TW202040838A - 微型元件及其結構 - Google Patents

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Abstract

一種微型元件結構，包括基板、至少一微型元件以及至少一固定結構。微型元件包括磊晶結構與外覆層。磊晶結構具有彼此相對的頂表面與底表面以及連接頂表面與底表面的周圍表面。外覆層包括接觸部與延伸部。接觸部覆蓋磊晶結構的周圍表面與底表面。延伸部連接接觸部且往遠離周圍表面的水平方向延伸。固定結構包括至少一連接部、至少一犧牲部以及至少一固定部。連接部配置於磊晶結構的頂表面與外覆層的延伸部上。犧牲部連接連接部與固定部。部分犧牲部接觸延伸部而定義出預定斷裂區。固定部連接犧牲部且延伸至基板上。

Description

微型元件及其結構
本發明是有關於一種半導體結構，且特別是有關於一種微型元件及其結構。
目前微型發光二極體的轉移主要是透過靜電力或磁力等方式，將暫時基板上的微型發光二極體轉板至接收基板上。一般來說，微型發光二極體會透過固定結構來固持而使微型發光二極體較容易自暫時基板上拾取，並運輸與轉移至接收基板上放置，且藉由固定結構來鞏固微型發光二極體於轉板時不會受到其他外在因素而影響品質。然而，由於固定結構與微型發光二極體周圍表面之接觸面的面積大小不易控制，因而使轉移後的微型發光二極體周圍表面仍殘留有固定結構，進而影響轉移後的微型發光二極體的出光。因此，如何在運輸與轉移微型發光二極體時避免固定結構殘留在微型發光二極體的周圍表面，已成為目前業界相當重視的課題之一。
本發明提供一種微型元件結構，可使後續轉移時的斷點位於固定結構的犧牲部與外覆層的延伸部所定義出的預定斷裂區內，以避免固定結構的犧牲部殘留在轉移後的微型元件的周圍表面。
本發明提供一種微型元件，具有較佳的出光效果。
本發明的微型元件結構包括基板、至少一微型元件以及至少一固定結構。微型元件配置於基板上。微型元件包括磊晶結構與外覆層。磊晶結構具有彼此相對的頂表面與底表面以及連接頂表面與底表面的周圍表面。外覆層包括接觸部與延伸部。接觸部覆蓋磊晶結構的周圍表面與底表面，而延伸部連接接觸部且往遠離周圍表面的水平方向延伸。固定結構配置於基板上。固定結構包括至少一連接部、至少一犧牲部以及至少一固定部。連接部配置於磊晶結構的頂表面與外覆層的延伸部上，犧牲部連接連接部與固定部。部分犧牲部接觸延伸部而定義出預定斷裂區，而固定部連接犧牲部且延伸至基板上。
在本發明的一實施例中，上述的固定結構的犧牲部與外覆層的延伸部之間具有夾角，而夾角介於80度至120度之間。
在本發明的一實施例中，上述的固定結構的犧牲部垂直於外覆層的延伸部。
在本發明的一實施例中，上述的固定結構的犧牲部的延伸方向垂直於基板。
在本發明的一實施例中，上述的微型元件結構更包括至少一導光結構，配置於微型元件上。導光結構位於固定結構的連接部與磊晶結構的頂表面之間，以及位於固定結構的連接部與外覆層的延伸部之間。
在本發明的一實施例中，上述的外覆層於基板上的正投影面積與導光結構於基板上的正投影面積的比值大於等於0.8且小於等於1。
在本發明的一實施例中，上述的固定結構的第一厚度大於導光結構的第二厚度。
在本發明的一實施例中，上述的磊晶結構包括第一型半導體層、發光層與第二型半導體層。發光層位於第一型半導體層與第二型半導體層之間。第一型半導體層具有頂表面。導光結構的面積大於頂表面的面積，且頂表面的面積與導光結構的面積的比值大於等於0.5且小於等於0.95。
在本發明的一實施例中，上述的導光結構與第一型半導體層的第一接觸表面的粗糙度大於導光結構與固定結構的第二接觸表面的粗糙度。
在本發明的一實施例中，上述的導光結構與第一型半導體層的第一接觸表面的粗糙度大於導光結構與外覆層的延伸部的第二接觸表面的粗糙度。
在本發明的一實施例中，上述的外覆層與磊晶結構的周圍表面之間具有最小水平距離，且最小水平距離大於等於1微米。
在本發明的一實施例中，上述的外覆層的延伸部的表面切齊磊晶結構的頂表面。
在本發明的一實施例中，上述的磊晶結構於基板上的正投影面積與外覆層於基板上的正投影面積的比值大於等於0.5且小於等於0.95。
本發明的微型元件包括磊晶結構、外覆層以及第一導光結構。磊晶結構具有彼此相對的頂表面與底表面以及連接頂表面與底表面的周圍表面。外覆層包括接觸部與延伸部。接觸部覆蓋磊晶結構的周圍表面與底表面，而延伸部連接接觸部且往遠離周圍表面的水平方向延伸。第一導光結構配置於磊晶結構的頂表面與外覆層的延伸部上。第一導光結構於水平面上的正投影面積大於等於外覆層於水平面上的正投影面積。
