JPH10173225A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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- JPH10173225A JPH10173225A JP32632896A JP32632896A JPH10173225A JP H10173225 A JPH10173225 A JP H10173225A JP 32632896 A JP32632896 A JP 32632896A JP 32632896 A JP32632896 A JP 32632896A JP H10173225 A JPH10173225 A JP H10173225A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ワイヤボンディングに伴う問題を生じさせる
ことなく、広い範囲に亘って連続的に発光し、しかも信
頼性の高い半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 基板の表面側に半導体層が積層されると
共にｐ側電極８およびｎ側電極９が設けられる第１の発
光素子チップ１１と、発光波長の光に対して実質的に透
明な基板の表面側に半導体層が積層されると共にｎ側電
極およびｐ側電極が設けられ、該電極が設けられた側を
前記第１の発光素子チップと逆向きにして配設される第
２の発光素子チップ１２とからなり、前記第１および第
２の発光素子チップのｎ側電極もしくはｐ側電極の異な
る側の電極同士が直接導電性材料により接着されてい
る。
ことなく、広い範囲に亘って連続的に発光し、しかも信
頼性の高い半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 基板の表面側に半導体層が積層されると
共にｐ側電極８およびｎ側電極９が設けられる第１の発
光素子チップ１１と、発光波長の光に対して実質的に透
明な基板の表面側に半導体層が積層されると共にｎ側電
極およびｐ側電極が設けられ、該電極が設けられた側を
前記第１の発光素子チップと逆向きにして配設される第
２の発光素子チップ１２とからなり、前記第１および第
２の発光素子チップのｎ側電極もしくはｐ側電極の異な
る側の電極同士が直接導電性材料により接着されてい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は線状に発光する半導
体発光素子に関する。さらに詳しくは、発光素子チップ
を直列に接続することにより均一な線状発光をする発光
素子に関する。
体発光素子に関する。さらに詳しくは、発光素子チップ
を直列に接続することにより均一な線状発光をする発光
素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体発光素子である発光ダイオード
（以下、ＬＥＤという）は、半導体のｐｎ接合に順方向
の電流を流すことにより、電気エネルギーを直接光に変
換するもので、動作電流が小さく（通常は１０ｍＡ程
度）、小形で高輝度が得られるため、種々の表示ランプ
などに用いられている。しかし、チップ面積が大きくな
ると、電流分布が不均一となり、均一な発光をせず素子
の劣化が早くなること、特別なチップ形状のものを作製
することはプロセス管理上困難であること、などのた
め、発光面の大型化は困難であり、通常は数百μｍ角か
ら１ｍｍ角程度の大きさで作られる。
（以下、ＬＥＤという）は、半導体のｐｎ接合に順方向
の電流を流すことにより、電気エネルギーを直接光に変
換するもので、動作電流が小さく（通常は１０ｍＡ程
度）、小形で高輝度が得られるため、種々の表示ランプ
などに用いられている。しかし、チップ面積が大きくな
ると、電流分布が不均一となり、均一な発光をせず素子
の劣化が早くなること、特別なチップ形状のものを作製
することはプロセス管理上困難であること、などのた
め、発光面の大型化は困難であり、通常は数百μｍ角か
ら１ｍｍ角程度の大きさで作られる。
【０００３】そのため、たとえば線状や面状のような広
い面積に亘って発光する光源とするためには、図４に示
されるように、ＬＥＤチップ２１を導電性の基板２４上
に複数個横に並べ、各ＬＥＤチップ２１の一方の電極２
１ａを金線２３などのワイヤにより連結して並列に接続
し、各ＬＥＤチップ２１の発光の集合により線状光源の
ように発光させている。この例では、ＬＥＤチップ２１
の表面側にｎ側もしくはｐ側の一方の電極２１ａが設け
