JP2008226698A - 表示装置の製造方法およびこれに用いるドナー基板、並びに表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】複数回使用を可能とすることができる表示装置の製造方法およびこれに用いるドナー基板、並びに表示装置を提供する。
【解決手段】ドナー基板４０に、被転写基板の表示領域に対応する第１領域４１Ａ以外の第２領域４１Ｂに、第２光熱変換層４３Ｂを設ける。この第２光熱変換層４３Ｂ上に第２転写層を形成して被転写基板に転写することにより、被転写基板の表示領域外に、共通基板４１に固有の形状を有するドナー識別パターンを形成する。検査で欠陥を発見した場合などに、発光層の形成に使用したドナー基板４０を容易に特定することができ、ドナー基板４０に起因するリピーティング不良の早期発見および対策を可能とする。第２光熱変換層４３Ｂを、ドナー識別パターンＩＤの形状で形成しておけば、ドナー識別パターンを容易に形成することができる。
【選択図】図７

Description

本発明は、熱転写法による表示装置の製造方法およびこれに用いるドナー基板、並びに表示装置に関する。

有機発光素子の製造方法の一つとして、熱転写を用いたパターン作製法が開示されている（例えば、特許文献１および特許文献２参照。）。熱転写法は、支持材に発光材料を含む転写層を形成したドナー要素を形成し、このドナー要素を、有機発光素子を形成するための被転写基板に対向配置し、減圧環境下で輻射線を照射することにより転写層を被転写基板に転写する方法である。従来では、赤色，緑色，青色の三色の有機発光素子を形成するためには、一般的に発光色数と同じく三回の転写を行うが、青色共通層を採用する方法（例えば、特許文献３参照。）も開示されている。

従来のドナー要素では、支持材として主にフィルムを使用しており、基本的に使い捨てが前提である。そこで、支持材に耐久性のあるガラスを使用すれば、ドナー要素を洗浄することで支持材を再利用することも考えられる（例えば、特許文献４参照。）。
特開平９−１６７６８４号公報 特開２００２−２１６９５７号公報 特開２００５−２３５７４２号公報 特開２００６−３０９９９４号公報（第０００９段落）

しかしながら、ドナー要素を洗浄して支持材を再利用する技術はこれまで確立されていなかった。また、同一のドナー基板を複数回使用する場合、仮にドナー基板に欠陥があり、それが転写層の品質に直結するとすれば、複数の被転写基板の同一箇所にリピーティング不良を引き起こすこととなり、品質およびコストの両面で重大な損失を生じるおそれがあった。更に、転写後に残った転写層をウェット洗浄する場合、ドナー基板に水分が付着し、そのまま再使用すると素子特性が悪化してしまうという問題もあった。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、ドナー基板の複数回使用を可能とすることができる表示装置の製造方法およびこれに用いるドナー基板、並びに表示装置を提供することにある。

本発明の一形態の表示装置の製造方法は、被転写基板の表示領域に、第１電極，発光層を含む有機層および第２電極を順に有する有機発光素子を形成するものであって、発光層を形成する工程は、以下の（Ａ）〜（Ｃ）の工程を含み、
（Ａ）共通基板上に、被転写基板の表示領域に対応する第１領域に少なくとも第１光熱変換層を形成するドナー基板形成工程
（Ｂ）第１光熱変換層上に発光層の材料を含む第１転写層を形成する転写層形成工程
（Ｃ）ドナー基板および被転写基板を、第１転写層を被転写基板に対向させて位置合わせし、ドナー基板に輻射線を照射することにより第１転写層を被転写基板に転写して発光層を形成する転写工程
転写層形成工程および転写工程において、同一のドナー基板を複数サイクルにわたって使用し、かつ、複数サイクルのうち二サイクル目以降を行う前に、少なくとも一回、ドナー基板上の転写層を除去する除去工程を行うようにしたものである。

本発明の他の形態の表示装置の製造方法は、被転写基板の表示領域に、第１電極，発光層を含む有機層および第２電極を順に有する有機発光素子を形成するものであって、発光層を形成する工程は、以下の（Ａ）〜（Ｃ）の工程を含むものである。
（Ａ）共通基板上に、被転写基板の表示領域に対応する第１領域に第１光熱変換層を形成すると共に、第１領域以外の第２領域の少なくとも一部に、共通基板に固有の形状を有するドナー識別パターンを被転写基板の表示領域外に形成するための第２光熱変換層を形成するドナー基板形成工程
（Ｂ）第１光熱変換層上に発光層の材料を含む第１転写層を形成すると共に第２光熱変換層上に発光層の材料を含む第２転写層を形成する転写層形成工程
（Ｃ）ドナー基板および被転写基板を、第１転写層および第２転写層を被転写基板に対向させて位置合わせし、ドナー基板に輻射線を照射することにより第１転写層を被転写基板に転写して発光層を形成すると共に第２転写層を被転写基板に転写してドナー識別パターンを形成する転写工程

本発明の一形態のドナー基板は、被転写基板の表示領域に、第１電極，発光層を含む有機層および第２電極を順に有する有機発光素子の、発光層を形成する工程に用いられるものであって、以下の（Ａ）〜（Ｄ）の要件を満たすものである。
（Ａ）共通基板
（Ｂ）共通基板上に、被転写基板の表示領域に対応する第１領域に形成された第１光熱変換層
（Ｃ）共通基板と第１光熱変換層との間に形成された吸収層
（Ｄ）第１光熱変換層を覆う保護層

本発明の他の形態のドナー基板は、被転写基板の表示領域に、第１電極，発光層を含む有機層および第２電極を順に有する有機発光素子の、発光層を形成する工程に用いられるものであって、以下の（Ａ）〜（Ｃ）の要件を満たすものである。
（Ａ）共通基板
（Ｂ）共通基板上に、被転写基板の表示領域に対応する第１領域に形成された第１光熱変換層
（Ｃ）第１領域以外の第２領域の少なくとも一部に形成され、共通基板に固有の形状を有するドナー識別パターンを被転写基板の表示領域外に形成するための第２光熱変換層

本発明の一形態の表示装置は、被転写基板の表示領域に、第１電極，発光層を含む有機層および第２電極を順に有する有機発光素子を備えたものであって、発光層は、共通基板上に、被転写基板の表示領域に対応する第１領域に第１光熱変換層を有するドナー基板を形成し、第１光熱変換層上に発光層の材料を含む第１転写層を形成したのち、ドナー基板および被転写基板を、第１転写層を被転写基板に対向させて位置合わせし、ドナー基板に輻射線を照射することにより第１転写層を被転写基板に転写することにより形成されたものであり、被転写基板の表示領域外に、共通基板に固有の形状を有するドナー識別パターンが形成されているものである。