在本發明的一實施例中，上述的微型元件更包括第二導光結構。第二導光結構配置於第一導光結構上，而第一導光結構位於磊晶結構與第二導光結構之間。第一導光結構的第一表面積大於第二導光結構的第二表面積。
在本發明的一實施例中，上述的第一導光結構具有第一厚度，而第二導光結構具有第二厚度，且第二厚度大於第一厚度。
在本發明的一實施例中，上述的磊晶結構包括第一型半導體層、發光層以及第二型半導體層。發光層位於第一型半導體層與第二型半導體層之間。第一型半導體層具有頂表面。第一導光結構的面積大於頂表面的面積，且頂表面的面積與第一導光結構的面積的比值大於等於0.5且小於等於0.95。
在本發明的一實施例中，上述的第一導光結構與第一型半導體層的第一接觸表面的粗糙度大於第一導光結構與第二導光結構的第二接觸表面的粗糙度。
在本發明的一實施例中，上述的第一導光結構與第一型半導體層的第一接觸表面的粗糙度大於第一導光結構與外覆層的延伸部的第三接觸表面的粗糙度。
在本發明的一實施例中，上述的外覆層與磊晶結構的周圍表面之間具有最小水平距離，且最小水平距離大於等於1微米。
在本發明的一實施例中，上述的外覆層於水平面上的正投影面積與第一導光結構於水平面上的正投影面積的比值大於等於0.8且小於等於1。
在本發明的一實施例中，上述的磊晶結構於水平面上的正投影面積與外覆層於水平面上的正投影面積的比值大於等於0.5且小於等於0.95。
基於上述，在本發明的微型元件結構中，微型元件結構的外覆層具有接觸固定結構的犧牲部的延伸部，其中延伸部往遠離微型元件的周圍表面的水平方向延伸，且部分犧牲部接觸與延伸部定義出預定斷裂區。因此，在後續轉移微型元件結構時，固定結構的斷點會位於預定斷裂區內，可以避免固定結構的犧牲部殘留在轉移後的微型元件的周圍表面。藉此，可提高本發明的微型元件的發光效率。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
本發明的實施例描述微型元件（例如微型發光二極體（Micro LED））的結構，使之準備好拾取及轉移到接收基板。接收基板可例如為顯示基板、發光基板、具諸如電晶體或積體電路（ICs）等功能元件的基板或具其他具線路的基板，但不以此為限。雖然本發明的一些實施例特定於描述包含p-n二極體的微型發光二極體，但應理解本發明的實施例不限於此，某些實施例亦可應用到其他微型元件，該等微型元件依此一方式設計成控制執行預定電子功能（例如二極體、電晶體、積體電路）或光子功能（LED、雷射）。
圖1A繪示為本發明一實施例的一種微型元件結構的剖面示意圖。請參照圖1A，本實施例的微型元件結構100包括基板110、至少一微型元件120（圖1 A中示意地繪示一個）以及至少一固定結構130（圖1 A中示意地繪示一個）。微型元件120配置於基板110上。微型元件120包括磊晶結構121與外覆層122，其中磊晶結構121具有彼此相對的頂表面121a與底表面121b以及連接頂表面121a與底表面121b的周圍表面121c。外覆層122包括接觸部122a與延伸部122b。接觸部122a覆蓋磊晶結構121的周圍表面121c與底表面121b，而延伸部122b連接接觸部122a且往遠離周圍表面121c的水平方向H延伸。固定結構130配置於基板110上。固定結構130包括至少一連接部131（圖1 A中示意地繪示一個）、至少一犧牲部132（圖1 A中示意地繪示一個）以及至少一固定部133（圖1 A中示意地繪示一個）。連接部131配置於磊晶結構121的頂表面121a與外覆層122上，而犧牲部132連接連接部131與固定部133。特別是，部分犧牲部132接觸延伸部122b而定義出預定斷裂區R。固定部133連接犧牲部132且延伸至基板110上。此處，固定部133可以直接觸基板110而具更佳的抓地力，或是透過一緩衝層(未繪示)連接基板110而具更佳的緩衝功能。
