JP2007115928A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007115928A JP2007115928A JP2005306432A JP2005306432A JP2007115928A JP 2007115928 A JP2007115928 A JP 2007115928A JP 2005306432 A JP2005306432 A JP 2005306432A JP 2005306432 A JP2005306432 A JP 2005306432A JP 2007115928 A JP2007115928 A JP 2007115928A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- led chip
- emitting device
- side electrode
- led
- semiconductor light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16135—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/16145—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【課題】 半導体発光装置において、小型で高輝度を得ること。
【解決手段】 基板10と、基板10上に実装され複数の第1のLEDチップ11と、複数の第1のLEDチップ11上に実装された第2のLEDチップ12と、を備え、第2のLEDチップ12が、第1のLEDチップ11に対してずれて実装されている。これにより、全体のチップ実装面積が小さくなると共に単位面積当たりの光束密度が上がり、パッケージ全体の小型化を図ることができると共に輝度を向上させることができる。
【選択図】 図1
【解決手段】 基板10と、基板10上に実装され複数の第1のLEDチップ11と、複数の第1のLEDチップ11上に実装された第2のLEDチップ12と、を備え、第2のLEDチップ12が、第1のLEDチップ11に対してずれて実装されている。これにより、全体のチップ実装面積が小さくなると共に単位面積当たりの光束密度が上がり、パッケージ全体の小型化を図ることができると共に輝度を向上させることができる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、例えば液晶用バックライトや照明用に好適な半導体発光装置に関する。
近年、携帯電話等の携帯電子機器の液晶用バックライトや照明用等として、R(赤)G(緑)B(青)の各色LED(Light Emitting Diode:発光ダイオード)や白色LEDを用いた発光装置が採用されている。
このような発光装置では、輝度を上げるために、図10の(a)(b)に示すように、パッケージ内に複数のLEDチップ1を基板2上に実装したものや、図11の(a)(b)に示すように、基板2上に実装するLEDチップ1を大きくして大電流を流し、発光面積を増大させて輝度を向上させる等の対策が提案されている。
例えば、特許文献1では、携帯電話のバックライト等に用いられる発光装置として、パッケージに複数の発光素子が載置されたものが記載されている。
このような発光装置では、輝度を上げるために、図10の(a)(b)に示すように、パッケージ内に複数のLEDチップ1を基板2上に実装したものや、図11の(a)(b)に示すように、基板2上に実装するLEDチップ1を大きくして大電流を流し、発光面積を増大させて輝度を向上させる等の対策が提案されている。
例えば、特許文献1では、携帯電話のバックライト等に用いられる発光装置として、パッケージに複数の発光素子が載置されたものが記載されている。
しかしながら、上記従来の発光装置には、以下の課題が残されている。すなわち、パッケージ内に複数のLEDチップを実装する場合、パッケージサイズが大きくなってしまい発光装置全体が大型化してしまう不都合がある。また、LEDチップのサイズを大きくして輝度を向上させる場合は、LEDチップの大型化に伴い、パッケージも大型化する必要があり、やはり発光装置全体が大型化してしまう不都合があった。これらの従来の技術では、上述したように装置の外形寸法が増大してしまうと共に、LEDチップの単位面積当たりの光束密度が一定であり、輝度アップに限界があった。また、輝度を上げるために、LEDチップに大電流を流しているため、消費電流が大きくなってしまう不都合もあった。
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、小型で高輝度を得ることができる半導体発光装置を提供することを目的とする。
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明の半導体発光装置は、基板と、前記基板上に実装された複数の第1のLEDチップと、複数の前記第1のLEDチップ上に実装された1又は複数の第2のLEDチップと、を備え、前記第2のLEDチップが、前記第1のLEDチップに対してずれて実装されていることを特徴とする。
この半導体発光装置では、第2のLEDチップが第1のLEDチップに対してずれて積層状態に実装されているので、全体のチップ実装面積が全チップを基板上に実装した場合よりも小さくなると共に、単位面積当たりの光束密度が上がる。したがって、2層実装されたLEDチップ構造によって、パッケージ全体の小型化を図ることができると共に、輝度を向上させることができる。
また、本発明の半導体発光装置は、前記第1のLEDチップが、上面にp側電極及びn側電極を有し、前記第2のLEDチップが、下面にP側電極及びn側電極を有すると共に隣接した2つの前記第1のLEDチップ上に跨って実装され、前記第2のLEDチップのp側電極が、前記隣接した2つの前記第1のLEDチップのうち一方のn側電極に接着されていると共に、前記第2のLEDチップのn側電極が、前記隣接した2つの前記第1のLEDチップのうち他方のp側電極に接着されていることを特徴とする。