られ、裏面側に他方の電極２１ｂが設けられており、他
方の電極２１ｂが基板２４を介して共通に接続され、一
方の電極２１ａが金線２３などにより接続されて、複数
個のＬＥＤチップが並列接続されているが、直列接続に
することもできる。
い面積に亘って発光する光源とするためには、図４に示
されるように、ＬＥＤチップ２１を導電性の基板２４上
に複数個横に並べ、各ＬＥＤチップ２１の一方の電極２
１ａを金線２３などのワイヤにより連結して並列に接続
し、各ＬＥＤチップ２１の発光の集合により線状光源の
ように発光させている。この例では、ＬＥＤチップ２１
の表面側にｎ側もしくはｐ側の一方の電極２１ａが設け
られ、裏面側に他方の電極２１ｂが設けられており、他
方の電極２１ｂが基板２４を介して共通に接続され、一
方の電極２１ａが金線２３などにより接続されて、複数
個のＬＥＤチップが並列接続されているが、直列接続に
することもできる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前述のように、複数個
のＬＥＤチップが並列接続されると、ＬＥＤチップの中
で抵抗の小さいところがあると電流が集中し、均一な発
光が得られなかったり、部分的にＬＥＤチップの劣化を
早めるという問題がある。さらに、金線などのワイヤで
接続すると、ワイヤボンディングの工数を多く要すると
共に、金線などが垂れてショートするという問題があ
る。このワイヤに伴う問題は、ＬＥＤチップを直列接続
しても同様であり、とくに直列接続の場合は金線による
タッチを防止する点からもチップ間に間隙を設けざるを
得ず、直線状の発光部の途中に途切れができて連続的な
発光をさせることができないという問題がある。
のＬＥＤチップが並列接続されると、ＬＥＤチップの中
で抵抗の小さいところがあると電流が集中し、均一な発
光が得られなかったり、部分的にＬＥＤチップの劣化を
早めるという問題がある。さらに、金線などのワイヤで
接続すると、ワイヤボンディングの工数を多く要すると
共に、金線などが垂れてショートするという問題があ
る。このワイヤに伴う問題は、ＬＥＤチップを直列接続
しても同様であり、とくに直列接続の場合は金線による
タッチを防止する点からもチップ間に間隙を設けざるを
得ず、直線状の発光部の途中に途切れができて連続的な
発光をさせることができないという問題がある。
【０００５】本発明はこのような問題を解決するために
なされたもので、ワイヤボンディングに伴う問題を生じ
させることなく、広い範囲に亘って連続的に発光し、し
かも信頼性の高い半導体発光素子を提供することにあ
る。
なされたもので、ワイヤボンディングに伴う問題を生じ
させることなく、広い範囲に亘って連続的に発光し、し
かも信頼性の高い半導体発光素子を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体発光
素子は、基板の表面側に半導体層が積層されると共にｎ
側電極およびｐ側電極が設けられる第１の発光素子チッ
プと、発光波長の光に対して実質的に透明な基板の表面
側に半導体層が積層されると共にｎ側電極およびｐ側電
極が設けられ、該電極が設けられた側を前記第１の発光
素子チップと逆向きにして配設される第２の発光素子チ
ップとからなり、前記第１および第２の発光素子チップ
のｎ側電極もしくはｐ側電極の異なる側の電極同士が直
接導電性材料により接着されている。ここに発光波長の
光に対して実質的に透明とは、発光層で発光した光を殆
ど減衰させることなく透過させ得ることをいう。
素子は、基板の表面側に半導体層が積層されると共にｎ
側電極およびｐ側電極が設けられる第１の発光素子チッ
プと、発光波長の光に対して実質的に透明な基板の表面
側に半導体層が積層されると共にｎ側電極およびｐ側電
極が設けられ、該電極が設けられた側を前記第１の発光
素子チップと逆向きにして配設される第２の発光素子チ
ップとからなり、前記第１および第２の発光素子チップ
のｎ側電極もしくはｐ側電極の異なる側の電極同士が直
接導電性材料により接着されている。ここに発光波長の
光に対して実質的に透明とは、発光層で発光した光を殆
ど減衰させることなく透過させ得ることをいう。
【０００７】この構成にすることにより、発光素子チッ
プの電極部を重ねて接続するため、隙間なく並べること
ができ、連続的に広い範囲に亘って発光させることがで
きる。しかも、直列接続になっているため、電流はどこ
でも同じで均一な発光をする。なお、通常の発光素子と
同様に、チップが載置される基板に反射機能を有するも