本発明の一形態のドナー基板では、共通基板上に、吸収層，第１光熱変換層および保護層が積層されているので、吸収層により光吸収率が向上すると共に、保護層により第１光熱変換層が保護される。

本発明の他の形態のドナー基板では、被転写基板の表示領域に対応する第１領域以外の第２領域に、第２光熱変換層が設けられているので、この第２光熱変換層上に転写層を形成して被転写基板に転写することにより、被転写基板の表示領域外に、共通基板に固有の形状を有するドナー識別パターンが形成される。

本発明の表示装置では、被転写基板の表示領域外に、共通基板に固有の形状を有するドナー識別パターンが形成されているので、検査で欠陥を発見した場合などにおいて、発光層の形成に使用されたドナー基板が容易に特定可能となる。

本発明の一形態の表示装置の製造方法によれば、転写層形成工程および転写工程において、同一のドナー基板を複数サイクルにわたって使用し、かつ、複数サイクルのうち二サイクル目以降を行う前に、少なくとも一回、ドナー基板上の転写層を除去する除去工程を行うようにしたので、転写されなかった転写層のみを除去し、共通基板および第１光熱変換層などを複数回使用することができる。

本発明の他の形態の表示装置の製造方法によれば、共通基板上に第１光熱変換層および第２光熱変換層を有するドナー基板を形成し、第１光熱変換層上に第１転写層、第２光熱変換層上に第２転写層をそれぞれ形成したのち、第１転写層を被転写基板に転写して発光層を形成すると共に第２転写層を被転写基板に転写してドナー識別パターンを形成するようにしたので、発光層と同時にドナー識別パターンを形成することができる。よって、発光層の形成に使用したドナー基板のドナー識別パターンを被転写基板に記録するための工程を加える必要がなく、ドナー基板を複数回使用しつつ生産性を向上させることができる。

本発明の一形態のドナー基板によれば、共通基板，吸収層，第１光熱変換層および保護層の積層構造を有するようにしたので、吸収層により光吸収率が向上すると共に、保護層により第１光熱変換層の劣化が抑えられる。よって、この積層構造を発光層を形成する工程に複数回使用することができる。

本発明の他の形態のドナー基板によれば、被転写基板の表示領域に対応する第１領域以外の第２領域に、第２光熱変換層を設けるようにしたので、この第２光熱変換層上に第２転写層を形成して被転写基板に転写することにより、被転写基板の表示領域外に、共通基板に固有の形状を有するドナー識別パターンを形成することができる。これにより、検査で欠陥を発見した場合などにおいて、発光層の形成に使用したドナー基板を容易に特定することができ、ドナー基板の使用履歴管理を行うことができる。よって、ドナー基板に起因するリピーティング不良の早期発見および対策を可能とし、ドナー基板を複数回使用しつつ高品質な発光層を形成し、歩留りおよび品質を向上させることができる。

本発明の表示装置によれば、被転写基板の表示領域外に、共通基板に固有の形状を有するドナー識別パターンを形成するようにしたので、検査で欠陥を発見した場合などにおいて、発光層の形成に使用したドナー基板を容易に特定することができ、不良なドナー基板を工程から排除し、良好なドナー基板のみを用いて高品質な発光層が形成されている。よって、表示品質の優れた表示装置を実現することができる。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。

図１は、本発明の一実施の形態に係る表示装置の構成を表すものである。この表示装置は、極薄型の有機発光カラーディスプレイ装置などとして用いられるものであり、例えば、ガラスよりなる被転写基板１１の上に、後述する複数の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがマトリクス状に配置されてなる表示領域１１０が形成されると共に、この表示領域１１０の周辺に、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が形成されたものである。

表示領域１１０内には画素駆動回路１４０が形成されている。図２は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。この画素駆動回路１４０は、後述する第１電極１５の下層に形成され、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、その間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）とを有するアクティブ型の駆動回路である。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により構成され、その構成は例えば逆スタガー構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガー構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。

画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つ（サブピクセル）に対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。

図３は、表示領域１１０の平面構成の一例を表したものである。表示領域１１０には、赤色の光を発生する有機発光素子１０Ｒと、緑色の光を発生する有機発光素子１０Ｇと、青色の光を発生する有機発光素子１０Ｂとが、順に全体としてマトリクス状に形成されている。なお、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは短冊形の平面形状を有し、隣り合う有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの組み合わせが一つの画素（ピクセル）１０を構成している。画素ピッチは例えば３００μｍである。

また、被転写基板１１の表示領域１１０外には、ドナー識別パターンＩＤが形成されている。ドナー識別パターンＩＤは、後述する熱転写法による発光層１５Ｃの形成工程において使用したドナー基板を特定するためのものであり、その形状は、文字，記号，数字または図形など特に限定されないが、例えば当該ドナー基板を用いて形成した発光層１５Ｃの発光色に対応するアルファベットＲ，Ｇ，Ｂのいずれかと、ドナー基板の通し番号（例えば００００１〜９９９９９のいずれかの５桁の数）との組合せとすることができる。これにより、この表示装置では、検査で欠陥を発見した場合などにおいて、発光層１５Ｃの形成に使用されたドナー基板が容易に特定可能となり、ドナー基板を複数回使用しつつ高品質な発光層１５Ｃを形成することができるようになっている。

図４は図３に示した有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの断面構成を表したものである。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、それぞれ、基板１１の側から、上述した画素駆動回路１４０の駆動トランジスタＴｒ１、平坦化絶縁膜１２、陽極としての第１電極１３、電極間絶縁膜１４、後述する発光層１５Ｃを含む有機層１５、および陰極としての第２電極１６がこの順に積層された構成を有している。

このような有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、窒化ケイ素（ＳｉＮx ）などの保護膜１７により被覆され、更にこの保護膜１７上に接着層２０を間にしてガラスなどよりなる封止用基板３０が全面にわたって貼り合わされることにより封止されている。

駆動トランジスタＴｒ１は、平坦化絶縁膜１２に設けられた接続孔１２Ａを介して第１電極１３に電気的に接続されている。

平坦化絶縁膜１２は、画素駆動回路１４０が形成された被転写基板１１の表面を平坦化するためのものであり、微細な接続孔１２Ａが形成されるためパターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。平坦化絶縁膜１２の構成材料としては、例えば、ポリイミド等の有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ₂ ）などの無機材料が挙げられる。

