CN103151466A - 有机发光装置及该有机发光装置的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种有机发光装置及该有机发光装置的制造方法。在这种有机发光装置及制造该有机发光装置的方法中，反射层形成在像素限定层上，以防止在形成发光层的过程中产生开口边缘缺陷(或未转印缺陷)。有机发光装置包括：基体；第一电极，图案化并形成在基体上；发光层，形成在第一电极上；第二电极，形成在发光层上。像素限定层形成在图案化的第一电极之间，反射层被置于像素限定层中。

Description

有机发光装置及该有机发光装置的制造方法

技术领域

本发明涉及一种有机发光装置及制造该有机发光装置的方法，更具体地说，涉及一种反射层形成在像素限定层上从而防止在形成发光层的过程中产生未转印缺陷的有机发光装置及制造该有机发光装置的方法。

背景技术

近年来，在显示技术领域中，有机发光装置受到关注。这种有机发光装置是一种电子和空穴复合时产生光并在发光的同时电子和空穴消散的装置。

有机发光装置主要包括用于注入空穴的电极、用于注入电子的电极和发光层，所述装置具有发光层被置于阳极和阴极之间的叠层结构，其中，阳极是用于注入空穴的电极，阴极是用于注入电子的电极。具体地说，在有机发光装置的电极中，电子被注入在阴极中，空穴被注入在阳极中，这些电荷在外部电场的作用下沿反向相互运动，然后在发光层中复合，从而在发光的同时这些电荷消散。有机发光装置的发光层由单分子有机材料或聚合物形成。

有机发光装置通常包括用于覆盖阳极边缘的像素限定层(PDL)。此外，有机薄膜中的发光层形成在像素限定层的部分区域中。

图案化发光层的方法包括使用用于低分子有机发光装置的阴影掩模的方法以及用于聚合物有机发光装置的喷墨印刷或激光感应热成像(LITI)。

为了利用LITI形成发光层，首先在基底上层叠包括有机层的供体膜。然后，当激光照射到供体膜的预定部分时，图案化的发光层可位于基底上。即，激光照射到的部分和激光未照射到的部分之间的结合部(combination)在供体膜的有机层中是不连续的，从而可以形成发光层的图案。

然而，在供体膜与像素部分对齐的状态下通过照射激光来执行转印时，可能产生开口边缘缺陷，即，由于在已经用激光照射的部分和未用激光照射的部分之间连续施加力，导致边缘部分中的一部分可能未被转印。

因此，需要一种能够防止当通过LITI图案化发光层时由于阳极的端部和发光层之间无法适当接触而产生的开口边缘缺陷的技术。

发明内容

已经开发本发明以解决上面提到的出现在现有技术中的问题，本发明的一方面提供了一种具有提高的耐久性的有机发光装置及制造该有机发光装置的方法，该有机发光装置及其制造方法在形成发光层的过程中防止了未转印缺陷的产生。

根据本发明的示例性实施例，提供了一种有机发光装置，该有机发光装置包括：基体；第一电极，图案化并形成在基体上；发光层，形成在第一电极上；第二电极，形成在发光层上，其中，像素限定层形成在图案化的第一电极之间，反射层设置于像素限定层处。

发光层由单体有机材料或聚合物有机材料形成。

根据本发明的示例性实施例，反射层形成在像素限定层上并与像素限定层叠置，反射层的面积为像素限定层的上部的面积的50％到100％。

根据本发明的示例性实施例，所述反射层形成在像素限定层的内侧上，更具体地说，形成在基体上。在示例性实施例中，描述了反射层与基体直接接触的情况，但是可以在反射层和基体之间设置第三层。

此外，反射层的面积为像素限定层的下部的面积的50％到90％，反射层的外侧部分被像素限定层覆盖。

根据本发明的示例性实施例，有机发光装置还包括位于发光层和第一电极之间的空穴注入层和空穴传输层中的至少一个。

根据本发明的另一示例性实施例，有机发光装置还包括位于发光层和第二电极之间的电子注入层和电子传输层中的至少一个。

根据本发明的示例性实施例，第一电极可以是像素电极。此外，第二电极可以是共电极。在这种情况下，第二电极形成在像素限定层和反射层的上部以及发光层的上部上方。

根据本发明的示例性实施例，第一电极为阳极，第二电极为阴极。具有比第一电极的电压低的电压的终端可以是第二电极。即，第二电极为阴极。

根据本发明的示例性实施例，反射层包括金属层。所述金属层包括钼(Mo)层、金(Au)层、银(Ag)层、铬(Cr)层、钛(Ti)层、镱(Yb)层、铜(Cu)层和铝(Al)层中的至少一个。