この半導体発光装置では、第2のLEDチップが2つの隣接する第1のLEDチップ上に跨って実装されると共に、互いの電極面を対向させた状態でp側電極とn側電極とを接続させるので、第1のLEDチップと第2のLEDチップとが交互に接続されて電気的に直列接続され、全チップを発光させることができる。これにより、第1のLEDチップと第2のLEDチップとの電気的接続をワイヤーボンディングで行う必要が無く、ワイヤーボンディングの工程数を低減させることができると共に、ワイヤーが障害になって放射される光を遮断することを低減することができる。
また、本発明の半導体発光装置は、前記p側電極及び前記n側電極が、形成される面内の互いに対向する角部上に形成され、前記第1のLEDチップ及び前記第2のLEDチップが、前記p側電極及び前記n側電極が形成された互いの角部のみを重ねて接続されていることを特徴とする。すなわち、この半導体発光装置では、第1のLEDチップと第2のLEDチップとが、電極が形成された角部同士を重ねて接続されているので、発光面をより効率的に確保することができ、さらに輝度を向上させることができる。
また、本発明の半導体発光装置は、少なくとも前記第2のLEDチップが、発光波長に対して透明な成長用基板を備えていることを特徴とする。すなわち、この半導体発光装置では、少なくとも第2のLEDチップが、発光波長に対して透明な成長用基板を備えているので、第1のLEDチップ及び第2のLEDチップで発生した発光が第2のLEDの成長用基板に吸収されずに透過し、効率的に上方に放射させることができる。
さらに、本発明の半導体発光装置は、前記成長用基板が、サファイア基板であることを特徴とする。すなわち、この半導体発光装置は、成長用基板が、サファイア基板であるので、サファイア基板を用いたInGaN系、GaP系化合物半導体又はZnO系半導体等の青色から紫外域の発光素子をLEDチップとして採用することで、サファイア基板を通して青色から紫外域等の光に対して良好な輝度を得ることができる。
本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明に係る半導体発光装置によれば、第2のLEDチップが第1のLEDチップに対してずれて積層状態に実装されているので、従来よりチップ実装面積が小さくなると共に、単位面積当たりの光束密度を向上させることができる。したがって、積層実装されたLEDチップ構造によって、パッケージ全体の小型化を図ることができると共に、輝度を向上させることができ、種々のアプリケーションに適応可能となる。特に、小型化の要望が高い液晶ディスプレイのバックライト等に好適である。
すなわち、本発明に係る半導体発光装置によれば、第2のLEDチップが第1のLEDチップに対してずれて積層状態に実装されているので、従来よりチップ実装面積が小さくなると共に、単位面積当たりの光束密度を向上させることができる。したがって、積層実装されたLEDチップ構造によって、パッケージ全体の小型化を図ることができると共に、輝度を向上させることができ、種々のアプリケーションに適応可能となる。特に、小型化の要望が高い液晶ディスプレイのバックライト等に好適である。
以下、本発明に係る半導体発光装置の第1実施形態を、図1から図6に基づいて説明する。
本実施形態における半導体発光装置は、携帯電話やPDA(Personal Digital Assistant:携帯情報端末機)等の携帯電子機器の液晶用バックライトや照明用等として用いるLED装置であって、図1の(a)(b)に示すように、基板10と、基板10上にAgペーストや接着用樹脂等で接着、実装された3つの第1のLEDチップ11と、これら第1のLEDチップ11上にバンプ13により実装された2つの第2のLEDチップ12と、を備えている。そして、上記第2のLEDチップ12は、隣接した2つの第1のLEDチップ11上に跨って配され第1のLEDチップ11に対して平面視でずれて実装されている。
上記基板10は、例えば略直方体形状のガラスエポキシ基板、BTレジン基板、セラミックス基板やメタルコア基板等の絶縁性基板であり、外部との接続及び第1のLEDチップ11との接続のためのワイヤーボンディング用電極パターン(図示略)が表面に形成されている。
上記第1のLEDチップ11及び第2のLEDチップ12は、例えば発光波長帯域が470〜490nmであるInGaN系化合物半導体を用いた高効率の青色発光ダイオード素子や発光波長帯域が490〜520nmであるInGaN系又はGaP系化合物半導体を用いた高効率の緑色発光ダイオード素子である。なお、第1のLEDチップ11及び第2のLEDチップ12として、発光波長帯域が470nm未満の紫外域の発光ダイオード素子を採用しても構わない。
これら第1のLEDチップ11及び第2のLEDチップ12は、図2及び図3に示すように、サファイア基板(成長用基板)14と、該サファイア基板14上にエピタキシャル成長されたn型半導体層15及びp型半導体層16と、n型半導体層15上に矩形状にパターン形成されたn側電極17と、p型半導体層16上に矩形状にパターン形成されたp側電極18と、を備えている。上記p型半導体層16は、n側電極17を避けるようにL字状にパターン形成されている。すなわち、p型半導体層16とn型半導体層15との境界におけるpn接合面が、L字状の発光領域となる。
第1のLEDチップ11及び第2のLEDチップ12では、p側電極18及びn側電極17が、形成される面内で互いに対向する角部上に形成されている。なお、第1のLEDチップ11は、上面にp側電極18及びn側電極17を有している。また、第2のLEDチップ12は、第1のLEDチップ11を下向きにしたものであり、下面にp側電極18及びn側電極17を有している。
3つの第1のLEDチップ11は、図4から図6に示すように、所定間隔を空けて直列に配され、2つの第2のLEDチップ12は、第1のLEDチップ11と同方向に所定間隔を空けて配されて実装されている。そして、これら第1のLEDチップ11及び第2のLEDチップ12は、互いに一辺側を重ねるように積層されている。また、この積層状態で、第2のLEDチップ12のp側電極18が、隣接した2つの第1のLEDチップ11のうち一方のn側電極17にバンプ13を介して接着されていると共に、第2のLEDチップ12のn側電極17が、隣接した2つの第1のLEDチップ11のうち他方のp側電極18にバンプ13を介して接着されている。
3つの第1のLEDチップ11のうち一端に配されたもののn側電極17及び他端に配されたもののp側電極18は、いずれもAuワイヤー19により基板10上のワイヤーボンディング用電極パターンに電気的に接続されている。
