TW201324890A - 有機發光裝置及其製造方法 - Google Patents

Abstract

有機發光裝置以及製造有機發光裝置之方法中，反射層形成於像素定義層上以防止產生開邊缺陷(或非轉印缺陷)於發射層之形成中。有機發光裝置包含基底、被圖樣化且形成於基底上之第一電極、形成於第一電極上之發光層以及形成於發光層上之第二電極。像素定義層形成於經圖樣化之第一電極之間，且反射層設置於像素定義層中。

Description

有機發光裝置及其製造方法

本發明係關於有機發光裝置以及製造有機發光裝置之方法，更特別為一種反射層形成於像素定義層上，藉此防止於發光層之形成時，非轉印缺陷之產生之有機發光裝置以及製造有機發光裝置之方法。

近年來，有機發光裝置於顯示科技之領域中變得引人注目。此有機發光裝置為利用電子與電洞結合且消散時產生光線之裝置。

有機發光裝置基本上包含用以注入電洞之電極、用以注入電子之電極以及發光層，且該裝置具有發光層插設在為用以注入電洞之電極之陽極與為用以注入電子之電極之陰極之間的層狀結構。尤其是，於有機發光裝置之電極之間，電子係注入陰極，電洞係注入陽極，且此些電荷係藉由外部電場互相以相反方向移動，而接著結合於發光層，故當發射光線時電子與電洞消散。有機發光裝置之發光層係以單分子有機材料或聚合物形成。

有機發光裝置通常包含像素定義層(pixel definition layers, PDLs)以覆蓋陽極之邊緣。此外，於有機薄膜中之發光層係形成於像素定義層之部分區域。

圖樣化發光層之方法包含為了低分子量之有機發光裝置利用陰影遮罩，以及為了聚合物有機發光裝置之噴墨印刷或雷射誘致熱成像(Laser Induced Thermal Imaging, LITI)。

為了藉由雷射誘致熱成像形成發光層，包含有機層之施體薄膜係基板上之第一薄膜層。接著，當雷射照射至施體薄膜的預定部分上時，經圖樣化之發光層可於基板上。亦即，於雷射照射之部分以及雷射未照射之部分之結合係於施體薄膜之有機層不相連，故可形成發光層之圖樣。

然而，當於施體薄膜對準像素部分，且經由照射雷射執行轉印時產生開邊缺陷，其中邊緣部分因為介於雷射照射之區域以及雷射未照射之區域之間的力持續性地施加而未轉印。

因此，當發光層藉由雷射誘致熱成像而圖樣化時，能防止由於陽極之一端以及發光層之間的適當的接觸之失敗產生之開邊缺陷之科技係需要的。

本發明係開發以解決上述發生於先前技術之問題，且本發明之態樣提供改善耐用度之有機發光裝置，且製造有機發光裝置之方法係防止於有機層之形成中，非轉印缺陷之產生。

根據本發明之例示性實施例提供之有機發光裝置，其包含：基底；第一電極，被圖樣化且形成於基底上；發光層，形成於第一電極上；以及第二電極，形成於發光層上；其中，像素定義層形成於經圖樣化之第一電極之間，並且反射層係設置於像素定義層中。

