CN219352271U - 显示装置 - Google Patents

Abstract

提供了显示装置。显示装置包括衬底、多个像素、第一封装层和第二封装层，衬底包括显示区域和围绕显示区域的非显示区域，多个像素在显示区域中的衬底上，第一封装层在衬底上以覆盖像素并且包含无机材料，第二封装层在第一封装层上并且包含有机材料。第二封装层的边缘位于非显示区域中，第一封装层的边缘定位成比第二封装层的边缘更靠外。第一封装层包括第一区域和第二区域，第二区域定位成比第一区域更靠外并且具有小于第一区域的表面粗糙度的表面粗糙度。

Description

显示装置

本申请要求于2021年11月2日提交的第10-2021-0148885号韩国专利申请的优先权以及从其获得的所有权益，该韩国专利申请的内容通过引用以其整体并入本文。

技术领域

本公开涉及显示装置和制造显示装置的方法。

背景技术

向用户显示图像的诸如智能电话、平板个人计算机(“PC”)、数码相机、膝上型计算机、导航装置和智能电视(“TV”)的电子装置包括用于显示图像的显示装置。显示装置可包括随着电子与空穴复合而发射光以显示图像的有机发光元件。

在制造有机发光二极管显示器的工艺期间，可在衬底上形成各自包括发光元件的多个像素，并且然后可在衬底上提供薄膜封装层以覆盖像素。薄膜封装层可包括无机绝缘层和有机绝缘层。

实用新型内容

在形成有机发光二极管显示器的薄膜封装层的有机绝缘层的工艺中，可在衬底上提供具有流动性的有机材料，并且可固化有机材料以形成有机绝缘层。当在衬底上提供具有流动性的有机材料时，有机材料可能无法均匀地铺展或者可能流出衬底。

本公开的实施方式提供了一种显示装置以及制造显示装置的方法，该显示装置包括具有提高的均匀性的有机膜并且在显示装置中防止了色斑(Mura)缺陷。

本公开的实施方式还提供了其中有机材料可有效地形成在期望的位置处并且有机材料不流出衬底的显示装置以及制造显示装置的方法。

根据本公开的实施方式，显示装置包括衬底、多个像素、第一封装层和第二封装层，衬底包括显示区域和围绕显示区域的非显示区域，多个像素布置在显示区域中的衬底上，第一封装层布置在衬底上以覆盖像素，其中第一封装层是无机材料，第二封装层布置在第一封装层上，其中第二封装层是有机材料，其中，第二封装层的边缘位于非显示区域中，第一封装层的边缘定位成比第二封装层的边缘更靠外，第一封装层包括具有第一表面粗糙度的第一区域和具有小于第一表面粗糙度的第二表面粗糙度的第二区域，并且第二区域定位成比第一区域更靠外。

在实施方式中，第一区域的边缘可位于坝构件的内表面上。

在实施方式中，第一区域可与第二封装层重叠，并且第二区域可与第二封装层不重叠。

在实施方式中，第一区域的边缘可与第二封装层的边缘对齐。

在实施方式中，第一区域的厚度可比第二区域的厚度小了约50埃至约100埃。

在实施方式中，第一表面粗糙度可比第二表面粗糙度大了约5纳米至约10纳米。

在实施方式中，显示装置还可包括布置在第二封装层上并且是无机材料的第三封装层，其中，第三封装层的边缘定位成比第二封装层的边缘更靠外。

根据本公开的另一实施方式，显示装置包括衬底、多个像素、第一坝构件、第一封装层和第二封装层，衬底包括显示区域和围绕显示区域的非显示区域，多个像素布置在显示区域中的衬底上，第一坝构件布置在非显示区域中的衬底上，第一封装层覆盖像素和第一坝构件，其中第一封装层的边缘位于第一坝构件的外侧，第二封装层布置在第一封装层上并且覆盖像素，其中第二封装层的边缘位于第一坝构件上。在这种实施方式中，第一封装层包括跨显示区域和非显示区域布置的第一区域以及布置在第一区域的外侧的第二区域，第一区域具有第一表面粗糙度并且第二区域具有与第一表面粗糙度不同的第二表面粗糙度。

在实施方式中，第一区域与第二区域之间的边界可与第一坝构件重叠，并且第一区域与第二区域之间的边界可位于第一坝构件的内表面上。

在实施方式中，第一区域可与第二封装层重叠，并且第二区域可与第二封装层不重叠。

在实施方式中，第一区域与第二区域之间的边界可与第二封装层的边缘对齐。

在实施方式中，第一区域的厚度可比第二区域的厚度小了约50埃至约100埃。

在实施方式中，第一表面粗糙度可比第二表面粗糙度大了约5纳米至约10纳米。

在实施方式中，显示装置还包括布置在第一坝构件的外侧的第二坝构件，其中，第二坝构件的高度可大于第一坝构件的高度。

在实施方式中，显示装置还包括布置在第二封装层上以覆盖第二封装层和第一坝构件的第三封装层，其中，第三封装层的边缘可位于第一坝构件的外侧。

根据本公开的实施方式，制造显示装置的方法包括：制备衬底，衬底包括其中布置有多个像素的显示区域和围绕显示区域的非显示区域；在衬底上提供包含第一无机材料的第一封装层以覆盖像素，其中，第一封装层包括从显示区域延伸到非显示区域的一部分的第一区域和位于第一区域的外侧的第二区域；以使得第一区域的表面粗糙度大于第二区域的表面粗糙度的方式来部分地蚀刻第一封装层的第一区域；以及在第一封装层的第一区域上提供包含有机材料的第二封装层。

在实施方式中，部分地蚀刻可包括：在第一封装层上方放置蚀刻掩模以暴露第一区域并且掩蔽第二区域，以及使用包含氟元素的蚀刻气体执行蚀刻。

在实施方式中，制造显示装置的方法还可包括：在部分地蚀刻之后，清洗氟元素的残留物。

在实施方式中，第一区域的厚度可比第二区域的厚度小了约50埃至约100埃。

在实施方式中，第一区域的表面粗糙度可比第二区域的表面粗糙度大了约5纳米至约10纳米。

在实施方式中，提供第一封装层可包括：在衬底上方放置其中开口被限定成暴露第一区域和第二区域的开口掩模，以及通过开口掩模在衬底上沉积第一无机材料。

根据本公开的实施方式，可提高有机膜的均匀性，并且可有效地防止显示装置中的色斑缺陷。在这种实施方式中，有机材料可形成在期望的位置处并且有机材料不流出衬底。

附图说明

通过参照附图详细描述本公开的实施方式，本公开的上述和其它特征将变得更加明确，在附图中：

图1A是根据本公开的实施方式的显示装置的平面图；

图1B是图1A的圆圈部分的放大图；

图2是根据本公开的实施方式的显示装置的剖面图；

图3是示意性地示出根据本公开的实施方式的显示装置的元件的排列的平面图；

图4是根据本公开的实施方式的显示装置的像素的剖面图；

图5是沿图1A的线A-A'截取的剖面图；

图6A是图5中所示的第一封装层的端部的放大图；

图6B是图6A的圆圈部分的放大图；

图7至图11是用于示出根据本公开的实施方式的制造显示装置的方法的剖面图；以及

图12至图14是用于示出根据本公开的替代性实施方式的制造显示装置的方法的剖面图。

具体实施方式

现在在下文中将参照其中示出了本实用新型的各种实施方式的附图，对本实用新型进行更加全面的描述。然而，本实用新型可以不同的形式实施，并且不应被解释为受限于本文中所阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式以使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员全面地传达本实用新型的范围。相同的附图标记始终指示相同的元件。