第１電極１３は、例えば、ＩＴＯ（インジウム・スズ複合酸化物）により構成されている。

電極間絶縁膜１４は、第１電極１３と第２電極１６との絶縁性を確保すると共に発光領域を正確に所望の形状にするためのものであり、例えばポリイミドなどの感光性樹脂により構成されている。電極間絶縁膜１４には、発光領域に対応して開口部が設けられている。なお、有機層１５および第２電極１６は、発光領域だけでなく電極間絶縁膜１４の上にも連続して設けられていてもよいが、発光が生じるのは電極間絶縁膜１４の開口部だけである。

有機層１５は、例えば図５に示したように、第１電極１３の側から順に、正孔注入層１５Ａ，正孔輸送層１５Ｂ，発光層１５Ｃおよび電子輸送層１５Ｄを積層した構成を有するが、これらのうち発光層１５Ｃ以外の層は必要に応じて設ければよい。また、有機層１５は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色によってそれぞれ構成が異なっていてもよい。正孔注入層１５Ａは、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔輸送層１５Ｂは、発光層１５Ｃへの正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層１５Ｃは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層１５Ｄは、発光層１５Ｃへの電子輸送効率を高めるためのものである。なお、電子輸送層１５Ｄと第２電極１６との間には、例えば厚みが０．３ｎｍ程度であり、ＬｉＦ，Ｌｉ₂ Ｏなどよりなる電子注入層（図示せず）を設けてもよい。

有機発光素子１０Ｒの正孔注入層１５Ａは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）あるいは４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）により構成されている。有機発光素子１０Ｒの正孔輸送層１５Ｂは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）により構成されている。有機発光素子１０Ｒの発光層１５Ｃは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、９，１０−ジ−（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）に２，６≡ビス［４´≡メトキシジフェニルアミノ）スチリル］≡１，５≡ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成されている。有機発光素子１０Ｒの電子輸送層１５Ｄは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、８≡ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ₃ ）により構成されている。

有機発光素子１０Ｇの正孔注入層１５Ａは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの正孔輸送層１５Ｂは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの発光層１５Ｃは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、ＡＤＮにクマリン６（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を５体積％混合したものにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの電子輸送層１５Ｄは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ₃ により構成されている。

有機発光素子１０Ｂの正孔注入層１５Ａは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡにより構成されている。有機発光素子１０Ｂの正孔輸送層１５Ｂは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｂの発光層１５Ｃは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、ＡＤＮに４，４´≡ビス［２≡｛４≡（Ｎ，Ｎ≡ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成されている。有機発光素子１０Ｂの電子輸送層１５Ｄは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ₃ により構成されている。

第２電極１６は、例えば、厚みが５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），ナトリウム（Ｎａ）などの金属元素の単体または合金により構成されている。中でも、マグネシウムと銀との合金（ＭｇＡｇ合金）、またはアルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（ＡｌＬｉ合金）が好ましい。

保護膜１７は、有機層１５に水分などが侵入することを防止するためのものであり、透過水性および吸水性の低い材料により構成されると共に十分な厚みを有している。また、保護膜１７は、発光層１５Ｃで発生した光に対する透過性が高く、例えば８０％以上の透過率を有する材料により構成されている。このような保護膜１７は、例えば、厚みが２μｍないし３μｍ程度であり、無機アモルファス性の絶縁性材料により構成されている。具体的には、アモルファスシリコン（α−Ｓｉ），アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ），アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ_1-x Ｎ_x ）およびアモルファスカーボン（α−Ｃ）が好ましい。これらの無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないので透水性が低く、良好な保護膜１７となる。また、保護膜１７は、ＩＴＯのような透明導電材料により構成されていてもよい。

接着層２０は、例えば熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂により構成されている。

封止用基板３０は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第２電極１６の側に位置しており、接着層２０と共に有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを封止するものであり、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。封止用基板３０には、例えば、カラーフィルタ３１が設けられており、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光を取り出すと共に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ並びにその間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善するようになっている。

カラーフィルタ３１は、封止用基板３０のどちら側の面に設けられてもよいが、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの側に設けられることが好ましい。カラーフィルタ３１が表面に露出せず、接着層２０により保護することができるからである。また、発光層１５Ｃとカラーフィルタ３１との間の距離が狭くなることにより、発光層１５Ｃから出射した光が隣接する他の色のカラーフィルタ３１に入射して混色を生じることを避けることができるからである。カラーフィルタ３１は、赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタ（いずれも図示せず）を有しており、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対応して順に配置されている。

赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタは、それぞれ例えば矩形形状で隙間なく形成されている。これら赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタは、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されており、顔料を選択することにより、目的とする赤，緑あるいは青の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。

この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。

図６は、この表示装置の製造方法の流れを表したものであり、図７ないし図１７は、この表示装置の製造方法を工程順に表すものである。

（被転写基板投入）
まず、上述した材料よりなる被転写基板１１を用意し（ステップＳ１０１）、この被転写基板１１の上に駆動トランジスタＴｒ１を含む画素駆動回路１４０を形成したのち、全面に感光性樹脂を塗布することにより平坦化絶縁膜１２を形成し、露光および現像により平坦化絶縁膜１２を所定の形状にパターニングすると共に接続孔１２Ａを形成し、焼成する。

次いで、例えばスパッタ法により、上述した材料よりなる第１電極１３を形成し、例えばドライエッチングにより所定の形状に成形する。なお、被転写基板１１の所定の位置には、後述する転写工程においてドナー基板との位置合わせに使用するアライメントマークが形成されている。

続いて、被転写基板１１の全面にわたり感光性樹脂を塗布し、例えばフォトリソグラフィ法により発光領域に対応して開口部を設け、焼成することにより、電極間絶縁膜１４を形成する。

（正孔注入層および正孔輸送層成膜）
そののち、例えば蒸着法により、上述した厚みおよび材料よりなる正孔注入層１５Ａおよび正孔輸送層１５Ｂを順次成膜する（ステップＳ１０２）。

正孔注入層１５Ａおよび正孔輸送層１５Ｂを形成したのち、ドナー基板を用いた熱転写法により、発光層１５Ｃを形成する。発光層１５Ｃを形成する工程は、ドナー基板形成工程と、転写層形成工程と、転写工程とを含む。

（ドナー基板形成工程）
図７は、ドナー基板の構成を、転写層を形成しない未使用の状態で表したものである（ステップＳ１０３）。ドナー基板４０は、例えば、共通基板４１上に、吸収層４２，第１光熱変換層４３Ａおよび第２光熱変換層４３Ｂ，並びに保護層４４を順に積層した積層構造を有しており、この積層構造を発光層１５Ｃの形成に複数回使用することができるようになっている。