發光層係以單體或聚合物有機材料形成。

根據本發明之例示性實施例，反射層係形成於像素定義層的上部分上，且像素定義層之面積係為像素定義層的上部分之面積之50%至100%。

根據本發明之例示性實施例，反射層形成於像素定義層的內側，且特別為於基板上。在本例示性實施例中，描述反射層直接接觸基板之情形，但第三層可設置於反射層與基板之間。

同時，反射層之面積為像素定義層之下部分之面積之50%至90%，且藉由像素定義層覆蓋反射層的外側部分。

根據本發明之例示性實施例，有機發光裝置更包含介於發光層以及第一電極之間之電洞注入層與電洞傳輸層的至少其一。

根據本發明之另一例示性實施例，有機發光裝置更包含介於發光層以及第二電極之間之電子注入層與電子傳輸層的至少其一。

根據本發明之例示性實施例，第一電極可為像素電極。此外，第二電極可為共同電極。在此情形之下，第二電極形成於像素定義層以及反射層的上部分上，亦如於發光層的上部分。

根據本發明之一例示性實施例，第一電極係為陽極，且第二電極係為陰極。具有比第一電極低之電壓之一端可為第二電極。亦即，第二電極為陰極。

根據本發明之一例示性實施例，反射層包含金屬層。金屬層包含鉬(Mo)層、金(Au)層、銀(Ag)層、鉻(Cr)層、鈦(Ti)層、鐿(Yb)層、銅(Cu)層以及鋁(Al)層的至少其一。

根據本發明之一例示性實施例，反射層形成於網格(mesh)、走線(lines)以及網梳(comb)中的任一個之形式。

根據本發明之一例示性實施例，基底可包含基板、薄膜電晶體(thin film transistor, TFT)層以及平坦絕緣層。此外，基底可僅為基板。

此外，本發明提供製造有機發光裝置之方法。

根據本發明之製造有機發光裝置之方法包含準備基底；形成第一電極圖樣於基底上；形成像素定義層於第一電極圖樣之間，以使第一電極以像素為單位分類；形成發光層於以像素為單位分類之第一電極上；以及形成第二電極於發光層上；其中，形成反射層之步驟包含於形成像素定義層之步驟前或後。

根據本發明之例示性實施例，執行形成反射層之步驟係於形成像素定義層之步驟之後，且反射層形成於像素定義層上。

根據本發明之另一例示性實施例，執行形成反射層之步驟係於形成像素定義層之步驟前，且像素定義層形成於反射層上。

根據本發明之另一例示性實施例，形成反射層之步驟係同時與形成圖樣化第一電極之步驟執行。

根據本發明之另一例示性實施例，此方法更包含於形成像素定義層之步驟之後以及形成發光層之步驟之前，形成電洞注入層之步驟以及形成電洞傳輸層之步驟的至少其一。

根據本發明之例示性實施例，此方法更包含於形成發光層之步驟之後以及形成第二電極之步驟之前，形成電子傳輸層之步驟以及形成電子注入層之步驟的至少其一。

根據本發明之例示性實施例，形成反射層之步驟可包含形成金屬層之步驟。金屬層可形成鉬層、金層、銀層、鉻層、鈦層、鐿層、銅層以及鋁層的至少其一。

根據本發明之例示性實施例，形成反射層之步驟中，反射層係形成網格、走線以及網梳的任一個。

因此，根據本發明之有機發光裝置，反射層係形成於像素定義層中，且其可能防止轉印缺陷，如電極之邊緣部分之不轉印，當轉印經由雷射照射執行，從而助於改善電極之邊緣部分之圖樣成像特性。

此外，根據本發明之製造有機發光裝置之方法，第一電極形成之步驟以及反射層形成之步驟係同時執行，故不需額外之遮罩或添加複雜之製程，使防止非轉印缺陷之有機發光裝置之製造成為可能。

在下文中，本發明之例示性實施例將參閱附圖以描述。然而，應注意的是本發明之範疇並非限制於以下描述之實施例與圖式。而且，應理解的是任何未脫離本發明之精神與技術範疇而進行之所有變化、等效物及替代物均應涵括於此處。

雖然此處所用之術語係盡可能地選自廣泛使用之術語，但本發明之申請人係於某些特殊的情況下選擇了一些術語，在此情形之下，選自申請人之術語之意義應被理解為描述或使用於本發明之詳細說明中所考慮之意義。

為了參考，部分相關描述將被省略以闡明本發明。於以下描述中，相同的參考符號於整篇說明書中表示相同或相似的元件。即使於圖式中簡化或誇大元件及其形狀以幫助了解本發明，但相同的參考符號仍表相同或類似之構件。