还将理解，当层被称为在另一层或衬底“上”时，该层能够直接在另一层或衬底上，或者在它们之间也可存在有居间层。相反，当元件被称为“直接”在另一元件“上”时，则不存在居间元件。

将理解，虽然术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。举例来说，在不背离本实用新型的教导的情况下，下面讨论的第一元件可被称为第二元件。相似地，第二元件也可被称为第一元件。

本文中使用的用语仅用于描述特定实施方式的目的，而不旨在限制。除非上下文中另有明确指示，否则如本文中所使用的“一(a)”、“一(an)”、“该(the)”和“至少一个”不表示数量的限制，并且旨在包括单数和复数这两者。例如，除非上下文中另有明确指示，否则“元件”具有与“至少一个元件”的含义相同的含义。“至少一个”不应被解释为限于“一(a)”或者“一(an)”。“或者(Or)”意味着“和/或”。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。还将理解，术语“包括(comprise)”和/或“包括有(comprising)”或者“包括(include)”和/或“包括有(including)”当在本说明书中使用时指定所陈述的特征、区、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或多个其它特征、区、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。

此外，在本文中可使用诸如“下”或“底部”和“上”或“顶部”的相对术语来描述如图中所示的一个元件与另一元件的关系。将理解，除了图中所描绘的取向以外，相对术语还旨在涵盖装置的不同取向。例如，如果图之一中的装置被翻转，则被描述为位于其它元件的“下”侧的元件将随后被取向为在其它元件的“上”侧。因此，取决于图的特定取向，术语“下”能够涵盖“下”和“上”的取向这两者。相似地，如果图之一中的装置被翻转，则被描述为在其它元件“下方”或“之下”的元件将随后被取向为在其它元件“上方”。因此，术语“下方”或“之下”能够涵盖上方和下方的取向这两者。

考虑到有关测量和与特定数量的测量相关联的误差(即，测量系统的限制)，如本文中所使用的“约”或者“近似”包括所述值并且意味着在如由本领域普通技术人员确定的针对特定值的可接受的偏差范围内。例如，“约”能够意味着在一个或者多个标准偏差内，或者在所述值的±30％、±20％、±10％或±5％内。

除非另有限定，否则本文中所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解，术语，诸如常用词典中限定的那些术语，应被解释为具有与它们在相关领域和本公开的上下文中的含义一致的含义，并且除非在本文中明确地这样限定，否则将不以理想化或过于正式的含义来解释。

本文中参照作为理想化实施方式的示意性图示的剖面图示对实施方式进行描述。由此，由例如制造技术和/或公差所导致的图示的形状的变化将被预期。因此，本文中所描述的实施方式不应被解释为受限于如本文中所示的区的特定形状，而是将包括由例如制造而导致的形状上的偏差。例如，被示出或描述为平坦的区通常可具有粗糙和/或非线性特征。此外，被示出的尖角可被倒圆。因此，图中所示的区本质上是示意性的，并且它们的形状并不旨在示出区的精确形状，并且不旨在限制本权利要求书的范围。

在下文中，将参照附图对本公开的实施方式进行描述。

图1A是根据本公开的实施方式的显示装置的平面图。图1B是图1A的圆圈部分的放大图。图2是根据本公开的实施方式的显示装置的剖面图。

第一方向DR1指示从顶部(或俯视图)观察时与显示装置1的边平行的方向，即，显示装置1的短边方向。第二方向DR2指示当从顶部观察时平行于显示装置1的与该边相接的另一边的方向，即，显示装置1的长边方向。第三方向DR3可指示显示装置1的厚度方向。此处，俯视图可为第三方向DR3上的平面图。将理解，在实施方式中提及的方向为相对方向，并且实施方式不限于所提及的方向。

参照图1A、图1B和图2，显示装置1的实施方式可指示包括显示屏的任何电子装置。显示装置1可包括具有显示屏的诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(“PC”)、电子表、智能表、手表电话、移动通信终端、电子记事本、电子书、便携式多媒体播放器(“PMP”)、导航装置、游戏机和数码相机的便携式电子装置以及电视机、膝上型计算机、监视器、电子广告牌、物联网(“IoT”)装置等。

显示装置1可包括显示有图像的显示区域DA和不显示图像的非显示区域NDA。

显示区域DA的形状可为矩形或具有倒圆拐角的矩形。在实施方式中，如图1A中所示，显示区域DA的形状为具有倒圆拐角并且其在第一方向DR1上的边短于其在第二方向DR2上的边的矩形。然而，应理解，本公开不限于此。显示区域DA可具有各种形状，诸如在第二方向DR2上具有比其在第一方向DR1上的边短的边的矩形形状、正方形形状、其它多边形形状、圆形形状或椭圆形形状。

非显示区域NDA可围绕显示区域DA。非显示区域NDA可为边框。如图1A和图3中所示，非显示区域NDA可围绕显示区域DA的所有的边(附图中的四个边)。然而，应理解，本公开不限于此。在替代性实施方式中，例如，非显示区域NDA可不布置在显示区域DA的上侧附近或者其左侧或右侧附近。

在非显示区域NDA中可布置有用于将信号施加到显示区域DA的信号线或驱动电路。稍后将参照图3对信号线进行详细描述。

显示装置1包括用于提供显示屏的显示面板10。在实施方式中，显示面板10可包括有机发光显示面板、微型发光二极管(“LED”)显示面板、纳米LED显示面板、量子点显示面板、液晶显示面板、等离子体显示面板、场发射显示面板、电泳显示面板、电润湿显示面板等。在下文中，为了描述的便利，将对显示面板10为有机发光显示面板的实施方式进行详细描述，但是本公开不限于此。可采用任何其它类型的显示面板而不背离本文中的教导。

显示面板10可包括多个像素PX。多个像素PX可排列成矩阵。在实施方式中，如图1B中所示，当从顶部观察时，每个像素PX的形状可为但不限于矩形或正方形。每个像素可具有包含相对于第一方向DR1倾斜的边的菱形形状。每个像素可包括发射区域。每个发射区域可具有与像素的形状相同或不同的形状。在实施方式中，例如，在像素具有矩形形状的情况下，像素中的每个的发射区域的形状可具有各种形状，诸如矩形、菱形、六边形、八边形和圆形。