進一步來說，本實施例的基板110例如是一塑膠基板、一玻璃基板或一藍寶石基板等的暫時基板，但不以此為限。微型元件120例如是一微型發光二極體，其中微型元件120的一最大尺寸小於等於100微米，厚度小於等於15微米，後續可以轉移整合及組裝到異質整合系統，包括微型顯示器至大面積顯示器等任何尺寸的基板，但不以此為限。在本實施例中，微型元件120的磊晶結構121包括第一型半導體層1211、發光層1212以及第二型半導體層1213。發光層1212位於第一型半導體層1211與第二型半導體層1213之間，且第一型半導體層1211位於固定結構130的連接部131與發光層1212之間。第一型半導體層1211具有頂表面121a，而第二型半導體層1213具有底表面121b。再者，本實施例的微型元件120更包括第一型電極123與第二型電極124。第一型電極123與第二型電極124位於磊晶結構121的底表面121b上，且固定結構130相對遠離第一型電極123與第二型電極124，避免固定結構130影響第一型電極123與第二型電極124。換言之，本實施例的微型元件120具體化為覆晶式微型元件，但並不以此為限。
再者，本實施例的外覆層122的接觸部122a覆蓋磊晶結構121的周圍表面121c與底表面121b。此處，外覆層122可具有反射的功能，可反射磊晶結構121的發光層1212所發出的光，以提高出光效率。在一實施例中，外覆層122可例如是分散式布拉格反射鏡（Distributed Bragg Reflector，DBR），但不以此為限。外覆層122亦可具有保護絕緣的功能，在一實施例中，外覆層122的材料可例如是二氧化矽或氮化矽，但不以此為限。如圖1 A所示，本實施例的外覆層122的延伸部122b連接接觸部122a且往遠離磊晶結構121的周圍表面121c的水平方向H延伸。藉由外覆層122的延伸部122b的設計來隔開固定結構130與磊晶結構121，而使固定結構130的犧牲部132及固定部133不接觸微型元件120的磊晶結構121。
更具體來說，請繼續參照圖1 A，在本實施例中，固定結構130的犧牲部132與外覆層122的延伸部122b之間具有夾角A，較佳地，夾角A例如是介於80度至120度之間。當夾角A小於80度時，固定結構130的犧牲部132會過度接近接觸外覆層122的接觸部122a而造成後續轉移的困難度。當夾角A大於120度時，固定結構130的犧牲部132會過度遠離外覆層122的接觸部122a而可能使支撐力不夠。在一實施例中，固定結構130的犧牲部132亦可垂直於外覆層122的延伸部122b。在另一實施例中，固定結構130的犧牲部132的延伸方向也可垂直於基板110，可使固定結構130於基板110上較緊密排列，以增加微型元件120的排列密度。此處，外覆層122的延伸部122b連接固定結構130的犧牲部132的一端至磊晶結構121的周圍表面121c之間具有一最小水平距離D1。較佳地，最小水平距離D1例如是大於等於1微米，可使固定結構130的犧牲部132不會太過接近磊晶結構121，避免後續轉移後的殘留。此外，外覆層122的延伸部122b的表面122c切齊磊晶結構121的頂表面121a。也就是說，外覆層122的延伸部122b的延伸方向H與磊晶結構121的頂表面121a的延伸方向平行且相同。
請再參考圖1 A，本實施例的磊晶結構121於基板110上的正投影完全重疊於外覆層122於基板110上的正投影。磊晶結構121於基板110上的正投影面積小於外覆層122於基板110上的正投影面積。較佳地，磊晶結構121於基板110上的正投影面積與外覆層122於基板110上的正投影面積的比值大於等於0.5且小於等於0.95。透過外覆層122的正投影面積大於磊晶結構121的正投影面積，來使固定結構130的犧牲部132與固定部133不接觸微型元件120的磊晶結構121。
為了更進一步提高發光效率，本實施例的微型元件結構100更包括至少一導光結構140（圖1 A中示意地繪示一個），其中導光結構140配置於微型元件120上，且覆蓋磊晶結構121的頂表面121a以及外覆層122的延伸部122b。更具體來說，導光結構140位於固定結構130的連接部131與磊晶結構121的頂表面121a之間，以及位於固定結構130的連接部131與外覆層122的延伸部122b之間。此處，如圖1A所示，導光結構140直接接觸固定結構130的連接部131、磊晶結構121的頂表面121a及外覆層122的延伸部122b。特別是，固定結構130的厚度H1大於導光結構140的厚度H2，可具有較佳的固定力。外覆層122於基板110上的正投影面積與導光結構140於基板110上的正投影面積的比值例如是大於等於0.8且小於等於1。換言之，透過外覆層122的延伸部122b的設計，使得一般因微型元件過小而無法在微型元件的磊晶結構的頂表面上配置整面的導光結構140，本發明的導光結構140於基板110上的正投影面積大於磊晶結構121於基板110上的正投影面積，可具有較佳的導光效果。較佳地，磊晶結構121的頂表面121a的面積與導光結構140的面積的比值例如是大於等於0.5且小於等於0.95。當比值小於0.5時，導光結構140佔據的空間太大而影響後續轉移良率。當比值大於0.95時，則會讓導光結構140配置於磊晶結構121的頂表面121a的製程裕度過小而易偏移，無法全面配置。
