KR20230024480A - 표시 장치 - Google Patents

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KR20230024480A
KR20230024480A KR1020210106085A KR20210106085A KR20230024480A KR 20230024480 A KR20230024480 A KR 20230024480A KR 1020210106085 A KR1020210106085 A KR 1020210106085A KR 20210106085 A KR20210106085 A KR 20210106085A KR 20230024480 A KR20230024480 A KR 20230024480A
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정세훈
성우용
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

표시 장치는 기판, 구동 소자, 발광 소자, 및 댐을 포함한다. 기판은 표시 영역 및 비표시 영역을 포함한다. 비표시 영역은 표시 영역을 둘러싼다. 구동 소자는 표시 영역에 배치된다. 발광 소자는 구동 소자 상에 배치된다. 댐은 비표시 영역에 배치된다. 댐은 표시 영역을 둘러싼다. 댐은 제1 유기층, 리플로우 방지 패턴들, 및 제2 유기층을 포함한다. 리플로우 방지 패턴들은 제1 유기층의 양 가장자리 상에 배치된다. 리플로우 방지 패턴들은 제1 유기층과 상이한 물질을 포함한다. 제2 유기층은 제1 유기층 상에 배치된다. 제2 유기층은 리플로우 방지 패턴들 사이에서 제1 유기층과 접촉한다. 이로 인해, 제1 유기층과 제2 유기층 사이의 접착력이 향상되고, 제2 유기층은 제1 유기층의 측면을 따라 흐르지 않는다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
기술의 발전에 힘입어 소형화, 경량화 되면서도 성능은 더욱 뛰어난 표시 장치들이 생산되고 있다. 지금까지 표시 장치에는 기존 브라운관 텔레비전이 성능이나 가격 면에서 많은 장점을 가지고 널리 사용되었다. 소형화 또는 휴대성의 측면에서 상기 브라운관 텔레비전의 단점을 극복하고, 소형화, 경량화, 및 저전력 소비 등의 장점을 갖는 표시 장치가 주목을 받고 있다. 예를 들어, 플라즈마 표시 장치, 액정 표시 장치, 유기 발광 표시 장치, 및 퀀텀 닷 표시 장치 등이 주목을 받고 있다.
상기 표시 장치는 영상을 표시하는 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함할 수 있다. 상기 비표시 영역의 면적은 상기 표시 장치의 데드 스페이스일 수 있다. 따라서, 상기 비표시 영역의 폭은 감소될 필요가 있다.
본 발명의 목적은 비표시 면적이 좁은 표시 장치를 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 목적은 상술한 목적으로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하는 기판, 상기 표시 영역에 배치되는 구동 소자, 상기 구동 소자 상에 배치되는 발광 소자, 및 상기 비표시 영역에 배치되며 상기 표시 영역을 둘러싸는 댐을 포함할 수 있다. 상기 댐은, 제1 유기층, 상기 제1 유기층의 양 가장자리 상에 배치되고, 상기 제1 유기층과 상이한 물질을 포함하는 제1 리플로우 방지 패턴들, 및 상기 제1 유기층 상에 배치되며, 상기 제1 리플로우 방지 패턴들 사이에서 상기 제1 유기층과 접촉하는 제2 유기층을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 리플로우 방지 패턴들은 무기물을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 리플로우 방지 패턴들은 금속을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 댐은, 상기 제1 리플로우 방지 패턴들 사이에 배치되는 제1 접착 패턴을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 리플로우 방지 패턴들과 상기 제1 접착 패턴은 동일한 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 접착 패턴은 역 테이퍼 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 표시 장치는, 상기 구동 소자와 상기 발광 소자 사이에 배치되는 소스층을 더 포함할 수 있다. 상기 소스층과 상기 제1 리플로우 방지 패턴들은 동일한 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 댐은, 상기 제2 유기층의 양 가장자리 상에 배치되고, 상기 제2 유기층과 상이한 물질을 포함하는 제2 리플로우 방지 패턴들, 및 상기 제2 유기층 상에 배치되며, 상기 제2 리플로우 방지 패턴들 사이에서 상기 제2 유기층과 접촉하는 제3 유기층을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 발광 소자는, 화소 전극, 상기 화소 전극 상에 배치되는 발광층, 및 상기 발광층 상에 배치되는 공통 전극을 포함할 수 있다. 상기 화소 전극과 상기 제2 리플로우 방지 패턴들은 동일한 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 댐은, 상기 제2 리플로우 방지 패턴들 사이에 배치되는 제2 접착 패턴을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2 리플로우 방지 패턴들과 상기 제2 접착 패턴은 동일한 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2 접착 패턴은 역 테이퍼 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 유기층의 측면의 경사각은 상기 제2 유기층의 측면의 경사각보다 작을 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2 유기층은 상기 제1 유기층의 측면을 커버하지 않을 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2 유기층의 폭은 상기 제1 유기층의 폭보다 작을 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 댐은, 상기 제2 유기층 상에 배치되는 스페이서를 더 포함할 수 있다.
전술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하는 기판, 상기 표시 영역에 배치되는 구동 소자, 상기 구동 소자 상에 배치되는 발광 소자, 상기 구동 소자와 상기 발광 소자 사이에 배치되는 소스층, 및 상기 비표시 영역에 배치되며 상기 표시 영역을 둘러싸는 댐을 포함할 수 있다. 상기 댐은, 제1 유기층, 상기 제1 유기층의 양 가장자리 상에 배치되고, 상기 소스층과 동일한 물질을 포함하는 제1 리플로우 방지 패턴들, 상기 제1 리플로우 방지 패턴들 사이에 배치되는 제1 접착 패턴, 및 상기 제1 유기층 상에 배치되며, 상기 제1 리플로우 방지 패턴들 사이에서 상기 제1 유기층과 접촉하는 제2 유기층을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 리플로우 방지 패턴들과 상기 제1 접착 패턴은 동일한 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 댐은, 상기 제2 유기층의 양 가장자리 상에 배치되고, 상기 제2 유기층과 상이한 물질을 포함하는 제2 리플로우 방지 패턴들, 상기 제2 리플로우 방지 패턴들 사이에 배치되는 제2 접착 패턴, 및 상기 제2 유기층 상에 배치되며, 상기 제2 리플로우 방지 패턴들 사이에서 상기 제2 유기층과 접촉하는 제3 유기층을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2 리플로우 방지 패턴들과 상기 제2 접착 패턴은 동일한 물질을 포함할 수 있다.