共通基板４１は、被転写基板１１との位置合わせが可能な堅固さを有すると共に、レーザ光に対する透過性の高い材料、例えばガラスにより構成されている。

吸収層４２は、第１光熱変換層４３Ａおよび第２光熱変換層４３Ｂによるレーザ光の吸収効率を高めるためのものであり、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）により構成されている。吸収層４２の厚みは、第１光熱変換層４３Ａおよび第２光熱変換層４３Ｂの構成材料に応じて反射率を最も低くするように設定することが望ましく、例えば第１光熱変換層４３Ａおよび第２光熱変換層４３Ｂがモリブデン（Ｍｏ）により構成されている場合、３４ｎｍないし３５ｎｍ程度であることが好ましい。なお、吸収層４２は必ずしも設けなくてもよい。

第１光熱変換層４３Ａおよび第２光熱変換層４３Ｂは、例えばモリブデン（Ｍｏ），チタン（Ｔｉ），クロム（Ｃｒ）あるいはこれらを含む合金など吸収率の高い金属材料により構成されている。第１光熱変換層４３Ａおよび第２光熱変換層４３Ｂの厚みは、光が透過しない程度であることが望ましく、例えば１００ｎｍとされている。第１光熱変換層４３Ａは、非転写基板１１の表示領域１１０に発光層１５Ｃを形成するためのものであり、非転写基板１１の表示領域１１０に対応する第１領域４１Ａに形成されている。第２光熱変換層４３Ｂは、第１領域４１Ａ以外の第２領域４１Ｂの一部に形成され、被転写基板１１の表示領域１１０外にドナー識別パターンＩＤを形成するためのものである。これにより、このドナー基板４０では、複数回使用しつつ高品質な発光層１５Ｃを形成することができるようになっている。

第２光熱変換層４３Ｂは、ドナー識別パターンＩＤの形状で形成されていることが好ましい。第２光熱変換層４３Ｂを含む周辺領域全体に後述する第２転写層を形成し、この第２転写層にレーザ光を全面照射することにより、ドナー識別パターンＩＤを容易に形成することができるからである。なお、第２光熱変換層４３Ｂをパターニングせず、後述する第２転写層をドナー識別パターンＩＤの形状で形成したり、あるいはレーザ光を走査させることによりドナー識別パターンＩＤを形成することも可能である。しかしながら、第２光熱変換層４３Ｂをドナー識別パターンＩＤの形状で形成しておくほうが簡単であり、誤記などのおそれもなくすことができる。

保護層４４は、第１光熱変換層４３Ａおよび第２光熱変換層４３Ｂの酸化や変質を防止し、発光層１５Ｃの特性を高めるためのものであり、例えば、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ），二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂ ）またはＩＴＯにより構成されている。保護層４４の厚みは、第１光熱変換層４３Ａおよび第２光熱変換層４３Ｂを良好に保護することができる程度であることが好ましく、例えば１００ｎｍ程度とされている。なお、保護層４４は必ずしも設けなくてもよい。

このドナー基板４０は、例えば、次のようにして製造することができる。

まず、上述した材料よりなる共通基板４１上に、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ；化学気相成長）法により、アモルファスシリコン膜（図示せず）を上述した厚みで形成する。次いで、アモルファスシリコン膜上に、例えばスパッタリング法により、例えばモリブデン膜（図示せず）を上述した厚みで形成する。続いて、例えばリソグラフィ技術によりアモルファスシリコン膜およびモリブデン膜を選択的に除去し、第１領域４１Ａに吸収層４２および第１光熱変換層４３Ａを形成すると共に、第２領域４２Ａに吸収層４２および第２光熱変換層４３Ｂを形成する。そののち、例えばＣＶＤ法により、上述した厚みおよび材料よりなる保護層４４を形成する。以上により、図７に示したドナー基板４０が完成する。なお、この製造方法により、実際にドナー基板４０を作製し、得られたドナー基板４０について後述する転写工程と同条件で共通基板４１側からレーザ光を１００回以上照射し、反射率の変化を調べたところ、図８に示したように、反射率には変化が見られなかった。また、１００回照射後のレーザ照射面および転写層形成面の状態を顕微鏡で調べたところ、図９に示したように、吸収層４２，第１光熱変換層４３Ａおよび第２光熱変換層４３Ｂにはダメージは発生していなかった。すなわち、共通基板４１，吸収層４２，第１光熱変換層４３Ａおよび第２光熱変換層４３Ｂ，並びに保護層４４を再利用して、レーザ光を１００回以上照射しても、常に同条件で転写を行うことができ、安定した素子特性を得られることが分かった。

（転写層形成工程）
まず、発光色数と同じく三枚のドナー基板４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂ（４０Ｇ，４０Ｂは図示せず）を用意し、ドナー基板４０Ｒに、図１０に示したように、例えば真空蒸着により、第１光熱変換層４３Ａ上に、上述した有機発光素子１０Ｒの発光層１５Ｃの材料を含む第１転写層５０Ｒ１を形成すると共に、第２光熱変換層４３Ｂ上に、上述した有機発光素子１０Ｒの発光層１５Ｃの材料を含む第２転写層５０Ｒ２を形成する（ステップＳ１０４）。なお、図１０では、吸収層４２および保護層４４は省略している。

同様にして、図示しないが、ドナー基板４０Ｇに、有機発光素子１０Ｇの発光層１５Ｃの材料を含む第１転写層５０Ｇ１および第２転写層５０Ｇ２を形成し（ステップＳ１０５）、ドナー基板４０Ｂに、有機発光素子１０Ｂの発光層１５Ｃの材料を含む第１転写層５０Ｂ１および第２転写層５０Ｂ２を形成する（ステップＳ１０６）。

（転写工程）
そののち、ドナー基板４０Ｒおよび被転写基板１１を、第１転写層５０Ｒ１および第２転写層５０Ｒ２を被転写基板１１に対向させて位置合わせし、両基板間を減圧し密着させて、ドナー基板４０Ｒの共通基板４１側からレーザ光を照射する。レーザ光は第１光熱変換層４３Ａおよび第２光熱変換層４３Ｂに吸収され、その熱により、図１１および図１２に示したように、第１転写層５０Ｒ１が、例えば１００μｍの刈幅Ｄで、被転写基板１１の表示領域１１０に選択的に転写されて有機発光素子１０Ｒの発光層１５Ｃが形成されると共に、第２転写層５０Ｒ２が被転写基板１１に転写され、当該ドナー基板４０Ｒのドナー識別パターンＩＤＲ（例えば、Ｒ００００１）が形成される（ステップＳ１０７）。