簡言之，在本實施例的微型元件結構100中，固定結構130僅有部分犧牲部132與微型元件120的外覆層122的延伸部122b接觸。也就是說，固定結構130不接觸微型元件120的磊晶結構121。因此，當微型元件結構100中的微型元件120從基板110上拾取並運輸與轉移時，拾取微型元件120的力會使固定結構130從犧牲部132與延伸部122b定義出的預定斷裂區R發生斷裂，而使微型元件120與固定結構130的犧牲部132及固定部133分離。藉此，可避免固定結構130的犧牲部132殘留在微型元件120的周圍表面121c上而影響出光並造成轉移時的缺陷。此外，留在拾取、轉移後的微型元件120上的固定結構130的連接部131可視為是一種導光結構，可提高微型元件120的出光效率。
圖1B繪示為本發明一實施例的另一種微型元件的剖面示意圖。請同時參照圖1A與圖1B，本實施例的導光結構140’與第一型半導體層1211的接觸表面141的粗糙度大於導光結構140’與固定結構130的接觸表面142的粗糙度。導光結構140’與第一型半導體層1211的接觸表面141的粗糙度也大於導光結構140’與外圍層122的延伸部122b的接觸表面143的粗糙度。此處，所指的粗糙度是中心線平均粗糙度（Ra ，arithmetical mean deviation）。也就是說，導光結構140’在面向微型元件120一側的中央區域（即第一型半導體層1211所在之處）的粗糙度大於環繞中央區域的周圍區域（即外覆層122的延伸部122b所在之處）的粗糙度，可以更進一步提高出光效率，特別是中央區域的出光率以增加正向光。
圖2A繪示為本發明一實施例的一種微型元件的剖面示意圖。圖2B繪示為圖2A的微型元件的俯視示意圖，其中圖2B的微型元件是沿圖2A的線Ⅰ-Ⅰ’所繪示。請同時參照圖2A與圖2B，本實施例的微型元件220包括磊晶結構221、外覆層222、第一導光結構240以及第二導光結構230。磊晶結構221具有彼此相對的頂表面221a與底表面221b以及連接頂表面221a與底表面221b的周圍表面221c。外覆層222包括接觸部222a與延伸部222b。接觸部222a覆蓋磊晶結構221的周圍表面221c與底表面221b，而延伸部222b連接接觸部222a且往遠離周圍表面221c的水平方向H延伸。第一導光結構240配置於磊晶結構221的頂表面221a與外覆層222的延伸部222b上。第二導光結構230配置於第一導光結構240上，而第一導光結構240位於磊晶結構221與第二導光結構230之間。較佳地，第一導光結構240的表面積大於第二導光結構230的表面積，且第一導光結構240於水平面P上的正投影面積大於外覆層222於水平面P上的正投影面積。
具體來說，在本實施例中，磊晶結構221包括第一型半導體層2211、發光層2212以及第二型半導體層2213。發光層2212位於第一型半導體層2211與第二型半導體層2213之間，且第一型半導體層2211位於第一導光結構240與發光層2212之間。第一型半導體層2211具有頂表面221a，而第二型半導體層2213具有底表面221b。再者，本實施例的微型元件220更包括第一型電極223與第二型電極224。第一型電極223與第二型電極224位於磊晶結構221的底表面221b上，且第一導光結構240與第二導光結構230相對遠離第一型電極223與第二型電極224，避免影響第一型電極223與第二型電極224。換言之，本實施例的微型元件220具體化為覆晶式微型元件，但並不以此為限。