根据本发明的示例性实施例，反射层以网、线和梳子状中的任意一种形式形成。

根据本发明的示例性实施例，基体可包括基底、薄膜晶体管(TFT)层和平坦的绝缘层。此外，基体可仅包括基底。

此外，本发明提供了一种制造所述有机发光装置的方法。

根据本发明的制造所述有机发光装置的方法包括下述步骤：准备基体；在基体上形成第一电极的图案；在图案化的第一电极之间形成像素限定层，使得第一电极以像素为单位进行划分；在以像素为单位进行划分的第一电极上形成发光层；在发光层上形成第二电极，其中，在形成像素限定层之前或之后包括形成反射层的步骤。

根据本发明的示例性实施例，在执行形成像素限定层的步骤之后执行形成反射层的步骤，反射层形成在像素限定层上。

根据本发明的另一示例性实施例，在形成像素限定层的步骤之前执行形成反射层的步骤，像素限定层形成在反射层上。

根据本发明的另一示例性实施例，与形成反射层的步骤同时地执行形成第一电极的图案的步骤。

根据本发明的示例性实施例，所述方法还包括在形成像素限定层的步骤之后且在形成发光层的步骤之前的形成空穴注入层的步骤和形成空穴传输层的步骤中的至少一步。

根据本发明的示例性实施例，所述方法还包括在形成发光层的步骤之后且在形成第二电极的步骤之前的形成电子注入层的步骤和形成电子传输层的步骤中的至少一步。

根据本发明的示例性实施例，形成反射层的步骤可包括形成金属层的步骤。所述金属层可由钼(Mo)层、金(Au)层、银(Ag)层、铬(Cr)层、钛(Ti)层、镱(Yb)层、铜(Cu)层和铝(Al)层中的至少一个形成。

根据本发明的示例性实施例，在形成反射层的步骤中，反射层以网、线和梳子状的任意一种形式形成。

因此，在根据本发明的有机发光装置中，反射层形成在像素限定层中，当通过激光照射来执行转印时，能够防止转印缺陷，诸如，电极边缘部分的未转印缺陷，从而有利地改善电极边缘部分处的图案图像特性。

此外，根据制造本发明的有机发光装置的方法，同时地执行形成第一电极的步骤和形成反射层的步骤，从而无需额外的掩模或增加复杂的工艺就能够制造防止未转印缺陷的有机发光装置。

附图说明

通过参照下面结合附图考虑时的详细描述，本发明的更完整的理解及其许多伴随的优点将是显而易见的，同样变得更易于理解，其中，相同标号指示相同或相似的元件，其中：

图1是示出有机发光装置的通常的转印过程的示意性示图；

图2是示出当执行转印时由于在已被激光照射的区域和未被激光照射的区域之间持续施加的力而产生的未转印缺陷的示例的示图；

图3是示出根据本发明的实施例的有机发光装置的示图；

图4是示出根据本发明的有机发光装置中的反射层的示例性平面布置的示图；

图5是示出根据本发明实施例的有机发光装置的转印工艺的示图；

图6是示出根据本发明另一实施例的有机发光装置的示图；

图7是示出根据本发明另一实施例的有机发光装置的转印工艺的示图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图来描述本发明的示例性实施例。然而，应该注意的是，本发明的范围不受下面描述的实施例和附图所限制。此外，将理解的是，包括在本发明的精神和技术范围内的所有变化、等同或替代被包括在本发明的范围内。

虽然在此使用的术语是从尽可能经常广泛使用的通用术语中选择的，但是个别术语是本发明的申请人根据特定环境而选择的，在这种情况下，由申请人选择的术语的含义应该被理解为考虑到在本发明的详细描述中所使用并描述的含义。

参考起见，为了使本发明简洁，将省略与所述描述不相关的部分。在下面的描述中，在整个说明书中，将用相同的标号表示相同或相似的元件。尽管为了有助于对本发明的理解，在附图中简化或夸大了元件及它们的形状，但是使用相同的标号来表示相同或相似的组件。