のが用いられることにより、表面側への発光効率を向上
させることができる。
プの電極部を重ねて接続するため、隙間なく並べること
ができ、連続的に広い範囲に亘って発光させることがで
きる。しかも、直列接続になっているため、電流はどこ
でも同じで均一な発光をする。なお、通常の発光素子と
同様に、チップが載置される基板に反射機能を有するも
のが用いられることにより、表面側への発光効率を向上
させることができる。
【０００８】前記第１および第２の発光素子チップが３
個以上交互に直線状に並んで、直列に接続されることに
より、長い線状の発光素子となる。この直線状に接続さ
れたＬＥＤチップ群をさらに横に並べて直列または並列
に接続することにより、面状に発光する発光素子とする
こともできる。
個以上交互に直線状に並んで、直列に接続されることに
より、長い線状の発光素子となる。この直線状に接続さ
れたＬＥＤチップ群をさらに横に並べて直列または並列
に接続することにより、面状に発光する発光素子とする
こともできる。
【０００９】前記第１および第２の発光素子チップが、
サファイア基板上にチッ化ガリウム系化合物半導体が積
層された発光素子チップであれば、基板が発光波長に対
して透明であり、裏向けても基板側から発光され、しか
も基板から電極を取り出しにくい構造で、基板の表面側
にｎ側およびｐ側の電極が設けられるため、交互に逆向
きにして重ね合せて直接接続するのに都合がよい。
サファイア基板上にチッ化ガリウム系化合物半導体が積
層された発光素子チップであれば、基板が発光波長に対
して透明であり、裏向けても基板側から発光され、しか
も基板から電極を取り出しにくい構造で、基板の表面側
にｎ側およびｐ側の電極が設けられるため、交互に逆向
きにして重ね合せて直接接続するのに都合がよい。
【００１０】ここにチッ化ガリウム系化合物半導体と
は、III 族元素のＧａとＶ族元素のＮとの化合物または
III 族元素のＧａの一部がＡｌ、Ｉｎなどの他のIII 族
元素と置換したものおよび／またはＶ族元素のＮの一部
がＰ、Ａｓなどの他のＶ族元素と置換した化合物からな
る半導体をいう。
は、III 族元素のＧａとＶ族元素のＮとの化合物または
III 族元素のＧａの一部がＡｌ、Ｉｎなどの他のIII 族
元素と置換したものおよび／またはＶ族元素のＮの一部
がＰ、Ａｓなどの他のＶ族元素と置換した化合物からな
る半導体をいう。
【００１１】
【発明の実施の形態】つぎに、図面を参照しながら本発
明の半導体発光素子について説明をする。
明の半導体発光素子について説明をする。
【００１２】本発明の半導体発光素子は、図１にその一
実施形態の概略平面図が示されるように、第１および第
２のＬＥＤチップ１１、１２がそれぞれ表裏交互に並べ
られて、それぞれのｐ側電極８とｎ側電極９とが導電性
材料により直接接着され、両端のＬＥＤチップ１１の相
互に接続されていないｐ側電極８およびｎ側電極９から
ワイヤ１３により電極端子が導出されることにより構成
されている。この第１および第２のＬＥＤチップ１１、
１２は、ｐ側電極８およびｎ側電極９の両方が積層され
た半導体層の表面側に設けられるように形成されている
ため、交互に表裏逆向きにすることにより、それぞれの
ｐ側電極８とｎ側電極９とを対向させて重ねることがで
きる。第１および第２のＬＥＤチップ１１、１２は共に
同じＬＥＤチップでも、異なるチップでもよいが、少な
くとも第２のＬＥＤチップ１２は、その基板がＬＥＤチ
ップ１２により発光する光を透過する材料により形成さ
れている。
実施形態の概略平面図が示されるように、第１および第
２のＬＥＤチップ１１、１２がそれぞれ表裏交互に並べ
られて、それぞれのｐ側電極８とｎ側電極９とが導電性
材料により直接接着され、両端のＬＥＤチップ１１の相
互に接続されていないｐ側電極８およびｎ側電極９から
ワイヤ１３により電極端子が導出されることにより構成
されている。この第１および第２のＬＥＤチップ１１、
１２は、ｐ側電極８およびｎ側電極９の両方が積層され
た半導体層の表面側に設けられるように形成されている
ため、交互に表裏逆向きにすることにより、それぞれの
ｐ側電極８とｎ側電極９とを対向させて重ねることがで
きる。第１および第２のＬＥＤチップ１１、１２は共に
同じＬＥＤチップでも、異なるチップでもよいが、少な
くとも第２のＬＥＤチップ１２は、その基板がＬＥＤチ
ップ１２により発光する光を透過する材料により形成さ
れている。
【００１３】ＬＥＤチップ１１、１２は、たとえば図２
にその一例の平面図およびそのＢ-Ｂ線断面図が示され
るような構造になっている。この例は、青色系の発光に