再者，本實施例的外覆層222的接觸部222a覆蓋磊晶結構221的周圍表面221c與底表面221b。此處，外覆層222可具有反射的功能，可反射磊晶結構221的發光層2212所發出的光，以提高出光效率。於一實施例中，外覆層222可例如是分散式布拉格反射鏡（Distributed Bragg Reflector，DBR），但不以此為限。外覆層222亦可具有保護絕緣的功能，於另一實施例中，外覆層222的材料可例如是二氧化矽或氮化矽，但不以此為限。外覆層222的延伸部222b連接接觸部222a且往遠離磊晶結構221的周圍表面221c的水平方向H延伸。此處，外覆層222的延伸部222b相對遠離磊晶結構221的周圍表面221c的一端至周圍表面221c之間具有一最小水平距離D2，較佳地，最小水平距離D2例如是大於等於1微米。此外，外覆層222的延伸部222b的表面222c切齊磊晶結構221的頂表面221a，也就是說，外覆層222的延伸部222b的延伸方向H與磊晶結構221的頂表面221a的延伸方向平行且相同。
請再同時參照圖2A與圖2B，本實施例的磊晶結構221於水平面P上的正投影完全重疊於外覆層222於水平面P上的正投影內。也就是說，磊晶結構221於水平面P上的正投影面積小於外覆層222於水平面P上的正投影面積。較佳地，磊晶結構221於水平面P上的正投影面積與外覆層222於水平面P上的正投影面積的比值大於等於0.5且小於等於0.95。再者，外覆層222於水平面P上的正投影面積小於等於第一導光結構240於水平面P上的正投影面積。較佳地，外覆層222於水平面P上的正投影面積與第一導光結構240於水平面P上的正投影面積的比值例如是大於等於0.8且小於等於1。
更具體來說，本實施例的第一導光結構240的面積大於頂表面221a的面積，且頂表面221a的面積與第一導光結構240的面積的比值例如是大於等於0.5且小於等於0.95。當比值小於0.5時，會使第一導光結構240佔據的空間太大而影響後續轉移的良率。當比值大於0.95時，則會讓第一導光結構240配置於頂表面221a的製程裕度過小而易偏移，無法全面配置。換言之，透過外覆層222的延伸部222b的設計，相較於一般因微型元件過小而無法在微型元件上配置整面的導光結構，本發明的第一導光結構240於水平面P上的正投影面積大於磊晶結構221於水平面P上的正投影面積，可具有較佳的導光效果。再者，本實施例的第二導光結構230的厚度H3大於第一導光結構240的厚度H4，透過厚度不同可以增加出光。第二導光結構230的面積小於頂表面221a的面積，其中第二導光結構230的面積與頂表面221a的面積的比值例如是大於等於0.5且小於等於0.95。再者，第二導光結構230配置於頂表面221a的中央區域，透過此種設計可以增加中央區域的正向出光。
此外，為了提高導光效率，如圖2C所示，本實施例的第一導光結構240’與第一型半導體層2211的接觸表面241的粗糙度大於第一導光結構240’與第二導光結構230的接觸表面242的粗糙度。第一導光結構240’與第一型半導體層2211的接觸表面241的粗糙度也大於第一導光結構240’與外覆層222的延伸部222b的接觸表面243的粗糙度。此處，所指的粗糙度是中心線平均粗糙度（Ra ，arithmetical mean deviation）。也就是說，第一導光結構240’在面向磊晶結構221一側的中央區域（即第一型半導體層2211所在之處）的粗糙度大於環繞中央區域的周圍區域（即外覆層222的延伸部222b所在之處）的粗糙度，可以更進一步提高出光效率，特別是中央區域的出光率以增加正向光。
需要說明的是，在本實施例的微型元件220中，第二導光結構230的配置位置與圖1 A中的微型元件結構100的固定結構130的連接部131相似。在對圖1A的微型元件結構100中的微型元件120進行轉移時，固定結構130的斷點會落在預定斷裂區R，而留在拾取、轉移後的微型元件120上的固定結構130的連接部131可視為是圖2A的微型元件220中的第二導光結構230，可用來提升微型元件220的出光效率。
在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參照前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
圖3A繪示為本發明另一實施例的一種微型元件的剖面示意圖。圖3B繪示為圖3A的微型元件的俯視示意圖，其中圖3B的微型元件是沿圖3A的線Ⅱ-Ⅱ’所繪示。請同時參照圖2A、圖2B、圖3A及圖3B，本實施例的微型元件220a與圖2A的微型元件220相似，兩者的差異在於：本實施例的第二導光結構230a僅配置於第一導光結構240’上的其中一對角的角落。也就是說，第二導光結構230a主要是設置在周圍區域（即外覆層222的延伸部222b所在之處）及局部中央區域（即第一型半導體層2211所在之處）中。藉此控制後續拾取的製程良率。
