RU2010143026A - Светящееся устройство - Google Patents

Светящееся устройство Download PDF

Info

Publication number
RU2010143026A
RU2010143026A RU2010143026/28A RU2010143026A RU2010143026A RU 2010143026 A RU2010143026 A RU 2010143026A RU 2010143026/28 A RU2010143026/28 A RU 2010143026/28A RU 2010143026 A RU2010143026 A RU 2010143026A RU 2010143026 A RU2010143026 A RU 2010143026A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
light
output section
diode structure
phosphor material
section
Prior art date
Application number
RU2010143026/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Хендрик Й. Б. Ягт (NL)
Хендрик Й. Б. ЯГТ
Original Assignee
Конинклейке Филипс Элкектроникс Н.В. (Nl)
Конинклейке Филипс Элкектроникс Н.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Конинклейке Филипс Элкектроникс Н.В. (Nl), Конинклейке Филипс Элкектроникс Н.В. filed Critical Конинклейке Филипс Элкектроникс Н.В. (Nl)
Publication of RU2010143026A publication Critical patent/RU2010143026A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)

Abstract

1. Светящееся устройство (1), содержащее светопропускающий элемент (2), который содержит полупроводниковую диодную структуру (3) для генерации света, отражающую секцию (22) для отражения света от диодной структуры (3) в светопропускающий элемент (2), и выходную секцию (21) для выведения света из диодной структуры (3), при этом устройство (1) дополнительно содержит отражающую структуру (4), по меньшей мере, частично окружающую боковые поверхности светопропускающего элемента (2), для отражения света от диодной структуры (3) к выходной секции (21), причем площадь выходной секции (21) меньше, чем площадь диодной структуры (3). ! 2. Устройство (1) по п.1, в котором отражающая структура (4) дополнительно окружает отражающую секцию (22). ! 3. Устройство (1) по любому из пп.1 или 2, в котором отражающая секция (22) снабжена материалом, имеющим коэффициент преломления, меньший, чем коэффициент преломления светопропускающего элемента (2), при этом часть света, генерируемого в полупроводниковой диодной структуре, отражается путем полного внутреннего отражения. ! 4. Устройство (1) по любому из пп.1 или 2, в котором выходная секция (21) содержит шероховатую область. ! 5. Устройство (1) по п.4, в котором шероховатая область содержит рассеивающую вперед область, микрооптическую поглощающую структуру, микропризматическую пирамиду или канавку, дифракционную решетку, структуру голографической решетки, фотонный кристалл, квазифотонный кристалл или их комбинацию. ! 6. Устройство (1) по любому из пп.1 или 2, в котором светоизлучающий элемент (2) дополнительно содержит световодный слой (5, 8), расположенный между диодной структурой (3) и выходной секцией (21). ! 7. Устройство (1) по люб

Claims (15)

