CN111864028B - 微型元件及其结构 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种微型元件及其结构，微型元件结构包括基板、至少一微型元件以及至少一固定结构。微型元件包括磊晶结构与外覆层。磊晶结构具有彼此相对的顶表面与底表面以及连接顶表面与底表面的周围表面。外覆层包括接触部与延伸部。接触部覆盖磊晶结构的周围表面与底表面。延伸部连接接触部且往远离周围表面的水平方向延伸。固定结构包括至少一连接部、至少一牺牲部以及至少一固定部。连接部配置于磊晶结构的顶表面与外覆层的延伸部上。牺牲部连接连接部与固定部。部分牺牲部接触延伸部而定义出预定断裂区。固定部连接牺牲部且延伸至基板上。

Description

微型元件及其结构

技术领域

本发明涉及一种半导体结构，尤其涉及一种微型元件及其结构。

背景技术

目前微型发光二极管的转移主要是通过静电力或磁力等方式，将暂时基板上的微型发光二极管转板至接收基板上。一般来说，微型发光二极管会通过固定结构来固持而使微型发光二极管较容易自暂时基板上拾取，并运输与转移至接收基板上放置，且通过固定结构来巩固微型发光二极管于转板时不会受到其他外在因素而影响品质。然而，由于固定结构与微型发光二极管周围表面的接触面的面积大小不易控制，因而使转移后的微型发光二极管周围表面仍残留有固定结构，进而影响转移后的微型发光二极管的出光。因此，如何在运输与转移微型发光二极管时避免固定结构残留在微型发光二极管的周围表面，已成为目前业界相当重视的课题之一。

发明内容

本发明提供一种微型元件结构，可使后续转移时的断点位于固定结构的牺牲部与外覆层的延伸部所定义出的预定断裂区内，以避免固定结构的牺牲部残留在转移后的微型元件的周围表面。

本发明提供一种微型元件，具有较佳的出光效果。

本发明的微型元件结构包括基板、至少一微型元件以及至少一固定结构。微型元件配置于基板上。微型元件包括磊晶结构与外覆层。磊晶结构具有彼此相对的顶表面与底表面以及连接顶表面与底表面的周围表面。外覆层包括接触部与延伸部。接触部覆盖磊晶结构的周围表面与底表面，而延伸部连接接触部且往远离周围表面的水平方向延伸。固定结构配置于基板上。固定结构包括至少一连接部、至少一牺牲部以及至少一固定部。连接部配置于磊晶结构的顶表面与外覆层的延伸部上，牺牲部连接连接部与固定部。部分牺牲部接触延伸部而定义出预定断裂区，而固定部连接牺牲部且延伸至基板上。

在本发明的一实施例中，上述的固定结构的牺牲部与外覆层的延伸部之间具有夹角，而夹角介于80度至120度之间。

在本发明的一实施例中，上述的固定结构的牺牲部垂直于外覆层的延伸部。

在本发明的一实施例中，上述的固定结构的牺牲部的延伸方向垂直于基板。

在本发明的一实施例中，上述的微型元件结构还包括至少一导光结构，配置于微型元件上。导光结构位于固定结构的连接部与磊晶结构的顶表面之间，以及位于固定结构的连接部与外覆层的延伸部之间。

在本发明的一实施例中，上述的外覆层于基板上的正投影面积与导光结构于基板上的正投影面积的比值大于等于0.8且小于等于1。

在本发明的一实施例中，上述的固定结构的第一厚度大于导光结构的第二厚度。

在本发明的一实施例中，上述的磊晶结构包括第一型半导体层、发光层与第二型半导体层。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一型半导体层具有顶表面。导光结构的面积大于顶表面的面积，且顶表面的面积与导光结构的面积的比值大于等于0.5且小于等于0.95。

在本发明的一实施例中，上述的导光结构与第一型半导体层的第一接触表面的粗糙度大于导光结构与固定结构的第二接触表面的粗糙度。

在本发明的一实施例中，上述的导光结构与第一型半导体层的第一接触表面的粗糙度大于导光结构与外覆层的延伸部的第二接触表面的粗糙度。

在本发明的一实施例中，上述的外覆层与磊晶结构的周围表面之间具有最小水平距离，且最小水平距离大于等于1微米。

在本发明的一实施例中，上述的外覆层的延伸部的表面切齐磊晶结构的顶表面。

在本发明的一实施例中，上述的磊晶结构于基板上的正投影面积与外覆层于基板上的正投影面积的比值大于等于0.5且小于等于0.95。

本发明的微型元件包括磊晶结构、外覆层以及第一导光结构。磊晶结构具有彼此相对的顶表面与底表面以及连接顶表面与底表面的周围表面。外覆层包括接触部与延伸部。接触部覆盖磊晶结构的周围表面与底表面，而延伸部连接接触部且往远离周围表面的水平方向延伸。第一导光结构配置于磊晶结构的顶表面与外覆层的延伸部上。第一导光结构于水平面上的正投影面积大于等于外覆层于水平面上的正投影面积。