댐의 제1 유기층 상에 리플로우 방지 패턴이 배치됨으로써, 상기 제1 유기층 상에 배치된 제2 유기층이 상기 제1 유기층의 측면을 따라 흐르는 리플로우 현상이 방지될 수 있다.
상기 제1 유기층 상에 접착 패턴이 배치됨으로써, 상기 제1 유기층과 상기 제2 유기층 사이의 접착력이 향상될 수 있다. 이로 인해, 상기 제2 유기층의 폭은 상기 제1 유기층의 폭보다 작을 수 있다. 따라서, 비표시 영역의 폭이 줄어 데드 스페이스가 감소할 수 있다.
상기 접착 패턴이 역 테이퍼 형상을 가짐으로써, 상기 제1 유기층과 상기 제2 유기층 사이의 접착력이 효과적으로 향상될 수 있다.
상기 제2 유기층의 측면의 경사각이 상기 제1 유기층의 측면의 경사각보다 큼으로써, 상기 댐은 모노머와 같은 유기물이 넘쳐 흐르는 오버플로우 현상을 효과적으로 방지할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 전술한 효과들에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치를 I-I' 선에 따라 자른 단면도이다.
도 3 및 도 4는 도 2의 표시 장치에 포함되는 댐의 일부를 나타내는 평면도들이다.
도 5a 내지 도 5f는 도 2의 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 6은 도 2의 표시 장치에 포함된 댐의 일 예를 나타내는 확대도이다.
도 7은 도 2의 표시 장치에 포함된 댐의 다른 예를 나타내는 확대도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면 상의 동일한 구성 요소에 대하여는 동일한 참조부호를 사용하고 동일한 구성 요소에 대한 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1000)를 나타내는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1000)는 기판(100)을 포함할 수 있다. 기판(100)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)은 영상을 표시할 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)을 둘러쌀 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 영상을 표시하지 않을 수 있다. 비표시 영역(NDA)의 면적은 데드 스페이스일 수 있다. 따라서, 비표시 영역(NDA)의 폭(ds)은 감소될 필요가 있다.
표시 영역(DA)에는 복수의 화소들이 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 화소들은 제1 방향(DR1) 및 제1 방향(DR1)과 교차하는 제2 방향(DR2)을 따라 매트릭스 형태로 배열될 수 있다. 제2 방향(DR2)은 제1 방향(DR1)에 수직할 수 있다. 상기 화소들 각각은 구동 소자 및 발광 소자를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자는 광을 생성할 수 있다. 일 예를 들면, 상기 발광 소자는 유기 발광 다이오드를 포함할 수 있다. 다른 예를 들면, 상기 발광 소자는 나노 발광 다이오드를 포함할 수 있다. 상기 구동 소자는 상기 발광 소자가 광을 생성하기 위한, 각종 신호들 및 각종 전압들을 제공할 수 있다.
도 2는 도 1의 표시 장치(1000)를 I-I' 선에 따라 자른 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 표시 장치(1000)는 기판(100), 구동 소자(200), 게이트 절연층(112), 층간 절연층(114), 제1 유기 절연층(120), 제2 유기 절연층(130), 발광 소자(400), 화소 정의막(140), 봉지층(500), 제1 댐(DAM1), 및 제2 댐(DAM2)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 구동 소자(200)는 활성층(210), 게이트 전극(220), 소스 전극(232), 및 드레인 전극(234)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 발광 소자(400)는 화소 전극(410), 발광층(420), 및 공통 전극(430)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 봉지층(500)은 제1 무기 봉지층(510), 유기 봉지층(520), 및 제2 무기 봉지층(530)을 포함할 수 있다.
기판(100)은 절연성 기판일 수 있다. 예를 들면, 기판(100)은 플라스틱 등으로 형성되는 가요성 기판일 수 있다. 구체적인 예로, 기판(100)은 폴리이미드 기판일 수 있다. 상기 폴리이미드 기판은 제1 폴리이미드층, 배리어층, 제2 폴리이미드층 등을 포함할 수 있다. 다른 예를 들면, 기판(100)은 유리 기판, 석영 기판, 불화칼슘 기판 등 일 수 있다.
기판(100)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 제1 영역(1A), 제1 댐 영역(DMA1), 제2 영역(2A), 제2 댐 영역(DMA2), 및 제3 영역(3A)을 포함할 수 있다. 제1 댐 영역(DMA1)은 표시 영역(DA)의 외측에 위치하며, 표시 영역(DA)으로부터 이격될 수 있다. 제2 댐 영역(DMA2)은 제1 댐 영역(DMA1)의 외측에 위치하며, 제1 댐 영역(DMA1)으로부터 이격될 수 있다. 제1 영역(1A)은 표시 영역(DA)과 제1 댐 영역(DMA1) 사이에 위치할 수 있다. 제2 영역(2A)은 제1 댐 영역(DMA1)과 제2 댐 영역(DMA2) 사이에 위치할 수 있다. 제3 영역(3A)은 제2 댐 영역(DMA2)의 외측에 위치할 수 있다.