綜上所述，在本發明的微型元件結構中，微型元件結構的外覆層具有接觸固定結構的犧牲部的延伸部，其中延伸部往遠離微型元件的周圍表面的水平方向延伸，且部分犧牲部接觸與延伸部定義出預定斷裂區。因此，在後續轉移微型元件結構時，固定結構的斷點會位於預定斷裂區內，可以避免固定結構的犧牲部殘留在轉移後的微型元件的周圍表面。藉此，可提高本發明的微型元件的發光效率。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100:微型元件結構 110:基板 120、220:微型元件 121、221:磊晶結構 121a、221a:頂表面 121b、221b:底表面 121c、221c:周圍表面 1211、2211:第一型半導體層 1212、2212:發光層 1213、2213:第二型半導體層 122、222:外覆層 122a、222a:接觸部 122b、222b:延伸部 122c、222c:表面 123、223:第一型電極 124、224:第二型電極 130:固定結構 131:連接部 132:犧牲部 133:固定部 140、140’:導光結構 141、142、143、241、242、243:接觸表面 230、230a:第二導光結構 240、240’:第一導光結構 A:夾角 D1、D2:最小水平距離 H:水平方向 H1、H2、H3、H4:厚度 P:水平面 R:預定斷裂區
圖1A繪示為本發明一實施例的一種微型元件結構的剖面示意圖。 圖1B繪示為本發明另一實施例的一種微型元件結構的剖面示意圖。 圖2A繪示為本發明一實施例的一種微型元件的剖面示意圖。 圖2B繪示為圖2A的微型元件的俯視示意圖。 圖2C繪示為本發明另一實施例的一種微型元件的剖面示意圖。 圖3A繪示為本發明另一實施例的一種微型元件的剖面示意圖。 圖3B繪示為圖3A的微型元件的俯視示意圖。
100:微型元件結構
110:基板
120:微型元件
121:磊晶結構
121a:頂表面
121b:底表面
121c:周圍表面
1211:第一型半導體層
1212:發光層
1213:第二型半導體層
122:外覆層
122a:接觸部
122b:延伸部
122c:表面
123:第一型電極
124:第二型電極
130:固定結構
131:連接部
132:犧牲部
133:固定部
140:導光結構
A:夾角
D1:水平距離
H:水平方向
H1、H2:厚度
R:預定斷裂區

Claims (23)

  1. 一種微型元件結構，包括： 一基板； 至少一微型元件，配置於該基板上，該微型元件包括一磊晶結構與一外覆層，該磊晶結構具有彼此相對的一頂表面與一底表面以及連接該頂表面與該底表面的一周圍表面，而該外覆層包括一接觸部與一延伸部，該接觸部覆蓋該磊晶結構的該周圍表面與該底表面，而該延伸部連接該接觸部且往遠離該周圍表面的一水平方向延伸；以及 至少一固定結構，配置於該基板上，該固定結構包括至少一連接部、至少一犧牲部以及至少一固定部，該連接部配置於該磊晶結構的該頂表面與該外覆層的該延伸部上，該犧牲部連接該連接部與該固定部，且部分該犧牲部接觸該延伸部而定義出一預定斷裂區，而該固定部連接該犧牲部且延伸至該基板上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的微型元件結構，其中該固定結構的該犧牲部與該外覆層的該延伸部之間具有一夾角，而該夾角介於80度至120度之間。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的微型元件結構，其中該固定結構的該犧牲部垂直於該外覆層的該延伸部。
  4. 如申請專利範圍第2項所述的微型元件結構，其中該固定結構的該犧牲部的一延伸方向垂直於該基板。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的微型元件結構，更包括： 至少一導光結構，配置於該微型元件上，且位於該固定結構的該連接部與該磊晶結構的該頂表面之間，以及位於該固定結構的該連接部與該外覆層的該延伸部之間。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的微型元件結構，其中該外覆層於該基板上的正投影面積與該導光結構於該基板上的正投影面積的比值大於等於0.8且小於等於1。