在本发明的一实施例中，上述的微型元件还包括第二导光结构。第二导光结构配置于第一导光结构上，而第一导光结构位于磊晶结构与第二导光结构之间。第一导光结构的第一表面积大于第二导光结构的第二表面积。

在本发明的一实施例中，上述的第一导光结构具有第一厚度，而第二导光结构具有第二厚度，且第二厚度大于第一厚度。

在本发明的一实施例中，上述的磊晶结构包括第一型半导体层、发光层以及第二型半导体层。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一型半导体层具有顶表面。第一导光结构的面积大于顶表面的面积，且顶表面的面积与第一导光结构的面积的比值大于等于0.5且小于等于0.95。

在本发明的一实施例中，上述的第一导光结构与第一型半导体层的第一接触表面的粗糙度大于第一导光结构与第二导光结构的第二接触表面的粗糙度。

在本发明的一实施例中，上述的第一导光结构与第一型半导体层的第一接触表面的粗糙度大于第一导光结构与外覆层的延伸部的第三接触表面的粗糙度。

在本发明的一实施例中，上述的外覆层与磊晶结构的周围表面之间具有最小水平距离，且最小水平距离大于等于1微米。

在本发明的一实施例中，上述的外覆层于水平面上的正投影面积与第一导光结构于水平面上的正投影面积的比值大于等于0.8且小于等于1。

在本发明的一实施例中，上述的磊晶结构于水平面上的正投影面积与外覆层于水平面上的正投影面积的比值大于等于0.5且小于等于0.95。

基于上述，在本发明的微型元件结构中，微型元件结构的外覆层具有接触固定结构的牺牲部的延伸部，其中延伸部往远离微型元件的周围表面的水平方向延伸，且部分牺牲部接触与延伸部定义出预定断裂区。因此，在后续转移微型元件结构时，固定结构的断点会位于预定断裂区内，可以避免固定结构的牺牲部残留在转移后的微型元件的周围表面。藉此，可提高本发明的微型元件的发光效率。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1A示出为本发明一实施例的一种微型元件结构的剖面示意图；

图1B示出为本发明另一实施例的一种微型元件结构的剖面示意图；

图2A示出为本发明一实施例的一种微型元件的剖面示意图；

图2B示出为图2A的微型元件的俯视示意图；

图2C示出为本发明另一实施例的一种微型元件的剖面示意图；

图3A示出为本发明另一实施例的一种微型元件的剖面示意图；

图3B示出为图3A的微型元件的俯视示意图。

附图标记说明

100：微型元件结构

110：基板

120、220：微型元件

121、221：磊晶结构

121a、221a：顶表面

121b、221b：底表面

121c、221c：周围表面

1211、2211：第一型半导体层

1212、2212：发光层

1213、2213：第二型半导体层

122、222：外覆层

122a、222a：接触部

122b、222b：延伸部

122c、222c：表面

123、223：第一型电极

124、224：第二型电极

130：固定结构

131：连接部

132：牺牲部

133：固定部

140、140’：导光结构

141、142、143、241、242、243：接触表面

230、230a：第二导光结构

240、240’：第一导光结构

A：夹角

D1、D2：最小水平距离

H：水平方向

H1、H2、H3、H4：厚度

P：水平面

R：预定断裂区

具体实施方式

本发明的实施例描述微型元件(例如微型发光二极管(Micro LED))的结构，使之准备好拾取及转移到接收基板。接收基板可例如为显示基板、发光基板、具诸如晶体管或集成电路(ICs)等功能元件的基板或具其他具线路的基板，但不以此为限。虽然本发明的一些实施例特定于描述包含p-n二极管的微型发光二极管，但应理解本发明的实施例不限于此，某些实施例亦可应用到其他微型元件，该等微型元件依此一方式设计成控制执行预定电子功能(例如二极管、晶体管、集成电路)或光子功能(LED、激光)。