此外，層或元件被稱為在另一層或另一元件“上(on)或上面(above)”時，其不僅可直接地設置接觸另一層或另一元件上，且可設置第三層於其間。

第1圖係為藉由雷射誘致熱成像(LITI)形成發光層之方法之示意圖，以及第2圖係為因為介於雷射照射之區域以及雷射沒有照射之區域之間的力持續地施加，而於轉印執行時產生非轉印缺陷之一例示示意圖。

請參閱第1圖示意之基板10、第一電極20、像素定義層30以及熱成像之施體薄膜40之圖示。熱成像之施體薄膜40包含平坦地製成薄層於平坦基板之基底層45、光熱轉換層43以及轉印層41。當紅色、綠色以及藍色應用於熱成像之施體薄膜40上，且接著發射雷射至施體薄膜40上時，施體薄膜40之光電轉換層43吸收雷射光以產生熱。產生之熱膨脹施體薄膜40，導致轉印層41轉印至基板。

然而，如第2圖所示，當轉印經由雷射於施體薄膜對準像素部分之狀態下照射而執行，可產生開邊缺陷，於其中由於介於雷射光照射之部分以及雷射光未照射之部分之間的力持續地施加，邊緣之部分可不被轉印。

因此，當發光層經由雷射誘致熱成像而圖樣化時，能防止由於陽極之一端與發光層之間的適當接觸之失誤所產生之開邊缺陷的技術係需要的。

第3圖係為根據本發明之實施例之有機發光裝置之示意圖。

請參閱第3圖，有機發光裝置包含基底100、形成於基底100上且被圖樣化之第一電極200、形成於經圖樣化之第一電極200之間之像素定義層300、形成於像素定義層300上之反射層800、形成於第一電極200之上部分之發光層510、發光層520與發光層530、以及形成於發光層510、發光層520與發光層530之上部分之第二電極700。此外，第3圖之有機發光裝置包含形成於發光層510、發光層520與發光層530以及第一電極200之間之第一輔助發光層400，以及形成於發光層510、發光層520與發光層530以及第二電極700之間之第二輔助發光層600。

發光層510、發光層520與發光層530、第一輔助發光層400以及第二輔助發光層600對應至有機層。

如第3圖所示，藉由像素定義層300，第一電極200可以像素為單位分類，而發光層510、發光層520與發光層530係形成於藉由像素定義層300而以像素為單位分類之第一電極200的上部分上。此處，第一電極200對應像素電極。

發光層510、發光層520與發光層530係為紅發光層510、綠發光層520以及藍發光層530。發光層510、520與530係分別以發紅光材料、發綠光材料以及發藍光材料製成，且發光層510、發光層520與發光層530係為有機材料。發光材料可由本發明所屬技藝之人士所選擇。

自第3圖中可知，第一輔助發光層400形成於圖樣化之第一電極200、反射層800以及像素定義層300之整個上表面。

第一輔助發光層400可為電洞注入層或電洞傳輸層。第一輔助發光層400可包含兩個層，其分別包含電洞注入層與電洞傳輸層。

如第3圖之實施例所示，第一輔助發光層400係具有電洞注入功能與電洞傳輸功能之電洞注入與傳輸層。

此外，請參閱第3圖，第二輔助發光層600形成於發光層510、發光層520與發光層530以及第一輔助發光層400之整個上表面上。第二輔助發光層600可為電子注入層或電子傳輸層，而第二輔助層顯然可包含兩個層，且可分別包含電子注入層與電子傳輸層。

如第3圖之實施例所示，第二輔助發光層600為電子傳輸層。

如第3圖之實施例，第一電極200係為作為像素電極之陽極，而第二電極700係為作為共同電極之陰極。

第一電極200以圖樣化形式作為陽極形成於基底100上，第一電極200作為像素電極且分別提供電子電荷至紅發光層510、綠發光層520以及藍發光層530。而形成於第一電極200之上部分之紅發光層510、綠發光層520以及藍發光層530成為紅色像素、綠色像素以及藍色像素。

