JP2009187697A - アクティブマトリクス型有機el表示装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】トップエミッション型有機EL素子を用いたアクティブマトリクス型有機EL表示装置において、透光性電極7のシート抵抗を低減させるためにシャドーマスクパターニングにより形成される補助電極8の膜剥がれを防止する。
【解決手段】、透光性電極7の有機発光層6側の面と接し、しかも周側部が有機発光層6の一部の層で覆われた補助電極8とする。
【選択図】図1
【解決手段】、透光性電極7の有機発光層6側の面と接し、しかも周側部が有機発光層6の一部の層で覆われた補助電極8とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、アクティブマトリクス型有機EL表示装置およびその製造方法に関する。さらに詳しくはトップエミッション型有機EL素子を用いたアクティブマトリクス型有機EL表示装置およびその製造方法に関する。
有機EL素子とは、陰極と陽極との間に流れる電流によって、両電極間にある有機化合物が発光する素子のことである。この有機EL素子は、自発光性であるために視認性が高いと同時に、薄型軽量化が可能であるため、特にモバイル用アクティブマトリクス型表示装置への応用展開が進められている。
有機EL素子には、基板下面側から発光表示を行うボトムエミッション型と、基板上面側から発光表示を行うトップエミッション型がある。
図4に、トップエミッション型有機EL素子を用いたアクティブマトリクス型有機EL表示装置の断面構造の一例を示す。
図4中、1は基板、2はTFT(薄膜トランジスタ)、3は平坦化膜、4は画素分離膜、5は画素電極、6は有機発光層、7は透光性電極である。この図4に示されるアクティブマトリクス型有機EL表示装置は、透光性電極7を介して、基板1の上面側より発光表示を行うものとなっている。
上記トップエミッション型有機EL素子を用いたアクティブマトリクス型有機EL表示装置は、ボトムエミッション型素子を用いた表示装置に比して、画素の開口率向上が可能であり、より発光効率の高い表示装置の実現が可能である。
一方で、トップエミッション型有機EL素子を用いた表示装置では、光の取り出し側に透光性電極7を用いることが必要になる。この透光性電極7の材料としては、金属膜より比抵抗の高いITO等の透明導電膜を用いる必要がある。このため、透光性電極7のシート抵抗が上昇するという課題がある。
上記課題を解決するため、比抵抗の小さい金属膜を微細パターニングして、透光性電極7上または透光性電極7と有機発光層6の間に、画素分離膜4の位置に対応させて、補助電極として形成することが提案されている(特許文献1参照)。
ところで、補助電極のパターニング手法としては、水分により容易に劣化する有機EL素子の特性上、フォトリソパターニング法の適用は困難である。通常、シャドーマスクを利用した蒸着またはスパッタ等のドライプロセス(シャドーマスクパターニング)が適用される。シャドーマスクパターニングの場合、マスクエッジのシャドー効果により、得られる補助電極パターンの断面形状は、周側面が、補助電極パターンを形成する金属膜の堆積方向に傾斜した形状となる。
上記断面形状の補助電極を有する有機EL表示装置を長期間使用した場合、熱応力、平坦化膜や画素分離膜に残留する水分、あるいは、封止キャップの接着剤を通して浸入する微量の水分の影響で、補助電極の周側縁部で膜剥がれを生じやすくなる。補助電極の周側縁部で膜剥がれを生じると、透光性電極内で電圧勾配が生じ、表示面の各有機EL素子に印加される電圧が不均一になり、発光ムラが生じる等、表示性能が劣化するという問題を生じる。
本発明は、アクティブマトリクス型有機EL表示装置において、透光性電極のシート抵抗を低減させるためにシャドーマスクパターニングにより形成される補助電極の膜剥がれを防止できるようにすることを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明は、複数の画素電極と、該画素電極の間に形成された画素分離膜と、前記複数の画素電極および該画素分離膜の上方を覆う透光性電極と、前記画素電極と該透光性電極の間に積層された複数の層からなる有機発光層とを有するアクティブマトリクス型有機EL表示装置において、