1. Светящееся устройство (1), содержащее светопропускающий элемент (2), который содержит полупроводниковую диодную структуру (3) для генерации света, отражающую секцию (22) для отражения света от диодной структуры (3) в светопропускающий элемент (2), и выходную секцию (21) для выведения света из диодной структуры (3), при этом устройство (1) дополнительно содержит отражающую структуру (4), по меньшей мере, частично окружающую боковые поверхности светопропускающего элемента (2), для отражения света от диодной структуры (3) к выходной секции (21), причем площадь выходной секции (21) меньше, чем площадь диодной структуры (3).
2. Устройство (1) по п.1, в котором отражающая структура (4) дополнительно окружает отражающую секцию (22).
3. Устройство (1) по любому из пп.1 или 2, в котором отражающая секция (22) снабжена материалом, имеющим коэффициент преломления, меньший, чем коэффициент преломления светопропускающего элемента (2), при этом часть света, генерируемого в полупроводниковой диодной структуре, отражается путем полного внутреннего отражения.
4. Устройство (1) по любому из пп.1 или 2, в котором выходная секция (21) содержит шероховатую область.
5. Устройство (1) по п.4, в котором шероховатая область содержит рассеивающую вперед область, микрооптическую поглощающую структуру, микропризматическую пирамиду или канавку, дифракционную решетку, структуру голографической решетки, фотонный кристалл, квазифотонный кристалл или их комбинацию.
6. Устройство (1) по любому из пп.1 или 2, в котором светоизлучающий элемент (2) дополнительно содержит световодный слой (5, 8), расположенный между диодной структурой (3) и выходной секцией (21).
7. Устройство (1) по любому из пп.1 или 2, в котором световодный слой (5, 8) содержит люминофорный материал, керамический люминофорный материал, подложку СИД, прозрачный YAG, стекло, сапфир, кварц или их сочетание.
8. Устройство (1) по любому из пп.1 или 2, в котором выходная секция (21) снабжена первым люминофорным материалом (7), предпочтительно первым керамическим люминофорным материалом.
9. Устройство (1) по п.8, в котором люминофорный материал (7), предусмотренный на выходной секции (21), отличается по типу от люминофорного материала (8), предпочтительно является керамическим люминофорным материалом, содержащимся в световодном слое (5, 8).
10. Устройство (1) по п.8, в котором светоизлучающий элемент (2) дополнительно содержит вторую выходную секцию (23), снабженную вторым люминофорным материалом, отличающимся по типу от первого люминофорного материала.
11. Устройство (1) по любому из пп.1 или 2, в котором светоизлучающий элемент (2) содержит множество выходных секций (21).
12. Устройство (1) по любому из пп.1 или 2, в котором форма, по меньшей мере, одной выходной секции (21) является прямоугольной, треугольной, многоугольной, квадратной, эллиптической, круглой, в форме креста, или в форме текста/изображений/логотипов или их сочетанием.
13. Устройство (1) по любому из пп.1 или 2, в котором, по меньшей мере, одна выходная секция (21) снабжена коллиматором, поглощающим свет колпаком, или их сочетанием.
14. Устройство (1) по любому из пп.1 или 2, в котором диодная структура (3) является диодной структурой (3) с перевернутым кристаллом с тонкой пленкой.
15. Осветительная система, содержащая устройство по любому из пп.1-14.
RU2010143026/28A 2008-03-21 2009-03-18 Светящееся устройство RU2010143026A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP08153168 2008-03-21
EP08153168.3 2008-03-21

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2010143026A true RU2010143026A (ru) 2012-04-27

Family

ID=40843339

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010143026/28A RU2010143026A (ru) 2008-03-21 2009-03-18 Светящееся устройство

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20110025190A1 (ru)
EP (1) EP2269239A2 (ru)
JP (1) JP2011515846A (ru)
KR (1) KR20100127286A (ru)
CN (1) CN101978516A (ru)
RU (1) RU2010143026A (ru)
TW (1) TW200950159A (ru)
WO (1) WO2009115998A2 (ru)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015134931A1 (en) * 2014-03-06 2015-09-11 Nlight Photonics Corporation High brightness multijunction diode stacking
US9455552B1 (en) 2011-12-16 2016-09-27 Nlight, Inc. Laser diode apparatus utilizing out of plane combination
US9705289B2 (en) 2014-03-06 2017-07-11 Nlight, Inc. High brightness multijunction diode stacking
US10153608B2 (en) 2016-03-18 2018-12-11 Nlight, Inc. Spectrally multiplexing diode pump modules to improve brightness
US10261261B2 (en) 2016-02-16 2019-04-16 Nlight, Inc. Passively aligned single element telescope for improved package brightness
US10283939B2 (en) 2016-12-23 2019-05-07 Nlight, Inc. Low cost optical pump laser package
US10761276B2 (en) 2015-05-15 2020-09-01 Nlight, Inc. Passively aligned crossed-cylinder objective assembly
US10763640B2 (en) 2017-04-24 2020-09-01 Nlight, Inc. Low swap two-phase cooled diode laser package
US10833482B2 (en) 2018-02-06 2020-11-10 Nlight, Inc. Diode laser apparatus with FAC lens out-of-plane beam steering