此外，当描述层或元件“位于”另一层或另一元件“上方”或“上”时，不仅意味着该元件或该层可以被设置为直接接触所述另一层或所述另一元件，而且意味着可以在它们之间设置第三层或第三元件。

图1示意性地示出通过LITI形成发光层的方法，图2是示出当执行转印时由于在已被激光照射的区域和未被激光照射的区域之间连续施加力而产生的未转印缺陷的示例的示图。

参照图1，热成像供体膜40包括平坦地层叠在平坦的基底上的基体层45、光热转换层43和转印层41。当红色、绿色和蓝色被应用在供体膜40上，并且将激光照射到供体膜40上时，供体膜40的光热转换层43吸收激光，以产生热。产生的热使供体膜40膨胀，致使转印层41被转印到基底上。

然而，如图2所示，当在供体膜与像素部分对齐的状态下通过照射激光来执行转印时，可能产生开口边缘缺陷，即，由于在已经被激光照射的部分和未经激光照射的部分之间持续施加力而导致边缘部分中的一部分可能没有被转印。

因此，需要一种能够防止当通过LITI图案化发光层时由于阳极的端部和发光层之间无法适当的接触而产生开口边缘缺陷的技术。

图3是示出根据本发明的实施例的有机发光装置的示图。

参照图3，有机发光装置包括：基体100；第一电极200，被图案化并形成在基体100上；像素限定层300，形成在图案化的第一电极200之间；反射层800，形成在像素限定层上并与像素限定层叠置；发光层510、520和530，形成在第一电极的上部上；第二电极700，形成在发光层的上部上。此外，图3中示出的有机发光装置包括形成在发光层510、520和530与第一电极200之间的第一辅助发光层400以及形成在发光层510、520和530与第二电极700之间的第二辅助发光层600。

发光层、第一辅助发光层和第二辅助发光层对应于有机层。

如图3所示，通过像素限定层300可以将第一电极200以像素为单位进行划分，发光层510、520和530形成在通过像素限定层300以像素为单位划分的第一电极层200的上部上。这里，第一电极对应于像素电极。

发光层510、520和530是红光发射层510、绿光发射层520和蓝光发射层530。所述发光层分别由红光发射材料、绿光发射材料和蓝光发射材料形成，所述发光层为有机材料。发光材料可以从本发明所属领域中使用的发光材料中选择。

从图3中可以看出，第一辅助发光层400形成在图案化的第一电极200、反射层800和像素限定层300的全部上表面上。

第一辅助发光层400可以是空穴注入层或空穴传输层。第一辅助发光层400可以包括两层，所述两层包括空穴注入层和空穴传输层。

在图3的实施例中示出的是，第一辅助发光层400是既具有空穴注入功能又具有空穴传输功能的空穴注入和传输层。

此外，参照图3，第二辅助发光层600形成在发光层510、520和530以及第一辅助发光层400的全部上表面上。第二辅助发光层600可以是电子注入层或电子传输层。明显的是，第二辅助发光层600可包括两层，所述两层包括电子注入层和电子传输层。

在图3的实施例中示出的是，第二辅助发光层600是电子传输层。

在图3的实施例中，第一电极200是用作像素电极的阳极，第二电极700是用作共电极的阴极。

用作阳极的第一电极200以图案形式形成在基体100上。用作像素电极的第一电极200分别向红光发射层510、绿光发射层520和蓝光发射层530供应电荷。形成在第一电极200的上部上的红光发射层510、绿光发射层520和蓝光发射层530分别成为红色像素、绿色像素和蓝色像素。

此外，第二电极700(即，阴极)形成在第二辅助发光层600的全部上表面上。

图4是示出根据本发明的有机发光装置中的反射层的示例性平面布置的示图。

如图4所示，反射层800可以以网的形式形成在发光层之间。此外，反射层800可以线或梳子状的形式形成。

如图3所示，反射层800形成在像素限定层300上。

像素限定层300由绝缘材料形成。像素限定层300的材料可以从本发明所属领域中使用的像素限定层材料中选择。

像素限定层300通常形成在第一电极200之间，从而以像素为单位来划分第一电极200。

第一辅助发光层400设置在反射层800的上部上，并且第一辅助发光层400形成在第一电极200、反射层800和像素限定层300的全部上表面上。

反射层800形成在像素限定层300上，并且常见的是，在形成第一电极200和像素限定层300之后形成反射层800。因此，特别优选的是，选择能够在形成反射层800的过程中使对第一电极200的损害最小的材料。

