JP4454503B2 - 前面発光有機電界発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Description
基板上に反射膜層を形成する工程、
前記反射膜上部に金属シリサイド層を形成する工程、
前記金属シリサイド層上に透明電極層を形成した後にパターニングして第1電極層を形成する工程、
前記第1電極層の両エッジ部分を含む画素領域を定義する画素定義膜を形成する工程、
前記基板の全面にわたって少なくとも1つの発光層を含む有機膜層を形成する工程、及び
前記有機膜層上に第2電極層を形成する工程
を含む前面発光有機電界発光素子の製造方法を提供する。
本発明による前面発光有機電界発光素子を作製するために、ガラス基板上にAl及びNdをスパッタリングし1000Åの厚さを有するAl−Nd反射膜層を形成した後に、続いて200℃の温度でAl及びα−Siを連続スパッタリングして50Åないし150Åの厚さを有するアルミニウムシリサイド層を形成した。次に、前記アルミニウムシリサイド層の上部に、透明電極物質であるITOを125Åの厚さに真空蒸着して透明電極層を形成した。
本発明によるアルミニウムシリサイド層の形成による効果を比較するために、前記反射膜層と透明電極層との間にアルミニウムシリサイド層を形成しないことを除き、前記実験例と同様に実施し前面発光有機電界発光素子を作製した。
前記実験例及び比較例で得られた前面発光有機電界発光素子のコンタクト抵抗及び顕微鏡による表面状態を測定した。その結果を図4ないし図7に示す。
110、210:第1電極層
110a、210a:反射膜層
110b、210c:透明電極層
110c:金属酸化膜層
120、220:画素定義膜
130、230:有機膜層
140、240:第2電極層
210b:金属シリサイド層
Claims (11)
- 基板と、
前記基板上に形成された、アルミニウム(Al)、アルミニウム合金、クロム(Cr)、銀(Ag)、モリブデン(Mo)、モリブデン−タングステン(MoW)、チタン(Ti)及びニッケル(Ni)のいずれか1つ、またはそれらの合金からなる反射膜層、前記反射膜層上に形成された、アルミニウム(Al)、アルミニウム合金、クロム(Cr)、銀(Ag)、モリブデン(Mo)、モリブデン−タングステン(MoW)、チタン(Ti)及びニッケル(Ni)のいずれか1つ、またはそれらの合金を含む金属シリサイド層及び前記金属シリサイド上に形成された、ITOまたはIZOからなる透明電極層から形成される第1電極層と、
前記基板の全面にわたって形成された少なくとも1つ以上の発光層を含む有機膜層と、
前記有機膜層上に形成された第2電極層と、
を含み、
前記第1電極層は前記透明電極層上部にフォトレジストパターンを形成し、通常のベーキング、露光及び現像工程を含むフォトリソグラフィ工程、及び強酸溶液又は強塩基溶液を用いた湿式エッチング工程を経てパターニングされることを特徴とする前面発光有機電界発光素子。 - 前記基板は、ガラス、プラスチック及び金属からなる群より選択されることを特徴とする請求項1に記載の前面発光有機電界発光素子。
- 第1電極層がアノードであって、第2電極層がカソードであることを特徴とする請求項1に記載の前面発光有機電界発光素子。
- 前記反射膜は、アルミニウム−ネオジム(Al−Nd)であることを特徴とする請求項1に記載の前面発光有機電界発光素子。
- 前記金属シリサイド層を形成する金属物質は、アルミニウム−ネオジム(AlNd)であることを特徴とする請求項1に記載の前面発光有機電界発光素子。
- 前記金属シリサイド層は、20ないし150Åの厚さを有することを特徴とする請求項1に記載の前面発光有機電界発光素子。
- 前記有機膜層は、電荷輸送能力を有する、正孔注入層、正孔輸送層、正孔抑制層、電子輸送層及び電子注入層からなる群より選択される1つ以上の層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の前面発光有機電界発光素子。
- 前記第2電極層は、ITO、IZO、Mg、Ca、Al、Ag、Ba及びそれらの合金からなる群より選択される1つの金属からなることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。
- 基板を提供する工程と、
前記基板上にアルミニウム(Al)、アルミニウム合金、クロム(Cr)、銀(Ag)、モリブデン(Mo)、モリブデン−タングステン(MoW)、チタン(Ti)及びニッケル(Ni)のいずれか1つ、またはそれらの合金からなる反射膜層を形成する工程と、
前記反射膜層上にアルミニウム(Al)、アルミニウム合金、クロム(Cr)、銀(Ag)、モリブデン(Mo)、モリブデン−タングステン(MoW)、チタン(Ti)及びニッケル(Ni)のいずれか1つ、またはそれらの合金を含む金属シリサイド層を形成する工程と、
前記金属シリサイド層上にITOまたはIZOからなる透明電極層を形成した後にパターニングして第1電極層を形成する工程と、
前記第1電極層の両エッジ部分を含む画素領域を定義する画素定義膜を形成する工程と、
前記基板の全面にわたって少なくとも1つ以上の発光層を具備する有機膜層を形成する工程と、
前記有機膜層上に第2電極層を形成する工程と、
を含み、
前記第1電極層は前記透明電極層上部にフォトレジストパターンを形成し、通常のベーキング、露光及び現像工程を含むフォトリソグラフィ工程、及び強酸溶液又は強塩基溶液を用いた湿式エッチング工程を経てパターニングされることを特徴とする前面発光有機電界発光素子の製造方法。 - 前記金属シリサイド層は、金属物質及びα−Siのスパッタリング及び熱処理を実施することによって形成されることを特徴とする請求項9に記載の前面発光有機電界発光素子の製造方法。
- 前記熱処理は、150ないし400℃の温度で実施されることを特徴とする請求項9に記載の前面発光有機電界発光素子の製造方法。
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