TWM591707U - 一種ｌｅｄ晶片結構 - Google Patents

Abstract

本創作涉及半導體發光器件技術領域，尤其涉及一種LED晶片結構，包括基板，該基板上設置有負極層，該負極層上設置有至少三個發光層，至少三個該發光層上均設置有正極層，形成至少三個分別獨立控制的發光點，至少三個發光點上的該正極層上表面均設有正極電極，該負極層設有負極電極。本創作通過集成技術改進晶片結構，涉及多合一的晶片結構，可以極大的縮小晶片尺寸，有效的降低LED顯示的間距，提高顯示密度，提升顯示質量。

Description

一種LED晶片結構

本創作涉及半導體發光器件技術領域，尤其涉及一種LED晶片結構。

發光二極管是一種常見的發光器件，發光二極管的從誕生到現在尺寸和功能發生了巨大的變化，隨著LED應用領域的不斷擴展，LED顯示逐漸的應用到了商務會議、影院、舞臺等高端使用場景中，對LED顯示器件提出了更高的要求，迫使LED顯示器件向小間距高密度方向發展，現行的LED晶片尺寸極大的制約了LED器件的尺寸，因此優化LED晶片結構成為行業亟待解決的問題。

本創作通過集成技術改進晶片結構，涉及多合一的晶片結構，可以極大的縮小晶片尺寸，有效的降低LED顯示的間距，提高顯示密度，提升顯示質量。

本創作的技術方案

一種LED晶片結構，包括基板，該基板上設置有負極層，該負極層上設置有至少三個發光層，該至少三個發光層上均設置有正極層，形成至少三個分別獨立控制的發光點，該至少三個發光點上的該正極層上 表面均設有正極電極，該負極層設有負極電極。

其中，該基板為一體式結構。

其中，該負極層包括分離式結構或一體式結構。

非共極式的晶片採用分離式結構的負極層，共極式的晶片採用一體式結構的負極層。

其中，該負極層的分離式結構為該至少三個負極層間隔均勻設置在該基板的表面，該至少三個發光層分別設置在該至少三個負極層上，該至少三個負極層均設有負極電極。

在分離式結構中，發光層的個數與負極層的個數相等。

其中，該發光層覆蓋該負極層表面的2/3-3/4面積。

為在每個分離式的負極層上留有位置設置負極電極，合理利用空間。

其中，該負極層的一體式結構為該負極層覆蓋於整個該基板的表面，該負極層設有一個負極電極。

其中，該至少三個發光層間隔均勻設置在該負極層的表面。

其中，該正極層覆蓋整個該發光層的表面。

本創作通過集成技術在晶片的同一基板上設有多個獨立控制的發光點，同時可分為共極與非共極兩種結構，實現多合一的晶片結構改進，可以極大的縮小晶片尺寸，有效的降低LED顯示的間距，提高顯示密度，提升顯示質量。

100‧‧‧LED晶片結構

1‧‧‧藍寶石基板

2‧‧‧負極層

3‧‧‧發光層

4‧‧‧正極層

5‧‧‧正極電極

6‧‧‧負極電極

7‧‧‧金屬基板

第1圖為正裝積體晶片的共極結構示意圖。

第2圖為正裝積體晶片的非共極結構示意圖。

第3圖為垂直積體晶片的結構示意圖。

第4圖為倒裝積體晶片的共極結構示意圖。

第5圖為倒裝積體晶片的非共極結構示意圖。

本創作採用蝕刻外延片的方式進行製作晶片，其中，外延片包括基板，基板的整個表面通過沉積作用覆蓋上負極層2，然後在負極層2的整個表面通過沉積作用覆蓋上發光層3，最後在發光層3的整個表面通過沉積作用覆蓋上正極層4，組合為一具有4層結構的長方體外延片作為晶片的蝕刻基礎。

本創作中的基板包括藍寶石基板1和金屬基板7，負極層2採用N-GaN層，發光層3採用多量子阱發光層，正極層4採用P-GaN層。

本創作中的晶片包括正裝積體晶片、垂直積體晶片和倒裝積體晶片，下面結合實施例和具體實施方法對本創作作進一步詳細的說明。

實施例1

如第1圖所示，本實施例為共極式正裝積體晶片的具體製作過程；首先準備一塊用藍寶石基板1的外延片，按特定圖形通過蝕刻外延層至負極層2上表面，使其在負極層2的表面上形成三個獨立控制的發光點；然後在三個獨立的正極層4上分別沉積一層金作為正極電極5；再在負極層2沉積一層金作為負極電極6；最後通過切割即可獲得共極式正裝積體晶片。