好適なチッ化ガリウム系化合物半導体がサファイア基板
１上に積層されて形成されたものである。すなわち、サ
ファイアからなる基板１上にＧａＮからなる低温バッフ
ァ層２、ＧａＮからなるｎ形層３、ＩｎＧａＮ系（Ｉｎ
とＧａの比率が種々変わり得ることを意味する、以下同
じ）化合物半導体からなる活性層４、ｐ形ＡｌＧａＮ系
（ＡｌとＧａの比率が種々変わり得ることを意味する、
以下同じ）化合物半導体層５ａおよびＧａＮ層５ｂから
なるｐ形層５が順次積層されて発光層部を形成し、その
表面に拡散メタル層７を介してｐ側電極８が設けられて
いる。そして、積層された半導体層の一部がエッチング
除去されて露出したｎ形層３にｎ側電極９が設けられる
ことにより形成されている。なお、図示されていないが
電極の周囲の露出面はパッシベーション膜が形成され
る。
にその一例の平面図およびそのＢ-Ｂ線断面図が示され
るような構造になっている。この例は、青色系の発光に
好適なチッ化ガリウム系化合物半導体がサファイア基板
１上に積層されて形成されたものである。すなわち、サ
ファイアからなる基板１上にＧａＮからなる低温バッフ
ァ層２、ＧａＮからなるｎ形層３、ＩｎＧａＮ系（Ｉｎ
とＧａの比率が種々変わり得ることを意味する、以下同
じ）化合物半導体からなる活性層４、ｐ形ＡｌＧａＮ系
（ＡｌとＧａの比率が種々変わり得ることを意味する、
以下同じ）化合物半導体層５ａおよびＧａＮ層５ｂから
なるｐ形層５が順次積層されて発光層部を形成し、その
表面に拡散メタル層７を介してｐ側電極８が設けられて
いる。そして、積層された半導体層の一部がエッチング
除去されて露出したｎ形層３にｎ側電極９が設けられる
ことにより形成されている。なお、図示されていないが
電極の周囲の露出面はパッシベーション膜が形成され
る。
【００１４】本発明の半導体発光素子に用いられるＬＥ
Ｄチップ１１、１２の少なくとも第２のＬＥＤチップ１
２は、その基板１がそのＬＥＤチップ１２により発光す
る光を透過する材料により形成されている。すなわち、
図２に示される青色系のＬＥＤチップ１１、１２は、チ
ッ化ガリウム系化合物半導体層と格子定数が整合し得る
基板材料としてサファイア（Ａｌ2 Ｏ3 単結晶）が使用
されている。そのため、積層された半導体層の発光部で
発光した光を透過させ、図１に示される第２のＬＥＤチ
ップ１２のように裏向きにして使用されても、基板１を
通して表面側に光を放射する。
Ｄチップ１１、１２の少なくとも第２のＬＥＤチップ１
２は、その基板１がそのＬＥＤチップ１２により発光す
る光を透過する材料により形成されている。すなわち、
図２に示される青色系のＬＥＤチップ１１、１２は、チ
ッ化ガリウム系化合物半導体層と格子定数が整合し得る
基板材料としてサファイア（Ａｌ2 Ｏ3 単結晶）が使用
されている。そのため、積層された半導体層の発光部で
発光した光を透過させ、図１に示される第２のＬＥＤチ
ップ１２のように裏向きにして使用されても、基板１を
通して表面側に光を放射する。
【００１５】また、ＬＥＤチップ１１、１２のｎ側（下
部）電極９は、積層された半導体層の一部をエッチング
により除去して露出したｎ形層３に設けられている。そ
のため、ｐ側電極８およびｎ側電極９が両方共基板１の
表面側になり、図１に示されるように、第１のＬＥＤチ
ップ１１を表向きにして並べ、第２のＬＥＤチップ１２
を裏向きにしてその間に並べて重ねることにより、第１
のＬＥＤチップ１１のｎ側電極９と第２のＬＥＤチップ
１２のｐ側電極８とを、また第１のＬＥＤチップ１１の
ｐ側電極８と第２のＬＥＤチップ１２のｎ側電極９とを
それぞれ対向させて導電性材料により直接接着すること
ができる。その結果、第１および第２のＬＥＤチップ１
１、１２が直列接続された半導体発光素子が得られる。
部）電極９は、積層された半導体層の一部をエッチング
により除去して露出したｎ形層３に設けられている。そ
のため、ｐ側電極８およびｎ側電極９が両方共基板１の
表面側になり、図１に示されるように、第１のＬＥＤチ
ップ１１を表向きにして並べ、第２のＬＥＤチップ１２
を裏向きにしてその間に並べて重ねることにより、第１
のＬＥＤチップ１１のｎ側電極９と第２のＬＥＤチップ
１２のｐ側電極８とを、また第１のＬＥＤチップ１１の
ｐ側電極８と第２のＬＥＤチップ１２のｎ側電極９とを
それぞれ対向させて導電性材料により直接接着すること
ができる。その結果、第１および第２のＬＥＤチップ１
１、１２が直列接続された半導体発光素子が得られる。
【００１６】本発明の半導体発光素子によれば、ＬＥＤ