前記画素分離膜の上に対応する位置にシャドーマスクパターニングにより形成された補助電極が、前記透光性電極の前記有機発光層側の面と接し、しかも周側部が前記有機発光層の一部の層で覆われていることを特徴とするアクティブマトリクス型有機EL表示装置を提供するものである。
前記画素分離膜の上に対応する位置にシャドーマスクパターニングにより形成された補助電極が、前記透光性電極の前記有機発光層側の面と接し、しかも周側部が前記有機発光層の一部の層で覆われていることを特徴とするアクティブマトリクス型有機EL表示装置を提供するものである。
また、本発明は、複数の画素電極と、該画素電極の間に形成された画素分離膜と、前記複数の画素電極および該画素分離膜の上方を覆う透光性電極と、前記画素電極と該透光性電極の間に積層された複数の層からなる有機発光層とをそれぞれ形成する工程を有するアクティブマトリクス型有機EL表示装置の製造方法において、
前記画素電極および画素分離膜を形成した後に、
前記有機発光層の一部の層を除く他の層を形成する第一有機発光層形成工程と、
前記補助電極を、前記画素分離膜の上に対応する位置にシャドーマスクパターニングにより形成する補助電極形成工程と、
前記有機発光層の残された一部の層を、前記補助電極の周側部を覆い、しかも前記補助電極の上面の一部または全部を露出させて、シャドーマスクパターニングにより形成する第二有機発光層形成工程と、
前記透光性電極を、前記露出した補助電極の上面と接した状態で形成する透光性電極形成工程と、
を順次行うことを特徴とするアクティブマトリクス型有機EL表示装置の製造方法を提供するものでもある。
前記画素電極および画素分離膜を形成した後に、
前記有機発光層の一部の層を除く他の層を形成する第一有機発光層形成工程と、
前記補助電極を、前記画素分離膜の上に対応する位置にシャドーマスクパターニングにより形成する補助電極形成工程と、
前記有機発光層の残された一部の層を、前記補助電極の周側部を覆い、しかも前記補助電極の上面の一部または全部を露出させて、シャドーマスクパターニングにより形成する第二有機発光層形成工程と、
前記透光性電極を、前記露出した補助電極の上面と接した状態で形成する透光性電極形成工程と、
を順次行うことを特徴とするアクティブマトリクス型有機EL表示装置の製造方法を提供するものでもある。
本発明によれば、補助電極の周側部が、透光性電極と有機発光層の一部の層の両者で覆われていることにより、周側縁部での膜剥がれが抑制されると共に、確実に有機発光層と透光性電極間の接続が維持される。このため、補助電極の膜剥がれによる表示性能の低下を長期間防止することができる。
まず、本発明の第1の例を図1に基づいて説明する。
図1は、本発明に係るアクティブマトリクス型有機EL表示装置の第1の例を示す断面模式図である。
図1中、1は基板、2はTFT(薄膜トランジスタ)、3は平坦化膜、4は画素電極、5は画素分離膜、6は有機発光層、7は透光性電極、8は補助電極である。また、9は封止キャップ、10は乾燥剤、11は接着剤である。
図1に示されるアクティブマトリクス型有機EL表示装置は、複数の画素電極4と、画素電極4間に形成された画素分離膜5と、複数の画素電極4および画素分離膜5の上方を覆う透光性電極7とを備えている。また、前記画素電極4と透光性電極7の間には、積層された複数の層からなる有機発光層6を有している。
さらに説明すると、基板1上に形成された複数のTFT2上を覆って、層間絶縁層でもある平坦化膜3が形成されており、この平坦化膜3上に、コンタクトホールを介してそれぞれ対応するTFT2に接続された複数の画素電極4が形成されている。平坦化膜3は、通常、アクリル樹脂等の合成樹脂で形成することができる。また、画素電極4は、通常、Al、Ag、Mo、Au、Ptまたはこれらの合金等で形成することができる。なお、駆動のための電力線およびデータ線は図面上省略されている。