在实施方式中，显示面板10可包括包含诸如PI的柔性聚合物材料的柔性衬底。相应地，在这种实施方式中，显示面板10可弯折、弯曲、折叠或卷曲。

参照图1A和图2，显示面板10的实施方式可包括作为显示面板10的可弯曲部的弯曲区BR。显示面板10可划分为位于弯曲区BR的一侧的主区MR和位于弯曲区BR的另一侧的子区SR。

显示面板10的显示区域DA可布置在主区MR中。根据本公开的实施方式，主区MR在显示区域DA周围的边缘、整个弯曲区BR和整个子区SR可为非显示区域NDA。然而，应理解，本公开不限于此。在替代性实施方式中，弯曲区BR和/或子区SR也可包括显示区域DA。

弯曲区BR可连接到主区MR的在第一方向DR1上的一个边。在实施方式中，例如，弯曲区BR可连接到主区MR的下短边。弯曲区BR的宽度可小于主区MR的宽度(短边的宽度)。当从顶部观察时，主区MR与弯曲区BR相接的部分可切割成L形形状。

在弯曲区BR中，显示面板10可在厚度方向上(即，在远离显示表面的方向上)向下弯曲。在实施方式中，弯曲区BR可具有恒定的曲率半径，但是本公开不限于此。在替代性实施方式中，弯曲区BR对于不同的部分可具有不同的曲率半径。随着显示面板10在弯曲区BR处弯曲，显示面板10的表面可反转。在实施方式中，显示面板10的面朝上的表面可弯曲成使得其在弯曲区BR处面朝外，并且然后面朝下。

子区SR从弯曲区BR延伸。子区SR可从弯曲区BR的端部在与主区MR平行的方向上延伸。子区SR可在显示面板10的厚度方向上与主区MR重叠。子区SR的宽度(即，在第一方向DR1上的长度)可为但不限于等于弯曲区BR的宽度。

在实施方式中，显示驱动器20可布置在子区SR中。显示驱动器20可包括用于驱动显示面板10的集成电路。集成电路可包括用于显示器的集成电路。用于显示器的集成电路可实现为单独的芯片或者可集成到单个芯片中。

焊盘区域可布置在显示面板10的子区SR的端部处。焊盘区域可包括显示信号线焊盘和触摸信号线焊盘。电路板30可连接到显示面板10的子区SR的端部处的焊盘区域。电路板30可为柔性印刷电路板或膜。

图3是示意性地示出根据本公开的实施方式的显示装置的元件的排列的平面图。

在实施方式中，显示装置可包括包含显示区域DA和非显示区域NDA的显示单元DU。在实施方式中，显示区域DA可包括多个像素PX以及连接到像素PX的多个扫描线SL、多个数据线DL和多个电压线VL。

多个扫描线SL可将从栅极驱动器21接收的栅极信号供给到多个像素PX。多个扫描线SL可在第一方向DR1上延伸并且可在与第一方向DR1相交的第二方向DR2上彼此间隔开。

多个数据线DL可将从显示驱动器20接收的数据信号供给到多个像素PX。多个数据线DL可在第二方向DR2上延伸并且可在第一方向DR1上彼此间隔开。

非显示区域NDA可包括用于将栅极信号施加到多个扫描线SL的栅极驱动器21、用于将多个数据线DL与显示驱动器20连接的扇出线FOL以及连接到电路板30的显示焊盘区域DPA。

显示驱动器20可通过栅极控制线GCL将栅极驱动器控制信号供给到栅极驱动器21。栅极驱动器21可基于栅极驱动器控制信号而生成多个栅极信号，并且可以预定顺序将多个栅极信号顺序地供给到多个扫描线SL。

显示焊盘区域DPA可位于显示面板10的边缘处并且可包括多个显示焊盘DP。多个显示焊盘DP可通过电路板30连接到主处理器，并且可连接到电路板30以接收数字视频数据，并且可将数字视频数据供给到显示驱动器20。在实施方式中，显示面板10的边缘还可包括分别位于显示焊盘区域DPA的相对侧处的测试焊盘区域TPA1和TPA2，并且测试焊盘区域TPA1和TP2可包括测试焊盘TP1和TP2。

在下文中，将对显示装置的实施方式的剖面结构进行描述。最初，将对显示装置的显示区域DA中的像素的剖面结构进行描述。图4是根据本公开的实施方式的显示装置的像素的剖面图。

参照图4，在实施方式中，显示装置1包括衬底SUB、缓冲层BFL、晶体管TR、绝缘层INS、数据线E3、连接电极E4、发光元件OLED、像素分隔壁层PW和薄膜封装层EN。

上述层中的每个可由单个膜或多个膜的堆叠体限定或制成。在这种实施方式中，层之间还可布置有其它层。

衬底SUB支承布置在其上的层。衬底SUB可包括诸如聚合物树脂的绝缘材料或由其制成。在实施方式中，衬底SUB的聚合物材料可包括聚醚砜(“PES”)、聚丙烯酸酯(“PA”)、聚芳酯(“PAR”)、聚醚酰亚胺(“PEI”)、聚萘二甲酸乙二醇酯(“PEN”)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(“PET”)、聚苯硫醚(“PPS”)、聚烯丙基酯、聚酰亚胺(“PI”)、聚碳酸酯(“PC”)、三乙酸纤维素(“CAT”)、乙酸丙酸纤维素(“CAP”)或其组合。衬底SUB可为能够弯曲、折叠或卷曲的柔性衬底。在实施方式中，柔性衬底的材料可为但不限于PI。

缓冲层BFL可布置在衬底SUB上。缓冲层BFL可防止杂质离子扩散，可防止湿气或外部空气的渗透，并且可提供平坦表面。缓冲层BFL可包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。根据衬底SUB的类型、工艺条件等，缓冲层BFL可被省略。

晶体管TR可包括半导体层SM、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。绝缘层INS可包括第一绝缘层INS1、第二绝缘层INS2、第三绝缘层INS3、第四绝缘层INS4和第五绝缘层INS5。下面将对晶体管TR和绝缘层INS进行描述。

半导体层SM布置在缓冲层BFL上。半导体层SM形成像素的晶体管的沟道。在实施方式中，例如，半导体层SM可包括多晶硅。然而，应理解，本公开不限于此。半导体层SM可包括单晶硅、非晶硅或氧化物半导体。氧化物半导体可包括例如包含铟、锌、镓、锡、钛、铝、铪(Hf)、锆(Zr)、镁(Mg)等的二元化合物(AB_x)、三元化合物(AB_xC_y)和四元化合物(AB_xC_yD_z)。

第一绝缘层INS1可布置在半导体层SM上，并且第一绝缘层INS1可为具有栅极绝缘功能的栅极绝缘膜。第一绝缘层INS1可包括硅化合物、金属氧化物等。在实施方式中，例如，第一绝缘层INS1可包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛等。这些可单独使用或组合使用。第一绝缘层INS1可由单个膜或彼此堆叠的不同材料的多个膜限定或制成。