도 2의 예시에서, 표시 영역(DA)의 외측은 제1 방향(DR1)을 의미할 수 있다. 즉, 제1 댐 영역(DMA1)은 표시 영역(DA)으로부터 제1 방향(DR1)으로 이격되고, 제2 댐 영역(DMA2)은 제1 댐 영역(DMA1)으로부터 제1 방향(DR1)으로 이격될 수 있다.
활성층(210)은 기판(100) 상의 표시 영역(DA)에 배치될 수 있다. 예를 들면, 활성층(210)은 실리콘 반도체, 산화물 반도체 등을 포함할 수 있다. 상기 실리콘 반도체는 비정질 실리콘, 다결징 실리콘 등을 포함할 수 있다.
도면에 도시되지는 않았으나, 기판(100)과 활성층(210) 사이에 버퍼층이 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 버퍼층은 기판(100) 상의 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)에 전체적으로 배치될 수 있다. 즉, 활성층(210)은 상기 버퍼층 상의 표시 영역(DA)에 배치될 수 있다. 상기 버퍼층은 기판(100)으로부터 불순물이 활성층(210)으로 확산되는 것을 방지할 수 있다. 예를 들면, 상기 버퍼층은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 상기 무기 절연 물질의 예로써는, 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 티타늄 산화물(TiOx), 탄탈륨 산화물(TaOx)을 들 수 있다.
게이트 절연층(112)은 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연층(112)은 기판(100) 상의 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)에 전체적으로 배치될 수 있다. 표시 영역(DA)에 배치된 게이트 절연층(112)은 활성층(210)을 커버할 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연층(112)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
게이트 전극(220)은 게이트 절연층(112) 상의 표시 영역(DA)에 배치될 수 있다. 게이트 전극(220)은 활성층(210)에 중첩할 수 있다. 게이트 전극(220)은 금속, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 상기 금속의 예로써는, 은, 몰리브데늄, 알루미늄, 텅스텐, 구리, 니켈, 크롬, 티타늄, 탄탈륨, 백금, 스칸듐 등을 들 수 있다. 상기 금속 산화물의 예로써는, 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물 등을 들 수 있다.
층간 절연층(114)은 게이트 절연층(112) 상에 배치될 수 있다. 예를 들면, 층간 절연층(114)은 게이트 절연층(112) 상의 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)에 전체적으로 배치될 수 있다. 표시 영역(DA)에 배치된 층간 절연층(114)은 게이트 절연층(112) 상에서 게이트 전극(220)을 커버할 수 있다. 예를 들면, 층간 절연층(114)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
상기 버퍼층, 게이트 절연층(112), 및 층간 절연층(114)은 무기 절연층(110)으로 지칭될 수 있다. 무기 절연층(110)은 기판(100)과 제1 유기 절연층(120) 사이의 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)에 전체적으로 배치될 수 있다.
소스 전극(232) 및 드레인 전극(234)은 층간 절연층(114) 상의 표시 영역(DA)에 배치될 수 있다. 소스 전극(232) 및 드레인 전극(234)은 활성층(210)에 연결될 수 있다. 소스 전극(232) 및 드레인 전극(234)은 금속, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
저전원배선(236) 및 고전원배선(238)은 층간 절연층(114) 상의 표시 영역(DA)에 배치될 수 있다. 저전원배선(236) 및 고전원배선(238)은 표시 영역(DA)에 배치되는 상기 복수의 화소들 중 적어도 하나에 연결될 수 있다. 저전원배선(236) 및 고전원배선(238)은 상기 화소들 중 적어도 하나에 상기 화소가 광을 생성하기 위한 전압들을 제공할 수 있다.
활성층(210), 게이트 전극(220), 소스 전극(232), 및 드레인 전극(234)은 구동 소자(200)를 형성할 수 있다. 즉, 구동 소자(200)는 기판(100) 상의 표시 영역(DA)에 배치될 수 있다.
제1 유기 절연층(120)은 층간 절연층(114) 상의 표시 영역(DA)에 배치될 수 있고, 구동 소자(200)를 커버할 수 있다. 제1 유기 절연층(120)의 상면은 실질적으로 평탄할 수 있다. 제1 유기 절연층(120)이 포함하는 유기 절연 물질의 예로써는, 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 실롯산계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지 등을 들 수 있다.
소스층(300)은 제1 연결 전극(310) 및 제2 연결 전극(320)을 포함할 수 있다. 소스층(300)은 제1 유기 절연층(120) 상에 배치될 수 있다. 제1 연결 전극(310)은 표시 영역(DA)에 배치될 수 있다. 제2 연결 전극(320)은 표시 영역(DA)에 배치될 수 있고, 표시 영역(DA)으로부터 비표시 영역(NDA)으로 연장될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 제2 연결 전극(320)은 표시 영역(DA)에만 배치될 수도 있다.
제2 유기 절연층(130)은 제1 유기 절연층(120) 상의 표시 영역(DA)에 배치될 수 있고, 소스층(300)을 커버할 수 있다. 제2 유기 절연층(130)의 상면은 실질적으로 평탄할 수 있다. 제2 유기 절연층(130)이 포함하는 유기 절연 물질의 예로써는, 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 실롯산계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지 등을 들 수 있다.
화소 전극(410)은 제2 유기 절연층(130) 상의 표시 영역(DA)에 배치될 수 있다. 화소 전극(410)은 제2 유기 절연층(130)의 평탄한 상면 상에 배치될 수 있다. 화소 전극(410)은 소스 전극(232) 또는 드레인 전극(234)에 연결될 수 있다. 즉, 화소 전극(410)은 구동 소자(200) 상에 배치될 수 있고, 구동 소자(200)에 연결될 수 있다. 화소 전극(410)은 금속, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다.