此外，第二電極700，例如為陰極，形成於第二輔助發光層600之整個上表面上。

第4圖係為根據本發明之有機發光裝置之反射層之平面沉積例示示意圖。

如第4圖所示，反射層800可形成網格之形式於發光層之間。除此之外，反射層800可形成走線或網梳之形式。

如第3圖所示，反射層800形成於像素定義層300上。

像素定義層300以絕緣材料形成，而絕緣材料可由本發明所屬技藝之人士所選擇。

像素定義層300一般形成於第一電極200之間以將第一電極200以像素為單位作分類。

第一輔助發光層400設置於反射層800之上部分上，且第一輔助發光層400形成於第一電極200、反射層800以及像素定義層300之整個上表面。

反射層800形成於像素定義層300上，且通常反射層800形成於第一電極200以及像素定義層300形成之後。因此，特別較佳的選擇材料為能於反射層800形成中最小化第一電極200之損害。

反射層800可為單一層或複數層堆疊，且反射層800可包含金屬層。

反射層800係圖樣化於像素定義層300上，且圖樣化以金屬層形成之反射層之方法包含光阻(photoreist)製程以及蝕刻製程。蝕刻製程利用蝕刻溶液，而有些蝕刻溶液可損害第一電極200。因此，當為了形成反射層(金屬層)而包含蝕刻製程時，反射層應以於蝕刻製程中能最小化第一電極200之損害之金屬所形成。

在本實施例中，第一電極200包含透明導電性氧化物(Transparent Conductive Oxide, TCO)層，且透明導電性氧化物層可由本發明所屬技藝之人士所選擇，例如可為氧化銦錫(ITO)層、氧化銦鋅(IZO)層、以及氧化鋁鋅(AZO)層。在本實施例中，第一電極200係以氧化銦錫層所形成。

在此情形之下，為了最小化第一電極200之損害，以氧化銦錫形成之第一電極200可於反射層形成前處置。

考慮到這些情形，反射層800可例如以鉬、銀、鉻、鈦、鐿、金、銅以及鋁之任一所組成。亦即，反射層可包含鉬層、銀層、鉻層、鈦層、鐿層、金層、銅層以及鋁層的至少其一。反射層可包含非上述金屬層之另一金屬所組成之層，且可具有堆疊之金屬層。

舉例而言，反射層800可以鉬組成。於多種製程中之為了圖樣化鉬之蝕刻製程，蝕刻溶液包含硝酸、磷酸以及醋酸。在此情形之下，蝕刻溶液並不會大量地腐蝕處置過之氧化銦錫電極。

根據本發明之一例示，基底100可包含基板、薄膜電晶體(thin film transistor, TFT)層以及平坦絕緣層，基底100可只包含基板。因此，基底100有時具有與基板相同之意義。

為了簡易起見，第3圖並未個別地示意基底100之元件。

在下文中，根據本發明製造有機發光裝置之方法將參照第3圖之有機發光裝置之結構描述。

首先準備基底100以及應用至基底100以形成第一電極之材料。

準備基底100之製程可包含準備基板之步驟、形成薄膜電晶體層之步驟以及形成平坦絕緣層之步驟。在本發明之一實施例中，製程之敘述將完全省略。同時，基底可只包含基板。

本發明所屬技藝所利用之方法通常可應用為利用材料以形成第一電極之方法，顯然地此方法之例示包含濺鍍法以及可應用濺鍍法以外之方法。

第一電極200可包含透明導電性氧化物層以及金屬層的至少其一。因此，應用材料以形成第一電極200之製程可包含至少一個形成透明導電性氧化物層之步驟，以及形成金屬層之步驟。在此方面，透明導電性氧化物層可包含氧化銦錫層、氧化銦鋅層、以及氧化鋁鋅層的至少其一。金屬層可包含銀層、鉬層、鉻層以及鋁層的至少其一。