チップの電極同士が直接導電性材料により接着されて接
続されているため、金線などのワイヤによりボンディン
グをする必要がなく、ワイヤの垂れなどによりタッチ不
良が生じることがない。さらに、ＬＥＤチップが重なっ
て並ぶため、その間に隙間がなく連続して発光する。ま
た、ｐ側電極とｎ側電極とを接続して直列接続にしてい
るため、ＬＥＤチップに抵抗の小さいチップがあっても
電流が集中することがなく、均一な発光をすると共に、
部分的に劣化して不良品になることがない。そのため、
高品質で、信頼性が向上する。
チップの電極同士が直接導電性材料により接着されて接
続されているため、金線などのワイヤによりボンディン
グをする必要がなく、ワイヤの垂れなどによりタッチ不
良が生じることがない。さらに、ＬＥＤチップが重なっ
て並ぶため、その間に隙間がなく連続して発光する。ま
た、ｐ側電極とｎ側電極とを接続して直列接続にしてい
るため、ＬＥＤチップに抵抗の小さいチップがあっても
電流が集中することがなく、均一な発光をすると共に、
部分的に劣化して不良品になることがない。そのため、
高品質で、信頼性が向上する。
【００１７】このＬＥＤチップ１１、１２が直列接続さ
れた半導体発光素子を製造するには、まず前述のＬＥＤ
チップを形成する前のウェハの状態で、たとえば蒸着お
よびパターニングによりｐ側電極８およびｎ側電極９の
表面にそれぞれＡｕ-Ｓｎ-Ｉｎの合金層を形成してお
く。そして、第１のＬＥＤチップ１１を発光素子用基板
上に位置決めして並べて接着固定する。その後、第２の
ＬＥＤチップ１２を第１のＬＥＤチップ１１の間に位置
すると共に、それぞれのｐ側電極８とｎ側電極９とが対
向して接触するように重ね合せ、固定して加熱炉内に入
れ、２００〜３００℃程度に加熱する。その結果、Ａｕ
-Ｓｎ-Ｉｎの合金が溶融してＬＥＤチップ１１、１２の
電極同士が接着し、ＬＥＤチップ１１、１２の連結され
たＬＥＤチップ群が得られる。このＬＥＤチップ群の両
端のチップの電極を図示しないリードとワイヤボンディ
ングをして、その表面側を透明樹脂によりモールドする
ことにより、線状の半導体発光素子が得られる。
れた半導体発光素子を製造するには、まず前述のＬＥＤ
チップを形成する前のウェハの状態で、たとえば蒸着お
よびパターニングによりｐ側電極８およびｎ側電極９の
表面にそれぞれＡｕ-Ｓｎ-Ｉｎの合金層を形成してお
く。そして、第１のＬＥＤチップ１１を発光素子用基板
上に位置決めして並べて接着固定する。その後、第２の
ＬＥＤチップ１２を第１のＬＥＤチップ１１の間に位置
すると共に、それぞれのｐ側電極８とｎ側電極９とが対
向して接触するように重ね合せ、固定して加熱炉内に入
れ、２００〜３００℃程度に加熱する。その結果、Ａｕ
-Ｓｎ-Ｉｎの合金が溶融してＬＥＤチップ１１、１２の
電極同士が接着し、ＬＥＤチップ１１、１２の連結され
たＬＥＤチップ群が得られる。このＬＥＤチップ群の両
端のチップの電極を図示しないリードとワイヤボンディ
ングをして、その表面側を透明樹脂によりモールドする
ことにより、線状の半導体発光素子が得られる。
【００１８】このＬＥＤチップ群を作製する際に、発光
素子用基板上にボンディングしないで、ジグ上に第１の
ＬＥＤチップ１１を位置決めして並べ、第２のＬＥＤチ
ップ１２を前述と同様に重ねて接着することにより、発
光素子用基板に接着されないＬＥＤチップ群が形成され
る。このＬＥＤチップ群を組立基板上にボンディングし
て両端の電極をワイヤで接続したり、他の組立てに直接
使用することができる。なお、前述の電極同士の接着
は、前述の合金を用いなくても、Ａｇペーストなどの導
電性接着剤を使用することもできる。
素子用基板上にボンディングしないで、ジグ上に第１の
ＬＥＤチップ１１を位置決めして並べ、第２のＬＥＤチ
ップ１２を前述と同様に重ねて接着することにより、発
光素子用基板に接着されないＬＥＤチップ群が形成され
る。このＬＥＤチップ群を組立基板上にボンディングし
て両端の電極をワイヤで接続したり、他の組立てに直接
使用することができる。なお、前述の電極同士の接着
は、前述の合金を用いなくても、Ａｇペーストなどの導
電性接着剤を使用することもできる。
【００１９】なお、前述のＬＥＤチップ１１、１２にお
いて、ｎ側電極９の形成のために行われるエッチング
が、図２に示されるように、四角形のチップの一隅部分
である場合は、ｐ側電極８およびｎ側電極９は、図２
（ａ）に示されるように、ＬＥＤチップ１１、１２の対
角線上に沿って設けられることが、図１に示されるよう
に、複数個直列に接続したときに一直線に並ぶため好ま