反射层800可以是单层或多个堆叠的层。反射层800可包括金属层。

反射层800在像素限定层300上被图案化，图案化由金属层形成的反射层的方法包括光致抗蚀剂(PR)工艺和蚀刻工艺。所述蚀刻工艺使用蚀刻溶液，一些蚀刻溶液会损坏第一电极200。因此，当形成反射层(金属层)的过程包括蚀刻工艺时，反射层应该由能够使在蚀刻过程中对第一电极200的损坏最小的金属形成。

在本实施例中，第一电极包括透明导电氧化物(TCO)层。所述TCO层可以从本发明所属领域中常用的TCO层中选择，例如，可以是ITO(氧化铟锡)层、IZO(氧化铟锌)层和AZO(氧化铝锌)层。在本实施例中，第一电极由ITO层形成。

在这种情况下，为了使对第一电极的损坏最小化，由ITO形成的第一电极可以在形成反射层之前被固化。

考虑到这些方面，例如，反射层800可由钼(Mo)、银(Ag)、铬(Cr)、钛(Ti)、镱(Yb)、金(Au)、铜(Cu)和铝(Al)中的任意一种形成。即，反射层800可包括钼(Mo)层、银(Ag)层、铬(Cr)层、钛(Ti)层、镱(Yb)层、金(Au)层、铜(Cu)层和铝(Al)层中的至少一个。反射层800可包括由除了上面提到的金属层之外的其它金属制成的层，并且可具有多个堆叠的金属层。

例如，反射层800可由钼(Mo)制成。在图案化钼(Mo)的过程中的蚀刻工艺中，使用包括硝酸、磷酸和醋酸的蚀刻溶液。在这种情况下，所述蚀刻溶液不会很大程度地腐蚀固化的ITO电极。

根据本发明的示例，基体100可包括基底、薄膜晶体管(TFT)层和平坦的绝缘层。基体100可以仅是基底。因此，基体100有时可具有与基底相同的含义。

为了简单起见，图3没有示出基体100的单独的元件。

在下文中，将参照图3中示出的有机发光装置的结构来描述根据本发明的有机发光装置的制造方法。

首先，准备基体100，将形成第一电极的材料涂覆到基体100。

准备基体100的工艺可包括下述步骤：准备基底的步骤、形成TFT层的步骤和形成平坦的绝缘层的步骤。在本发明的实施例中，将全部省略对上述步骤的描述。同时，基体可以仅是基底。

本发明所属领域中常用的方法可被应用于涂覆用于形成第一电极的材料的方法。明显的是，这样的方法的示例包括溅射方法，并且可应用除了溅射方法之外的方法。

第一电极200可包括透明导电氧化物(TCO)层和金属层中的至少一个。因此，涂覆用于形成第一电极200的材料的工艺可包括形成透明导电氧化物(TCO)层的步骤和形成金属层的步骤中的至少一个。就这一点而言，透明导电氧化物(TCO)层可包括ITO层、IZO层和AZO层中的至少一个。金属层可包括银(Ag)层、钼(Mo)层、铬(Cr)层和铝(Al)层中的至少一个。

同时，第一电极200可具有ITO层、银(Ag)层和ITO层顺序堆叠的结构。为了形成ITO层、银(Ag)层和ITO层顺序堆叠的第一电极200，顺序地执行形成ITO层的步骤、形成银(Ag)层的步骤和形成ITO层的步骤。

在本实施例中，将描述形成ITO层的第一电极的步骤作为示例。

通过图案化涂覆到基体100上的用于形成第一电极的材料来形成第一电极200。本发明所属领域常用的方法可被应用于图案化方法。

像素限定层形成材料被涂覆到基体100和图案化的第一电极200的全部上表面上。像素限定层形成材料可以是电绝缘材料，可以适当选取并使用本发明所属领域常用的材料作为像素限定层形成材料。