同時，第一電極200可具有依序堆疊氧化銦錫層、銀層以及氧化銦錫層之結構。為了形成氧化銦錫層、銀層以及氧化銦錫層依序堆疊之第一電極200，形成氧化銦錫層之步驟、形成銀層之步驟以及形成氧化銦錫層之步驟係依序執行。

在本實施例中，氧化銦錫層之第一電極之形成將以一範例描述。

第一電極200藉由圖樣化用以形成第一電極之材料而形成，且第一電極應用至基底100。本發明所屬技藝通常使用之方法可應用於圖樣化法。

像素定義層形成材料係應用至圖樣化之第一電極200以及基底100的整個上表面，像素定義層形成材料可為電性絕緣材料，且通常可適當的選擇本發明所屬技藝利用之材料作為材料。

像素定義層300藉由圖樣化像素定義層形成材料而形成。

本發明所屬技藝通常利用之方法亦可應用至圖樣化像素定義層300之方法。

反射層800可形成於像素定義層300上。

一般而言，形成第一電極200以及像素定義層300後以形成反射層800。

反射層800可包含單一層或複數層堆疊。

舉例而言，反射層800可應用單一層或複數層之反射層形成材料至像素定義層之上表面，接著圖樣化反射層形成材料。此外，反射層800可堆疊單一層或複數層之反射層形成材料於像素定義層以及第一電極之整個上表面，接著再圖樣化反射層形成材料。

第一電極200以及像素定義層300可能於形成上述之反射層800之製程時損壞。特別是第一電極200以及像素定義層300可能於圖樣化製程時損害。

尤其是於像素定義層300上圖樣化反射層800之方法包含光阻製程(PhotoResist, PR)以及蝕刻製程。蝕刻製程係利用蝕刻溶液，而有些蝕刻溶液可能會損害第一電極200以及像素定義層300。因此，當為了形成反射層800而包含蝕刻製程時，反射層800應由能夠於蝕刻製程中最小化第一電極200以及像素定義層300之損害的材料所形成。

尤其是第一電極200之損害直接影響有機發光裝置之發光效率。因此，選擇形成反射層800的材料，其能最有效率地最小化第一電極200之損害為較佳。

根據本發明之反射層包含金屬層，而為了於包含金屬層之反射層之圖樣化中最小化第一電極之損壞，第一電極可於反射層形成前處置。

在本實施例中，利用於透明導電性氧化物中之氧化銦錫形成第一電極將以示例描述。因此，在本實施例中，於形成反射層800之步驟前，此方法更包含處置以氧化銦錫組成之第一電極之步驟。

尤其是反射層800可例如以鉬、銀、鉻、鈦、鐿、金、銅以及鋁之任一所組成。於蝕刻製程中之圖樣化鉬、銀、鉻、鈦、鐿、金、銅以及鋁之製程，蝕刻溶劑包含利用硝酸、磷酸以及醋酸。在此情形之下，蝕刻溶液不會大量地腐蝕處置過之氧化銦錫電極。

反射層800可包含以金屬層外之另一層組成之層，且可具有堆疊之金屬層。

在本實施例中，以鉬形成反射層800將以例示描述。藉由調整用鉬之蝕刻製程之蝕刻溶劑之組成，係可最小化處置過之氧化銦錫電極之腐蝕。

反射層800之圖樣化中，反射層800可形成於發光層之間之網格、走線以及網梳中的任一個。

此外，第一電極200以及反射層800之間之間隙最佳為至少4微米(μm)，然而可接受小於或大於4微米(μm)之間隙。反射層800之面積可為像素電極300之上面積之50％至100％。

