RU2010143026A - Светящееся устройство - Google Patents

Светящееся устройство Download PDF

Info

Publication number
RU2010143026A
RU2010143026A RU2010143026/28A RU2010143026A RU2010143026A RU 2010143026 A RU2010143026 A RU 2010143026A RU 2010143026/28 A RU2010143026/28 A RU 2010143026/28A RU 2010143026 A RU2010143026 A RU 2010143026A RU 2010143026 A RU2010143026 A RU 2010143026A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
light
output section
diode structure
phosphor material
section
Prior art date
Application number
RU2010143026/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Хендрик Й. Б. Ягт (NL)
Хендрик Й. Б. ЯГТ
Original Assignee
Конинклейке Филипс Элкектроникс Н.В. (Nl)
Конинклейке Филипс Элкектроникс Н.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Конинклейке Филипс Элкектроникс Н.В. (Nl), Конинклейке Филипс Элкектроникс Н.В. filed Critical Конинклейке Филипс Элкектроникс Н.В. (Nl)
Publication of RU2010143026A publication Critical patent/RU2010143026A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • H10H20/856—Reflecting means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/819—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates
    • H10H20/82—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
    • H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
    • H10H20/8512—Wavelength conversion materials
    • H10H20/8513—Wavelength conversion materials having two or more wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8516—Wavelength conversion means having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer or wavelength conversion layer with a concentration gradient
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)

Abstract

1. Светящееся устройство (1), содержащее светопропускающий элемент (2), который содержит полупроводниковую диодную структуру (3) для генерации света, отражающую секцию (22) для отражения света от диодной структуры (3) в светопропускающий элемент (2), и выходную секцию (21) для выведения света из диодной структуры (3), при этом устройство (1) дополнительно содержит отражающую структуру (4), по меньшей мере, частично окружающую боковые поверхности светопропускающего элемента (2), для отражения света от диодной структуры (3) к выходной секции (21), причем площадь выходной секции (21) меньше, чем площадь диодной структуры (3). ! 2. Устройство (1) по п.1, в котором отражающая структура (4) дополнительно окружает отражающую секцию (22). ! 3. Устройство (1) по любому из пп.1 или 2, в котором отражающая секция (22) снабжена материалом, имеющим коэффициент преломления, меньший, чем коэффициент преломления светопропускающего элемента (2), при этом часть света, генерируемого в полупроводниковой диодной структуре, отражается путем полного внутреннего отражения. ! 4. Устройство (1) по любому из пп.1 или 2, в котором выходная секция (21) содержит шероховатую область. ! 5. Устройство (1) по п.4, в котором шероховатая область содержит рассеивающую вперед область, микрооптическую поглощающую структуру, микропризматическую пирамиду или канавку, дифракционную решетку, структуру голографической решетки, фотонный кристалл, квазифотонный кристалл или их комбинацию. ! 6. Устройство (1) по любому из пп.1 или 2, в котором светоизлучающий элемент (2) дополнительно содержит световодный слой (5, 8), расположенный между диодной структурой (3) и выходной секцией (21). ! 7. Устройство (1) по люб

Claims (15)