图1A示出为本发明一实施例的一种微型元件结构的剖面示意图。请参照图1A，本实施例的微型元件结构100包括基板110、至少一微型元件120(图1A中示意地示出一个)以及至少一固定结构130(图1A中示意地示出一个)。微型元件120配置于基板110上。微型元件120包括磊晶结构121与外覆层122，其中磊晶结构121具有彼此相对的顶表面121a与底表面121b以及连接顶表面121a与底表面121b的周围表面121c。外覆层122包括接触部122a与延伸部122b。接触部122a覆盖磊晶结构121的周围表面121c与底表面121b，而延伸部122b连接接触部122a且往远离周围表面121c的水平方向H延伸。固定结构130配置于基板110上。固定结构130包括至少一连接部131(图1A中示意地示出一个)、至少一牺牲部132(图1A中示意地示出一个)以及至少一固定部133(图1A中示意地示出一个)。连接部131配置于磊晶结构121的顶表面121a与外覆层122上，而牺牲部132连接连接部131与固定部133。特别是，部分牺牲部132接触延伸部122b而定义出预定断裂区R。固定部133连接牺牲部132且延伸至基板110上。此处，固定部133可以直接触基板110而具更佳的抓地力，或是通过一缓冲层(未示出)连接基板110而具更佳的缓冲功能。

进一步来说，本实施例的基板110例如是一塑胶基板、一玻璃基板或一蓝宝石基板等的暂时基板，但不以此为限。微型元件120例如是一微型发光二极管，其中微型元件120的一最大尺寸小于等于100微米，厚度小于等于15微米，后续可以转移整合及组装到异质整合系统，包括微型显示器至大面积显示器等任何尺寸的基板，但不以此为限。在本实施例中，微型元件120的磊晶结构121包括第一型半导体层1211、发光层1212以及第二型半导体层1213。发光层1212位于第一型半导体层1211与第二型半导体层1213之间，且第一型半导体层1211位于固定结构130的连接部131与发光层1212之间。第一型半导体层1211具有顶表面121a，而第二型半导体层1213具有底表面121b。再者，本实施例的微型元件120还包括第一型电极123与第二型电极124。第一型电极123与第二型电极124位于磊晶结构121的底表面121b上，且固定结构130相对远离第一型电极123与第二型电极124，避免固定结构130影响第一型电极123与第二型电极124。换言之，本实施例的微型元件120具体化为覆晶式微型元件，但并不以此为限。

再者，本实施例的外覆层122的接触部122a覆盖磊晶结构121的周围表面121c与底表面121b。此处，外覆层122可具有反射的功能，可反射磊晶结构121的发光层1212所发出的光，以提高出光效率。在一实施例中，外覆层122可例如是分散式布拉格反射镜(Distributed Bragg Reflector，DBR)，但不以此为限。外覆层122亦可具有保护绝缘的功能，在一实施例中，外覆层122的材料可例如是二氧化硅或氮化硅，但不以此为限。如图1A所示，本实施例的外覆层122的延伸部122b连接接触部122a且往远离磊晶结构121的周围表面121c的水平方向H延伸。通过外覆层122的延伸部122b的设计来隔开固定结构130与磊晶结构121，而使固定结构130的牺牲部132及固定部133不接触微型元件120的磊晶结构121。

更具体来说，请继续参照图1A，在本实施例中，固定结构130的牺牲部132与外覆层122的延伸部122b之间具有夹角A，较佳地，夹角A例如是介于80度至120度之间。当夹角A小于80度时，固定结构130的牺牲部132会过度接近接触外覆层122的接触部122a而造成后续转移的困难度。当夹角A大于120度时，固定结构130的牺牲部132会过度远离外覆层122的接触部122a而可能使支撑力不够。在一实施例中，固定结构130的牺牲部132亦可垂直于外覆层122的延伸部122b。在另一实施例中，固定结构130的牺牲部132的延伸方向也可垂直于基板110，可使固定结构130于基板110上较紧密排列，以增加微型元件120的排列密度。此处，外覆层122的延伸部122b连接固定结构130的牺牲部132的一端至磊晶结构121的周围表面121c之间具有一最小水平距离D1。较佳地，最小水平距离D1例如是大于等于1微米，可使固定结构130的牺牲部132不会太过接近磊晶结构121，避免后续转移后的残留。此外，外覆层122的延伸部122b的表面122c切齐磊晶结构121的顶表面121a。也就是说，外覆层122的延伸部122b的延伸方向H与磊晶结构121的顶表面121a的延伸方向平行且相同。