なお、上記バンプ13は、ハンダバンプやAuバンプ等が用いられる。
なお、上記バンプ13は、ハンダバンプやAuバンプ等が用いられる。
このように本実施形態では、第2のLEDチップ12が第1のLEDチップ11に対してずれて積層状態に実装されているので、全体のチップ実装面積が全チップを基板10上に実装した場合よりも小さくなると共に、単位面積当たりの光束密度が上がる。したがって、本実施形態では、2層実装されたLEDチップ構造によって、パッケージ全体の小型化を図ることができると共に、輝度を向上させることができる。
また、第2のLEDチップ12が2つの隣接する第1のLEDチップ11上に跨って実装されると共に、互いの電極面を対向させた状態でp側電極18とn側電極17とを接続させるので、第1のLEDチップ11と第2のLEDチップ12とが交互に接続されて電気的に直列接続され、全チップを発光させることができる。これにより、第1のLEDチップ11と第2のLEDチップ12との電気的接続をワイヤーボンディングで行う必要が無く、ワイヤーボンディングの工程数を低減させることができると共に、Auワイヤー19が障害になって放射される光を遮断することを低減することができる。
さらに、第2のLEDチップ12は、青色から紫外域の発光波長に対して透明なサファイア基板14を備えているので、第1のLEDチップ11及び第2のLEDチップ12で発生した発光が第2のLEDチップ12のサファイア基板14を吸収されずに透過し、効率的に上方に放射させることができる。
次に、本発明に係る半導体発光装置の第2実施形態について、図7から図9を参照して以下に説明する。なお、以下の実施形態の説明において、上記実施形態において説明した同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明は省略する。
第2実施形態と第1実施形態との異なる点は、第1実施形態では、第1のLEDチップ11と第2のLEDチップ12とが互いに一辺側を重ねるように積層されているのに対し、第2実施形態では、図7から図9に示すように、各第1のLEDチップ11及び各第2のLEDチップ12が、p側電極18及びn側電極17が形成された互いの角部のみを重ねて接続され、互いの対角線が直線上に配されている点である。
すなわち、第1実施形態では、第1のLEDチップ11における発光面のうち一辺側の一部が上部に実装された第2のLEDチップ12と重なっているが、第2の実施形態では、第1のLEDチップ11と第2のLEDチップ12とが、電極が形成された角部のみで重なることになり、第1のLEDチップ11の発光面上には第2のLEDチップ12が重ならず、発光面をより効率的に確保することができ、さらに輝度を向上させることができる。
なお、本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることができる。
例えば、上記各実施形態では、基板10上に第1のLEDチップ11及び第2のLEDチップ12だけを実装しているが、他の発光波長を有するLEDチップを一緒に実装しても構わない。例えば、R(赤)G(緑)B(青)の各色LEDを一つの基板10上に実装しても構わない。この場合、比較的発光強度の低い緑色LEDチップを上記第1のLEDチップ11及び第2のLEDチップ12に採用することで、緑色の単位面積当たりの光束密度を高めて、各色の発光強度バランスを調整するようにしてもよい。
また、青色LEDを第1のLEDチップ11及び第2のLEDチップ12として採用し、これらの第1のLEDチップ11及び第2のLEDチップ12をYAG蛍光体入り樹脂で封止し、青色光をYAG蛍光体入り樹脂により白色光に変換させる白色LEDとしても構わない。
また、上記各実施形態では、第1のLEDチップ11及び第2のLEDチップ12が直線上に配列されているが、曲線状配置や二次元的配置で配列しても構わない。
また、上記各実施形態では、3つの第1のLEDチップ11と2つの第2のLEDチップ12との組み合わせであるが、他の個数の第1のLEDチップ11と第2のLEDチップ12との組み合わせで積層状態に実装されたものでも構わない。
また、上記各実施形態では、第1のLEDチップ11及び第2のLEDチップ12が直線上に配列されているが、曲線状配置や二次元的配置で配列しても構わない。
また、上記各実施形態では、3つの第1のLEDチップ11と2つの第2のLEDチップ12との組み合わせであるが、他の個数の第1のLEDチップ11と第2のLEDチップ12との組み合わせで積層状態に実装されたものでも構わない。
10…基板、11…第1のLEDチップ、12…第2のLEDチップ、14…サファイア基板(成長用基板)、18…p側電極、17…n側電極
Claims (5)
- 基板と、
前記基板上に実装された複数の第1のLEDチップと、
複数の前記第1のLEDチップ上に実装された1又は複数の第2のLEDチップと、を備え、
前記第2のLEDチップが、前記第1のLEDチップに対してずれて実装されていることを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項1に記載の半導体発光装置において、
前記第1のLEDチップが、上面にp側電極及びn側電極を有し、
前記第2のLEDチップが、下面にP側電極及びn側電極を有すると共に隣接した2つの前記第1のLEDチップ上に跨って実装され、
前記第2のLEDチップのp側電極が、前記隣接した2つの前記第1のLEDチップのうち一方のn側電極に接着されていると共に、前記第2のLEDチップのn側電極が、前記隣接した2つの前記第1のLEDチップのうち他方のp側電極に接着されていることを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項2に記載の半導体発光装置において、
前記p側電極及び前記n側電極が、形成される面内の互いに対向する角部上に形成され、
前記第1のLEDチップ及び前記第2のLEDチップが、前記p側電極及び前記n側電極が形成された互いの角部のみを重ねて接続されていることを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体発光装置において、
少なくとも前記第2のLEDチップが、発光波長に対して透明な成長用基板を備えていることを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項4に記載の半導体発光装置において、