1. Светящееся устройство (1), содержащее светопропускающий элемент (2), который содержит полупроводниковую диодную структуру (3) для генерации света, отражающую секцию (22) для отражения света от диодной структуры (3) в светопропускающий элемент (2), и выходную секцию (21) для выведения света из диодной структуры (3), при этом устройство (1) дополнительно содержит отражающую структуру (4), по меньшей мере, частично окружающую боковые поверхности светопропускающего элемента (2), для отражения света от диодной структуры (3) к выходной секции (21), причем площадь выходной секции (21) меньше, чем площадь диодной структуры (3).
2. Устройство (1) по п.1, в котором отражающая структура (4) дополнительно окружает отражающую секцию (22).
3. Устройство (1) по любому из пп.1 или 2, в котором отражающая секция (22) снабжена материалом, имеющим коэффициент преломления, меньший, чем коэффициент преломления светопропускающего элемента (2), при этом часть света, генерируемого в полупроводниковой диодной структуре, отражается путем полного внутреннего отражения.
4. Устройство (1) по любому из пп.1 или 2, в котором выходная секция (21) содержит шероховатую область.
5. Устройство (1) по п.4, в котором шероховатая область содержит рассеивающую вперед область, микрооптическую поглощающую структуру, микропризматическую пирамиду или канавку, дифракционную решетку, структуру голографической решетки, фотонный кристалл, квазифотонный кристалл или их комбинацию.
6. Устройство (1) по любому из пп.1 или 2, в котором светоизлучающий элемент (2) дополнительно содержит световодный слой (5, 8), расположенный между диодной структурой (3) и выходной секцией (21).
7. Устройство (1) по любому из пп.1 или 2, в котором световодный слой (5, 8) содержит люминофорный материал, керамический люминофорный материал, подложку СИД, прозрачный YAG, стекло, сапфир, кварц или их сочетание.
8. Устройство (1) по любому из пп.1 или 2, в котором выходная секция (21) снабжена первым люминофорным материалом (7), предпочтительно первым керамическим люминофорным материалом.
9. Устройство (1) по п.8, в котором люминофорный материал (7), предусмотренный на выходной секции (21), отличается по типу от люминофорного материала (8), предпочтительно является керамическим люминофорным материалом, содержащимся в световодном слое (5, 8).
10. Устройство (1) по п.8, в котором светоизлучающий элемент (2) дополнительно содержит вторую выходную секцию (23), снабженную вторым люминофорным материалом, отличающимся по типу от первого люминофорного материала.
11. Устройство (1) по любому из пп.1 или 2, в котором светоизлучающий элемент (2) содержит множество выходных секций (21).
12. Устройство (1) по любому из пп.1 или 2, в котором форма, по меньшей мере, одной выходной секции (21) является прямоугольной, треугольной, многоугольной, квадратной, эллиптической, круглой, в форме креста, или в форме текста/изображений/логотипов или их сочетанием.
13. Устройство (1) по любому из пп.1 или 2, в котором, по меньшей мере, одна выходная секция (21) снабжена коллиматором, поглощающим свет колпаком, или их сочетанием.
14. Устройство (1) по любому из пп.1 или 2, в котором диодная структура (3) является диодной структурой (3) с перевернутым кристаллом с тонкой пленкой.
15. Осветительная система, содержащая устройство по любому из пп.1-14.
RU2010143026/28A 2008-03-21 2009-03-18 Светящееся устройство RU2010143026A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP08153168.3 2008-03-21
EP08153168 2008-03-21

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2010143026A true RU2010143026A (ru) 2012-04-27

Family

ID=40843339

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010143026/28A RU2010143026A (ru) 2008-03-21 2009-03-18 Светящееся устройство

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20110025190A1 (ru)
EP (1) EP2269239A2 (ru)
JP (1) JP2011515846A (ru)
KR (1) KR20100127286A (ru)
CN (1) CN101978516A (ru)
RU (1) RU2010143026A (ru)
TW (1) TW200950159A (ru)
WO (1) WO2009115998A2 (ru)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015134931A1 (en) * 2014-03-06 2015-09-11 Nlight Photonics Corporation High brightness multijunction diode stacking
US9455552B1 (en) 2011-12-16 2016-09-27 Nlight, Inc. Laser diode apparatus utilizing out of plane combination
US9705289B2 (en) 2014-03-06 2017-07-11 Nlight, Inc. High brightness multijunction diode stacking
US10153608B2 (en) 2016-03-18 2018-12-11 Nlight, Inc. Spectrally multiplexing diode pump modules to improve brightness
US10261261B2 (en) 2016-02-16 2019-04-16 Nlight, Inc. Passively aligned single element telescope for improved package brightness
US10283939B2 (en) 2016-12-23 2019-05-07 Nlight, Inc. Low cost optical pump laser package
US10761276B2 (en) 2015-05-15 2020-09-01 Nlight, Inc. Passively aligned crossed-cylinder objective assembly
US10763640B2 (en) 2017-04-24 2020-09-01 Nlight, Inc. Low swap two-phase cooled diode laser package
US10833482B2 (en) 2018-02-06 2020-11-10 Nlight, Inc. Diode laser apparatus with FAC lens out-of-plane beam steering