请再参考图1A，本实施例的磊晶结构121于基板110上的正投影完全重叠于外覆层122于基板110上的正投影。磊晶结构121于基板110上的正投影面积小于外覆层122于基板110上的正投影面积。较佳地，磊晶结构121于基板110上的正投影面积与外覆层122于基板110上的正投影面积的比值大于等于0.5且小于等于0.95。通过外覆层122的正投影面积大于磊晶结构121的正投影面积，来使固定结构130的牺牲部132与固定部133不接触微型元件120的磊晶结构121。

为了更进一步提高发光效率，本实施例的微型元件结构100还包括至少一导光结构140(图1A中示意地示出一个)，其中导光结构140配置于微型元件120上，且覆盖磊晶结构121的顶表面121a以及外覆层122的延伸部122b。更具体来说，导光结构140位于固定结构130的连接部131与磊晶结构121的顶表面121a之间，以及位于固定结构130的连接部131与外覆层122的延伸部122b之间。此处，如图1A所示，导光结构140直接接触固定结构130的连接部131、磊晶结构121的顶表面121a及外覆层122的延伸部122b。特别是，固定结构130的厚度H1大于导光结构140的厚度H2，可具有较佳的固定力。外覆层122于基板110上的正投影面积与导光结构140于基板110上的正投影面积的比值例如是大于等于0.8且小于等于1。换言之，通过外覆层122的延伸部122b的设计，使得一般因微型元件过小而无法在微型元件的磊晶结构的顶表面上配置整面的导光结构140，本发明的导光结构140于基板110上的正投影面积大于磊晶结构121于基板110上的正投影面积，可具有较佳的导光效果。较佳地，磊晶结构121的顶表面121a的面积与导光结构140的面积的比值例如是大于等于0.5且小于等于0.95。当比值小于0.5时，导光结构140占据的空间太大而影响后续转移良率。当比值大于0.95时，则会让导光结构140配置于磊晶结构121的顶表面121a的制程裕度过小而易偏移，无法全面配置。

简言之，在本实施例的微型元件结构100中，固定结构130仅有部分牺牲部132与微型元件120的外覆层122的延伸部122b接触。也就是说，固定结构130不接触微型元件120的磊晶结构121。因此，当微型元件结构100中的微型元件120从基板110上拾取并运输与转移时，拾取微型元件120的力会使固定结构130从牺牲部132与延伸部122b定义出的预定断裂区R发生断裂，而使微型元件120与固定结构130的牺牲部132及固定部133分离。藉此，可避免固定结构130的牺牲部132残留在微型元件120的周围表面121c上而影响出光并造成转移时的缺陷。此外，留在拾取、转移后的微型元件120上的固定结构130的连接部131可视为是一种导光结构，可提高微型元件120的出光效率。

图1B示出为本发明一实施例的另一种微型元件的剖面示意图。请同时参照图1A与图1B，本实施例的导光结构140’与第一型半导体层1211的接触表面141的粗糙度大于导光结构140’与固定结构130的接触表面142的粗糙度。导光结构140’与第一型半导体层1211的接触表面141的粗糙度也大于导光结构140’与外围层122的延伸部122b的接触表面143的粗糙度。此处，所指的粗糙度是中心线平均粗糙度(Ra，arithmetical mean deviation)。也就是说，导光结构140’在面向微型元件120一侧的中央区域(即第一型半导体层1211所在之处)的粗糙度大于环绕中央区域的周围区域(即外覆层122的延伸部122b所在之处)的粗糙度，可以更进一步提高出光效率，特别是中央区域的出光率以增加正向光。

图2A示出为本发明一实施例的一种微型元件的剖面示意图。图2B示出为图2A的微型元件的俯视示意图，其中图2B的微型元件是沿图2A的线Ⅰ-Ⅰ’所示出。请同时参照图2A与图2B，本实施例的微型元件220包括磊晶结构221、外覆层222、第一导光结构240以及第二导光结构230。磊晶结构221具有彼此相对的顶表面221a与底表面221b以及连接顶表面221a与底表面221b的周围表面221c。外覆层222包括接触部222a与延伸部222b。接触部222a覆盖磊晶结构221的周围表面221c与底表面221b，而延伸部222b连接接触部222a且往远离周围表面221c的水平方向H延伸。第一导光结构240配置于磊晶结构221的顶表面221a与外覆层222的延伸部222b上。第二导光结构230配置于第一导光结构240上，而第一导光结构240位于磊晶结构221与第二导光结构230之间。较佳地，第一导光结构240的表面积大于第二导光结构230的表面积，且第一导光结构240于水平面P上的正投影面积大于外覆层222于水平面P上的正投影面积。