  7. 如申請專利範圍第5項所述的微型元件結構，其中該固定結構的一第一厚度大於該導光結構的一第二厚度。
  8. 如申請專利範圍第5項所述的微型元件結構，其中該磊晶結構包括一第一型半導體層、一發光層與一第二型半導體層，該發光層位於該第一型半導體層與該第二型半導體層之間，該第一型半導體層具有該頂表面，該導光結構的面積大於該頂表面的面積，且該頂表面的面積與該導光結構的面積的比值大於等於0.5且小於等於0.95。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的微型元件結構，其中該導光結構與該第一型半導體層的一第一接觸表面的粗糙度大於該導光結構與該固定結構的一第二接觸表面的粗糙度。
  10. 如申請專利範圍第8項所述的微型元件結構，其中該導光結構與該第一型半導體層的一第一接觸表面的粗糙度大於該導光結構與該外覆層的該延伸部的一第二接觸表面的粗糙度。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的微型元件結構，其中該外覆層與該磊晶結構的該周圍表面之間具有一最小水平距離，且該最小水平距離大於等於1微米。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的微型元件結構，其中該外覆層的該延伸部的一表面切齊該磊晶結構的該頂表面。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的微型元件結構，其中該磊晶結構於該基板上的正投影面積與該外覆層於該基板上的正投影面積的比值大於等於0.5且小於等於0.95。
  14. 一種微型元件，包括： 一磊晶結構，具有彼此相對的一頂表面與一底表面以及連接該頂表面與該底表面的一周圍表面； 一外覆層，包括一接觸部與一延伸部，該接觸部覆蓋該磊晶結構的該周圍表面與該底表面，而該延伸部連接該接觸部且往遠離該周圍表面的一水平方向延伸；以及 一第一導光結構，配置於該磊晶結構的該頂表面與該外覆層的該延伸部上，其中該第一導光結構於一水平面上的正投影面積大於等於該外覆層於該水平面上的正投影面積。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的微型元件，更包括： 一第二導光結構，配置於該第一導光結構上，而該第一導光結構位於該磊晶結構與該第二導光結構之間，其中該第一導光結構的一第一表面積大於該第二導光結構的一第二表面積。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的微型元件，其中該第一導光結構具有一第一厚度，而該第二導光結構具有一第二厚度，且該第二厚度大於該第一厚度。
  17. 如申請專利範圍第15項所述的微型元件，其中該磊晶結構包括一第一型半導體層、一發光層以及一第二型半導體層，該發光層位於該第一型半導體層與該第二型半導體層之間，該第一型半導體層具有該頂表面，且該第一導光結構的面積大於該頂表面的面積，且該頂表面的面積與該第一導光結構的面積的比值大於等於0.5且小於等於0.95。
  18. 如申請專利範圍第17項所述的微型元件，其中該第一導光結構與該第一型半導體層的一第一接觸表面的粗糙度大於該第一導光結構與該第二導光結構的一第二接觸表面的粗糙度。
  19. 如申請專利範圍第17項所述的微型元件，其中該第一導光結構與該第一型半導體層的一第一接觸表面的粗糙度大於該第一導光結構與該外覆層的該延伸部的一第二接觸表面的粗糙度。
  20. 如申請專利範圍第14項所述的微型元件，其中該外覆層與該磊晶結構的該周圍表面之間具有一最小水平距離，且該最小水平距離大於等於1微米。
  21. 如申請專利範圍第14項所述的微型元件，其中該外覆層於該水平面上的正投影面積與該第一導光結構於該水平面上的正投影面積的比值大於等於0.8且小於等於1。
  22. 如申請專利範圍第14項所述的微型元件，其中該磊晶結構於該水平面上的正投影面積與該外覆層於該水平面上的正投影面積的比值大於等於0.5且小於等於0.95。
  23. 如申請專利範圍第14項所述的微型元件，其中該外覆層的該延伸部的一表面切齊於該磊晶結構的該頂表面。
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