Families Citing this family (101)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9000461B2 (en) * 2003-07-04 2015-04-07 Epistar Corporation Optoelectronic element and manufacturing method thereof
US9461201B2 (en) 2007-11-14 2016-10-04 Cree, Inc. Light emitting diode dielectric mirror
US8299473B1 (en) * 2009-04-07 2012-10-30 Soraa, Inc. Polarized white light devices using non-polar or semipolar gallium containing materials and transparent phosphors
US8273588B2 (en) * 2009-07-20 2012-09-25 Osram Opto Semiconductros Gmbh Method for producing a luminous device and luminous device
US9362459B2 (en) 2009-09-02 2016-06-07 United States Department Of Energy High reflectivity mirrors and method for making same
US9435493B2 (en) 2009-10-27 2016-09-06 Cree, Inc. Hybrid reflector system for lighting device
DE102009058006B4 (de) * 2009-12-11 2022-03-31 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil
US9105824B2 (en) * 2010-04-09 2015-08-11 Cree, Inc. High reflective board or substrate for LEDs
US9012938B2 (en) 2010-04-09 2015-04-21 Cree, Inc. High reflective substrate of light emitting devices with improved light output
US8269235B2 (en) * 2010-04-26 2012-09-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lighting system including collimators aligned with light emitting segments
DE102010048162A1 (de) * 2010-10-11 2012-04-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Konversionsbauteil
ES2616308T3 (es) 2011-03-17 2017-06-12 Valoya Oy Método para cámaras de crecimiento oscuras
TWI410591B (zh) * 2011-03-18 2013-10-01 Young Lighting Technology Corp 光源裝置
JP5962102B2 (ja) * 2011-03-24 2016-08-03 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
DE102011050450A1 (de) * 2011-05-18 2012-11-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip, optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
US9728676B2 (en) 2011-06-24 2017-08-08 Cree, Inc. High voltage monolithic LED chip
US10243121B2 (en) 2011-06-24 2019-03-26 Cree, Inc. High voltage monolithic LED chip with improved reliability
KR101819988B1 (ko) * 2011-10-11 2018-01-19 에스케이플래닛 주식회사 키워드 광고 제공 장치, 키워드 광고에서의 과금 방법, 및 이를 실행하는 프로그램을 기록한 기록 매체
US9423085B2 (en) 2011-12-07 2016-08-23 Koninklijke Philips N.V. Beam shaping light emitting module
WO2013088296A1 (en) * 2011-12-16 2013-06-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Optical arrangement with diffractive optics
DE102012202928A1 (de) * 2012-02-27 2013-08-29 Osram Gmbh Lichtquelle mit led-chip und leuchtstoffschicht
DE102012202927B4 (de) * 2012-02-27 2021-06-10 Osram Gmbh Lichtquelle mit led-chip und leuchtstoffschicht
DE102012102301B4 (de) 2012-03-19 2021-06-17 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip und Scheinwerfer mit einem solchen Halbleiterchip
JP5816127B2 (ja) * 2012-04-27 2015-11-18 株式会社東芝 半導体発光装置およびその製造方法
US20140048824A1 (en) 2012-08-15 2014-02-20 Epistar Corporation Light-emitting device
US9356070B2 (en) 2012-08-15 2016-05-31 Epistar Corporation Light-emitting device
JPWO2014081042A1 (ja) * 2012-11-26 2017-01-05 シチズン電子株式会社 発光装置
DE102012113003A1 (de) * 2012-12-21 2014-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
CN103968332B (zh) 2013-01-25 2015-10-07 深圳市光峰光电技术有限公司 一种波长转换装置、发光装置及投影系统
DE102013204291A1 (de) * 2013-03-12 2014-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
CN105051443A (zh) * 2013-03-26 2015-11-11 皇家飞利浦有限公司 具有发光材料的密闭密封光照器件及其制造方法
JP6217210B2 (ja) * 2013-07-23 2017-10-25 セイコーエプソン株式会社 光源装置、およびプロジェクター
JP6266923B2 (ja) * 2013-08-26 2018-01-24 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光装置
DE102013217410A1 (de) * 2013-09-02 2015-03-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul und Verfahren zu seiner Herstellung
JP6229412B2 (ja) * 2013-09-30 2017-11-15 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6253949B2 (ja) * 2013-10-25 2017-12-27 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光装置
JP6438648B2 (ja) 2013-11-15 2018-12-19 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
CN105829797B (zh) * 2013-12-20 2021-01-22 昕诺飞控股有限公司 发光设备
KR102318355B1 (ko) 2014-01-09 2021-10-28 루미리즈 홀딩 비.브이. 반사성 측벽을 갖는 발광 디바이스
US9995458B2 (en) 2014-01-13 2018-06-12 Lg Innotek Co., Ltd. Ceramic phosphor plate and lighting device including the same
KR102288069B1 (ko) * 2014-01-28 2021-08-11 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 조명 장치
US9997676B2 (en) 2014-05-14 2018-06-12 Genesis Photonics Inc. Light emitting device and manufacturing method thereof
US10439111B2 (en) 2014-05-14 2019-10-08 Genesis Photonics Inc. Light emitting device and manufacturing method thereof
JP6398323B2 (ja) * 2014-05-25 2018-10-03 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子の製造方法
JP6349973B2 (ja) * 2014-05-30 2018-07-04 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
TWI557952B (zh) 2014-06-12 2016-11-11 新世紀光電股份有限公司 發光元件
DE102014108295A1 (de) * 2014-06-12 2015-12-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Licht emittierendes Halbleiterbauelement
JP2017527948A (ja) 2014-06-26 2017-09-21 フィリップス ライティング ホールディング ビー ヴィ 小型ｌｅｄ照明ユニット
JP2016018921A (ja) * 2014-07-09 2016-02-01 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及び発光デバイス
WO2016009061A1 (en) * 2014-07-18 2016-01-21 Koninklijke Philips N.V. Led light source for automotive application
US10211187B2 (en) * 2014-07-18 2019-02-19 Koninklijke Philips N.V. Light emitting diodes and reflector
JP2016058624A (ja) * 2014-09-11 2016-04-21 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置
US20160190406A1 (en) 2014-12-24 2016-06-30 Epistar Corporation Light-emitting device and manufacturing method thereof
CN105742454A (zh) * 2014-12-24 2016-07-06 晶元光电股份有限公司 发光元件以及其制造方法
US10658546B2 (en) 2015-01-21 2020-05-19 Cree, Inc. High efficiency LEDs and methods of manufacturing
JP2015099940A (ja) * 2015-02-23 2015-05-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
TWI657597B (zh) * 2015-03-18 2019-04-21 新世紀光電股份有限公司 側照式發光二極體結構及其製造方法
US10629788B2 (en) 2015-03-26 2020-04-21 Koninklijke Philips N.V. Light source
US11005021B2 (en) 2015-03-30 2021-05-11 Koninklijke Philips N.V. Peripheral heat sinking arrangement for high brightness light emitting devices
DE102015122627A1 (de) * 2015-05-28 2016-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische Anordnung und Tiefenerfassungssystem
KR102641716B1 (ko) * 2015-08-03 2024-02-29 루미리즈 홀딩 비.브이. 반사성 측면 코팅을 가지는 반도체 발광 디바이스
CN111223975A (zh) 2015-09-18 2020-06-02 新世纪光电股份有限公司 发光装置及其制造方法
CN108141011B (zh) * 2015-10-01 2020-09-01 通快光电器件有限公司 发光设备
WO2017061119A1 (ja) 2015-10-09 2017-04-13 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光学部材およびマイクロレンズアレイ
KR20170051004A (ko) * 2015-11-02 2017-05-11 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
US10510934B2 (en) 2015-11-30 2019-12-17 Nichia Corporation Light emitting device
JP6332294B2 (ja) * 2015-11-30 2018-05-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE102016108692A1 (de) * 2016-05-11 2017-11-16 Osram Gmbh Leuchtdiode und Leuchtmodul
DE102016109308B4 (de) * 2016-05-20 2024-01-18 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierendes bauelement
US10388838B2 (en) 2016-10-19 2019-08-20 Genesis Photonics Inc. Light-emitting device and manufacturing method thereof
DE102016224090B4 (de) * 2016-12-05 2024-03-28 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement, Modul mit mindestens zwei optoelektronischen Bauelementen und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
CN110050353B (zh) * 2016-12-15 2022-09-20 亮锐控股有限公司 具有高近场对比率的led模块
US10243124B2 (en) * 2016-12-26 2019-03-26 Nichia Corporation Light emitting device
CN108269899B (zh) * 2016-12-30 2020-06-05 光宝光电(常州)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
US10410997B2 (en) 2017-05-11 2019-09-10 Cree, Inc. Tunable integrated optics LED components and methods
JP2019028096A (ja) * 2017-07-25 2019-02-21 日本電気硝子株式会社 波長変換部材
CN107452847A (zh) * 2017-09-08 2017-12-08 宁波高新区斯汀环保科技有限公司 一种高穿透高色纯显示屏用led材料及其制造方法
KR101977261B1 (ko) * 2017-11-03 2019-05-13 엘지전자 주식회사 형광체 모듈
CN109755220B (zh) 2017-11-05 2022-09-02 新世纪光电股份有限公司 发光装置及其制作方法
CN109994458B (zh) 2017-11-05 2022-07-01 新世纪光电股份有限公司 发光装置
DE102017129623B4 (de) 2017-12-12 2024-03-28 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Licht emittierendes Halbleiterbauelement
TWI660487B (zh) 2017-12-19 2019-05-21 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 微型元件結構
US10748804B2 (en) 2017-12-19 2020-08-18 PlayNitride Inc. Structure with micro device having holding structure
US10804130B2 (en) 2017-12-19 2020-10-13 PlayNitride Inc. Structure with micro device
US10797029B2 (en) 2017-12-19 2020-10-06 PlayNitride Inc. Structure with micro device
US11417806B2 (en) * 2018-07-30 2022-08-16 Lumileds Llc Dielectric mirror for broadband IR LEDs
JP7157327B2 (ja) * 2018-10-30 2022-10-20 日亜化学工業株式会社 発光装置
US11695093B2 (en) 2018-11-21 2023-07-04 Analog Devices, Inc. Superlattice photodetector/light emitting diode
DE102018132651A1 (de) * 2018-12-18 2020-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauteil
WO2020146335A1 (en) * 2019-01-07 2020-07-16 Intelligent Material Solutions, Inc. System and method for mobile device phosphor excitation and detection
CN109994590A (zh) * 2019-04-11 2019-07-09 中山市立体光电科技有限公司 一种红光led封装器件及其制作方法
EP3956925A1 (en) * 2019-04-18 2022-02-23 Lumileds Holding B.V. Lighting device
FR3098277A1 (fr) * 2019-07-01 2021-01-08 Psa Automobiles Sa Dispositif de signalisation lumineuse pour véhicule
DE102019121896A1 (de) 2019-08-14 2021-02-18 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches bauelement
CN110828644B (zh) * 2019-11-18 2020-09-29 北京智创华科半导体研究院有限公司 一种led
TWI725757B (zh) * 2020-03-05 2021-04-21 財團法人工業技術研究院 子畫素結構、畫素結構以及應用於其的發光二極體晶粒
JP7518374B2 (ja) * 2020-09-30 2024-07-18 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2023007823A1 (ja) * 2021-07-30 2023-02-02 ソニーグループ株式会社 発光デバイスおよび画像表示装置
US12327978B2 (en) * 2021-09-23 2025-06-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Semiconductor light source with a mirror coating and method
CN116264263A (zh) * 2021-12-15 2023-06-16 厦门市芯颖显示科技有限公司 发光器件和转移装置
TWI869735B (zh) * 2022-12-06 2025-01-11 葳天科技股份有限公司 發光結構