同様にして、図１３に示したように、有機発光素子１０Ｇの発光層１５Ｃが形成されると共に、ドナー基板４０Ｇのドナー識別パターンＩＤＧ（例えば、Ｇ００００１）が形成される（ステップＳ１０８）。また、同じく図１１に示したように、有機発光素子１０Ｂの発光層１５Ｃが形成されると共に、ドナー基板４０Ｂのドナー識別パターンＩＤＢ（例えば、Ｂ００００１）が形成される（ステップＳ１０９）。

有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光層１５Ｃを形成したのち、例えば蒸着により、電子輸送層１５Ｄ，電子注入層（図示せず）および第２電極１６を形成する（ステップＳ１１０）。このようにして、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成する。

有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成したのち、これらの上に上述した材料よりなる保護膜１７を形成する（ステップＳ１１１）。保護膜１７の形成方法は、下地に対して影響を及ぼすことのない程度に、成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法、例えば蒸着法またはＣＶＤ法が好ましい。また、保護膜１７は、第２電極１６を大気に暴露することなく、第２電極１６の形成と連続して行うことが望ましい。大気中の水分や酸素により有機層１５が劣化してしまうのを抑制することができるからである。更に、有機層１５の劣化による輝度の低下を防止するため、保護膜１７の成膜温度は常温に設定すると共に、保護膜１７の剥がれを防止するために膜のストレスが最小になる条件で成膜することが望ましい。

（検査工程）
保護膜１７を形成したのち、このようにして形成された有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの検査を行う（ステップＳ２００）。図１４は、この検査方法の流れを表したものである。検査の結果、不良と判断された場合、欠陥の座標およびドナー識別パターンＩＤＲ，ＩＤＧ，ＩＤＢの形状を含むデータを取得する（ステップＳ２０１）。必要に応じて、欠陥素子の色のデータを取得してもよい。

次いで、取得したデータを、他の被転写基板１１について取得したデータと照合し、一致するか否かを調べる（ステップＳ２０２）。不一致の場合は、取得したデータを蓄積する（ステップＳ２０３）。一致した場合、ドナー識別パターンＩＤＲ，ＩＤＧ，ＩＤＢの形状のデータに基づいて、複数の被転写基板１１の同一座標に欠陥を生じさせているドナー基板４０を特定する（ステップＳ２０４）。続いて、特定したドナー基板４０を工程から抜き取り、欠陥の座標のデータに基づいて、ドナー基板４０上の該当する座標を検査し、ドナー基板４０の欠陥の座標と、被転写基板１１の欠陥の座標とが一致するか否かを調べる（ステップＳ２０５）。このとき、検査工程において欠陥の座標のデータを取得しているので、抜き取ったドナー基板４０の全体を検査する必要がなく、直ちにドナー基板４０上の該当する座標を検査することができ、検査効率を向上させることができる。検査の結果、不一致の場合は、取得したデータを蓄積する（ステップＳ２０３）。一致した場合、ドナー基板４０の欠陥を修正し、あるいは廃棄する（ステップＳ２０６）。

（後工程）
一方、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの検査（ステップＳ２００）の結果、良品と判断された場合は、後工程に進む（ステップＳ３００）。ここでは、例えば、上述した材料よりなる封止用基板３０の上に、赤色フィルタの材料をスピンコートなどにより塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングして焼成することにより赤色フィルタを形成する。続いて、赤色フィルタと同様にして、青色フィルタおよび緑色フィルタを順次形成する。

そののち、保護膜１７の上に、接着層２０を形成し、この接着層２０を間にして封止用基板３０を貼り合わせる。その際、封止用基板３０のカラーフィルタ３１を形成した面を、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ側にして配置することが好ましい。以上により、図１に示した表示装置が完成する。

（除去工程）
次に、図１５および図１６を参照して、転写工程を終えたドナー基板４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂの洗浄・再生について説明する。転写層形成工程および転写工程においては、同一のドナー基板４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂを複数サイクルにわたって使用する。その際、二サイクル目以降を行う前には、少なくとも一回、好ましくは数サイクル毎、より好ましくは各サイクル毎に、ドナー基板４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂ上の第１転写層５０Ｒ１，５０Ｇ１，５０Ｂ１および第２転写層５０Ｒ２，５０Ｇ２，５０Ｂ２を除去する（ステップＳ１１２）。

（ウェット洗浄工程）
除去工程では、例えば、ドナー基板４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂをシクロヘキサノンなどの有機溶剤に浸漬するウェット洗浄工程を行う。すなわち、使用済のドナー基板４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂには、図１５（Ａ）に示したように、第１転写層５０Ｒ１，５０Ｇ１，５０Ｂ１および第２転写層５０Ｒ２，５０Ｇ２，５０Ｂ２の転写されなかった部分が残っている。ウェット洗浄工程では、まず、図１５（Ｂ）に示したように、このような使用済のドナー基板４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂをシクロヘキサノン６１に浸漬し、１ｍｉｎないし５ｍｉｎ、溶剤中で揺動させる。残存している第１転写層５０Ｒ１，５０Ｇ１，５０Ｂ１および第２転写層５０Ｒ２，５０Ｇ２，５０Ｂ２が完全に溶剤内に溶け出したところでドナー基板４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂを引き揚げ、図１５（Ｃ）に示したように、別のシクロヘキサノン６２に浸漬する。ここでも、１ｍｉｎないし５ｍｉｎ、溶剤中で揺動させて、残存している第１転写層５０Ｒ１，５０Ｇ１，５０Ｂ１および第２転写層５０Ｒ２，５０Ｇ２，５０Ｂ２を完全に除去する。続いて、図１６（Ａ）に示したように、イソプロピルアルコールなどのリンス液６３でシクロヘキサノンを洗い、Ｎ₂ ブローにより乾燥させる。これにより、残っていた第１転写層５０Ｒ１，５０Ｇ１，５０Ｂ１および第２転写層５０Ｒ２，５０Ｇ２，５０Ｂ２が完全に除去され、図１６（Ｂ）に示したように、第１転写層５０Ｒ１，５０Ｇ１，５０Ｂ１および第２転写層５０Ｒ２，５０Ｇ２，５０Ｂ２の成膜前の状態に戻る。有機溶媒としては、シクロヘキサノンの他、ガンマブチロラクトン，グリコールエーテル、Ｎ−メチル−２−ピロリドン，トルエンあるいはアセトンなどの他の有機溶剤、またはレジスト剥離液などを用いてもよい。