画素電極4間上には、画素分離膜5が形成されており、画素電極4および画素分離膜5上を覆って有機発光層6が形成されている。有機発光層6は、種々の層構成のものがあるが、本発明における有機発光層6としては、発光源となる発光層6bを含む複数の層(有機材料層)で構成されたものが用いられる。本例の有機発光層6は、画素電極5側から、正孔輸送層6a、発光層6b、電子輸送層6c、電子注入層6dが順次積層された構成となっている。
本例においては、電子輸送層6c上の、画素分離膜4上に対応する位置に、補助電極8が、シャドーマスクを用いた加熱蒸着、EB蒸着、スパッタリング等のドライプロセスであるシャドーマスクパターニングにより形成されている。この補助電極8の材料は、必要な電気的特性を有する材料であれば特に限定なく使用可能である。一例として、Al、Cu、Au、Pt、Ti、Ni、Sn、Zn、Cr等から選ばれる1種あるいは2種以上の金属を含む合金が挙げられる。また、補助電極8には、必要に応じてコンタクトメタル層を積層してもよい。
補助電極8は、周側部が有機発光層6の一部の層で覆われているものとなっている。この補助電極8の周側部を覆う有機発光層6の一部の層は、発光に影響を与えないよう、発光層6bより透光性電極7側に積層された層とすることが好ましい。本例における補助電極8は、上面の中央部を露出させて、上面周縁部と周側部が、透光性電極7に隣接していると共に電子輸送層6c上に設けられた電子注入層6dによって覆われている。電子注入層6は、シャドーマスクパターニングによって形成することができる。また、電子注入層6および補助電極8上には、上記露出した補助電極8の上面中央部と接して透光性電極7が設けられている。透光性電極7としては、インジウム、スズ、亜鉛、タングステンから選ばれる1種あるいは2種以上の元素を含む金属酸化物を用いることができる。
本例のアクティブマトリクス型有機EL表示装置の場合、補助電極8の上面周縁部と周側部とが電子注入層6dと透光性電極7の両者で覆われて保護される。前記補助電極8上面の露出部分は、透光性電極7とのコンタクトをとるためのもので、補助電極8の上面の一部または全部を露出させて、この露出した補助電極8の上面と透光性電極7とを直接接触させれば足る。しかし、本例のように、補助電極8の上面の中央部を露出させて、上面周縁部と周側部を有機発光層6の一部の層(本例では電子注入層6d)で覆うようにすることが好ましい。このように構成すると、補助電極8と透光性電極7のコンタクト部の周囲を有機発光層6の一部の層で囲んで保護することができる。
次に、上記本発明の第1の例に係るアクティブマトリクス型有機EL表示装置の製造方法を説明する。
上記アクティブマトリクス型有機EL表示装置は、画素電極4と、画素分離膜5と、透光性電極7と、有機発光層6とをそれぞれ形成する工程を有する製造方法において、次の各工程を順次行うことで製造することができる。
TFT2を有する駆動回路を含む画素電極4および画素分離膜5を形成した後に、まず有機発光層6の一部の層を除く他の層を形成する第一有機発光層形成工程を施す。第1の例に係る装置の製造では、電子注入層6dを除いて、正孔輸送層6a、発光層6bおよび電子輸送層6cを順次形成する。
次に、補助電極8を、画素分離膜5上に対応する位置にシャドーマスクパターニングにより形成する補助電極形成工程を施す。
上記補助電極形成工程の後、有機発光層6の残された一部の層を、補助電極8の周側部を覆い、しかも補助電極8の上面の一部または全部を露出させて、シャドーマスクパターニングにより形成する第二有機発光層形成工程を施す。第1の例に係る装置の製造では、電子注入層6dを、補助電極8の上面の中央部を露出させて、上面周縁部と周側部を覆って形成する。
さらに、上記第二有機発光層形成工程の後、透光性電極7を露出した補助電極8の上面と接した状態で形成する透光性電極形成工程を施す。第1の例に係る装置の製造では、上記露出した補助電極8の上面中央部と接して透光性電極7を形成する。