화소 정의막(140)은 제2 유기 절연층(130) 상의 표시 영역(DA)에 배치될 수 있다. 화소 정의막(140)은 제2 유기 절연층(130) 상에서 화소 전극(410)을 부분적으로 커버할 수 있다. 즉, 화소 정의막(140)은 화소 전극(410)의 적어도 일부를 노출시키는 화소 개구를 가질 수 있다. 화소 정의막(140)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 상기 유기 절연 물질의 예로써는, 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 실롯산계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지 등을 들 수 있다.
발광층(420)은 상기 화소 개구에 의해 노출되는 화소 전극(410) 상에 배치될 수 있다. 발광층(420)은 상기 화소 개구 내에 배치될 수 있다. 발광층(420)은 화소 전극(410)과 공통 전극(430) 사이에 배치될 수 있다. 발광층(420)이 포함하는 물질의 예로써는, 유기 발광 물질 및 양자점 등을 들 수 있다.
공통 전극(430)은 발광층(420) 상에 배치될 수 있고, 화소 전극(410)과 중첩할 수 있다. 예를 들면, 공통 전극(430)은 화소 정의막(140) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 일 예를 들면, 도면에 도시된 것과 달리, 공통 전극(430)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)에 전체적으로 배치될 수도 있다. 공통 전극(430)은 투명 도전성 물질을 포함할 수 있다.
화소 전극(410), 발광층(420), 및 공통 전극(430)은 발광 소자(400)를 형성할 수 있다. 즉, 발광 소자(400)는 구동 소자(200) 상의 표시 영역(DA)에 배치될 수 있다.
댐(DAM)은 제1 댐(DAM1) 및 제2 댐(DAM2)을 포함할 수 있다. 댐(DAM)은 기판(100) 상의 비표시 영역(NDA)에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 댐(DAM)은 표시 영역(DA)을 둘러싸도록 비표시 영역(NDA)에 배치될 수 있다. 댐(DAM)은 모노머와 같은 유기물을 사용하여 유기 봉지층(520)을 형성할 때, 상기 유기물이 기판(100)의 가장자리 방향(예를 들면, 도 2의 제1 방향(DR1))으로 넘쳐 흐르는 것(overflow)을 방지할 수 있다.
예를 들면, 제1 댐(DAM1)은 층간 절연층(114) 상의 제1 댐 영역(DMA1)에 배치될 수 있다.
예를 들면, 제2 댐(DAM2)은 층간 절연층(114) 상의 제2 댐 영역(DMA2)에 배치될 수 있다. 제2 댐(DAM2)은 제1 댐(DAM1)의 외측에 위치할 수 있고, 제1 댐(DAM1)으로부터 제1 방향(DR1)으로 이격될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 댐(DAM)은 복수의 층들이 적층된 다층 구조를 가질 수 있다. 제1 댐(DAM1) 및 제2 댐(DAM2) 각각은 제1 유기층(710, 910), 제2 유기층(720, 920), 제3 유기층(730, 930), 및 스페이서(740, 940)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 유기층들(710, 910)은 제1 유기 절연층(120)과 실질적으로 동시에 형성될 수 있고, 제1 유기 절연층(120)과 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다. 제2 유기층들(720, 920)은 제2 유기 절연층(130)과 실질적으로 동시에 형성될 수 있고, 제2 유기 절연층(130)과 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다. 제3 유기층들(730, 740)은 화소 정의막(140)과 실질적으로 동시에 형성될 수 있고, 화소 정의막(140)과 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다. 스페이서들(740, 940)은 하프톤 마스크를 이용하여 제3 유기 절연층들(730, 930)과 실질적으로 동시에 형성될 수 있고, 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다. 스페이서들(740, 940)은 발광층(420) 형성 시, 마스크와 기판(100) 사이의 이격 거리를 유지하는 역할을 할 수 있다.
봉지층(500)은 발광 소자(400) 상에 배치되어 발광 소자(400)를 커버할 수 있다. 봉지층(500)은 표시 영역(DA)을 봉지하여 외부의 불순물로부터 발광 소자(400)를 보호할 수 있다.
제1 무기 봉지층(510)은 공통 전극(430) 상에 배치될 수 있다. 예를 들면, 제1 무기 봉지층(510)은 공통 전극(430)의 프로파일을 따라 실질적으로 균일한 두께를 가질 수 있다. 제1 무기 봉지층(510)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)에 전체적으로 배치될 수 있다.
유기 봉지층(520)은 제1 무기 봉지층(510) 상에 배치될 수 있고, 표시 영역(DA)을 커버할 수 있다. 유기 봉지층(520)은 제1 무기 봉지층(510)의 주위에 단차를 생성시키지 않고, 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다.
유기 봉지층(520)은 투명한 모노머와 같은 유기물을 이용한 잉크젯 공정에 의해 형성될 수 있다. 상기 잉크젯 공정에 의해, 상기 유기물은 표시 영역(NDA)을 넘쳐 흐르는 오버플로우(overflow) 현상이 발생할 수 있다. 댐(DAM)은 과도한 상기 오버플로우 현상을 방지하기 위하여 비표시 영역(NDA)에 배치될 수 있다. 예를 들면, 제1 댐(DAM1)은 상기 오버플로우 현상이 제1 영역(1A)의 외측에서 발생하는 것을 방지할 수 있다. 제2 댐(DAM2)은 상기 오버플로우 현상이 제2 영역(2A)의 외측에서 발생하는 것을 방지할 수 있다. 다만, 제1 댐(DAM1) 및 제2 댐(DAM2)에 의해, 비표시 영역(NDA)의 폭(ds)이 증가하여 상기 데드 스페이스가 증가할 수 있다. 따라서, 비표시 영역(NDA)의 폭(ds)은 감소될 필요가 있다.