なお、ウェット洗浄に代えて、ドライ洗浄により除去工程を行うことも可能である。例えば、ドナー基板４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂの第１転写層５０Ｒ１，５０Ｇ１，５０Ｂ１および第２転写層５０Ｒ２，５０Ｇ２，５０Ｂ２側に、素ガラスなどの対向基板を真空中で貼り合せ、転写工程と同じ条件でドナー基板４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂにレーザ照射し、残存している第１転写層５０Ｒ１，５０Ｇ１，５０Ｂ１および第２転写層５０Ｒ２，５０Ｇ２，５０Ｂ２を対向基板へ転写して除去することができる。あるいは、ＵＶ−Ｏ₃ 処理を例えば１７０℃、３０ｍｉｎ行うことにより、残存している第１転写層５０Ｒ１，５０Ｇ１，５０Ｂ１および第２転写層５０Ｒ２，５０Ｇ２，５０Ｂ２を除去することができる。

（熱処理工程）
ウェット洗浄工程を行った場合には、ドナー基板４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂを熱処理する熱処理工程を行うことが好ましい。ウェット洗浄でドナー基板４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂに付着した水分を取り除くことができ、ドナー基板４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂを繰返し使用して発光層１５Ｃを形成しても、寿命の悪化やばらつきを抑えることができるからである。熱処理の温度は、例えば２５０℃以上とすることが好ましい。より高い効果が得られるからである。熱処理は、具体的には、例えば２８０℃、３０ｍｉｎ、クリーンオーブンで行うことができる。クリーンオーブンに代えて、ホットプレートあるいは真空べーク炉を使用してもよい。

なお、上述したウェット洗浄工程ののち２００℃および２８０℃で熱処理工程を行ったドナー基板４０を用いて発光層１５Ｃを形成した有機発光素子と、ウェット洗浄工程のみを行い、熱処理工程を行わずに発光層１５Ｃを形成した有機発光素子とを実際に作製し、得られた有機発光素子について寿命のばらつきを調べたところ、図１７に示したように、熱処理を行ったもののほうが寿命のばらつきを小さくすることができた。また、２８０℃で熱処理工程を行ったものは、２００℃で行ったものよりも更に寿命のばらつきを抑えることができた。

このようにして得られた表示装置では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第２電極１６，カラーフィルタ３１および封止用基板３０を透過して取り出される。

ここでは、被転写基板１１の表示領域１１０外に、共通基板４１に固有の形状を有するドナー識別パターンＩＤが形成されているようにしたので、検査で欠陥を発見した場合などにおいて、発光層１５Ｃの形成に使用したドナー基板４０が容易に特定され、不良なドナー基板４０は工程から排除され、良好なドナー基板４０のみにより高品質な発光層１５Ｃが形成されている。よって、表示装置の表示品質が向上する。

このように本実施の形態の表示装置の製造方法によれば、転写層形成工程および転写工程において、同一のドナー基板４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂを複数サイクルにわたって使用し、かつ、二サイクル目以降を行う前に、少なくとも一回、ドナー基板４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂ上の第１転写層５０Ｒ１，５０Ｇ１，５０Ｂ１および第２転写層５０Ｒ２，５０Ｇ２，５０Ｂ２を除去する除去工程を行うようにしたので、転写されなかった第１転写層５０Ｒ１，５０Ｇ１，５０Ｂ１および第２転写層５０Ｒ２，５０Ｇ２，５０Ｂ２のみを除去し、共通基板４１および第１光熱変換層４３Ａなどを複数回利用することができる。よって、ドナー基板４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂの作製枚数を削減し、コスト低減を図ることができる。

特に、除去工程において、ウェット洗浄工程を行ったのちに、ドナー基板４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂを熱処理する熱処理工程を行うようにしたので、ウェット洗浄でドナー基板４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂに付着した水分を取り除くことができ、ドナー基板４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂを繰返し使用して発光層１５Ｃを形成しても、寿命の悪化やばらつきを抑えることができる。

また、本実施の形態の表示装置の製造方法によれば、ドナー基板４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂを形成し、第１光熱変換層４３Ａ上に第１転写層５０Ｒ１，５０Ｇ１，５０Ｂ１、第２光熱変換層４３Ｂ上に第２転写層５０Ｒ２，５０Ｇ２，５０Ｂ２をそれぞれ形成したのち、第１転写層５０Ｒ１，５０Ｇ１，５０Ｂ１を被転写基板１１に転写して発光層１５Ｃを形成すると共に第２転写層５０Ｒ２，５０Ｇ２，５０Ｂ２を被転写基板１１に転写してドナー識別パターンＩＤを形成するようにしたので、発光層１５Ｃと同時にドナー識別パターンＩＤを形成することができる。よって、発光層１５Ｃの形成に使用したドナー基板４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂのドナー識別パターンＩＤを被転写基板１１に記録するための工程を加える必要がなく、ドナー基板４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂを複数回使用しつつ生産性を向上させることができる。

特に、第２光熱変換層４３Ｂを、ドナー識別パターンＩＤの形状で形成するようにしたので、第２光熱変換層４３Ｂを含む周辺領域全体に第２転写層５０Ｒ２，５０Ｇ２，５０Ｂ２を形成し、この第２転写層５０Ｒ２，５０Ｇ２，５０Ｂ２にレーザ光を全面照射することにより、ドナー識別パターンＩＤを容易に形成することができ、誤記などのおそれもなくすことができる。

また、特に、保護膜１７を形成したのち、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを検査すると共に、欠陥の座標およびドナー識別パターンＩＤの形状を含むデータを取得し、取得したデータを、他の被転写基板１１について取得したデータと照合することにより、複数の被転写基板１１の同一座標に欠陥を生じさせているドナー基板４０を特定するようにしたので、不良なドナー基板４０を工程から排除し、リピーティング不良の発生を確実に防止することができる。また、排除したドナー基板４０については、検査工程において欠陥の座標のデータを取得しているので、全体を検査する必要がなく、直ちにドナー基板４０上の該当する座標を検査することができ、検査効率を向上させることができる。

本実施の形態のドナー基板４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂでは、共通基板４１上に、吸収層４２，第１光熱変換層４３Ａおよび第２光熱変換層４３Ｂ，並びに保護層４４を順に積層した積層構造を有するようにしたので、この積層構造を発光層１５Ｃの形成に複数回使用することができる。