以上の手順により、本発明の第1の例に係るアクティブマトリクス型有機EL表示装置を容易に製造することができる。
次に、本発明の第2の例を図1に基づいて説明する。
図2は、本発明に係るアクティブマトリクス型有機EL表示装置の第2の例を示す断面模式図である。また、図2において図1と同じ符号は同様の部材を示す。
本例は、補助電極8の周側部を覆う有機発光層6の一部の層が、透光性電極7に隣接して設けられた電子注入層6dと、さらに該電子注入層6dに隣接して設けられた電子輸送層で6cとなっている点以外は前述の第1の例と同様である。
本例の場合、さらに電子輸送層6cでも保護することができるので、補助電極8の膜剥がれ防止と、有機発光層6と透光性電極7間の接続維持が一層確実となる。
第2の例に係るアクティブマトリクス型有機EL表示装置の製造に際しては、第一有機発光層形成工程で、有機発光層6の一部の層を除く他の層として、正孔輸送層6aおよび発光層6bを形成する。この第一有機発光層形成工程の後、補助電極形成工程を施して、発光層6b上に補助電極8を形成する。そして、第二有機発光層形成工程において、有機発光層6の残された有機発光層6の一部の層として、電子輸送層6cと電子注入層6dを順次シャドーマスクパターニングで積層形成する。その後、透光性電極形成工程を施すことで、第2の例に係る装置を容易に製造することができる。また、第二有機発光層形成工程を、電子輸送層6cと電子注入層6dを順次同じシャドーマスクを用いて形成する工程とすると、両者の形成を効率的に行うことができる。
本発明の第1の例および第2の例のいずれにおいても、電子注入層6dを、アルカリ金属酸化物またはアルカリ金属炭酸塩を含有する材料で形成することが好ましい。電子注入層6dを、アルカリ金属酸化物またはアルカリ金属炭酸塩を含有する材料で形成することで、電子注入層6dに吸湿性を持たせることができ、水分による補助電極8の膜剥がれ防止を一層確実にすることができる。
(実施例1)
図1に示す構造のR,G,B(赤、緑、青)3色からなる表示装置を以下に示す方法で作成した。
図1に示す構造のR,G,B(赤、緑、青)3色からなる表示装置を以下に示す方法で作成した。
支持体としてのガラス製の基板1上に、低温ポリシリコンからなるTFT2を有する駆動回路形成し、その上にアクリル樹脂からなる平坦化膜3を形成した。
この上に、銀合金(Ag・Cu・Nd)を約100mnmの厚みでスパッタリング法にて形成した後、ポジレジスト(OFPR−PR8 東京応化社製)を用い、フォトリソの手法を用いることで、画素電極4を形成した。
さらに、アクリル樹脂により画素分離膜5を形成した。
これをイソプロピルアルコール(IPA)で超音波洗浄し、次いで、煮沸洗浄後乾燥した。
さらに、UV/オゾン洗浄してから以下の手順で有機化合物を真空蒸着により成膜を行った。
始めに、共通の正孔輸送層6aとして下記構造式で示される化合物[I]を、15nmの厚さですべての発光画素に成膜した。この際の真空度は1×10-4Pa、蒸着レートは、0.2nm/secである。
次に、シャドーマスクを用いて、R,G,Bそれぞれの発光層6bを成膜した。
Rの発光層6bは、ホストとしてAlq3と、発光性化合物DCM[4−(dicyanomethylene)−2−methy−6(p−dimethylaminostyryl)−4H−pyran]とを共蒸着(重量比99:1)して30nmの層とした。
Gの発光層6bは、ホストとしてAlq3と、発光性化合物クマリン6を共蒸着(重量比99:1)して42nmの層とした。
Bの発光層6bは、ホストとして下記に示す[II]と発光性化合物[III]を共蒸着(重量比80:20)して10nmの層とした。
蒸着時の真空度は1×10-4Pa、成膜速度は0.2nm/secとした。
さらに共通の電子輸送層6cとして、バソフェナントロリン(Bphen)を真空蒸着法にて10nmの膜厚に形成した。蒸着時の真空度は1×10-4Pa、成膜速度は0.2nm/secの条件とした。