Families Citing this family (96)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9000461B2 (en) * 2003-07-04 2015-04-07 Epistar Corporation Optoelectronic element and manufacturing method thereof
US9461201B2 (en) 2007-11-14 2016-10-04 Cree, Inc. Light emitting diode dielectric mirror
US8299473B1 (en) * 2009-04-07 2012-10-30 Soraa, Inc. Polarized white light devices using non-polar or semipolar gallium containing materials and transparent phosphors
US8273588B2 (en) * 2009-07-20 2012-09-25 Osram Opto Semiconductros Gmbh Method for producing a luminous device and luminous device
US9362459B2 (en) 2009-09-02 2016-06-07 United States Department Of Energy High reflectivity mirrors and method for making same
US9435493B2 (en) 2009-10-27 2016-09-06 Cree, Inc. Hybrid reflector system for lighting device
DE102009058006B4 (de) * 2009-12-11 2022-03-31 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil
US9105824B2 (en) * 2010-04-09 2015-08-11 Cree, Inc. High reflective board or substrate for LEDs
US9012938B2 (en) 2010-04-09 2015-04-21 Cree, Inc. High reflective substrate of light emitting devices with improved light output
US8269235B2 (en) * 2010-04-26 2012-09-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lighting system including collimators aligned with light emitting segments
DE102010048162A1 (de) 2010-10-11 2012-04-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Konversionsbauteil
ES2894833T3 (es) 2011-03-17 2022-02-16 Valoya Oy Dispositivo y método de iluminación de plantas para cámaras de crecimiento oscuras
TWI410591B (zh) * 2011-03-18 2013-10-01 Young Lighting Technology Corp 光源裝置
JP5962102B2 (ja) * 2011-03-24 2016-08-03 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
DE102011050450A1 (de) * 2011-05-18 2012-11-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip, optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
US9728676B2 (en) 2011-06-24 2017-08-08 Cree, Inc. High voltage monolithic LED chip
US10243121B2 (en) 2011-06-24 2019-03-26 Cree, Inc. High voltage monolithic LED chip with improved reliability
KR101819988B1 (ko) * 2011-10-11 2018-01-19 에스케이플래닛 주식회사 키워드 광고 제공 장치, 키워드 광고에서의 과금 방법, 및 이를 실행하는 프로그램을 기록한 기록 매체
EP2748873A1 (en) 2011-12-07 2014-07-02 Koninklijke Philips N.V. Beam shaping light emitting module
JP2015506071A (ja) * 2011-12-16 2015-02-26 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 回折光学素子を備える光学装置
DE102012202927B4 (de) 2012-02-27 2021-06-10 Osram Gmbh Lichtquelle mit led-chip und leuchtstoffschicht
DE102012202928A1 (de) * 2012-02-27 2013-08-29 Osram Gmbh Lichtquelle mit led-chip und leuchtstoffschicht
DE102012102301B4 (de) 2012-03-19 2021-06-17 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip und Scheinwerfer mit einem solchen Halbleiterchip
JP5816127B2 (ja) * 2012-04-27 2015-11-18 株式会社東芝 半導体発光装置およびその製造方法
US20140048824A1 (en) 2012-08-15 2014-02-20 Epistar Corporation Light-emitting device
US9356070B2 (en) 2012-08-15 2016-05-31 Epistar Corporation Light-emitting device
WO2014081042A1 (ja) * 2012-11-26 2014-05-30 シチズン電子株式会社 発光装置
DE102012113003A1 (de) * 2012-12-21 2014-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
CN103968332B (zh) * 2013-01-25 2015-10-07 深圳市光峰光电技术有限公司 一种波长转换装置、发光装置及投影系统
DE102013204291A1 (de) * 2013-03-12 2014-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
WO2014154722A1 (en) * 2013-03-26 2014-10-02 Koninklijke Philips N.V. Hermetically sealed illumination device with luminescent material and manufacturing method therefor
JP6217210B2 (ja) * 2013-07-23 2017-10-25 セイコーエプソン株式会社 光源装置、およびプロジェクター
JP6266923B2 (ja) * 2013-08-26 2018-01-24 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光装置
DE102013217410A1 (de) * 2013-09-02 2015-03-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul und Verfahren zu seiner Herstellung