また、本実施の形態のドナー基板４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂでは、被転写基板１１の表示領域１１０に対応する第１領域４１Ａ以外の第２領域４１Ｂに、第２光熱変換層４３Ｂを設けるようにしたので、この第２光熱変換層４３Ｂ上に第２転写層５０Ｒ２，５０Ｇ２，５０Ｂ２を形成して被転写基板１１に転写することにより、被転写基板１１の表示領域１１０外に、共通基板４１に固有の形状を有するドナー識別パターンＩＤＲ，ＩＤＧ，ＩＤＢを形成することができる。これにより、検査で欠陥を発見した場合などにおいて、発光層１５Ｃの形成に使用したドナー基板４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂを容易に特定することができ、ドナー基板４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂの使用履歴管理を行うことができる。よって、ドナー基板４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂに起因するリピーティング不良の早期発見および対策を可能とし、ドナー基板４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂを複数回使用しつつ高品質な発光層１５Ｃを形成し、歩留りおよび品質を向上させることができる。

本実施の形態の表示装置によれば、被転写基板１１の表示領域１１０外に、共通基板４１に固有の形状を有するドナー識別パターンＩＤを形成するようにしたので、検査で欠陥を発見した場合などにおいて、発光層１５Ｃの形成に使用したドナー基板４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂを容易に特定することができ、不良なドナー基板４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂを工程から排除し、良好なドナー基板４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂのみを用いて高品質な発光層１５Ｃが形成されている。よって、表示品質の優れた表示装置を実現することができる。

（モジュールおよび適用例）
以下、上述した各実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。上記各実施の形態の表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。

（モジュール）
上記各実施の形態の表示装置は、例えば、図１８に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、被転写基板１１の一辺に、封止用基板３０および接着層２０から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。

（適用例１）
図１９は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

（適用例２）
図２０は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

（適用例３）
図２１は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

（適用例４）
図２２は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

（適用例５）
図２３は、上記各実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、転写工程でレーザ光を照射する場合について説明したが、例えばランプなど他の輻射線を照射するようにしてもよい。

また、上記実施の形態では、発光色数と同じく三回の転写を行う場合について説明したが、赤色および緑色の発光層１５Ｃのみを熱転写法により形成したのち、青色共通層を蒸着法により全面成膜するようにしてもよい。このとき、有機発光素子１０Ｒでは、赤色発光材料を含む発光層１５Ｃと、青色発光材料を含む青色共通層とが形成されているが、最もエネルギー準位の低い赤色にエネルギー移動が起こり、赤色発光が支配的となる。有機発光素子１０Ｇでは、緑色発光材料を含む発光層１５Ｃと、青色発光材料を含む青色共通層とが形成されているが、よりエネルギー準位の低い緑色にエネルギー移動が起こり、緑色発光が支配的となる。有機発光素子１０Ｂでは、青色共通層のみを有するので、青色発光が生じる。

更に、例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法，成膜条件およびレーザ光の照射条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法，成膜条件および照射条件としてもよい。例えば、第１電極１３は、ＩＴＯのほか、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛複合酸化物）により構成されていてもよい。また、第１電極１３は、反射電極により構成してもよい。その場合、第１電極１３は、例えば、厚みが１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、できるだけ高い反射率を有するようにすることが発光効率を高める上で望ましい。例えば、第１電極１３を構成する材料としては、クロム（Ｃｒ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金が挙げられる。更に、例えば第１電極１３は、誘電体多層膜を有するようにすることもできる。

加えて、例えば、上記実施の形態においては、被転写基板１１の上に、第１電極１３，有機層１５および第２電極１６を被転写基板１１の側から順に積層し、封止用基板３０の側から光を取り出すようにした場合について説明したが、積層順序を逆にして、被転写基板１１の上に、第２電極１６，有機層１５および第１電極１３を被転写基板１１の側から順に積層し、被転写基板１１の側から光を取り出すようにすることもできる。

更にまた、例えば、上記実施の形態では、第１電極１３を陽極、第２電極１６を陰極とする場合について説明したが、陽極および陰極を逆にして、第１電極１３を陰極、第２電極１６を陽極としてもよい。さらに、第１電極１３を陰極、第２電極１６を陽極とすると共に、被転写基板１１の上に、第２電極１６，有機層１５および第１電極１３を被転写基板１１の側から順に積層し、被転写基板１１の側から光を取り出すようにすることもできる。

加えてまた、上記実施の形態では、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。例えば、第１電極１３と有機層１５との間に、酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ₂ Ｏ₃ ），ＩＴＯ（Indium-Tin Oxide：インジウム（Ｉｎ）およびスズ（Ｓｎ）の酸化物混合膜）などからなる正孔注入用薄膜層を備えていてもよい。

更にまた、上記実施の形態では、第２電極１６が半透過性電極により構成され、発光層１５Ｃで発生した光を第２電極１６の側から取り出す場合について説明したが、発生した光を第１電極１３の側から取り出すようにしてもよい。この場合、第２電極１６はできるだけ高い反射率を有するようにすることが発光効率を高める上で望ましい。

加えてまた、上記各実施の形態では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本発明はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。更にまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記各実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素駆動回路の変更に応じて、上述した信号線駆動回路１２０や走査線駆動回路１３０のほかに、必要な駆動回路を追加してもよい。

本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。 図１に示した画素駆動回路の一例を表す図である。 図１に示した表示領域の構成を表す平面図である。 図３に示した有機発光素子の構成を表す断面図である。 図４に示した発光層の構成を表す断面図である。 図１に示した表示装置の製造方法の流れを表す流れ図である。 図５に示した製造方法において用いるドナー基板の構成を表す断面図および平面図である。 図７に示したドナー基板の反射率特性を表す図である。 図７に示したドナー基板にレーザ光を１００回照射した後の状態を表す写真である。 転写層形成工程を説明するための図である。 転写工程を説明するための図である。 図１１に続く工程を説明するための図である 図１２に続く工程を説明するための図である。 検査工程および後工程の流れを表す流れ図である。 除去工程を説明するための図である。 図１５に続く工程を説明するための図である。 熱処理工程の有無による有機発光素子の寿命ばらつきの差を調べた結果を表す図である。 上記各実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。 上記各実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。 （Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。 適用例３の外観を表す斜視図である。 適用例４の外観を表す斜視図である。 （Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。

符号の説明

１０…画素、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機発光素子、１１…被転写基板、１２…平坦化絶縁膜、１３…第１電極、１４…電極間絶縁膜、１５…有機層、１５Ａ…正孔注入層、１５Ｂ…正孔輸送層、１５Ｃ…発光層、１５Ｄ…電子輸送層、１６…第２電極、１７…保護膜、２０…接着層、３０…封止用基板、４０…ドナー基板、４１…共通基板、４２…吸収層、４３Ａ…第１光熱変換層、４３Ｂ…第２光熱変換層、４４…保護層、５０Ｒ１，５０Ｇ１，５０Ｂ１…第１転写層、５０Ｒ２，５０Ｇ２，５０Ｂ２…第２転写層