次に、シャドーマスクを用いてAlを蒸着パターニングすることにより、補助電極8を画素分離膜5上に形成した。蒸着時の真空度は1×10-4Pa、成膜速度は1.0nm/secとした。
さらに、共通の電子注入層6dとして、BphenとCs2CO3を共蒸着(重量比90:10)して40nmの膜厚に形成した。蒸着時の真空度は3×10-4Pa、成膜速度は0.2nm/secとした。
この際、電子注入層6dは、補助電極8の上面周縁部と周側部に対し重なりが生じるよう、マスクパターニングを行った。
そして、透光性電極7として、IZO膜をスパッタリング法にて60nm形成した。
引き続いて、有機EL表示装置の非発光領域に相当する部位に、乾燥剤(酸化カルシウム)11を形成した封止ガラスキャップ9を接着剤(アラルダイト、日本チバガイギー社製)10を用い、基板1に貼り付け、素子全体を被覆保護し、有機EL表示装置を得た。
このようにして得られた有機EL表示装置に、ヒートサイクル試験(−30℃×30分+60℃30分、100サイクル)および高温高湿耐久試験(80℃×30%湿度 1000時間)を行った。補助電極膜8に膜剥がれは発生せず、ムラ等の表示品位の劣化は生じなかった。
(実施例2)
図2に示す構造のR,G,B3色からなる表示装置を以下に示す方法で作成した。
図2に示す構造のR,G,B3色からなる表示装置を以下に示す方法で作成した。
支持体としてのガラス製の基板1上に、低温ポリシリコンからなるTFT2を有する駆動回路を形成し、その上にアクリル樹脂からなる平坦化膜3を形成した。
この上に、銀合金(AgCuNd)を約100nmの厚みでスパッタリング法にて形成した後、ポジレジスト(OFPR−PR8 東京応化社製)を用い、フォトリソの手法を用いることで、画素電極4を形成した。
さらに、アクリル樹脂により画素分離膜5を形成した。
これをイソプロピルアルコール(IPA)で超音波洗浄し、次いで、煮沸洗浄後乾燥した。
さらに、UV/オゾン洗浄してから以下の手順で有機化合物を真空蒸着により成膜を行った。
始めに、共通の正孔輸送層6aとして、化合物[I]を、15nmの厚さですべての発光画素に成膜した。この際の真空度は1×10-4Pa、蒸着レートは0.2nm/secとした。
次に、シャドーマスクを用いて、R,G,Bそれぞれの発光層6bを成膜した。
Rの発光層は、ホストとしてAlq3と、発光性化合物DCM[4−(dicyanomethylene)−2−methy−6(p−dimethylaminostyryl)−4H−pyran]とを共蒸着(重量比99:1)して30nmの層とした。
Gの発光層6bは、ホストとしてAlq3と、発光性化合物クマリン6を共蒸着(重量比99:1)して42nmの層とした。
Bの発光層6bは、ホストとして化合物[II]と発光性化合物[III]を共蒸着(重量比80:20)して10nmの層とした。
蒸着時の真空度は1×10-4Pa、成膜速度は0.2nm/secとした。
さらに、シャドーマスクを用いてAlを蒸着パターニングすることにより、補助電極8を画素分離膜5上に形成した。蒸着時の真空度は1×10-4Pa、成膜速度は1.0nm/secの条件とした。
次に共通の電子輸送層6cとして、バソフェナントロリン(Bphen)を真空蒸着法にて10nmの膜厚に形成した。蒸着時の真空度は1×10-4Pa、成膜速度は0.2nm/seccとした。
引き続いて、共通の電子注入層6dとして、BphenとCs2CO3を共蒸着(重量比90:10)して40nmの膜厚に形成した。蒸着時の真空度は3×10-4Pa、成膜速度は0.2nm/seccとした。
この際、電子輸送層6cと電子注入層6dは、同一マスクを用いて、補助電極8の上面周縁部と周側部に対し重なりが生じるよう、マスクパターニングを行った。
そして、透光性電極7として、IZO膜をスパッタリング法にて60nm形成した。