具体来说，在本实施例中，磊晶结构221包括第一型半导体层2211、发光层2212以及第二型半导体层2213。发光层2212位于第一型半导体层2211与第二型半导体层2213之间，且第一型半导体层2211位于第一导光结构240与发光层2212之间。第一型半导体层2211具有顶表面221a，而第二型半导体层2213具有底表面221b。再者，本实施例的微型元件220还包括第一型电极223与第二型电极224。第一型电极223与第二型电极224位于磊晶结构221的底表面221b上，且第一导光结构240与第二导光结构230相对远离第一型电极223与第二型电极224，避免影响第一型电极223与第二型电极224。换言之，本实施例的微型元件220具体化为覆晶式微型元件，但并不以此为限。

再者，本实施例的外覆层222的接触部222a覆盖磊晶结构221的周围表面221c与底表面221b。此处，外覆层222可具有反射的功能，可反射磊晶结构221的发光层2212所发出的光，以提高出光效率。于一实施例中，外覆层222可例如是分散式布拉格反射镜(Distributed Bragg Reflector，DBR)，但不以此为限。外覆层222亦可具有保护绝缘的功能，在另一实施例中，外覆层222的材料可例如是二氧化硅或氮化硅，但不以此为限。外覆层222的延伸部222b连接接触部222a且往远离磊晶结构221的周围表面221c的水平方向H延伸。此处，外覆层222的延伸部222b相对远离磊晶结构221的周围表面221c的一端至周围表面221c之间具有一最小水平距离D2，较佳地，最小水平距离D2例如是大于等于1微米。此外，外覆层222的延伸部222b的表面222c切齐磊晶结构221的顶表面221a，也就是说，外覆层222的延伸部222b的延伸方向H与磊晶结构221的顶表面221a的延伸方向平行且相同。

请再同时参照图2A与图2B，本实施例的磊晶结构221于水平面P上的正投影完全重叠于外覆层222于水平面P上的正投影内。也就是说，磊晶结构221于水平面P上的正投影面积小于外覆层222于水平面P上的正投影面积。较佳地，磊晶结构221于水平面P上的正投影面积与外覆层222于水平面P上的正投影面积的比值大于等于0.5且小于等于0.95。再者，外覆层222于水平面P上的正投影面积小于等于第一导光结构240于水平面P上的正投影面积。较佳地，外覆层222于水平面P上的正投影面积与第一导光结构240于水平面P上的正投影面积的比值例如是大于等于0.8且小于等于1。

更具体来说，本实施例的第一导光结构240的面积大于顶表面221a的面积，且顶表面221a的面积与第一导光结构240的面积的比值例如是大于等于0.5且小于等于0.95。当比值小于0.5时，会使第一导光结构240占据的空间太大而影响后续转移的良率。当比值大于0.95时，则会让第一导光结构240配置于顶表面221a的制程裕度过小而易偏移，无法全面配置。换言之，通过外覆层222的延伸部222b的设计，相较于一般因微型元件过小而无法在微型元件上配置整面的导光结构，本发明的第一导光结构240于水平面P上的正投影面积大于磊晶结构221于水平面P上的正投影面积，可具有较佳的导光效果。再者，本实施例的第二导光结构230的厚度H3大于第一导光结构240的厚度H4，通过厚度不同可以增加出光。第二导光结构230的面积小于顶表面221a的面积，其中第二导光结构230的面积与顶表面221a的面积的比值例如是大于等于0.5且小于等于0.95。再者，第二导光结构230配置于顶表面221a的中央区域，通过此种设计可以增加中央区域的正向出光。