Claims (12)

1. 被転写基板の表示領域に、第１電極，発光層を含む有機層および第２電極を順に有する有機発光素子を形成する表示装置の製造方法であって、
   前記発光層を形成する工程は、
   共通基板上に、前記被転写基板の表示領域に対応する第１領域に少なくとも第１光熱変換層を形成するドナー基板形成工程と、
   前記第１光熱変換層上に前記発光層の材料を含む第１転写層を形成する転写層形成工程と、
   前記ドナー基板および前記被転写基板を、前記第１転写層を前記被転写基板に対向させて位置合わせし、前記ドナー基板に輻射線を照射することにより前記第１転写層を前記被転写基板に転写して前記発光層を形成する転写工程と
   を含み、
   前記転写層形成工程および前記転写工程において、同一のドナー基板を複数サイクルにわたって使用し、かつ、前記複数サイクルのうち二サイクル目以降を行う前に、少なくとも一回、前記ドナー基板上の転写層を除去する除去工程を行う
   ことを特徴とする表示装置の製造方法。
2. 被転写基板の表示領域に、第１電極，発光層を含む有機層および第２電極を順に有する有機発光素子を形成する表示装置の製造方法であって、
   前記発光層を形成する工程は、
   共通基板上に、前記被転写基板の表示領域に対応する第１領域に第１光熱変換層を形成すると共に、前記第１領域以外の第２領域の少なくとも一部に、前記共通基板に固有の形状を有するドナー識別パターンを前記被転写基板の表示領域外に形成するための第２光熱変換層を形成するドナー基板形成工程と、
   前記第１光熱変換層上に前記発光層の材料を含む第１転写層を形成すると共に前記第２光熱変換層上に前記発光層の材料を含む第２転写層を形成する転写層形成工程と、
   前記ドナー基板および前記被転写基板を、前記第１転写層および前記第２転写層を前記被転写基板に対向させて位置合わせし、前記ドナー基板に輻射線を照射することにより前記第１転写層を前記被転写基板に転写して前記発光層を形成すると共に前記第２転写層を前記被転写基板に転写して前記ドナー識別パターンを形成する転写工程と
   を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
3. 前記第２光熱変換層および前記第２転写層の少なくとも一方を、前記ドナー識別パターンの形状で形成する
   ことを特徴とする請求項２記載の表示装置の製造方法。
4. 前記有機発光素子を形成したのちに、
   前記有機発光素子の欠陥を検査すると共に、欠陥の座標および前記ドナー識別パターンの形状を含むデータを取得する検査工程と、
   一枚の被転写基板について前記検査工程で取得したデータを、他の被転写基板について前記検査工程において取得したデータと照合することにより、複数の被転写基板の同一座標に欠陥を生じさせているドナー基板を特定する照合工程と
   を含むことを特徴とする請求項２記載の表示装置の製造方法。
5. 前記転写層形成工程および前記転写工程において、同一のドナー基板を複数サイクルにわたって使用し、かつ、前記複数サイクルのうち二サイクル目以降を行う前に、少なくとも一回、前記ドナー基板上の転写層を除去する除去工程を行う
   ことを特徴とする請求項２記載の表示装置の製造方法。
6. 前記除去工程は、
   前記ドナー基板を有機溶媒に浸漬するウェット洗浄工程と、
   前記ウェット洗浄工程ののち前記ドナー基板を熱処理する熱処理工程と
   を含むことを特徴とする請求項５記載の表示装置の製造方法。
7. 被転写基板の表示領域に、第１電極，発光層を含む有機層および第２電極を順に有する有機発光素子の、前記発光層を形成する工程に用いられるドナー基板であって、
   共通基板と、
   前記共通基板上に、前記被転写基板の表示領域に対応する第１領域に形成された第１光熱変換層と、
   前記共通基板と前記第１光熱変換層との間に形成された吸収層と、
   前記第１光熱変換層を覆う保護層と
   を備えたことを特徴とするドナー基板。
8. 被転写基板の表示領域に、第１電極，発光層を含む有機層および第２電極を順に有する有機発光素子の、前記発光層を形成する工程に用いられるドナー基板であって、
   共通基板と、
   前記共通基板上に、前記被転写基板の表示領域に対応する第１領域に形成された第１光熱変換層と、
   前記第１領域以外の第２領域の少なくとも一部に形成され、前記共通基板に固有の形状を有するドナー識別パターンを前記被転写基板の表示領域外に形成するための第２光熱変換層と
   を備えたことを特徴とするドナー基板。
9. 前記第２光熱変換層は前記ドナー識別パターンの形状で形成されている
   ことを特徴とする請求項８記載のドナー基板。
10. 前記共通基板と前記第１光熱変換層および前記第２光熱変換層との間に形成された吸収層と、
    前記第１光熱変換層および前記第２光熱変換層を覆う保護層と
    を備え、
    前記共通基板，前記吸収層，前記第１光熱変換層，前記第２光熱変換層および前記保護層の積層構造を、前記発光層を形成する工程に複数回使用する
    ことを特徴とする請求項８記載のドナー基板。
11. 被転写基板の表示領域に、第１電極，発光層を含む有機層および第２電極を順に有する有機発光素子を備えた表示装置であって、
    前記発光層は、共通基板上に、前記被転写基板の表示領域に対応する第１領域に第１光熱変換層を有するドナー基板を形成し、前記第１光熱変換層上に前記発光層の材料を含む第１転写層を形成したのち、前記ドナー基板および前記被転写基板を、前記第１転写層を前記被転写基板に対向させて位置合わせし、前記ドナー基板に輻射線を照射することにより前記第１転写層を前記被転写基板に転写することにより形成されたものであり、
    前記被転写基板の表示領域外に、前記共通基板に固有の形状を有するドナー識別パターンが形成されている
    ことを特徴とする表示装置。
12. 前記ドナー識別パターンは、前記発光層と同一工程において、前記共通基板上に、前記第１領域以外の第２領域の少なくとも一部に、前記ドナー識別パターンを形成するための第２光熱変換層を形成し、前記第２光熱変換層上に前記発光層の材料を含む第２転写層を形成したのち、前記第２転写層を前記被転写基板に転写することにより形成されたものである
    ことを特徴とする請求項１１記載の表示装置。

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