引き続いて、有機EL表示装置の非発光領域に相当する部位に、乾燥剤(酸化カルシウム)11を形成した封止ガラスキャップ9を接着剤(アラルダイト、日本チバガイギー社製)10を用い、基板1に貼り付け、素子全体を被覆保護し、有機EL表示装置を得た。
このようにして得られた有機EL素子表示装置に、ヒートサイクル試験(−30℃×30分+60℃30分、100サイクル)および高温高湿耐久試験(80℃×30%湿度 1000時間)を行った。補助電極膜8に膜剥がれは発生せず、ムラ等の表示品位の劣化は生じなかった。
(比較例)
図3に示す構造のR,G,B3色からなる表示装置を以下に示す方法で作成した。
図3に示す構造のR,G,B3色からなる表示装置を以下に示す方法で作成した。
支持体としてのガラス製の基板1上に、低温ポリシリコンからなるTFT2を有する駆動回路を形成し、その上にアクリル樹脂からなる平坦化膜3を形成した。
この上に、銀合金(Ag・Cu・Nd)を約100nmの厚みでスパッタリング法にて形成した後、ポジレジスト(OFPR−PR8 東京応化社製)を用い、フォトリソの手法を用いることで、画素電極4を形成した。
さらに、アクリル樹脂により画素分離膜5を形成した。
これをイソプロピルアルコール(IPA)で超音波洗浄し、次いで、煮沸洗浄後乾燥した。
さらに、UV/オゾン洗浄してから以下の手順で有機化合物を真空蒸着により成膜を行った。
始めに、共通の正孔輸送層6aとして、化合物[I]を、15nmの厚さですべての発光画素に成膜した。この際の真空度は1×10-4Pa、蒸着レートは0.2nm/secとした。
次に、シャドーマスクを用いて、R,G,Bそれぞれの発光層6bを成膜した。
Rの発光層6bは、ホストとしてAlq3と、発光性化合物DCM[4−(dicyanomethylene)−2−methy−6(p−dimethylaminostyryl)−4H−pyran]とを共蒸着(重量比99:1)して30nmの層とした。
Gの発光層6bは、ホストとしてAlq3と、発光性化合物クマリン6を共蒸着(重量比99:1)して42nmの層とした。
Bの発光層6bは、ホストとして化合物[II]と発光性化合物[III]を共蒸着(重量比80:20)して10nmの層とした。
蒸着時の真空度は1×10-4Pa、成膜速度は0.2nm/secとした。
次に共通の電子輸送層6cとして、バソフェナントロリン(Bphen)を真空蒸着法にて10nmの膜厚に形成した。蒸着時の真空度は1×10-4Pa、成膜速度は0.2nm/secの条件とした。
引き続いて、共通の電子注入層6dとして、BphenとCs2CO3を共蒸着(重量比90:10)して40nmの膜厚に形成した。蒸着時の真空度は3×10-4Pa、成膜速度は0.2nm/secとした。
そして、透光性電極7としてIZO膜をスパッタリング法にて60nm形成した。
さらに、シャドーマスクを用いてAlを蒸着パターニングすることにより、補助電極8を画素分離膜5上に形成した。蒸着時の真空度は1×10-4Pa、成膜速度は1.0nm/secとした。
引き続いて、有機EL表示装置の非発光領域に相当する部位に、乾燥剤(酸化カルシウム)11を形成した封止ガラスキャップ9を接着剤(アラルダイト、日本チバガイギー社製)10を用い、基板1に貼り付け、素子全体を被覆保護し、有機EL表示装置を得た。
このようにして得られた有機EL表示装置に、ヒートサイクル試験(−30℃×30分+60℃30分、100サイクル)および高温高湿耐久試験(80℃×30%湿度 1000時間)を行った。補助電極膜8の周縁部の一部に膜剥がれが生じ、発光ムラが生じた。
1 基板
2 TFT
3 平坦化膜
4 画素電極
5 画素分離膜
6 有機発光層
6a 正孔輸送層
6b 発光層
6c 電子輸送層
6d 電子注入層
7 透光性電極
8 補助電極
9 封止キャップ
10 接着剤
11 乾燥剤
2 TFT
3 平坦化膜
4 画素電極
5 画素分離膜
6 有機発光層
6a 正孔輸送層
6b 発光層
6c 電子輸送層
6d 電子注入層
7 透光性電極
8 補助電極
9 封止キャップ
10 接着剤
11 乾燥剤
Claims (8)