本實施例中的共極式正裝積體晶片是直接通過固晶膠固定在基板上，其上的負極電極6與三個正極電極5利用金線進行焊線操作，實 現晶片與基板電路的導通。

實施例2

如第2圖所示，本實施例為非共極式正裝積體晶片的具體製作過程；首先準備一塊用藍寶石基板1的外延片，按特定圖形通過蝕刻外延層至基板的上表面，使其在基板的表面上形成三個獨立控制的發光點；接著再通過蝕刻工藝蝕刻發光點至負極層2上表面，使發光層3和正極層4均有缺角，此時，發光層3覆蓋負極層2的面積為3/4；然後在三個獨立的正極層4上分別沉積一層金作為正極電極5；再在缺角處的三個獨立的負極層2上分別沉積一層金作為負極電極6；最後通過切割工藝即可獲得非共極式正裝積體晶片。

本實施例中的非共極式正裝積體晶片是直接通過固晶膠固定在基板上，其上的三個負極電極6與三個正極電極5利用金線進行焊線操作，實現晶片與基板電路的導通。

實施例3

如第3圖所示，本實施例為垂直積體晶片的具體製作過程；首先準備一塊用金屬基板7的外延片，通過蝕刻外延層至基板的上表面，使其在基板的表面上形成三個獨立控制的發光點；然後在三個獨立的正極層4上分別沉積一層金作為正極電極5；通過切割工藝即可獲得垂直積體晶片。

本實施例中的垂直積體晶片是直接通過固晶膠固定在基板上，其金屬基板7可作為負極電極直接焊接在基板的電路上，三個正極電極5利用金線進行焊線操作，實現晶片與基板電路的導通。

實施例4

如第4圖所示，本實施例與對實施例1類似，所不同之處在於，其所採用的外延片中的負極層2、發光層3和正極層4堆疊順序做出變化，使它們倒裝在藍寶石基板1下，同時將三個正極電極5做成方形、負極電極6做成長條形以契合基板的安裝位置，即可獲得共極式倒裝積體晶片。

本實施例中的共極式倒裝積體晶片通過電極端直接嵌入基板的相應電路位置上並熱熔焊接，即可實現晶片與基板電路的導通。

實施例5

如第5圖所示，本實施例與實施例2類似，其所採用的外延片中的負極層2、發光層3和正極層4堆疊順序做出變化，使它們倒裝在藍寶石基板1下，同時使發光層3覆蓋負極層2的面積為2/3，負極層2剩餘的1/3面積設置負極電極6，將三個正極電極5和三個負極電極6均做成方形以契合基板的安裝位置，即可獲得非共極式倒裝積體晶片。

本實施例中的非共極式倒裝積體晶片通過電極端直接嵌入基板的相應電路位置上並熱熔焊接，即可實現晶片與基板電路的導通。

附圖僅用於示例性說明，不能理解為對本專利的限制；為了更好說明本實施例，附圖某些部件會有省略、放大或縮小，並不代表實際產品的尺寸；對於本領域技術人員來說，附圖中某些公知結構及其說明可能省略是可以理解的。附圖中描述位置關係僅用於示例性說明，不能理解為對本專利的限制。

顯然，本創作的上述實施例僅僅是為清楚地說明本創作所作的舉例，而並非是對本創作的實施方式的限定。對於所屬領域的普通技術人員來說，在上述說明的基礎上還可以做出其它不同形式的變化或變動。 這裡無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。凡在本創作的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本創作權利要求的保護範圍之內。

1:藍寶石基板

2:負極層

3:發光層

4:正極層

5:正極電極

6:負極電極

Claims (8)

1. 一種LED晶片結構，包括一基板，該基板上設置有一負極層，該負極層上設置有至少三個發光層，該至少三個發光層上均設置有一正極層，該負極層的表面上形成至少三個分別獨立控制的發光點，該至少三個發光點上的該正極層上表面均設有一正極電極，該負極層設有負極電極。
2. 如申請專利範圍第1項所述的LED晶片結構，其中該基板為一體式結構。
3. 如申請專利範圍第1項所述的LED晶片結構，其中該負極層包括分離式結構或一體式結構。
4. 如申請專利範圍第3項所述的LED晶片結構，其中該負極層的分離式結構為該至少三個負極層間隔均勻設置在該基板的表面，該至少三個發光層分別設置在至少三個該負極層上，該至少三個負極層均設有負極電極。
5. 如申請專利範圍第4項所述的LED晶片結構，其中該發光層覆蓋該負極層表面的2/3至3/4面積。
6. 如申請專利範圍第3項所述的LED晶片結構，其中該負極層的一體式結構為該負極層覆蓋於整個該基板的表面，該負極層設有一個負極電極。
7. 如申請專利範圍第6項所述的LED晶片結構，其中該至少三個發光層間隔均勻設置在該負極層的表面。
8. 如申請專利範圍第5或7項所述的LED晶片結構，其中該正極層覆蓋整個該發光層的表面。

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