한편, 종래의 비교예에 따른 표시 장치에 의하면, 댐의 제1 유기층, 제2 유기층, 제3 유기층은 유기 절연 물질을 포함하기 때문에, 흐르는 성질을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 유기층을 형성할 때, 상기 제2 유기층이 상기 제1 유기층 상에서 상기 제1 유기층의 측면을 따라 흐르는 리플로우(reflow) 현상이 발생할 수 있다. 즉, 상기 제2 유기층은 상기 제1 유기층의 측면을 커버할 수 있다. 이로 인해, 상기 댐의 폭이 증가할 수 있다. 즉, 상기 댐이 배치되는 영역이 증가함에 따라, 비표시 영역의 폭이 증가할 수 있다. 따라서, 데드 스페이스를 감소시킬 필요가 있어왔다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1000)에 포함되는 댐(DAM)은 제1 리플로우 방지 패턴들(712, 912)을 포함할 수 있다. 제1 댐(DAM1) 및 제2 댐(DAM2)은 실질적으로 동일한 구성 요소를 포함하므로, 중복되는 설명은 생략하고 제1 댐(DAM1)을 상세히 설명하기로 한다.
도 3 및 도 4는 도 2의 표시 장치(1000)에 포함되는 댐(DAM)의 일부를 나타내는 평면도들이다. 예를 들면, 도 3 및 도 4는 제1 댐(DAM1)을 나타낼 수 있다. 구체적으로, 도 3은 제1 댐(DAM1)의 제1 유기층(710)을 나타낼 수 있고, 도 4는 제1 댐(DAM1)의 제2 유기층(720)을 나타낼 수 있다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 제1 댐(DAM1)은 제1 유기층(710), 제1 리플로우 방지 패턴들(712), 및 제1 접착 패턴(714)을 포함할 수 있다. 제2 댐(DAM2)은 제1 유기층(910), 제1 리플로우 방지 패턴들(912), 및 제1 접착 패턴(914)을 포함할 수 있다.
제1 유기층(710)은 상면(US1), 측면(SS1), 및 하면(LS1)을 가질 수 있다. 제1 유기층(710)의 상면(US1)의 면적은 제1 유기층(710)의 하면(LS1)의 면적보다 작을 수 있다. 제1 유기층(710)의 상면(US1)은 중앙 영역(CA1) 및 가장자리 영역(EA1)을 가질 수 있다.
제1 리플로우 방지 패턴들(712)은 제1 유기층(710) 상에 배치될 수 있다. 제1 리플로우 방지 패턴들(712)은 제1 유기층(710)의 양 가장자리 상에 배치될 수 있다. 즉, 제1 리플로우 방지 패턴들(712)은 가장자리 영역(EA1)에 배치될 수 있다. 제1 리플로우 방지 패턴들(712)은 제1 유기층(710)과 상이한 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 리플로우 방지 패턴들(712)은 금속을 포함할 수 있다. 제1 리플로우 방지 패턴들(712)은 소스층(300)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 제1 리플로우 방지 패턴들(712)은 무기물을 포함할 수 있다.
제1 리플로우 방지 패턴들(712)은 제2 유기층(720)이 형성될 때, 제2 유기층(720)이 제1 유기층(710)의 측면(SS1)을 따라 흐르는 상기 리플로우 현상을 방지할 수 있다. 따라서, 제2 유기층(720)은 제1 유기층(710)의 상면(US1) 상에 배치될 수 있다. 제2 유기층(720)은 제1 유기층(710)의 측면(SS1)을 커버하지 않을 수 있다. 제2 유기층(720)의 폭은 제1 유기층(710)의 폭보다 작을 수 있다.
제1 접착 패턴(714)은 제1 유기층(710) 상에 배치될 수 있다. 제1 접착 패턴(714)은 제1 유기층(710)의 중앙에 배치될 수 있다. 제1 접착 패턴(714)은 중앙 영역(CA1)에 배치될 수 있다. 즉, 제1 접착 패턴(714)은 제1 리플로우 방지 패턴들(712) 사이에 배치될 수 있다. 제1 접착 패턴(714)은 제1 유기층(710)과 상이한 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 접착 패턴(714)은 금속을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 제1 접착 패턴(714)은 무기물을 포함할 수 있다. 즉, 제1 접착 패턴(714)과 제1 리플로우 방지 패턴들(712)은 동일한 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제1 접착 패턴(714)은 제1 리플로우 방지 패턴들(712)과 실질적으로 동시에 형성될 수 있고, 제1 리플로우 방지 패턴들(712)과 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다.
제1 접착 패턴(714)은 복수로 구비되는 것으로 도시되었으나, 이에 제한되지 않는다. 제1 접착 패턴(714)은 하나로 구비될 수도 있다.
제1 접착 패턴(714)은 각각의 제1 리플로우 패턴들(712)과 이격될 수 있다. 따라서, 제2 유기층(720)은 제1 접착 패턴(714)과 각각의 제1 리플로우 패턴들(712) 사이에서 제1 유기층(710)과 접촉할 수 있다. 제1 접착 패턴(714)이 복수로 구비되는 경우에, 제1 접착 패턴들(714) 사이에서 제2 유기층(720)은 제1 유기층(710)과 접촉할 수 있다.
제1 접착 패턴(714)은 제1 유기층(710)과 제2 유기층(720) 사이의 접착력을 향상시킬 수 있다. 구체적으로, 제2 유기층(720)이 평탄한 상면을 갖는 제1 유기층(710) 상에 배치되는 경우 접착력은 작을 수 있다. 제1 접착 패턴(714)에 의해, 제1 유기층(710)과 제2 유기층(720) 사이에 접착력이 향상될 수 있다.