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5114439B2 (ru) * 1972-05-15 1976-05-10
JPH06338630A (ja) * 1993-05-28 1994-12-06 Omron Corp 半導体発光素子、並びに当該発光素子を用いた光学検知装置、光学的情報処理装置、光結合装置及び発光装置
US6730940B1 (en) * 2002-10-29 2004-05-04 Lumileds Lighting U.S., Llc Enhanced brightness light emitting device spot emitter
US7245072B2 (en) * 2003-01-27 2007-07-17 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having a polymeric long pass reflector
US6869206B2 (en) * 2003-05-23 2005-03-22 Scott Moore Zimmerman Illumination systems utilizing highly reflective light emitting diodes and light recycling to enhance brightness
JP4679183B2 (ja) * 2005-03-07 2011-04-27 シチズン電子株式会社 発光装置及び照明装置
US7196354B1 (en) * 2005-09-29 2007-03-27 Luminus Devices, Inc. Wavelength-converting light-emitting devices
US7498735B2 (en) * 2005-10-18 2009-03-03 Eastman Kodak Company OLED device having improved power distribution
JP2009512178A (ja) * 2005-11-04 2009-03-19 パナソニック株式会社 発光モジュールとこれを用いた表示装置及び照明装置
WO2007080555A1 (en) * 2006-01-16 2007-07-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Phosphor converted light emitting device
EP2033236A4 (en) * 2006-06-12 2014-10-22 3M Innovative Properties Co LED DEVICE WITH RE-ESTIMATING SEMICONDUCTOR CONSTRUCTION AND OPTICAL ELEMENT
US7781779B2 (en) * 2007-05-08 2010-08-24 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices including wavelength converting material
TWI384654B (zh) * 2009-07-31 2013-02-01 國立臺灣科技大學 色溫可調之白光發光裝置