JP6229412B2 (ja) * 2013-09-30 2017-11-15 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6253949B2 (ja) * 2013-10-25 2017-12-27 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光装置
JP6438648B2 (ja) 2013-11-15 2018-12-19 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
RU2689122C1 (ru) 2013-12-20 2019-05-24 Филипс Лайтинг Холдинг Б.В. Светоизлучающее устройство
KR102318355B1 (ko) 2014-01-09 2021-10-28 루미리즈 홀딩 비.브이. 반사성 측벽을 갖는 발광 디바이스
US9995458B2 (en) 2014-01-13 2018-06-12 Lg Innotek Co., Ltd. Ceramic phosphor plate and lighting device including the same
KR102288069B1 (ko) * 2014-01-28 2021-08-11 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 조명 장치
US9997676B2 (en) 2014-05-14 2018-06-12 Genesis Photonics Inc. Light emitting device and manufacturing method thereof
US10439111B2 (en) 2014-05-14 2019-10-08 Genesis Photonics Inc. Light emitting device and manufacturing method thereof
JP6398323B2 (ja) 2014-05-25 2018-10-03 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子の製造方法
JP6349973B2 (ja) * 2014-05-30 2018-07-04 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
DE102014108295A1 (de) * 2014-06-12 2015-12-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Licht emittierendes Halbleiterbauelement
TWI557952B (zh) 2014-06-12 2016-11-11 新世紀光電股份有限公司 發光元件
WO2015197269A1 (en) 2014-06-26 2015-12-30 Koninklijke Philips N.V. Compact led lighting unit
JP2016018921A (ja) * 2014-07-09 2016-02-01 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及び発光デバイス
WO2016009061A1 (en) * 2014-07-18 2016-01-21 Koninklijke Philips N.V. Led light source for automotive application
US10211187B2 (en) * 2014-07-18 2019-02-19 Koninklijke Philips N.V. Light emitting diodes and reflector
JP2016058624A (ja) * 2014-09-11 2016-04-21 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置
CN105742454A (zh) * 2014-12-24 2016-07-06 晶元光电股份有限公司 发光元件以及其制造方法
US20160190406A1 (en) 2014-12-24 2016-06-30 Epistar Corporation Light-emitting device and manufacturing method thereof
US10658546B2 (en) 2015-01-21 2020-05-19 Cree, Inc. High efficiency LEDs and methods of manufacturing
JP2015099940A (ja) * 2015-02-23 2015-05-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
TWI657597B (zh) * 2015-03-18 2019-04-21 新世紀光電股份有限公司 側照式發光二極體結構及其製造方法
CN107408614B (zh) * 2015-03-26 2020-09-01 亮锐控股有限公司 光源
CN107454985B (zh) * 2015-03-30 2020-08-21 亮锐控股有限公司 用于高亮度发光装置的外围散热布置
DE102015122627A1 (de) * 2015-05-28 2016-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische Anordnung und Tiefenerfassungssystem
US11127887B2 (en) * 2015-08-03 2021-09-21 Lumileds Llc Semiconductor light emitting device with reflective side coating
CN111223975A (zh) 2015-09-18 2020-06-02 新世纪光电股份有限公司 发光装置及其制造方法
WO2017055160A1 (en) * 2015-10-01 2017-04-06 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device
US10174909B2 (en) 2015-10-09 2019-01-08 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Optical member and microlens array
KR20170051004A (ko) * 2015-11-02 2017-05-11 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
EP3174110B1 (en) * 2015-11-30 2020-12-23 Nichia Corporation Light emitting device
JP6332294B2 (ja) * 2015-11-30 2018-05-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE102016108692A1 (de) * 2016-05-11 2017-11-16 Osram Gmbh Leuchtdiode und Leuchtmodul
DE102016109308B4 (de) * 2016-05-20 2024-01-18 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierendes bauelement
TWI651870B (zh) 2016-10-19 2019-02-21 新世紀光電股份有限公司 發光裝置及其製造方法
DE102016224090B4 (de) * 2016-12-05 2024-03-28 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement, Modul mit mindestens zwei optoelektronischen Bauelementen und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
EP3555928B1 (en) * 2016-12-15 2020-10-07 Lumileds Holding B.V. Led module with high near field contrast ratio