栅电极GE布置在第一绝缘层INS1上。栅电极GE可布置成与半导体层SM的沟道区重叠。栅电极GE可包括像素的晶体管的栅电极、与栅电极连接的扫描线和存储电容器电极。在实施方式中，第一绝缘层INS1上还可布置有测试信号线TS(参见图5)。

栅电极GE可包括选自钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种金属。栅电极GE可由单层或多层限定。

第二绝缘层INS2可布置在栅电极GE上。第二绝缘层INS2可为层间介电膜。第二绝缘层INS2可包括无机绝缘材料，诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铪、氧化铝、氧化钛、氧化钽和氧化锌。

第三绝缘层INS3布置在第二绝缘层INS2上。第三绝缘层INS3可为层间介电膜。

第三绝缘层INS3可包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铪、氧化铝、氧化钛、氧化钽和氧化锌的无机绝缘材料，或者诸如聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、PI树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯(“BCB”)的有机绝缘材料。第三绝缘层INS3可由单个膜或彼此堆叠的不同材料的多个膜限定或制成。

晶体管TR的源电极SE和漏电极DE布置在第三绝缘层INS3上。源电极SE和漏电极DE可分别为源极导电层和漏极导电层。晶体管TR的源电极SE和漏电极DE可通过穿过第三绝缘层INS3、第二绝缘层INS2和第一绝缘层INS1限定的接触孔分别电连接到半导体层SM的源极区和漏极区。

源电极SE和漏电极DE可包括选自铝(Al)、钼(Mo)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种金属。源电极SE和漏电极DE可由单个膜或多个膜的堆叠体限定。在实施方式中，例如，源电极SE和漏电极DE可具有Ti/Al/Ti、Mo/Al/Mo、Mo/AlGe/Mo、Ti/Cu等的堆叠结构。

第四绝缘层INS4布置在源电极SE和漏电极DE上。第四绝缘层INS4覆盖源电极SE和漏电极DE。第四绝缘层INS4可为通孔层。第四绝缘层INS4可包括与第三绝缘层INS3的材料相同的材料，或者可包括选自上面作为第三绝缘层INS3的材料列出的材料中的至少一种材料。

第四绝缘层INS4可整个地布置成覆盖第三绝缘层INS3、源电极SE和漏电极DE中的全部。

数据线E3和连接电极E4布置在第四绝缘层INS4上。数据线E3和连接电极E4可为源极/漏极导电层。数据线E3可通过穿过像素中的第四绝缘层INS4限定的接触孔电连接到晶体管TR的源电极SE。连接电极E4可通过穿过第四绝缘层INS4限定的接触孔电连接到晶体管TR的漏电极DE。

数据线E3和连接电极E4可包括选自铝(Al)、钼(Mo)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种金属。数据线E3和连接电极E4可由单个膜或多个膜的堆叠体限定。数据线E3和连接电极E4可由与源电极SE和漏电极DE的材料相同的材料制成，但不限于此。

数据线E3和连接电极E4可包括作为具有柔性的材料的铝。在实施方式中，例如，源电极SE和漏电极DE以及数据线E3和连接电极E4可包括Ti膜/Al膜/Ti膜的堆叠体。

第五绝缘层INS5布置在数据线E3和连接电极E4上。第五绝缘层INS5可整个地布置成覆盖数据线E3和连接电极E4中的全部。

第五绝缘层INS5可为包括有机材料的通孔层。第五绝缘层INS5可包括有机绝缘材料，诸如PAR、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、PI树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和BCB。

缓冲层BFL和第一绝缘层INS1至第五绝缘层INS5可覆盖衬底SUB的显示区域DA和非显示区域NDA的大部分。替代性地，它们中的一部分可在弯曲区BR中去除以暴露衬底SUB的表面。

发光元件OLED可包括第一电极E1、第二电极E2和有机发射层OEL，并且像素分隔壁层PW可包括像素限定层PDL和间隔件SPC。

发光元件OLED的第一电极E1布置在显示区域DA的第五绝缘层INS5上。发光元件OLED的阳极可由第一电极E1限定或形成。阳极可通过穿过第五绝缘层INS5限定的接触孔电连接到连接电极E4，并且可通过连接电极E4连接到薄膜晶体管的漏电极DE。

第一电极E1可具有诸如氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)、氧化锌(ZnO)和氧化铟(In₂O₃)的具有高功函数的材料层与诸如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、铅(Pb)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其混合物的反射材料层的堆叠结构。具有较高功函数的层可布置在反射材料层上方，以使得具有较高功函数的层布置得更靠近有机发射层OEL。第一电极E1可具有但不限于ITO/Mg、ITO/MgF、ITO/Ag和ITO/Ag/ITO的多层结构。

像素分隔壁层PW可布置在第一电极E1上。布置在显示区域DA中的像素分隔壁层PW可包括像素限定层PDL和间隔件SPC。

像素限定层PDL沿有机发射层OEL的边界布置。像素限定层PDL可布置在第五绝缘层INS5和第一电极E1上。非发射区域NPA和发射区域PA可通过像素限定层PDL来区分。

像素限定层PDL可包括有机绝缘材料，诸如PAR、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、PI树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和BCB。像素限定层PDL可包括无机材料。

间隔件SPC可布置在像素限定层PDL的一部分上。间隔件SPC可直接布置在像素限定层PDL上。间隔件SPC可在厚度方向上与像素限定层PDL重叠，并且间隔件SPC可布置在像素限定层PDL的一部分上并且可具有比像素限定层PDL更小的宽度。间隔件SPC可用于保持与布置在其上方的元件的间隙。在实施方式中，例如，在通过使用精细金属掩模(“FMM”)来沉积有机层的工艺期间，间隔件SPC可防止FMM的下垂。在实施方式中，间隔件SPC还可用于支承堆叠在其上的元件并且可减少因显示装置被按压时施加的应力而引起的变形。

与像素限定层PDL一样，间隔件SPC可包括有机绝缘材料。根据实施方式，像素限定层PDL包括第一绝缘材料或由其制成，而间隔件SPC包括第二绝缘材料或由其制成，以形成堆叠结构。然而，应理解，本公开不限于此。根据替代性实施方式，像素限定层PDL和间隔件SPC可用相同的材料一体地形成为单个一体的不可分割部。在实施方式中，例如，具有不同高度或在不同水平面的像素限定层PDL和间隔件SPC可经由单个工艺通过施涂光敏有机材料并且然后用狭缝掩模或半色调掩模将其曝光和将其显影来形成。在这种实施方式中，像素限定层PDL与间隔件SPC之间的边界可能不明显。

有机发射层OEL布置在像素分隔壁层PW的像素限定层PDL的开口中。有机发射层OEL可包括能够生成红色光、绿色光和蓝色光中的一种的有机材料。有机发射层OEL可生成红色光、绿色光和蓝色光中的一种。然而，应理解，本公开不限于此。有机发射层OEL可通过组合生成红色光、绿色光和蓝色光的材料来产生白色光。在实施方式中，有机发射层OEL可包括包含无机半导体材料或由其制成的无机发射层。在有机发射层OEL包括有机半导体材料的实施方式中，有机发射层OEL可包括有机发射层、空穴注入/传输层和电子注入/传输层。