通过图案化像素限定层形成材料来形成像素限定层300。

还可将本发明所属领域常用的方法应用于图案化像素限定层300的方法。

在像素限定层300上形成反射层800。

通常在形成第一电极200和像素限定层300后形成反射层800。

反射层800可以是单层或多个堆叠的层。

例如，可通过以单层或多层的形式将反射层形成材料涂覆到像素限定层的上表面并图案化反射层形成材料来形成反射层800。或者，可以通过在像素限定层和第一电极的全部上表面上以单层或多层的形式堆叠反射层形成材料并图案化反射层形成材料来形成反射层800。

第一电极200和像素限定层300在如上所述的形成反射层800的工艺中可能被损坏。尤其是，第一电极200和像素限定层300可能在图案化工艺中被损坏。

具体地说，在像素限定层300上图案化反射层800的方法包括光致抗蚀剂(PR)工艺和蚀刻工艺。蚀刻工艺使用蚀刻溶液，一些蚀刻溶液会损坏第一电极200和像素限定层300。因此，当形成反射层800的过程中包括蚀刻工艺时，反射层800应该由能够使在蚀刻工艺中对第一电极200和像素限定层300的损坏最小的金属形成。

具体地说，对第一电极的损坏直接影响有机发光装置的发光效率。因此，优选的是，选择能够使对第一电极200的损坏最有效地减小的形成反射层800的材料。

根据本发明的反射层包括金属层。为了使在图案化包括金属层的反射层的过程中对第一电极的损坏最小化，第一电极可在形成反射层之前被固化。

在本实施例中，将描述使用透明导电氧化物中的ITO形成第一电极作为示例。因此，在本实施例中，所述方法还可包括在形成反射层800的步骤之前固化由ITO制成的第一电极的步骤。

具体地说，例如，反射层800可由钼(Mo)、银(Ag)、铬(Cr)、钛(Ti)、镱(Yb)、金(Au)、铜(Cu)和铝(Al)中的任意一种制成。在图案化钼(Mo)、银(Ag)、铬(Cr)、钛(Ti)、镱(Yb)、金(Au)、铜(Cu)或铝(Al)的工艺过程中的蚀刻工艺中，使用包括硝酸、磷酸和醋酸的蚀刻溶液。在这种情况下，蚀刻溶液不会大程度地腐蚀固化的ITO电极。

反射层800包括由除了所述金属层之外的其它金属制成的层，并且可具有多个堆叠的金属层。

在实施例中，将描述由钼(Mo)形成反射层800作为示例。通过调整在钼(Mo)的蚀刻工艺中使用的蚀刻溶液的组分，能够使对固化的ITO电极的腐蚀最小化。

在图案化反射层800的过程中，反射层800可在发光层之间以网、线和梳子状中的任意一种形式形成。

此外，第一电极200和反射层800之间的间隙优选为至少4μm，但是小于4μm或大于4μm的间隙是可接受的。反射层800的面积可以占像素限定层300的上部面积的50％到100％。

在根据本发明实施例的方法中，在形成发光层510、520和530之前，形成第一辅助发光层400。

可以看出的是，第一辅助发光层400形成在第一电极200、反射层800和像素限定层300的全部表面上。

第一辅助发光层400可以是空穴注入层和空穴传输层中的任何一个，但是可以既包括空穴注入层又包括空穴传输层。

参考起见，形成第一辅助发光层400的步骤可包括形成空穴注入层的步骤和形成空穴传输层的步骤中的至少一个，但是也可包括这两个步骤。

例如，当第一辅助发光层400包括两个层时，可首先形成空穴注入层，而后可形成空穴传输层。

其后，在第一辅助发光层400上形成发光层510、520和530。

发光层510、520和530位于由像素限定层300以像素为单位划分的第一电极200上。发光层510、520和530是红光发射层510、绿光发射层520和蓝光发射层530。发光层可以由本发明所属领域常用的方法形成，从而将省略对形成发光层的方法的详细描述。