- 複数の画素電極と、該画素電極の間に形成された画素分離膜と、前記複数の画素電極および該画素分離膜の上方を覆う透光性電極と、前記画素電極と該透光性電極の間に積層された複数の層からなる有機発光層とを有するアクティブマトリクス型有機EL表示装置において、
前記画素分離膜の上に対応する位置にシャドーマスクパターニングにより形成された補助電極が、前記透光性電極の前記有機発光層側の面と接し、しかも周側部が前記有機発光層の一部の層で覆われていることを特徴とするアクティブマトリクス型有機EL表示装置。 - 前記補助電極の周側部を覆う前記有機発光層の一部の層が、前記透光性電極に隣接して設けられた電子注入層であることを特徴とする請求項1に記載のアクティブマトリクス型有機EL表示装置。
- 前記補助電極の周側部を覆う前記有機発光層の一部の層が、前記透光性電極に隣接して設けられた電子注入層と、さらに該電子注入層に隣接して設けられた電子輸送層であることを特徴とする請求項1に記載のアクティブマトリクス型有機EL表示装置。
- 前記電子注入層が、アルカリ金属酸化物またはアルカリ金属炭酸塩を含有することを特徴とする請求項2または3に記載のアクティブマトリクス型有機EL表示装置。
- 複数の画素電極と、該画素電極の間に形成された画素分離膜と、前記複数の画素電極および該画素分離膜の上方を覆う透光性電極と、前記画素電極と該透光性電極の間に積層された複数の層からなる有機発光層とをそれぞれ形成する工程を有するアクティブマトリクス型有機EL表示装置の製造方法において、
前記画素電極および画素分離膜を形成した後に、
前記有機発光層の一部の層を除く他の層を形成する第一有機発光層形成工程と、
前記補助電極を、前記画素分離膜の上に対応する位置にシャドーマスクパターニングにより形成する補助電極形成工程と、
前記有機発光層の残された一部の層を、前記補助電極の周側部を覆い、しかも前記補助電極の上面の一部または全部を露出させて、シャドーマスクパターニングにより形成する第二有機発光層形成工程と、
前記透光性電極を、前記露出した補助電極の上面と接した状態で形成する透光性電極形成工程と、
を順次行うことを特徴とするアクティブマトリクス型有機EL表示装置の製造方法。 - 前記第二有機発光層形成工程が、前記有機発光層の残された一部の層として電子注入層を形成する工程であることを特徴とする請求項5に記載のアクティブマトリクス型有機EL表示装置の製造方法。
- 前記第二有機発光層形成工程が、前記有機発光層の残された一部の層として電子輸送層と電子注入層を、順次同じシャドーマスクを用いて形成する工程であることを特徴とする請求項5に記載のアクティブマトリクス型有機EL表示装置の製造方法。
- 前記電子注入層を、アルカリ金属酸化物またはアルカリ金属炭酸塩を含有する材料で形成することを特徴とする請求項6または7に記載のアクティブマトリクス型有機EL表示装置の製造方法。
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CN103728825A (zh) * | 2012-10-10 | 2014-04-16 | 佳能株式会社 | 具有摄像设备的显示设备 |
US9204089B2 (en) | 2011-11-17 | 2015-12-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Display apparatus equipped with image pickup apparatus |
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-
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- 2008-02-04 JP JP2008023864A patent/JP2009187697A/ja not_active Withdrawn
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