제1 리플로우 방지 패턴들(712)은 상기 리플로우 현상을 방지하는 역할 뿐만 아니라, 제1 유기층(710)과 제2 유기층(720) 사이의 접착력을 향상시키는 역할도 수행할 수 있다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 제1 댐(DAM1)은 제2 유기층(720), 제2 리플로우 방지 패턴들(722), 및 제2 접착 패턴(724)을 포함할 수 있다.
제2 유기층(720)은 상면(US2), 측면(SS2), 및 하면(LS2)을 가질 수 있다. 제2 유기층(720)의 상면(US2)의 면적은 제2 유기층(720)의 하면(LS2)의 면적보다 작을 수 있다. 제2 유기층(720)의 상면(US2)은 중앙 영역(CA2) 및 가장자리 영역(EA2)을 가질 수 있다.
제2 유기층(720)은 제1 리플로우 방지 패턴들(712)에 의해, 상기 리플로우 현상이 발생하지 않을 수 있다. 따라서, 제2 유기층(720)의 하면(LS2)의 면적은 제1 유기층(710)의 상면(US1)의 면적과 동일할 수 있다. 즉, 제2 유기층(720)은 제1 유기층(710)의 측면(SS1)을 커버하지 않을 수 있고, 제2 유기층(720)의 폭은 제1 유기층(710)의 폭보다 작을 수 있다.
제2 리플로우 방지 패턴들(722)은 제2 유기층(720)의 양 가장자리 상에 배치될 수 있다. 즉, 제2 리플로우 방지 패턴들(722)은 제2 유기층(720)의 가장자리 영역(EA2)에 배치될 수 있다. 제2 리플로우 방지 패턴들(722)은 제2 유기층(720)과 상이한 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제2 리플로우 방지 패턴들(722)은 금속을 포함할 수 있다. 제2 리플로우 방지 패턴들(722)은 하부 전극(410)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 제2 리플로우 방지 패턴들(722)은 무기물을 포함할 수 있다.
제2 리플로우 방지 패턴들(722)은 제3 유기층(730)이 제2 유기층(720)의 측면(SS2)을 따라 흐르는 상기 리플로우 현상을 방지할 수 있다. 따라서, 제3 유기층(730)은 제2 유기층(720)의 상면(US2) 상에 배치될 수 있다. 제3 유기층(730)은 제2 유기층(720)의 측면(SS2)을 커버하지 않을 수 있다. 제3 유기층(730)의 폭은 제2 유기층(720)의 폭보다 작을 수 있다.
제2 접착 패턴(724)은 제2 리플로우 방지 패턴들(722) 사이에 배치될 수 있다. 제2 접착 패턴(724)은 제2 리플로우 방지 패턴들(722)과 실질적으로 동시에 형성될 수 있고, 제2 리플로우 방지 패턴들(722)과 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다.
제2 접착 패턴(724)은 제2 유기층(720)과 제3 유기층(730) 사이의 접착력을 향상시킬 수 있다. 제2 리플로우 방지 패턴들(722)은 상기 리플로우 현상을 방지하는 역할 뿐만 아니라, 제2 유기층(720)과 제3 유기층(730) 사이의 접착력을 향상시키는 역할도 수행할 수 있다.
도 5a 내지 도 5f는 도 2의 표시 장치(1000)의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 5a를 참조하면, 표시 장치(1000)의 제조 방법은 기판(100) 상에 구동 소자(200)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
구동 소자(200)의 소스 전극(232) 및 드레인 전극(234)이 형성될 때, 저전원배선(236) 및 고전원배선(238)이 동시에 형성될 수 있다. 소스 전극(232), 드레인 전극(234), 저전원배선(236), 및 고전원배선(238)은 동일한 물질을 포함할 수 있다.
구동 소자(200) 상에 제1 유기 절연층(120) 및 제1 유기층들(710, 910)을 형성할 수 있다. 제1 유기 절연층(120) 및 제1 유기층들(710, 910)은 실질적으로 동시에 형성될 수 있고, 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다.
도 5b를 참조하면, 제1 유기 절연층(120) 및 제1 유기층들(710, 910) 상에 소스층(300)을 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)에 전체적으로 형성할 수 있다.
도 5c를 참조하면, 소스층(300)을 패터닝하여 제1 연결 전극(310), 제2 연결 전극(320), 제1 리플로우 방지 패턴들(712, 912), 및 제1 접착 패턴(714, 914)을 형성할 수 있다. 제1 연결 전극(310), 제2 연결 전극(320), 제1 리플로우 방지 패턴들(712, 912), 및 제1 접착 패턴(714, 914)은 실질적으로 동시에 형성될 수 있고, 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다. 제2 연결 전극(320)이 표시 영역(DA)으로부터 비표시 영역(NDA)으로 연장되어 제1 리플로우 패턴들(712)과 연결되도록 소스층(300)을 패터닝할 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않는다.
도 5d를 참조하면, 제1 연결 전극(310), 제2 연결 전극(320), 제1 리플로우 방지 패턴들(712, 912), 및 제1 접착 패턴(714, 914) 상에 제2 유기 절연층(130) 및 제2 유기층들(720, 920)을 형성할 수 있다. 제2 유기 절연층(130) 및 제2 유기층들(720, 920)은 실질적으로 동시에 형성될 수 있고, 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다.
제2 유기 절연층(130) 및 제2 유기층들(720, 920) 상에 애노드층(415)을 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)에 전체적으로 형성할 수 있다.