根據本發明之實施例之方法，發光層510、發光層520與發光層530形成前，先形成第一輔助發光層400。

第一輔助發光層400可理解地形成於第一電極200、反射層800以及像素定義層300之整個表面上。

第一輔助發光層400可為電洞注入層以及電洞傳輸層之任一，但可皆包含電洞注入層以及電洞傳輸層。

以供參考，形成第一輔助發光層400之步驟可包含形成電洞注入層以及電洞傳輸層之步驟的至少其一，但也可兩個步驟皆包含。

舉例而言，當第一輔助發光層400包含兩個層時，電洞注入層可先形成，而電洞傳輸層可稍後形成。

之後，發光層510、發光層520與發光層530係形成於第一輔助發光層400上。

之發光層510、發光層520與發光層530藉由像素定義層300位於以像素為單位分類之第一電極200。發光層510、發光層520與發光層530係紅發光層510、綠發光層520以及藍發光層530。發光層可以發明所屬技藝通常利用之方法形成，故形成發光層之方法之詳細說明將被省略。

同時，根據本發明之實施例之製程，第二輔助發光層600係形成於發光層510、發光層520與發光層530形成之後，以及第二電極700形成之前。

第二輔助發光層600形成於發光層510、發光層520與發光層530以及第一輔助電極400之整個上表面上。

第二輔助發光層600可包含電子注入層以及電子傳輸層的至少其一。因此，形成第二輔助發光層600之步驟可包含形成電子注入層以及形成電子傳輸層的至少其一。

在本發明之實施例中，第二輔助發光層600示例為電子傳輸層。因此，電子傳輸層係作為第二輔助發光層600而形成。

第二輔助發光層600可當然地包含兩個層，且可分別同樣包含電子注入層以及電子傳輸層。

接下來，第二電極700形成於第二輔助發光層600上。第二電極700形成於第二輔助發光層600之整個上表面上。

根據本發明之有機發光裝置可藉由上述之製程而製造。

第5圖係為有機發光裝置根據本發明之實施例之轉印製程示意圖。更確切而言，根據本發明之實施例，有機發光裝置係藉由前述包含雷射誘致熱成像之製程製造。

根據本發明之實施例製造之有機發光裝置，於雷射照射期間在邊緣部分之存在於雷射照射之區域以及雷射沒有照射之區域之間之力，即凝聚力被減弱，使得轉印以及移除非轉印缺陷輕易地進行。

尤其是，於轉印中照射雷射，施體薄膜500吸收雷射並產生熱，以膨脹施體薄膜500。同時，藉由雷射於反射層800間反射，大量的熱產生於邊緣部分，故邊緣部分相較於其它部分更加地膨脹。因此，邊緣部分之凝聚力減少，而容易進行邊緣部分之轉印，藉此防止產生非轉印缺陷。

第6圖係為根據本發明之另一實施例之有機發光裝置之示意圖。

根據本發明，當於像素定義層300之間之間隙太大，例如當於像素定義層300之間之間隙等於或大於17 微米(μm)時，反射層800以及第一電極200可同時沉積於相同的基底100。如第6圖所示，如上所述之製造有機發光裝置之一示例。

本發明之另一示例提供第6圖所示之有機發光裝置包含：基底100；圖樣化且形成於基底100上之第一電極200；形成於圖樣化之第一電極200之間之像素定義層300；形成於基底100上之反射層800，且藉由像素定義層300以覆蓋反射層800之外側部分；形成於像素定義層300上之一或多個第一輔助發光層400；形成於第一輔助發光層400上之發光層510、發光層520與發光層530；形成於發光層510、發光層520與發光層530上之一或多個第二輔助發光層600；以及形成於第二輔助發光層600上之第二電極700。像素定義層具有透光性，且發光層510、發光層520與發光層530係形成於以像素為單位分類之圖樣化之第一電極200之上部分上。

在此情形之下，第一輔助發光層400可包含電洞注入層以及電洞傳輸層的至少其一。第二輔助發光層600可包含電子注入層及電子傳輸層的至少其一。

在本實施例，第一電極200為陽極，而第二電極700為陰極。

此外，介於第一電極200以及反射層800之間之間隙最佳為至少4微米(μm)，但小於或大於4微米(μm)係可接受。反射層800之面積可為像素電極300之下面積之50%至90%，且像素定義層300覆蓋反射層800之外側部分。