前記成長用基板が、サファイア基板であることを特徴とする半導体発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005306432A JP2007115928A (ja) | 2005-10-20 | 2005-10-20 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005306432A JP2007115928A (ja) | 2005-10-20 | 2005-10-20 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007115928A true JP2007115928A (ja) | 2007-05-10 |
Family
ID=38097843
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005306432A Pending JP2007115928A (ja) | 2005-10-20 | 2005-10-20 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007115928A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009048076A1 (ja) * | 2007-10-09 | 2009-04-16 | Alps Electric Co., Ltd. | 半導体発光装置 |
JP2009094294A (ja) * | 2007-10-09 | 2009-04-30 | Alps Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
WO2009107661A1 (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-03 | アルプス電気株式会社 | 発光体及びこれを用いた半導体発光装置 |
WO2010108774A1 (de) * | 2009-03-27 | 2010-09-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Anordnung optoelektronischer bauelemente |
JP2010538479A (ja) * | 2007-09-04 | 2010-12-09 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 半導体構成素子および半導体構成素子の製造方法 |
US8399893B2 (en) | 2008-09-17 | 2013-03-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Luminous means |
US9559083B2 (en) | 2013-10-01 | 2017-01-31 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
WO2017025246A1 (de) * | 2015-08-11 | 2017-02-16 | Osram Gmbh | Leuchtdiodenanordnung und verfahren zum herstellen einer leuchtdiodenanordnung |
JP2017522734A (ja) * | 2014-07-18 | 2017-08-10 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 自動車アプリケーションのためのled光源 |
EP3483934A1 (en) * | 2017-11-09 | 2019-05-15 | LG Electronics Inc. | Lamp for vehicle |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10173225A (ja) * | 1996-12-06 | 1998-06-26 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
-
2005
- 2005-10-20 JP JP2005306432A patent/JP2007115928A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10173225A (ja) * | 1996-12-06 | 1998-06-26 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8384096B2 (en) | 2007-09-04 | 2013-02-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor component with optically active regions which provides high optical output power, and method for producing same |
JP2010538479A (ja) * | 2007-09-04 | 2010-12-09 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 半導体構成素子および半導体構成素子の製造方法 |
JP2009094294A (ja) * | 2007-10-09 | 2009-04-30 | Alps Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
WO2009048076A1 (ja) * | 2007-10-09 | 2009-04-16 | Alps Electric Co., Ltd. | 半導体発光装置 |
WO2009107661A1 (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-03 | アルプス電気株式会社 | 発光体及びこれを用いた半導体発光装置 |