しい。また、図３（ａ）に示されるようにチップの対向
する両辺Ｂ、Ｃに亘ってエッチングされる場合には、図
３（ｂ）〜（ｃ）に平面図が示されるように、一辺Ａに
平行または一辺ＢおよびＣからそれぞれ等距離Ｅのとこ
ろに設けられることが一直線に並べる点から好ましい。
いて、ｎ側電極９の形成のために行われるエッチング
が、図２に示されるように、四角形のチップの一隅部分
である場合は、ｐ側電極８およびｎ側電極９は、図２
（ａ）に示されるように、ＬＥＤチップ１１、１２の対
角線上に沿って設けられることが、図１に示されるよう
に、複数個直列に接続したときに一直線に並ぶため好ま
しい。また、図３（ａ）に示されるようにチップの対向
する両辺Ｂ、Ｃに亘ってエッチングされる場合には、図
３（ｂ）〜（ｃ）に平面図が示されるように、一辺Ａに
平行または一辺ＢおよびＣからそれぞれ等距離Ｅのとこ
ろに設けられることが一直線に並べる点から好ましい。
【００２０】前述の例は、青色系のＬＥＤであったが、
青色系に限らず基板を発光波長に対して実質的に透明に
できるＬＥＤであれば本発明を適用できる。なお、異な
る色のＬＥＤチップを直列接続して混色の半導体発光素
子とすることもできる。この場合、基板が透明である必
要があるのは、裏向きにして使用する第２のＬＥＤチッ
プで、第１のＬＥＤチップの基板は発光色に対して不透
明基板で構わない。また、前述の線状の発光素子をさら
に平行に並べてそれぞれを直列または並列にワイヤなど
により接続すれば面状の半導体発光素子が得られる。
青色系に限らず基板を発光波長に対して実質的に透明に
できるＬＥＤであれば本発明を適用できる。なお、異な
る色のＬＥＤチップを直列接続して混色の半導体発光素
子とすることもできる。この場合、基板が透明である必
要があるのは、裏向きにして使用する第２のＬＥＤチッ
プで、第１のＬＥＤチップの基板は発光色に対して不透
明基板で構わない。また、前述の線状の発光素子をさら
に平行に並べてそれぞれを直列または並列にワイヤなど
により接続すれば面状の半導体発光素子が得られる。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、特別のチップ形状のも
のを作製しなくても、汎用のＬＥＤチップを用いるだけ
で、任意の線状もしくは面状の広い面積で発光する半導
体発光素子が得られる。
のを作製しなくても、汎用のＬＥＤチップを用いるだけ
で、任意の線状もしくは面状の広い面積で発光する半導
体発光素子が得られる。
【００２２】また、チップ間の隙間がないため、同じチ
ップの数を接続した同じ光量の発光素子に対して、約１
／２に小形化することができる。さらに、途切れがなく
連続的に発光する線状光源が得られるため、ラインセン
サの光源などに便利に用いられる。
ップの数を接続した同じ光量の発光素子に対して、約１
／２に小形化することができる。さらに、途切れがなく
連続的に発光する線状光源が得られるため、ラインセン
サの光源などに便利に用いられる。
【図１】本発明の半導体発光素子の一実施形態の説明図
である。
である。
【図２】図１のＬＥＤチップの一例の説明図である。
【図３】図１のＬＥＤチップの他の例の電極構造の変形
例を示す図である。
例を示す図である。
【図４】従来のＬＥＤチップを複数個接続して発光素子
とする例の説明図である。
とする例の説明図である。
１ 基板 ８ ｐ側電極 ９ ｎ側電極 １１ 第１のＬＥＤチップ １２ 第２のＬＥＤチップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 筒井 毅 京都市右京区西院溝崎町21番地 ローム株 式会社内 (72)発明者 伊藤 範和 京都市右京区西院溝崎町21番地 ローム株 式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 基板の表面側に半導体層が積層されると
共にｎ側電極およびｐ側電極が設けられる第１の発光素
子チップと、発光波長の光に対して実質的に透明な基板
の表面側に半導体層が積層されると共にｎ側電極および
ｐ側電極が設けられ、該電極が設けられた側を前記第１
の発光素子チップと逆向きにして配設される第２の発光
素子チップとからなり、前記第１および第２の発光素子
チップのｎ側電極もしくはｐ側電極の異なる側の電極同
士が直接導電性材料により接着されてなる半導体発光素
子。 - 【請求項２】 前記第１および第２の発光素子チップが
３個以上交互に直線状に並んで、直列に接続されてなる
請求項１記載の半導体発光素子。 - 【請求項３】 前記第１および第２の発光素子チップが