第二电极E2布置在有机发射层OEL上。第二电极E2可在显示区域DA中布置在有机发射层OEL、像素限定层PDL和间隔件SPC上，但是可不布置在非显示区域NDA中。阴极可由第二电极E2限定或形成。阴极可遍及整个显示区域DA布置。第二电极E2可包括诸如Li、Ca、LiF/Ca、Al、Mg、Ag、Pt、Pd、Ni、Au、Nd、Ir、Cr、BaF、Ba或其化合物或混合物的具有小功函数的材料、或具有诸如LiF/Ca或LiF/Al的多层结构的材料。第二电极E2还可包括布置在具有小功函数的材料层上的透明金属氧化物层。

薄膜封装层EN布置在显示区域DA的第二电极E2上。薄膜封装层EN可布置在衬底SUB上以覆盖像素PX。

薄膜封装层EN可包括第一封装层EN1、第二封装层EN2和第三封装层EN3。

第一封装层EN1布置在衬底SUB上以覆盖发光元件OLED。

第一封装层EN1可布置在衬底SUB上以覆盖显示区域DA中的有机发射层OEL和非显示区域NDA中的第二电极E2，并且第一封装层EN1可与衬底SUB的端部间隔开预定距离。

第一封装层EN1包括无机材料。在实施方式中，例如，第一封装层EN1的无机材料可包括选自氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈、氮氧化硅(SiON)等中的一种或多种材料。在第一封装层EN1包括氮氧化硅(SiON)的实施方式中，氮氧化硅(SiON)的硅(Si)、氧(O)和氮(N)的组成比可彼此不同。第一封装层EN1可防止氧气和湿气从外部渗入到发光元件OLED中。

第一封装层EN1可包括在其上表面上具有特定表面粗糙度的区域。稍后将对在第一封装层EN1的上表面上具有这种表面粗糙度的区域进行详细描述。

第二封装层EN2布置在第一封装层EN1上。第二封装层EN2可布置成覆盖如稍后将描述的第一封装层EN1的第一区域110(参见图6A)，并且可与衬底SUB的端部间隔开预定距离。

第二封装层EN2可通过固化具有流动性的有机材料来形成。在实施方式中，例如，第二封装层EN2可包括有机绝缘材料，诸如PAR、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、PI树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和BCB。第二封装层EN2可遍及显示区域DA提供平坦表面。

第三封装层EN3布置在第一封装层EN1上以覆盖第二封装层EN2。相应地，在这种实施方式中，第二封装层EN2可被第一封装层EN1和第三封装层EN3封装。

第三封装层EN3可包括与第一封装层EN1的无机材料不同的无机材料。在实施方式中，例如，第三封装层EN3可包括氮化硅(SiN_x)。第三封装层EN3可防止氧气和湿气从外部渗入到发光元件OLED中。

在实施方式中，如上所述，由于薄膜封装层EN具有多层结构，因此即使在多个封装层中的任一个中出现裂纹，裂纹也不能在第一封装层EN1与第二封装层EN2之间或者在第二封装层EN2与第三封装层EN3之间传播。在这种实施方式中，可有效地防止形成氧气或湿气通过其从外部渗入到显示区域DA中的路径。

接着，将对显示装置1的非显示区域NDA的剖面结构进行描述。图5是沿图1A的线A-A'截取的剖面图。图6A是图5中所示的第一封装层的端部的放大图。图6B是图6A的圆圈部分的放大图。

参照图5、图6A和图6B，在实施方式中，一个或多个坝可布置在非显示区域NDA的衬底SUB上。坝可限制第二封装层EN2的有机材料OR(参见图10)的位置，以使得第二封装层EN2不铺展到衬底SUB的外端。

一个或多个坝可包括第一坝构件DM1和第二坝构件DM2。第一坝构件DM1和第二坝构件DM2中的每个的高度可被限定为第一坝构件DM1和第二坝构件DM2中的每个的下表面和上表面之间的距离。多个谷可分别限定在第一坝构件DM1与第二坝构件DM2之间的空间中以及第一坝构件DM1与第四绝缘层INS4和第五绝缘层INS5之间的空间中。

在实施方式中，如图5中所示，第一坝构件DM1布置成比第二坝构件DM2更靠近显示区域DA。定位成比第一坝构件DM1更靠外部的第二坝构件DM2的上表面可高于第一坝构件DM1的上表面。第一坝构件DM1和第二坝构件DM2可布置在非显示区域NDA的衬底SUB上并且当从顶部观察时可围绕显示区域DA。第四绝缘层INS4可从显示区域DA延伸到非显示区域NDA并且可布置成与第一坝构件DM1相邻。在这种实施方式中，第五绝缘层INS5可延伸到非显示区域NDA并且可在第四绝缘层INS4上布置成与第一坝构件DM1相邻。

第一坝构件DM1和第二坝构件DM2中的每个包括至少一个层。第一坝构件DM1可包括布置在衬底SUB上的第一层DM1_1、布置在第一层DM1_1上的第二层DM1_2和布置在第二层DM1_2上的第三层DM1_3。第二坝构件DM2可包括布置在衬底SUB上的第一层DM2_1、布置在第一层DM2_1上的第二层DM2_2、布置在第二层DM2_2上的第三层DM2_3和布置在第三层DM2_3上的第四层DM2_4。

第一坝构件DM1的第一层DM1_1至第三层DM1_3和第二坝构件DM2的第一层DM2_1至第四层DM2_4可使用用于形成显示区域DA的像素结构的层来形成。在实施方式中，例如，第一坝构件DM1的第一层DM1_1和第二坝构件DM2的第一层DM2_1可包括与第四绝缘层INS4的材料相同的材料或由其制成，第一坝构件DM1的第二层DM1_2和第二坝构件DM2的第二层DM2_2可包括与第五绝缘层INS5的材料相同的材料或由其制成，第一坝构件DM1的第三层DM1_3和第二坝构件DM2的第三层DM2_3可包括与像素限定层PDL的材料相同的材料或由其制成，并且第二坝构件DM2的第四层DM2_4可包括与间隔件SPC的材料相同的材料或由其制成。第一坝构件DM1的第一层DM1_1至第三层DM1_3和第二坝构件DM2的第一层DM2_1至第四层DM2_4可分别与显示区域DA中的绝缘层INS、像素限定层PDL和间隔件SPC一起形成。在像素限定层PDL和间隔件SPC在相同的工艺中一起形成的实施方式中，第二坝构件DM2的第三层DM2_3和第二坝构件DM2的第四层DM2_4也可在相同的工艺中一起形成，并且第二坝构件DM2的第三层DM2_3与第二坝构件DM2的第四层DM2_4之间的边界可能不明显。由于第二坝构件DM2还包括第四层DM2_4，因此第二坝构件DM2可比第一坝构件DM1高了第二坝构件DM2的第四层DM2_4的高度。