本發明之另一示例提供製造有機發光層之方法，此方法包含下列步驟：準備基底；形成第一電極圖樣於基底上；形成反射層於介於第一電極圖樣之間之基底上；形成像素定義層以覆蓋反射層之外側部分；形成一或多個第一輔助發光層於第一電極圖樣上以及像素定義層；形成發射層於第一輔助發光層上；形成一或多個第二輔助發光層於發光層上；以及形成第二電極於第二輔助發光層上。像素定義層具有透光性，且發光層形成於以像素為單位分類之第一電極圖樣。

在這方面，執行形成反射層之步驟於形成像素定義層之步驟之前，且像素定義層形成於反射層上。

在本實施例中，形成第一輔助發光層之步驟可包含形成電洞注入層以及電洞傳輸層的至少其一。此外，形成第二輔助發光層之步驟可包含形成電子注入層以及電子傳輸層的至少其一。

在本實施中，第一電極為陽極，且第二電極為陰極。

根據本發明之另一實施例之有機發光裝置可經由上述描述製程製造。

第7圖為根據本發明之另一實施例之有機發光層之轉印製程之示意圖，且更特別為藉由雷射誘致熱成像經由前述製程製造有機發光層。

於根據本發明之另一實施例製造之有機發光裝置中，於雷射照射期間在邊緣部分之存在於雷射照射之區域以及雷射沒有照射之區域之間之力，即凝聚力被減弱，使得轉印以及移除非轉印缺陷輕易地進行。

尤其是當雷射於轉印中照射，施體薄膜500吸收雷射並產生熱以使施體薄膜500膨脹。同時，藉由雷射於反射層800中反射，大量的熱於邊緣部分產生，以致於邊緣部分相較於其它部分更加地膨脹。因此，邊緣部分之凝聚力減低，且邊緣部分之轉印係輕易地進行，藉此防止非轉印缺陷產生。

雖然本發明已與部分例示性實施例作相關連之描述，但需理解的是本發明並不以揭露之實施例為限，相對的，任何修改以及等效設置均適用包含於所附加之申請專利範圍及其等效範圍之精神與範疇中。

10．．．基板

20、200．．．第一電極

30．．．像素定義層

40、500．．．施體薄膜

41．．．轉印層

43．．．光熱轉換層

45．．．基底層

100．．．基底

300．．．像素定義層

400．．．第一輔助發光層

510、520、530．．．發光層

600．．．第二輔助發光層

700．．．第二電極

800．．．反射層

本發明更完整的體認以及其所附之多個優點，將會藉由以下詳細說明並連結考量於所附圖式而立即顯見而更好理解，其中相似的標號代表相同或相似的元件，其中：
第1圖係為有機發光裝置之一般轉印製程之示意圖；
第2圖係為當轉印執行時，非轉印缺陷因為持續地應用於雷射照射之區域以及雷射沒有照射之區域之力而產生之一示例之示意圖；

第3圖根據本發明之一實施例之有機發光裝置之示意圖；

第4圖根據本發明之有機發光裝置之反射層之例示性平面沈積之示意圖；

第5圖係為根據本發明之一實施例之有機發光裝置轉印製程之示意圖；
第6圖係為根據本發明之另一實施例之有機發光裝置之示意圖；以及
第7圖係為根據本發明之另一實施例之有機發光裝置之轉印製程之示意圖。

10．．．基板

20．．．第一電極

30．．．像素定義層

40．．．施體薄膜

41．．．轉印層

43．．．光熱轉換層

45．．．基底層

Claims (27)