サファイア基板上にチッ化ガリウム系化合物半導体が積
層された発光素子チップである請求項１または２記載の
半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32632896A JP3571477B2 (ja) | 1996-12-06 | 1996-12-06 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32632896A JP3571477B2 (ja) | 1996-12-06 | 1996-12-06 | 半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10173225A true JPH10173225A (ja) | 1998-06-26 |
| JP3571477B2 JP3571477B2 (ja) | 2004-09-29 |
Family
ID=18186553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32632896A Expired - Lifetime JP3571477B2 (ja) | 1996-12-06 | 1996-12-06 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3571477B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007115928A (ja) * | 2005-10-20 | 2007-05-10 | Citizen Electronics Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2007299879A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2009094294A (ja) * | 2007-10-09 | 2009-04-30 | Alps Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2010153593A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Kyocera Corp | 発光素子およびそれを具備する発光素子アレイ |
| US9559083B2 (en) | 2013-10-01 | 2017-01-31 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
| JP2020053568A (ja) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
-
1996
- 1996-12-06 JP JP32632896A patent/JP3571477B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007115928A (ja) * | 2005-10-20 | 2007-05-10 | Citizen Electronics Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2007299879A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2009094294A (ja) * | 2007-10-09 | 2009-04-30 | Alps Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2010153593A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Kyocera Corp | 発光素子およびそれを具備する発光素子アレイ |
| US9559083B2 (en) | 2013-10-01 | 2017-01-31 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
| JP2020053568A (ja) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3571477B2 (ja) | 2004-09-29 |
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