在实施方式中，如上所述，当形成第二封装层EN2时，第一坝构件DM1和第二坝构件DM2可限制用于第二封装层EN2的有机材料OR(参见图10)，以使得有机材料OR不流到衬底SUB的端部。在这种实施方式中，用于第二封装层EN2的有机材料OR(参见图10)从显示区域DA铺展到外围，并且第一坝构件DM1与第四绝缘层INS4和第五绝缘层INS5之间的谷被有机材料OR填充。当有机材料OR(参见图10)的量和铺展性受到一定程度的限制时，即，设定为低于预定值时，有机材料OR(参见图10)可不超过相对高的第一坝构件DM1铺展并且停止在第一坝构件DM1的表面上的铺展。当有机材料OR(参见图10)的一部分流出第一坝构件DM1时，有机材料OR的该一部分被限制在第一坝构件DM1与第二坝构件DM2之间的谷中，并且因高的第二坝构件DM2而不再铺展。结果，可有效地防止用于第二封装层EN2的有机材料OR(参见图10)流到衬底SUB的边缘。

在实施方式中，如上所述，第二封装层EN2可在有机材料OR(参见图10)没有溢出到衬底SUB的边缘的情况下，在显示区域DA中遍及其下的元件来提供平坦表面。在这种实施方式中，可期望用于第二封装层EN2的有机材料OR(参见图10)在制造工艺期间容易地铺展以提供平坦表面。在实施方式中，如图5和图6A中所示，第二封装层EN2被充分施涂以填充第一封装层EN1上的整个显示区域DA。然而，如上所述，如果有机材料OR的量和铺展性受到一定程度的限制，则第一封装层EN1上的显示区域DA不能被充分填充，使得第二封装层EN2可能被不均匀地施涂。

在实施方式中，第一封装层EN1的上表面对于不同区域可具有不同的铺展性，以使得用于第二封装层EN2的有机材料OR(参见图10)在有限的范围内具有足够的铺展性。用于第二封装层EN2的有机材料OR(参见图10)的铺展性可基于第一封装层EN1的上表面的表面粗糙度来控制。

在实施方式中，第一封装层EN1的上表面可包括具有第一表面粗糙度的第一区域110和具有小于第一表面粗糙度的第二表面粗糙度的第二区域120。在本文中，表面粗糙度(例如，均方根(“RMS”)粗糙度)可被限定为平均线的平均高度偏差，即，粗糙的程度。

随着表面粗糙度增加，其上的流体的均匀性可增加，并且反之亦然。相应地，用于第二封装层EN2的有机材料OR(参见图10)在具有较大的第一表面粗糙度的第一区域110上具有较高的铺展性，而铺展性在具有相对小的第二表面粗糙度的第二区域120上受到限制。

根据本公开的实施方式，第一区域110可与待布置有第二封装层EN2的区域重叠，并且第二区域120可布置在第一区域110外部。

在实施方式中，如图6A中所示，第一区域110可位于由与显示区域DA相邻的第一坝构件DM1限定的位置处。在这种实施方式中，第一区域110可从显示区域DA延伸到第一坝构件DM1的面对显示区域DA的一侧。在实施方式中，例如，第一区域110的边缘可位于第一坝构件DM1的内表面上。

第二区域120与第一区域110接触。第二区域120与第一区域110相连并且从第一区域110延伸到非显示区域NDA。第二区域120的外边缘可限定第一封装层EN1的外边缘。

在实施方式中，第一区域110可与第二封装层EN2重叠，第二区域120可不与第二封装层EN2重叠，并且第一区域110的边缘可与第二封装层EN2的边缘重叠。相应地，第一区域110可形成在第一坝构件DM1的一侧，使得用于第二封装层EN2的有机材料OR(参见图10)施涂在第一区域110上，而有机材料OR(参见图10)可不施涂在第二区域120上。

在实施方式中，如上所述，第一区域110可指示将要施涂用于第二封装层EN2的有机材料OR(参见图10)的期望位置。第二区域120可被设计以使得有机材料OR(参见图10)不流到那里。在实施方式中，第一区域110可形成在第一坝构件DM1的侧表面上以促进其上的用于第二封装层EN2的有机材料OR(参见图10)的铺展。第二区域120可与第一坝构件DM1和第二坝构件DM2一同用于防止有机材料OR(参见图10)流到衬底SUB的端部。

根据本公开的实施方式，第一表面粗糙度比第二表面粗糙度大了约5纳米(nm)至约10纳米。在实施方式中，可期望第一表面粗糙度比第二表面粗糙度大上约5nm或更多以有效地增加有机材料的铺展性。第一表面粗糙度与第二接触粗糙度之间的差可小于约10nm以防止因太小的厚度而导致的第一封装层EN1的强度降低和断开，并且抑制在出现裂纹时氧气或湿气通过其从外部渗入到显示区域DA中的路径。

在表面粗糙度的差在上述范围内的实施方式中，第一区域110的铺展性可为第二区域120的铺展性的2.7倍至4.1倍。

在实施方式中，第一区域110和第二区域120的表面粗糙度可通过蚀刻来调节。在这种实施方式中，第一区域110可通过蚀刻而具有比第二区域120的表面粗糙度大的第一表面粗糙度。经历蚀刻工艺的第一区域110中的第一封装层EN1的厚度可小于不经历蚀刻工艺或者蚀刻得小于第一区域110的第二区域120中的第一封装层EN1的厚度。第一区域110与第二区域120之间的根据第一区域110中的蚀刻厚度130(参见图6B)的厚度差可在约50埃

至约100埃/>

的范围内。在实施方式中，在蚀刻工艺以上述范围内的蚀刻厚度130执行的情况下，第一区域110与第二区域120之间的第一封装层EN1的厚度差可在1.8％至2.6％的范围内。第一区域110与第二区域120之间的这种厚度关系可有效防止因太小的厚度而导致的第一封装层EN1的强度降低和断开。

在实施方式中，可通过使用氟元素的蚀刻工艺在第一区域110中产生第一表面粗糙度，并且因此氟元素可残留在其上。在这种实施方式中，可进行后续清洗工艺以去除氟元素，稍后将对此描述。在这种实施方式中，可通过从第一区域110消除氟元素来有效地防止有机材料OR(参见图10)与其上的氟元素之间的不期望的反应。

在实施方式中，如图5和图6A中所示，第一区域110的边缘可位于第一坝构件DM1的内表面(面对显示区域DA的表面)的上端处，但是本公开不限于此。替代性地，第一区域110的边缘可位于第一坝构件DM1的内表面的中心或下端处。在替代性实施方式中，例如，第一区域110可延伸到第一坝构件DM1的上表面，以使得边缘可位于第一坝构件DM1的上表面上。在另一替代性实施方式中，例如，第一区域110也可布置在第二坝构件DM2上，以使得边缘可位于第二坝构件DM2的内表面的上部、中部或下部处，或者可位于第二坝构件DM2的上表面上。