DE102008047579B4 (de) * | 2008-09-17 | 2020-02-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtmittel |
US8399893B2 (en) | 2008-09-17 | 2013-03-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Luminous means |
CN102365738A (zh) * | 2009-03-27 | 2012-02-29 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 光电子构件的组件 |
DE102009015307A1 (de) * | 2009-03-27 | 2010-09-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Anordnung optoelektronischer Bauelemente |
US8497517B2 (en) | 2009-03-27 | 2013-07-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Arrangement of optoelectronic components |
WO2010108774A1 (de) * | 2009-03-27 | 2010-09-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Anordnung optoelektronischer bauelemente |
US9559083B2 (en) | 2013-10-01 | 2017-01-31 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
JP2017522734A (ja) * | 2014-07-18 | 2017-08-10 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 自動車アプリケーションのためのled光源 |
WO2017025246A1 (de) * | 2015-08-11 | 2017-02-16 | Osram Gmbh | Leuchtdiodenanordnung und verfahren zum herstellen einer leuchtdiodenanordnung |
EP3483934A1 (en) * | 2017-11-09 | 2019-05-15 | LG Electronics Inc. | Lamp for vehicle |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7935978B2 (en) | Light emitting device and method for manufacturing the same | |
JP6331389B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2007115928A (ja) | 半導体発光装置 | |
JP5368982B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
TWI535077B (zh) | 發光單元及其發光模組 | |
JP5768435B2 (ja) | 発光装置 | |
JP4535928B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP5065057B2 (ja) | 発光モジュール及びこれに用いる実装基板 | |
JP4935514B2 (ja) | 発光装置 | |
WO2012050110A1 (ja) | Ledモジュール | |
US9960333B2 (en) | Light-emitting device including light-emitting elements connected in series and light-emitting elements connected in parallel | |
JP5236406B2 (ja) | 半導体発光モジュールおよびその製造方法 | |
JP2011040494A (ja) | 発光モジュール | |
JP2001298216A (ja) | 表面実装型の半導体発光装置 | |
JP2002335015A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP5697091B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
US12021172B2 (en) | Light-emitting element and image displaying apparatus | |
JP2004253711A (ja) | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 | |
JP2006013324A (ja) | 発光装置 | |
JP4443397B2 (ja) | 光半導体素子及び光半導体装置並びに光半導体素子の製造方法 | |
JP2002232015A (ja) | 半導体発光装置 | |
JP2013004834A (ja) | Ledモジュール | |
WO2013027413A1 (ja) | 保護素子及びこれを用いた発光装置 | |
KR102423437B1 (ko) | 광원 모듈 및 이를 이용한 백라이트 유닛과 표시장치 | |
JP2006173196A (ja) | 発光素子及びこれを用いた発光ダイオード |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080905 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110221 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110809 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20111201 |