同时，在根据本发明实施例的工艺中，在形成发光层510、520和530之后且形成第二电极700之前形成第二辅助发光层600。

第二辅助发光层600形成在发光层510、520和530以及第一辅助发光层400的全部上表面上。

第二辅助发光层600可包括电子注入层和电子传输层中的至少一个。因此，形成第二辅助发光层600的步骤可包括形成电子注入层的步骤和形成电子传输层的步骤中的至少一个。

在本发明的实施例中，示出的是，第二辅助发光层600是电子传输层。因此，电子传输层形成为第二辅助发光层600。

当然，第二辅助发光层600可包括两个层，并且第二辅助发光层600可既包括电子注入层又包括电子传输层。

接下来，在第二辅助发光层600上形成第二电极700。第二电极700形成在第二辅助发光层600的全部上表面上。

可通过上述工艺来制造根据本发明的有机发光装置。

图5是示出根据本发明实施例的有机发光装置的转印工艺的示图。更具体地说，根据本发明的实施例，通过上述包括LITI的工艺来制造有机发光装置。

在根据本发明的实施例制造的有机发光装置中，在激光照射过程中在边缘部分处的已被激光照射的区域和未被激光照射的区域之间存在的力(即，粘合力)减小，使得能够容易地进行转印和去除未转印缺陷。

具体地说，当在转印过程中照射激光时，供体膜500吸收激光并产生热，从而供体膜500膨胀。同时，由于通过反射层800反射的激光在边缘部分处产生大量热，从而边缘部分与其它部分相比进一步膨胀。因此，边缘部分的粘合力减小，边缘部分处的转印容易进行，从而防止未转印缺陷的产生。

图6是示出根据本发明的另一实施例的有机发光装置的示图。

根据本发明，当像素限定层300之间的间隙大时，例如，当像素限定层300之间的间隙等于或大于17μm时，反射层800和第一电极200可同时沉积在同一基体100上。如上所述制造的有机发光装置的示例示出在图6中。

本发明的另一示例提供了图6中示出的有机发光装置，该有机发光装置包括：基体100；第一电极200，图案化并形成在基体100上；像素限定层300，形成在图案化的第一电极200之间；反射层800，形成在基体上以由像素限定层300覆盖反射层800的外侧部分，即，反射层800设置在像素限定层300下方并与像素限定层叠置；一个或多个第一辅助发光层400，形成在像素限定层300上；发光层510、520和530，形成在第一辅助发光层400上；一个或多个第二辅助发光层600，形成在发光层510、520和530上；第二电极700，形成在第二辅助发光层600上。像素限定层300具有透光性，发光层510、520和530形成以像素为单位划分的图案化的第一电极200的上部上。

在这种情况下，第一辅助发光层400可包括空穴注入层和空穴传输层中的至少一个。第二辅助发光层600可包括电子注入层和电子传输层中的至少一个。

在本实施例中，第一电极200是阳极，第二电极700是阴极。

此外，第一电极200和反射层800之间的间隙优选为至少4μm，但是小于4μm或大于4μm的间隙是可接受的。反射层800的面积可以为像素限定层300的下部面积的50％到90％，像素限定层300覆盖反射层800的外侧部分。

本发明的另一示例提供了一种制造有机发光装置的方法，该方法包括下述步骤：准备基体；在基体上形成第一电极图案；在第一电极图案之间的基体上形成反射层；形成像素限定层以覆盖反射层的外侧部分；在第一电极图案和像素限定层上形成一个或多个第一辅助发光层；在第一辅助发光层上形成发光层；在发光层上形成一个或多个第二辅助发光层；在第二辅助发光层上形成第二电极。像素限定层具有透光性，并且发光层形成在以像素为单位划分的图案化的第一电极上。

就这一点而言，在形成像素限定层的步骤之前，执行形成反射层的步骤，像素限定层形成在反射层上。

在本实施例中，形成第一辅助发光层的步骤可包括形成空穴注入层的步骤和形成空穴传输层的步骤中的至少一个。此外，形成第二辅助发光层的步骤可包括形成电子注入层的步骤和形成电子传输层的步骤中的至少一个步骤。

在本实施例中，第一电极是阳极，第二电极是阴极。

可通过上述工艺来制造根据本发明的另一实施例的有机发光装置。

图7是示出根据本发明的另一实施例的有机发光装置的转印工艺的示图，更具体地讲，利用LITI通过前面提到的工艺制造的有机发光装置的转印工艺。

在根据本发明的另一实施例制造的有机发光装置中，在激光照射过程中在边缘部分处的已被激光照射的区域和未被激光照射的区域之间存在的力(即，粘合力)减小，使得能够容易地进行转印和去除未转印缺陷。