此外，为了提高导光效率，如图2C所示，本实施例的第一导光结构240’与第一型半导体层2211的接触表面241的粗糙度大于第一导光结构240’与第二导光结构230的接触表面242的粗糙度。第一导光结构240’与第一型半导体层2211的接触表面241的粗糙度也大于第一导光结构240’与外覆层222的延伸部222b的接触表面243的粗糙度。此处，所指的粗糙度是中心线平均粗糙度(Ra，arithmetical mean deviation)。也就是说，第一导光结构240’在面向磊晶结构221一侧的中央区域(即第一型半导体层2211所在之处)的粗糙度大于环绕中央区域的周围区域(即外覆层222的延伸部222b所在之处)的粗糙度，可以更进一步提高出光效率，特别是中央区域的出光率以增加正向光。

需要说明的是，在本实施例的微型元件220中，第二导光结构230的配置位置与图1A中的微型元件结构100的固定结构130的连接部131相似。在对图1A的微型元件结构100中的微型元件120进行转移时，固定结构130的断点会落在预定断裂区R，而留在拾取、转移后的微型元件120上的固定结构130的连接部131可视为是图2A的微型元件220中的第二导光结构230，可用来提升微型元件220的出光效率。

在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参照前述实施例，下述实施例不再重复赘述。

图3A示出为本发明另一实施例的一种微型元件的剖面示意图。图3B示出为图3A的微型元件的俯视示意图，其中图3B的微型元件是沿图3A的线Ⅱ-Ⅱ’所示出。请同时参照图2A、图2B、图3A及图3B，本实施例的微型元件220a与图2A的微型元件220相似，两者的差异在于：本实施例的第二导光结构230a仅配置于第一导光结构240’上的其中一对角的角落。也就是说，第二导光结构230a主要是设置在周围区域(即外覆层222的延伸部222b所在之处)及局部中央区域(即第一型半导体层2211所在之处)中。藉此控制后续拾取的制程良率。

综上所述，在本发明的微型元件结构中，微型元件结构的外覆层具有接触固定结构的牺牲部的延伸部，其中延伸部往远离微型元件的周围表面的水平方向延伸，且部分牺牲部接触与延伸部定义出预定断裂区。因此，在后续转移微型元件结构时，固定结构的断点会位于预定断裂区内，可以避免固定结构的牺牲部残留在转移后的微型元件的周围表面。藉此，可提高本发明的微型元件的发光效率。

虽然本发明已以实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更改与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求所界定的为准。

Claims (23)

1.一种微型元件结构，其特征在于，包括：

基板；

至少一微型元件，配置于所述基板上，所述微型元件包括磊晶结构与外覆层，所述磊晶结构具有彼此相对的顶表面与底表面以及连接所述顶表面与所述底表面的周围表面，而所述外覆层包括接触部与延伸部，所述接触部覆盖所述磊晶结构的所述周围表面与所述底表面，而所述延伸部连接所述接触部且往远离所述周围表面的水平方向延伸；以及

至少一固定结构，配置于所述基板上，所述至少一固定结构包括至少一连接部、至少一牺牲部以及至少一固定部，所述至少一连接部配置于所述磊晶结构的所述顶表面与所述外覆层的所述延伸部上，所述至少一牺牲部连接所述至少一连接部与所述至少一固定部，且部分所述至少一牺牲部接触所述延伸部而定义出预定断裂区，而所述至少一固定部连接所述至少一牺牲部且延伸至所述基板上。

2.根据权利要求1所述的微型元件结构，其特征在于，所述至少一固定结构的所述至少一牺牲部与所述外覆层的所述延伸部之间具有夹角，而所述夹角介于80度至120度之间。

3.根据权利要求2所述的微型元件结构，其特征在于，所述至少一固定结构的所述至少一牺牲部垂直于所述外覆层的所述延伸部。

4.根据权利要求2所述的微型元件结构，其特征在于，所述至少一固定结构的所述至少一牺牲部的延伸方向垂直于所述基板。

5.根据权利要求1所述的微型元件结构，其特征在于，还包括：

至少一导光结构，配置于所述微型元件上，且位于所述至少一固定结构的所述至少一连接部与所述磊晶结构的所述顶表面之间，以及位于所述至少一固定结构的所述至少一连接部与所述外覆层的所述延伸部之间。

6.根据权利要求5所述的微型元件结构，其特征在于，所述外覆层于所述基板上的正投影面积与所述至少一导光结构于所述基板上的正投影面积的比值大于等于0.8且小于等于1。