도 5e를 참조하면, 애노드층(415)을 패터닝하여 화소 전극(410), 제3 연결 전극(412), 제2 리플로우 방지 패턴들(722, 922), 및 제2 접착 패턴(724, 924)을 형성할 수 있다. 화소 전극(410), 제3 연결 전극(412), 제2 리플로우 방지 패턴들(722, 922), 및 제2 접착 패턴(724, 924)은 실질적으로 동시에 형성될 수 있고, 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다. 제3 연결 전극(412)이 표시 영역(DA)으로부터 비표시 영역(NDA)으로 연장되어 제2 리플로우 방지 패턴들(722)과 연결되도록 애노드층(415)을 패터닝할 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않는다.
도 5f를 참조하면, 화소 전극(410), 제3 연결 전극(412), 제2 리플로우 방지 패턴들(722, 922), 및 제2 접착 패턴(724, 924) 상에 화소 정의막(140) 및 제3 유기층들(730, 930)을 형성할 수 있다. 화소 정의막(140) 및 제3 유기층들(730, 930)은 실질적으로 동시에 형성될 수 있고, 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다. 제3 유기층들(730, 930) 상에 스페이서들(740, 940)을 형성할 수 있다. 하프톤 마스크를 이용하여 스페이서들(740, 940)을 형성하는 경우, 화소 정의막(140), 제3 유기층들(730, 930), 스페이서들(740, 940)은 실질적으로 동시에 형성될 수 있다.
화소 정의막(140) 상에 발광층(420) 및 공통 전극(430)을 순차적으로 형성할 수 있다.
공통 전극(430) 및 스페이서들(740, 940) 상에 제1 무기 봉지층(510)을 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)에 전체적으로 형성할 수 있다.
제1 무기 봉지층(510) 상의 표시 영역(DA)에 유기 봉지층(520)을 형성할 수 있다. 이 경우, 상기 오버플로우 현상이 발생하여 유기 봉지층(520)은 표시 영역(DA)을 넘쳐 흘러 비표시 영역(NDA)의 일부에 형성될 수 있다. 댐(DAM)은 유기 봉지층(520)이 제1 방향(DR1)을 따라 과도하게 넘쳐 흐르는 것을 방지할 수 있다.
유기 봉지층(520) 상에 제2 무기 봉지층(530)을 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)에 전체적으로 형성할 수 있다.
도 6은 도 2의 표시 장치(1000)에 포함된 댐(DAM)의 일 예를 나타내는 확대도이다. 예를 들면, 도 6은 도 2에 도시된 것과 같이 제1 댐(DAM1)이 상기 오버플로우 현상을 방지한 경우를 나타낼 수 있다. 즉, 도 6은 제1 댐(DAM1)의 일 예를 나타낼 수 있으나, 제2 댐(DAM2)도 제1 댐(DAM1)과 동일한 구조를 가질 수 있다.
도 6을 참조하면, 제1 댐(DAM1)은 모노머와 같은 유기물을 포함하는 유기 봉지층(520)이 제1 방향(DR1)으로 넘쳐 흐르는 것을 방지할 수 있다. 스페이서(740)의 측면이 연장된 제1 가상면(VS1)과 유기 봉지층(520)에 접하는 제2 가상면(VS2)이 넘침각(θ-5)을 정의할 수 있다.
제1 유기층(710)의 측면은 소정의 경사각(θ1)을 가질 수 있다.
제1 리플로우 방지 패턴들(712) 및 제1 접착 패턴(714)이 제1 유기층(710) 상에 배치되기 때문에, 제2 유기층(720)의 측면의 경사각(θ2)은 제1 유기층(710)의 측면의 경사각(θ1)보다 클 수 있다. 제2 리플로우 방지 패턴들(722) 및 제2 접착 패턴(724)이 제2 유기층(720) 상에 배치되기 때문에, 제3 유기층(730)의 측면의 경사각(θ3)은 제2 유기층(720)의 측면의 경사각(θ2)보다 클 수 있다.
따라서, 스페이서(740)의 측면의 경사각(θ4)은 제1 유기층(710)의 측면의 경사각(θ1)보다 클 수 있다. 예를 들면, 스페이서(740)의 측면의 경사각(θ4)은 대략 90도 일 수 있다. 이로 인해, 넘침각(θ5)이 증가할 수 있다. 즉, 제1 댐(DAM1)은 효과적으로 상기 오버플로우 현상을 방지할 수 있다.
도 7은 도 2의 표시 장치(1000)에 포함된 댐(DAM)의 다른 예를 나타내는 확대도이다. 도 6과 동일한 구성 요소에 대하여는 동일한 참조부호를 사용하고 동일한 구성 요소에 대한 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 7을 참조하면, 제1 접착 패턴(714)은 역 테이퍼 형상을 가질 수 있다. 제2 접착 패턴(724)은 역 테이퍼 형상을 가질 수 있다.
상기 역 테이퍼 형상을 갖는 제1 접착 패턴(714)은 제1 유기층(710)과 제2 유기층(720) 사이의 접착력을 효과적으로 향상시킬 수 있다. 상기 역 테이퍼 형상을 갖는 제2 접착 패턴(724)은 제2 유기층(720)과 제3 유기층(730) 사이의 접착력을 효과적으로 향상시킬 수 있다.
제1 리플로우 방지 패턴들(712) 및 제2 리플로우 방지 패턴들(722)도 접착력을 향상시키는 역할을 수행할 수 있기 때문에, 제1 리플로우 방지 패턴들(712) 및 제2 리플로우 방지 패턴들(722) 각각은 역 테이퍼 형상을 가질 수 있다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(1100)를 나타내는 단면도이다. 도 2와 동일한 구성 요소에 대하여는 동일한 참조부호를 사용하고 동일한 구성 요소에 대한 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(1100)에 포함되는 제1 리플로우 방지 패턴들(612, 812), 제1 접착 패턴들(614, 814), 제2 리플로우 방지 패턴들(622, 822), 및 제2 접착 패턴들(624, 824)은 무기물을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 리플로우 방지 패턴들(612)은 제2 연결 전극(320)과 연결되지 않을 수 있고, 제2 리플로우 방지 패턴들(622)은 제3 연결 전극(412)과 연결되지 않을 수 있다.