具体地说，当在转印过程中照射激光时，供体膜500吸收激光并且产生热，从而使供体膜500膨胀。同时，由于通过反射层800反射的激光而在边缘部分处产生大量热，使得边缘部分与其它部分相比进一步膨胀。因此，边缘部分中的粘合力减小，边缘部分处的转印容易进行，从而防止未转印缺陷的产生。

虽然已经结合特定的示例性实施例描述了本发明，但是应该理解的是，本发明不限于公开的实施例，而是相反，本发明意在覆盖包括在权利要求及其等同物的精神和范围内的各种修改及等同布置。

Claims (25)

1.一种有机发光装置，所述有机发光装置包括；

基体；

第一电极，图案化并形成在基体上；

发光层，形成在第一电极上；

第二电极，形成在发光层上；

其中，像素限定层形成在图案化的第一电极之间，反射层设置于像素限定层处。

2.如权利要求1所述的有机发光装置，其中，每个所述反射层形成在像素限定层上并与像素限定层叠置。

3.如权利要求1所述的有机发光装置，其中，每个所述反射层形成在像素限定层下方并与像素限定层叠置。

4.如权利要求3中所述的有机发光装置，其中，每个所述反射层形成在基体上。

5.如权利要求3中所述的有机发光装置，其中，每个所述像素限定层具有透光性。

6.如权利要求3所述的有机发光装置，其中，每个所述反射层的面积为像素限定层中的一个的下部的面积的50％到90％，每个所述像素限定层覆盖反射层中的一个的外侧部分。

7.如权利要求2中所述的有机发光装置，其中，每个所述反射层的面积为像素限定层中的一个的上部的面积的50％到100％。

8.如权利要求1所述的有机发光装置，所述有机发光装置还包括置于发光层中的一个和第一电极中的一个之间的空穴注入层和空穴传输层中的至少一个。

9.如权利要求1中所述的有机发光装置，所述有机发光装置还包括置于发光层中的一个和第二电极之间的电子注入层和电子传输层中的至少一个。

10.如权利要求1中所述的有机发光装置，其中，第一电极为像素电极。

11.如权利要求1中所述的有机发光装置，其中，第一电极为阳极，第二电极为阴极。

12.如权利要求1所述的有机发光装置，其中，每个所述反射层包括金属层。

13.如权利要求13所述的有机发光装置，其中，所述至少一个绝缘层具有透光性。

14.如权利要求1所述的有机发光层，其中，反射层以网、线和梳子状中的任意一种形式形成。

15.如权利要求1所述的有机发光装置，其中，基体包括基底、薄膜晶体管层和平坦的绝缘层。

16.如权利要求1所述的有机发光装置，其中，基体包括基底。

17.一种制造有机发光装置的方法，所述方法包括下述步骤：

准备基体；

在基体上形成第一电极的图案；

在第一电极之间形成像素限定层，使得第一电极以像素为单位进行划分；

在发光层上形成第二电极；

其中，所述方法还包括在与执行形成像素限定层的步骤的时刻不同的时刻形成反射层的步骤。

18.如权利要求19所述的方法，其中，在执行形成像素限定层的步骤之后执行形成反射层的步骤，反射层形成在像素限定层上。

19.如权利要求19所述的方法，其中，在执行形成像素限定层的步骤之前执行形成反射层的步骤，像素限定层形成在反射层上。

20.如权利要求19所述的方法，所述方法还包括在执行形成像素限定层的步骤之后且在执行形成发光层的步骤之前的形成空穴注入层的步骤和形成空穴传输层的步骤中的至少一步。

21.如权利要求19所述的方法，所述方法还包括在执行形成发光层的步骤之后且在执行形成第二电极的步骤之前的形成电子注入层的步骤和形成电子传输层的步骤中的至少一步。

22.如权利要求19所述的方法，其中，与形成第一电极的图案的步骤同时地执行形成反射层的步骤。

23.如权利要求19所述的方法，其中，形成反射层的步骤包括形成金属层的步骤。

24.如权利要求25所述的方法，其中，所述金属层包括钼层、金层、银层、铬层、钛层、镱层、铜层和铝层中的至少一个。

25.如权利要求19所述的方法，其中，在形成反射层的步骤中，反射层以网、线和梳子状的任意一种形式形成。

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