在替代性实施方式中，坝构件可被省略。在这种实施方式中，第一区域110可从显示区域DA延伸到非显示区域NDA的一部分，并且第二区域120可从第一区域110的边缘延伸到外侧，以在没有坝构件的情况下控制第二封装层EN2的均匀性。

图7至图11是用于示出根据本公开的实施方式的制造显示装置的方法的剖面图。

参照图7，在制造显示装置的方法的实施方式中，制备包括显示区域DA和非显示区域NDA的衬底SUB。尽管在图7中未示出，但是在衬底SUB的显示区域DA中提供有多个发光元件OLED，并且在非显示区域NDA中布置有第一坝构件DM1和第二坝构件DM2。用于形成多个发光元件OLED以及第一坝构件DM1和第二坝构件DM2的各种方法在本领域中是公知的，并且因此在本文中将不进行描述。

随后，在衬底SUB之上提供或形成第一封装层EN1。在实施方式中，如上所述，第一封装层EN1可实现为氮氧化硅(SiON)层等。第一封装层EN1可通过例如化学气相沉积来形成。

第一封装层EN1可使用开口掩模来形成。在实施方式中，如图7中所示，在衬底SUB上方放置具有限定第一封装层EN1的沉积区域的第一开口OP1的第一掩模M1。第一掩模M1的第一开口OP1可从显示区域DA暴露到第二坝构件DM2，并且可暴露衬底SUB的与端部间隔开预定距离的一部分。随后，用第一掩模M1进行沉积工艺，使得可在衬底SUB之上形成当从顶部观察时具有与第一开口OP1的形状相同的形状的第一封装层EN1。

随后，参照图8，在第一封装层EN1上形成第一区域110。第一区域110可使用蚀刻材料IOR1经由部分蚀刻工艺来形成。蚀刻材料IOR1可为包含氟元素的气体，诸如CF₄、SF₆和NF₃。蚀刻材料IOR1可包括包含氟的疏水性材料(例如，聚合物基疏水性材料)或由其形成。然而，应理解，本公开不限于此。第一区域110可用任何材料蚀刻，只要其为疏水性的，包括氟即可。第一区域110可通过例如等离子体蚀刻或通过化学气相沉积的干法蚀刻来形成。

部分蚀刻工艺可使用开口掩模来进行。在实施方式中，如图8中所示，在衬底SUB上方放置具有限定第一区域110的蚀刻目标的第二开口OP2的第二掩模M2。第二掩模M2的第二开口OP2具有从显示区域DA暴露到第一坝构件DM1的内表面的形状。第一坝构件DM1的内表面的外部区被第二掩模M2掩蔽。

随着第二掩模M2放置得更靠近其上提供有沉积材料的衬底SUB，蚀刻材料IOR1可更准确地提供到蚀刻目标。相应地，在实施方式中，第二掩模M2可放置成与第一坝构件DM1相邻。在实施方式中，例如，第二掩模M2可接触第一封装层EN1的与第二坝构件DM2重叠的上表面。随后，当用第二掩模M2进行部分蚀刻工艺时，蚀刻掉由第二开口OP2暴露的第一封装层EN1的上表面。部分蚀刻工艺仅进行到预定厚度，而不是去除全部的第一封装层EN1。结果，具有第一表面粗糙度的第一区域110可形成为与第二开口OP2一致。部分蚀刻工艺的蚀刻厚度130可通过调节蚀刻时间来控制。

在实施方式中，例如，可通过调节NF₃气体的蚀刻时间来调节第一区域110的第一表面粗糙度，以使得第一区域110的第一表面粗糙度比第二表面粗糙度大了约5nm至约10nm。

在这种实施方式中，第二区域120实质上不暴露于蚀刻材料IOR1，并且因此第二区域120的厚度在部分蚀刻工艺之前和之后实质上不改变。

在这种实施方式中，如上所述，蚀刻材料IOR1的蚀刻时间可为用于控制第一区域110的第一表面粗糙度和蚀刻厚度的因素，但是本公开不限于此。第一区域110的第一表面粗糙度和/或蚀刻厚度可通过诸如功率和气体流速的各种因素来调节。

随后，参照图9，去除残留在第一区域110上的残留的氟元素。氟可用清洗材料IOR2来去除。清洗材料IOR2可为包含H₂的气体。清洗工艺可包括例如等离子体清洗或干法清洗。

清洗工艺可在不使用掩模的情况下在整个第一区域110到第二区域120进行。相应地，残留的氟元素不仅可从其中高度可能残留有残留的氟元素的第一区域110完全去除，而且可从其中不太可能残留有残留的氟元素的第二区域120完全去除。然而，应理解，本公开不限于此。替代性地，可使用第二掩模M2通过第二开口OP2进行清洗工艺以从直接暴露于部分蚀刻工艺的第一区域110去除残留的氟元素。

在这种实施方式中，通过从第一区域110去除残留的氟元素，可有效地防止稍后将描述的第二封装层EN2的有机材料OR与氟元素之间的反应。

随后，参照图10，在第一封装层EN1上形成第二封装层EN2。如上所述，第二封装层EN2可形成为有机材料层。第二封装层EN2可通过例如喷墨印刷形成。在实施方式中，例如，第二封装层EN2可通过喷嘴NOZ喷射包括有机材料OR的液体墨水而形成在第一封装层EN1的上表面上。喷射在第一封装层EN1的上表面上的液体的有机材料OR可铺展到一定距离。如上所述，随着表面粗糙度增加，在其上的流体的铺展性能够增加，并且反之亦然。因此，在这种实施方式中，有机材料OR在第一区域110中铺展得更好以在整个第一区域110形成均匀的膜。当有机材料OR容纳在第一坝构件DM1与绝缘层INS之间的谷中时，限制有机材料OR在与第一封装层EN1的第一区域110的边界相邻的第二区域120中铺展。在这种实施方式中，由于比谷高的第一坝构件DM1位于该部分处，因此可进一步防止有机材料OR铺展到外侧。相应地，有机材料OR可仅布置在期望的区域处，并且因此可进一步有效地防止有机材料OR流出衬底SUB。

随后，固化有机材料OR从而完成第二封装层EN2。

最后，在第一封装层EN1上提供或形成第三封装层EN3以覆盖第二封装层EN2。在实施方式中，如上所述，第三封装层EN3可形成为氮化硅(SiN_x)膜。第三封装层EN3可通过例如化学气相沉积形成。

第三封装层EN3可使用开口掩模来形成。在实施方式中，如图11中所示，在衬底SUB上方再次放置具有限定第三封装层EN3的沉积区域的第一开口OP1的第一掩模M1。第一掩模M1的第一开口OP1可从显示区域DA暴露到第二坝构件DM2，并且可暴露衬底SUB的与端部间隔开预定距离的一部分。随后，用第一掩模M1进行沉积工艺，使得可在衬底SUB之上形成当从顶部观察时具有与第一开口OP1的形状相同的形状的第三封装层EN3，从而产生显示装置1。