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9455552B1 (en) 2011-12-16 2016-09-27 Nlight, Inc. Laser diode apparatus utilizing out of plane combination
WO2015134931A1 (en) * 2014-03-06 2015-09-11 Nlight Photonics Corporation High brightness multijunction diode stacking
US9705289B2 (en) 2014-03-06 2017-07-11 Nlight, Inc. High brightness multijunction diode stacking
US9720145B2 (en) 2014-03-06 2017-08-01 Nlight, Inc. High brightness multijunction diode stacking
US10761276B2 (en) 2015-05-15 2020-09-01 Nlight, Inc. Passively aligned crossed-cylinder objective assembly
US10261261B2 (en) 2016-02-16 2019-04-16 Nlight, Inc. Passively aligned single element telescope for improved package brightness
US10564361B2 (en) 2016-02-16 2020-02-18 Nlight, Inc. Passively aligned single element telescope for improved package brightness
US10418774B2 (en) 2016-03-18 2019-09-17 Nlight, Inc. Spectrally multiplexing diode pump modules to improve brightness
US10153608B2 (en) 2016-03-18 2018-12-11 Nlight, Inc. Spectrally multiplexing diode pump modules to improve brightness
US10283939B2 (en) 2016-12-23 2019-05-07 Nlight, Inc. Low cost optical pump laser package
US10797471B2 (en) 2016-12-23 2020-10-06 Nlight Inc. Low cost optical pump laser package
US11424598B2 (en) 2016-12-23 2022-08-23 Nlight, Inc. Low cost optical pump laser package
US10763640B2 (en) 2017-04-24 2020-09-01 Nlight, Inc. Low swap two-phase cooled diode laser package
US10833482B2 (en) 2018-02-06 2020-11-10 Nlight, Inc. Diode laser apparatus with FAC lens out-of-plane beam steering
US11979002B2 (en) 2018-02-06 2024-05-07 Nlight, Inc. Diode laser apparatus with FAC lens out-of-plane beam steering