본 발명은 표시 장치 및 이를 포함하는 전자 기기에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 고해상도 스마트폰, 휴대폰, 스마트패드, 스마트 워치, 태블릿 PC, 차량용 네비게이션 시스템, 텔레비전, 컴퓨터 모니터, 노트북 등에 적용될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
1000, 1100: 표시 장치 100: 기판
DA: 표시 영역 NDA: 비표시 영역
200: 구동 소자 400: 발광 소자
DAM: 댐 710, 910: 제1 유기층
712, 912: 제1 리플로우 방지 패턴들
722, 922: 제2 리플로우 방지 패턴들
720, 920: 제2 유기층 730, 930: 제3 유기층
714, 914: 제1 접착 패턴 724, 924: 제2 접착 패턴
300: 소스층 410: 화소 전극
420: 발광층 430: 공통 전극
θ1: 제1 유기층의 측면의 경사각
θ2: 제2 유기층의 측면의 경사각
740, 940: 스페이서

Claims (20)

  1. 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하는 기판;
    상기 표시 영역에 배치되는 구동 소자;
    상기 구동 소자 상에 배치되는 발광 소자; 및
    상기 비표시 영역에 배치되며 상기 표시 영역을 둘러싸는 댐을 포함하고,
    상기 댐은,
    제1 유기층;
    상기 제1 유기층의 양 가장자리 상에 배치되고, 상기 제1 유기층과 상이한 물질을 포함하는 제1 리플로우 방지 패턴들; 및
    상기 제1 유기층 상에 배치되며, 상기 제1 리플로우 방지 패턴들 사이에서 상기 제1 유기층과 접촉하는 제2 유기층을 포함하는, 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 제1 리플로우 방지 패턴들은 무기물을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 제1 리플로우 방지 패턴들은 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 제1 항에 있어서, 상기 댐은,
    상기 제1 리플로우 방지 패턴들 사이에 배치되는 제1 접착 패턴을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 제4 항에 있어서, 상기 제1 리플로우 방지 패턴들과 상기 제1 접착 패턴은 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 제4 항에 있어서, 상기 제1 접착 패턴은 역 테이퍼 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 구동 소자와 상기 발광 소자 사이에 배치되는 소스층을 더 포함하고,
    상기 소스층과 상기 제1 리플로우 방지 패턴들은 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  8. 제1 항에 있어서, 상기 댐은,
    상기 제2 유기층의 양 가장자리 상에 배치되고, 상기 제2 유기층과 상이한 물질을 포함하는 제2 리플로우 방지 패턴들; 및
    상기 제2 유기층 상에 배치되며, 상기 제2 리플로우 방지 패턴들 사이에서 상기 제2 유기층과 접촉하는 제3 유기층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  9. 제8 항에 있어서, 상기 발광 소자는,
    화소 전극;
    상기 화소 전극 상에 배치되는 발광층; 및
    상기 발광층 상에 배치되는 공통 전극을 포함하고,
    상기 화소 전극과 상기 제2 리플로우 방지 패턴들은 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  10. 제8 항에 있어서, 상기 댐은,
    상기 제2 리플로우 방지 패턴들 사이에 배치되는 제2 접착 패턴을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  11. 제10 항에 있어서, 상기 제2 리플로우 방지 패턴들과 상기 제2 접착 패턴은 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  12. 제10 항에 있어서, 상기 제2 접착 패턴은 역 테이퍼 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  13. 제1 항에 있어서, 상기 제1 유기층의 측면의 경사각은 상기 제2 유기층의 측면의 경사각보다 작은 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  14. 제1 항에 있어서, 상기 제2 유기층은 상기 제1 유기층의 측면을 커버하지 않는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  15. 제1 항에 있어서, 상기 제2 유기층의 폭은 상기 제1 유기층의 폭보다 작은 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  16. 제1 항에 있어서, 상기 댐은,
    상기 제2 유기층 상에 배치되는 스페이서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  17. 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하는 기판;
    상기 표시 영역에 배치되는 구동 소자;
    상기 구동 소자 상에 배치되는 발광 소자;
    상기 구동 소자와 상기 발광 소자 사이에 배치되는 소스층; 및
    상기 비표시 영역에 배치되며 상기 표시 영역을 둘러싸는 댐을 포함하고,
    상기 댐은,
    제1 유기층;
    상기 제1 유기층의 양 가장자리 상에 배치되고, 상기 소스층과 동일한 물질을 포함하는 제1 리플로우 방지 패턴들;
    상기 제1 리플로우 방지 패턴들 사이에 배치되는 제1 접착 패턴; 및
    상기 제1 유기층 상에 배치되며, 상기 제1 리플로우 방지 패턴들 사이에서 상기 제1 유기층과 접촉하는 제2 유기층을 포함하는, 표시 장치.
  18. 제17 항에 있어서, 상기 제1 리플로우 방지 패턴들과 상기 제1 접착 패턴은 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  19. 제17 항에 있어서, 상기 댐은,
    상기 제2 유기층의 양 가장자리 상에 배치되고, 상기 제2 유기층과 상이한 물질을 포함하는 제2 리플로우 방지 패턴들;
    상기 제2 리플로우 방지 패턴들 사이에 배치되는 제2 접착 패턴; 및
    상기 제2 유기층 상에 배치되며, 상기 제2 리플로우 방지 패턴들 사이에서 상기 제2 유기층과 접촉하는 제3 유기층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  20. 제19 항에 있어서, 상기 제2 리플로우 방지 패턴들과 상기 제2 접착 패턴은 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
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