7.根据权利要求5所述的微型元件结构，其特征在于，所述至少一固定结构的第一厚度大于所述至少一导光结构的第二厚度。

8.根据权利要求5所述的微型元件结构，其特征在于，所述磊晶结构包括第一型半导体层、发光层与第二型半导体层，所述发光层位于所述第一型半导体层与所述第二型半导体层之间，所述第一型半导体层具有所述顶表面，所述至少一导光结构的面积大于所述顶表面的面积，且所述顶表面的面积与所述至少一导光结构的面积的比值大于等于0.5且小于等于0.95。

9.根据权利要求8所述的微型元件结构，其特征在于，所述至少一导光结构与所述第一型半导体层的第一接触表面的粗糙度大于所述至少一导光结构与所述至少一固定结构的第二接触表面的粗糙度。

10.根据权利要求8所述的微型元件结构，其特征在于，所述至少一导光结构与所述第一型半导体层的第一接触表面的粗糙度大于所述至少一导光结构与所述外覆层的所述延伸部的第二接触表面的粗糙度。

11.根据权利要求1所述的微型元件结构，其特征在于，所述外覆层的所述延伸部连接所述至少一固定结构的所述至少一牺牲部的一端至与所述磊晶结构的所述周围表面之间具有最小水平距离，且所述最小水平距离大于等于1微米。

12.根据权利要求1所述的微型元件结构，其特征在于，所述外覆层的所述延伸部的表面切齐所述磊晶结构的所述顶表面。

13.根据权利要求1所述的微型元件结构，其特征在于，所述磊晶结构于所述基板上的正投影面积与所述外覆层于所述基板上的正投影面积的比值大于等于0.5且小于等于0.95。

14.一种微型元件，其特征在于，包括：

磊晶结构，具有彼此相对的顶表面与底表面以及连接所述顶表面与所述底表面的周围表面；

外覆层，包括接触部与延伸部，所述接触部覆盖所述磊晶结构的所述周围表面与所述底表面，而所述延伸部连接所述接触部且往远离所述周围表面的水平方向延伸；以及

第一导光结构，配置于所述磊晶结构的所述顶表面与所述外覆层的所述延伸部上，其中所述第一导光结构于水平面上的正投影面积大于等于所述外覆层于所述水平面上的正投影面积；以及

第二导光结构，配置于所述磊晶结构的所述顶表面的中央区域，其中所述第一导光结构的第一表面积大于所述第二导光结构的第二表面积，且所述第一导光结构的最大距离与所述第二导光结构的最大距离分别大于所述磊晶结构的最大距离。

15.根据权利要求14所述的微型元件，其特征在于，所述第二导光结构配置于所述第一导光结构上，而所述第一导光结构位于所述磊晶结构与所述第二导光结构之间。

16.根据权利要求15所述的微型元件，其特征在于，所述第一导光结构具有第一厚度，而所述第二导光结构具有第二厚度，且所述第二厚度大于所述第一厚度。

17.根据权利要求15所述的微型元件，其特征在于，所述磊晶结构包括第一型半导体层、发光层以及第二型半导体层，所述发光层位于所述第一型半导体层与所述第二型半导体层之间，所述第一型半导体层具有所述顶表面，且所述第一导光结构的面积大于所述顶表面的面积，且所述顶表面的面积与所述第一导光结构的面积的比值大于等于0.5且小于等于0.95。

18.根据权利要求17所述的微型元件，其特征在于，所述第一导光结构与所述第一型半导体层的第一接触表面的粗糙度大于所述第一导光结构与所述第二导光结构的第二接触表面的粗糙度。

19.根据权利要求17所述的微型元件，其特征在于，所述第一导光结构与所述第一型半导体层的第一接触表面的粗糙度大于所述第一导光结构与所述外覆层的所述延伸部的第二接触表面的粗糙度。

20.根据权利要求14所述的微型元件，其特征在于，所述外覆层的所述延伸部相对远离所述磊晶结构的所述周围表面的一端至所述周围表面之间具有最小水平距离，且所述最小水平距离大于等于1微米。

21.根据权利要求14所述的微型元件，其特征在于，所述外覆层于所述水平面上的正投影面积与所述第一导光结构于所述水平面上的正投影面积的比值大于等于0.8且小于等于1。

22.根据权利要求14所述的微型元件，其特征在于，所述磊晶结构于所述水平面上的正投影面积与所述外覆层于所述水平面上的正投影面积的比值大于等于0.5且小于等于0.95。

23.根据权利要求14所述的微型元件，其特征在于，所述外覆层的所述延伸部的表面切齐于所述磊晶结构的所述顶表面。

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