (en) | 2010-01-11 | 2019-05-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
| US8859325B2 (en) | 2010-01-14 | 2014-10-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
| JP2011157625A (ja) * | 2010-02-01 | 2011-08-18 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 薄膜蒸着装置、それを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法及びそれによって製造された有機発光ディスプレイ装置 |
| TWI607598B (zh) * | 2010-02-01 | 2017-12-01 | 三星顯示器有限公司 | 薄膜沈積設備，使用該設備製造有機發光顯示裝置之方法及使用該方法製造之有機發光顯示裝置 |
| US8882556B2 (en) | 2010-02-01 | 2014-11-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
| CN102169968A (zh) * | 2010-02-01 | 2011-08-31 | 三星移动显示器株式会社 | 薄膜沉积设备、有机发光显示装置及其制造方法 |
| US9453282B2 (en) | 2010-03-11 | 2016-09-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
| US8973525B2 (en) | 2010-03-11 | 2015-03-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
| US8865252B2 (en) | 2010-04-06 | 2014-10-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
| US8894458B2 (en) | 2010-04-28 | 2014-11-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
| US9136310B2 (en) | 2010-04-28 | 2015-09-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
| US9279177B2 (en) | 2010-07-07 | 2016-03-08 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
| CN102332539A (zh) * | 2010-07-12 | 2012-01-25 | 三星移动显示器株式会社 | 薄膜沉积设备及制造有机发光显示装置的方法 |
| US9388488B2 (en) | 2010-10-22 | 2016-07-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
| US8871542B2 (en) | 2010-10-22 | 2014-10-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing organic light emitting display apparatus, and organic light emitting display apparatus manufactured by using the method |
| US8882922B2 (en) | 2010-11-01 | 2014-11-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus |
| US8852687B2 (en) | 2010-12-13 | 2014-10-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus |
| US9748483B2 (en) | 2011-01-12 | 2017-08-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Deposition source and organic layer deposition apparatus including the same |
| US9249493B2 (en) | 2011-05-25 | 2016-02-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the same |
| US8859043B2 (en) | 2011-05-25 | 2014-10-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
| US8906731B2 (en) | 2011-05-27 | 2014-12-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Patterning slit sheet assembly, organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus, and the organic light-emitting display apparatus |
| US8951610B2 (en) | 2011-07-04 | 2015-02-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus |
| JP2015030874A (ja) * | 2013-08-01 | 2015-02-16 | 株式会社エツミ光学 | 抗菌製品の防汚処理方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2008196003A (ja) | 蒸着用マスク、マスク蒸着法、および有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 | |
| US7268406B2 (en) | Mask, mask chip, manufacturing method of mask, manufacturing method of mask chip, and electronic device | |
| KR100837475B1 (ko) | 증착장치 및 유기발광소자의 제조방법 | |
| US9064822B2 (en) | Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same | |
| JP4909152B2 (ja) | 蒸着装置及び蒸着方法 | |
| JP4006173B2 (ja) | メタルマスク構造体及びその製造方法 | |
| WO2011148750A1 (ja) | 蒸着マスク及びこれを用いた有機ｅｌ素子の製造方法と製造装置 | |
| US9219253B2 (en) | Method for manufacturing organic EL display device | |
| JP2008223102A (ja) | 蒸着装置、および蒸着方法 | |
| US20170104158A1 (en) | Vapor deposition method and vapor deposition apparatus | |
| KR20150017191A (ko) | 메탈 마스크 제작 방법 | |
| US7824823B2 (en) | Mask, method of fabricating the same, and method of fabricating organic electro-luminescence device using the same | |
| US9982339B2 (en) | Film-forming mask, film-forming device, and film-forming method | |
| JP2013073880A (ja) | 発光素子の製造方法 | |
| JP2006233285A (ja) | 蒸着マスク及び蒸着マスクを用いた有機ｅｌ素子の製造方法 | |
| JP2008208426A (ja) | 成膜用マスクおよび成膜用マスクの製造方法 | |
| JP2008150662A (ja) | マスク蒸着法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、およびマスク蒸着装置 | |
| TW202245309A (zh) | 蒸鍍罩、蒸鍍罩裝置、蒸鍍裝置及有機器件之製造方法 | |
| JP2008196029A (ja) | 蒸着用マスクの製造方法および蒸着用マスク | |
| KR101812772B1 (ko) | 유기 발광 소자용 마스크, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 증착장치 | |
| JP2016046126A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 | |
| KR100670375B1 (ko) | 박막 증착용 마스크, 박막 증착 방법 및 유기 발광표시장치의 제조방법 | |
| JP2008223066A (ja) | 蒸着装置 | |
| US20180309091A1 (en) | Restriction unit, vapor deposition device, production method for vapor deposition film, production method for electroluminescence display device, and electroluminescence display device | |
| KR100717805B1 (ko) | 증착 마스크 조립체 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20100511 |