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011515846A (ja) 2011-05-19
KR20100127286A (ko) 2010-12-03
WO2009115998A3 (en) 2010-03-25
US20110025190A1 (en) 2011-02-03
CN101978516A (zh) 2011-02-16
EP2269239A2 (en) 2011-01-05
WO2009115998A2 (en) 2009-09-24
TW200950159A (en) 2009-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2010143026A (ru) Светящееся устройство
TWI512230B (zh) 發光二極體光源模組
US10042109B2 (en) Lighting unit comprising a waveguide
JP5395097B2 (ja) 発光モジュールおよび灯具ユニット
RU2009103911A (ru) Модуль осветительного устройства
US9200765B1 (en) Method and system for redirecting light emitted from a light emitting diode
JP4976218B2 (ja) 発光ユニット
JP6173456B2 (ja) 照明デバイス
RU2010109737A (ru) Оптический элемент, связанный с низкопрофильным светоизлучающим диодом бокового излучения
TWI520383B (zh) 發光二極體封裝結構
DE60315606D1 (de) Optische lichtleitervorrichtung
DE602006008239D1 (de) Kfz-Signal- und/oder Beleuchtungseinrichtung mit einem Lichtleiter
US20160163938A1 (en) Flip-chip side emitting led
JP2010537364A (ja) 照明アセンブリ
WO2007022314A3 (en) An improved optic for leds and other light sources
US20130208478A1 (en) Adaptor for converting laser devices to lighting
US7789536B2 (en) Lighting device
RU2010110388A (ru) Оптическое устройство, ламинат и маркированное изделие
TWI476945B (zh) 具混合頂反射之側發光裝置
US20050135109A1 (en) Light blade
US20130272025A1 (en) Lighting device and cove lighting module using the same
CN101619832A (zh) 照明装置
RU2010128538A (ru) Устройство бокового свечения с гибридным верхним отражателем
US20080068712A1 (en) Polarization Beam Source
JPWO2020207852A5 (ru)

Legal Events

Date Code Title Description
FA92 Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted)

Effective date: 20130809