1. 一種有機發光裝置，其包含：
   一基底；
   複數個第一電極，被圖樣化且形成於該基底上；
   複數個發光層，形成於該些第一電極上；以及
   一第二電極，形成於該些發光層上；
   其中，複數個像素定義層(PDLs)係形成於經圖樣化之該些第一電極之間，並且複數個反射層係設置於該些像素定義層中。
2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中每一該反射層係形成於該些像素定義層的其中之一的上部分。
3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中每一該反射層係形成於該些像素定義層的其中之一的內側。
4. 如申請專利範圍第3項所述之有機發光裝置，其中每一該反射層係形成於一基板上。
5. 如申請專利範圍第3項所述之有機發光裝置，其中每一該像素定義層具有透光性。
6. 如申請專利範圍第3項所述之有機發光裝置，其中每一該反射層之面積係為該些像素定義層的其中之一的下部分之面積之50%至90%，且每一該像素定義層覆蓋該些反射層的其中之一的外側部分。
7. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光裝置，其中每一該反射層之面積係為該些像素定義層的其中之一的上部分的面積之50%至100%。
8. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，更包含設置於該些發光層的其中之一與該些第一電極的其中之一之間的一電洞注入層及一電洞傳輸層之至少其一。
9. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，更包含設置於該些發光層的其中之一與該第二電極之間之一電子注入層以及一電子傳輸層的至少其一。
10. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該些第一電極係為像素電極。
11. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該些第一電極為陽極，且該第二電極為陰極。
12. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中每一該反射層包含一金屬層。
13. 如申請專利範圍第12項所述之有機發光裝置，更包含至少一絕緣層形成於該金屬層上。
14. 如申請專利範圍第13項所述之有機發光裝置，其中該至少一絕緣層具有透光性。
15. 如申請專利範圍第12項所述之有機發光裝置，其中該金屬層包含鉬(Mo)層、金(Au)層、銀(Ag)層、鉻(Cr)層、鈦(Ti)層、鐿(Yb)層、銅(Cu)層以及鋁(Al)層的至少其一。
16. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該些反射層係形成於一網格(mesh)、一走線(lines)以及一網梳(comb)中的任一個。
17. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該基底包含一基板、一薄膜電晶體(TFT)層以及一平坦絕緣層。
18. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該基底包含一基板。
19. 一種製造有機發光裝置之方法，該方法包含以下步驟：
    準備一基底；
    形成複數個第一電極之圖樣於該基底上；
    形成複數個像素定義層於該些第一電極之間，使該些第一電極以像素為單位分類；
    形成複數個發光層於以像素為單位分類之該些第一電極上；以及
    形成一第二電極於該些發光層上；
    該方法更包含於與形成該些像素定義層之步驟執行的時間不同之時間來形成複數個反射層之步驟。
20. 如申請專利範圍第19項所述之方法，其中形成該些反射層之步驟係於形成該些像素定義層之步驟執行後執行，且該些反射層形成於該些像素定義層上。
21. 如申請專利範圍第19項所述之方法，其中形成該些反射層之步驟係於形成該些像素定義層之步驟執行前執行，且該些像素定義層形成於該些反射層上。
22. 如申請專利範圍第19項所述之方法，於形成該些像素定義層之步驟執行之後，且於形成該些發光層之步驟執行之前，更包含形成一電洞注入層之步驟以及形成一電洞傳輸層之步驟的至少其一。
23. 如申請專利範圍第19項所述之方法，於形成該些像素定義層之步驟執行之後，且於形成該第二電極之步驟執行之前，更包含形成一電子傳輸層之步驟以及形成一電子注入層之步驟的至少其一。
24. 如申請專利範圍第19項所述之方法，其中形成該些反射層之步驟與形成該些第一電極之圖樣之步驟係同時執行。
25. 如申請專利範圍第19項所述之方法，其中形成該些反射層之步驟包含形成一金屬層之步驟。
26. 如申請專利範圍第25項所述之方法，其中該金屬層包含鉬層、金層、銀層、鉻層、鈦層、鐿層、銅層以及鋁層的至少其一。
27. 如申請專利範圍第19項所述之方法，其中於形成該些反射層之步驟中，該些反射層係形成於一網格、一走線以及一網梳中的任一個。