图12至图14是用于示出根据本公开的替代性实施方式的制造显示装置的方法的剖面图。

除了单个掩模被用于形成第一封装层EN1'外，图12至图14中所示的制造显示装置的方法与图7至图11中所示的制造显示装置的方法实质上相同；并且因此，将省略或简化对相同或相似元件的任何重复的详细描述。

参照图12，在制造显示装置的方法的实施方式中，制备包括显示区域DA和非显示区域NDA的衬底SUB。尽管在图12中未示出，但是在衬底SUB的显示区域DA中提供有多个发光元件OLED，并且在非显示区域NDA中布置有第一坝构件DM1和第二坝构件DM2。用于形成多个发光元件OLED以及第一坝构件DM1和第二坝构件DM2的各种方法在本领域中是公知的，并且因此在本文中将不进行描述。

随后，在衬底SUB之上提供或形成第一封装层EN1'。在实施方式中，如上所述，第一封装层EN1'可实现为氮氧化硅(SiON)层等。第一封装层EN1'可通过例如化学气相沉积来形成。

第一封装层EN1'可使用开口掩模来形成。在衬底SUB上方放置具有限定沉积区域的开口OP的第二掩模M2。第二掩模M2与上面参照图8描述的第二掩模M2实质上相同。相应地，第二掩模M2的开口OP可具有从显示区域DA暴露到第一坝构件DM1的表面的形状。

在这种实施方式中，第二掩模M2可放置在用于无机材料沉积工艺的真空室(未示出)中，并且因此可与衬底SUB间隔开。第二掩模M2可实质上与真空室的上部相邻并且可远离衬底SUB。在这种实施方式中，沉积材料可扩散到衬底SUB上，就好像实质上没有掩模一样。相应地，蚀刻材料IOR1可到达衬底SUB的端部。随后，当用第二掩模M2进行沉积工艺时，第一封装层EN1'可形成至衬底SUB的端部。

随后，参照图13，在第一封装层EN1'上形成第一区域111。第一区域111可使用蚀刻材料IOR1经由部分蚀刻工艺来形成。蚀刻材料IOR1可与上面参照图8描述的蚀刻材料IOR1实质上相同。

部分蚀刻工艺可使用开口掩模来进行。在实施方式中，如图13中所示，在衬底SUB上方放置具有限定第一区域111的蚀刻目标的开口OP的第二掩模M2。第二掩模M2的开口OP具有从显示区域DA暴露到第一坝构件DM1的内表面的形状。第一坝构件DM1的内表面的外部区被第二掩模M2掩蔽。第二掩模M2的开口OP可与图8的第二掩模M2的第二开口OP2实质上相同。

在这种实施方式中，第二掩模M2放置得更靠近其上提供有沉积材料的衬底SUB，以使得蚀刻材料可更准确地提供到蚀刻目标。在这种实施方式中，如上面参照图8所描述的，第二掩模M2可放置成与第一坝构件DM1相邻。

随后，参照图14，去除残留在第一区域111上的残留的氟元素。氟可使用清洗材料IOR2来去除。

清洗材料IOR2可为包含H₂的气体。清洗工艺可包括例如等离子体清洗或干法清洗。

在如上面参照图12描述的，第二掩模M2实质上与真空室的上部相邻并且远离衬底SUB的状态下，清洗工艺可在整个第一区域110到第二区域120进行。

其中在衬底SUB上提供第二封装层EN2和第三封装层EN3的工艺与上面参照图7至图11描述的那些工艺实质上相同；并且因此，将省略其任何重复的详细描述。

根据本公开的实施方式，第一封装层EN1'的沉积、第一封装层EN1'的部分蚀刻和第三封装层EN3的沉积可使用单个掩模进行，并且因此可降低工艺成本并且可提高工艺效率。

在这种实施方式中，如上述实施方式中一样，有机材料OR在第一区域111中铺展得更好，但在第二区域121中没有很好地铺展。因此，可提高有机膜的均匀性，并且可有效地防止有机材料OR流出衬底SUB。结果，可解决显示装置1中的色斑缺陷。

本实用新型不应被解释为限于本文中阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式以使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员全面地传达本实用新型的概念。

虽然已参照本实用新型的实施方式对本实用新型进行了特定示出和描述，但是本领域普通技术人员将理解，在不背离如由随附的权利要求书限定的本实用新型的精神或范围的情况下可在其中作出形式和细节上的各种改变。

Claims (10)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域；

多个像素，所述多个像素布置在所述显示区域中的所述衬底上；

第一封装层，所述第一封装层布置在所述衬底上以覆盖所述多个像素，其中，所述第一封装层是无机材料；以及

第二封装层，所述第二封装层布置在所述第一封装层上，其中，所述第二封装层是有机材料，

其中，所述第二封装层的边缘位于所述非显示区域中，

所述第一封装层的边缘定位成比所述第二封装层的所述边缘更靠外，

所述第一封装层包括具有第一表面粗糙度的第一区域和具有小于所述第一表面粗糙度的第二表面粗糙度的第二区域，以及

所述第二区域定位成比所述第一区域更靠外。

2.如权利要求1所述的显示装置，

其特征在于，所述第一区域的边缘位于坝构件的内表面上。

3.如权利要求1所述的显示装置，

其特征在于，所述第一区域与所述第二封装层重叠，并且所述第二区域与所述第二封装层不重叠。

4.如权利要求3所述的显示装置，

其特征在于，所述第一区域的边缘与所述第二封装层的所述边缘对齐。

5.如权利要求1所述的显示装置，

其特征在于，所述第一区域的厚度比所述第二区域的厚度小50埃至100埃。

6.如权利要求1所述的显示装置，

其特征在于，所述第一表面粗糙度比所述第二表面粗糙度大5纳米至10纳米。

7.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括：

第三封装层，所述第三封装层布置在所述第二封装层上，其中，所述第三封装层是无机材料，并且所述第三封装层的边缘定位成比所述第二封装层的所述边缘更靠外。

8.一种显示装置，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域；

多个像素，所述多个像素布置在所述显示区域中的所述衬底上；

第一坝构件，所述第一坝构件布置在所述非显示区域中的所述衬底上；

第一封装层，所述第一封装层覆盖所述多个像素和所述第一坝构件，其中，所述第一封装层的边缘位于所述第一坝构件的外侧；以及

第二封装层，所述第二封装层布置在所述第一封装层上并且覆盖所述多个像素，其中，所述第二封装层的边缘位于所述第一坝构件上，

其中，所述第一封装层包括跨所述显示区域和所述非显示区域布置的第一区域以及布置在所述第一区域的外侧的第二区域，

所述第一区域具有第一表面粗糙度，并且所述第二区域具有与所述第一表面粗糙度不同的第二表面粗糙度。

9.如权利要求8所述的显示装置，

其特征在于，所述第一区域与所述第二区域之间的边界与所述第一坝构件重叠，并且所述第一区域与所述第二区域之间的所述边界位于所述第一坝构件的内表面上。

10.如权利要求8所述的显示装置，

其特征在于，所述第一区域与所述第二封装层重叠，并且所述第二区域与所述第二封装层不重叠。

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