US10243124B2 (en) * 2016-12-26 2019-03-26 Nichia Corporation Light emitting device
CN108269899B (zh) * 2016-12-30 2020-06-05 光宝光电(常州)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
US10410997B2 (en) 2017-05-11 2019-09-10 Cree, Inc. Tunable integrated optics LED components and methods
JP2019028096A (ja) * 2017-07-25 2019-02-21 日本電気硝子株式会社 波長変換部材
CN107452847A (zh) * 2017-09-08 2017-12-08 宁波高新区斯汀环保科技有限公司 一种高穿透高色纯显示屏用led材料及其制造方法
KR101977261B1 (ko) * 2017-11-03 2019-05-13 엘지전자 주식회사 형광체 모듈
TW201919261A (zh) 2017-11-05 2019-05-16 新世紀光電股份有限公司 發光裝置
TWI778167B (zh) 2017-11-05 2022-09-21 新世紀光電股份有限公司 發光裝置及其製作方法
DE102017129623B4 (de) * 2017-12-12 2024-03-28 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Licht emittierendes Halbleiterbauelement
US10804130B2 (en) 2017-12-19 2020-10-13 PlayNitride Inc. Structure with micro device
US10748804B2 (en) 2017-12-19 2020-08-18 PlayNitride Inc. Structure with micro device having holding structure
US10797029B2 (en) 2017-12-19 2020-10-06 PlayNitride Inc. Structure with micro device
CN109935668B (zh) * 2017-12-19 2021-08-24 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 微型元件结构
US11417806B2 (en) * 2018-07-30 2022-08-16 Lumileds Llc Dielectric mirror for broadband IR LEDs
JP7157327B2 (ja) * 2018-10-30 2022-10-20 日亜化学工業株式会社 発光装置
US11695093B2 (en) 2018-11-21 2023-07-04 Analog Devices, Inc. Superlattice photodetector/light emitting diode
DE102018132651A1 (de) * 2018-12-18 2020-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauteil
JP2022516563A (ja) * 2019-01-07 2022-02-28 インテリジェント マテリアル ソリューションズ、インコーポレイテッド モバイル機器の蛍光体励起及び検出ためのシステム及び方法
CN109994590A (zh) * 2019-04-11 2019-07-09 中山市立体光电科技有限公司 一种红光led封装器件及其制作方法
EP3956925A1 (en) * 2019-04-18 2022-02-23 Lumileds Holding B.V. Lighting device
DE102019121896A1 (de) * 2019-08-14 2021-02-18 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches bauelement
CN110828644B (zh) * 2019-11-18 2020-09-29 北京智创华科半导体研究院有限公司 一种led
TWI725757B (zh) * 2020-03-05 2021-04-21 財團法人工業技術研究院 子畫素結構、畫素結構以及應用於其的發光二極體晶粒
WO2023007823A1 (ja) * 2021-07-30 2023-02-02 ソニーグループ株式会社 発光デバイスおよび画像表示装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5114439B2 (ru) * 1972-05-15 1976-05-10
JPH06338630A (ja) * 1993-05-28 1994-12-06 Omron Corp 半導体発光素子、並びに当該発光素子を用いた光学検知装置、光学的情報処理装置、光結合装置及び発光装置
US6730940B1 (en) * 2002-10-29 2004-05-04 Lumileds Lighting U.S., Llc Enhanced brightness light emitting device spot emitter
US7245072B2 (en) * 2003-01-27 2007-07-17 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having a polymeric long pass reflector
US6869206B2 (en) * 2003-05-23 2005-03-22 Scott Moore Zimmerman Illumination systems utilizing highly reflective light emitting diodes and light recycling to enhance brightness
JP4679183B2 (ja) * 2005-03-07 2011-04-27 シチズン電子株式会社 発光装置及び照明装置
US7196354B1 (en) * 2005-09-29 2007-03-27 Luminus Devices, Inc. Wavelength-converting light-emitting devices
US7498735B2 (en) * 2005-10-18 2009-03-03 Eastman Kodak Company OLED device having improved power distribution
US7745985B2 (en) * 2005-11-04 2010-06-29 Panasonic Corporation Light-emitting module, and display unit and lighting unit using the same
WO2007080555A1 (en) * 2006-01-16 2007-07-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Phosphor converted light emitting device
KR20090016694A (ko) * 2006-06-12 2009-02-17 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 재발광 반도체 구성 및 광학 요소를 갖는 ｌｅｄ 소자
US7781779B2 (en) * 2007-05-08 2010-08-24 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices including wavelength converting material
TWI384654B (zh) * 2009-07-31 2013-02-01 Univ Nat Taiwan Science Tech 色溫可調之白光發光裝置

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9455552B1 (en) 2011-12-16 2016-09-27 Nlight, Inc. Laser diode apparatus utilizing out of plane combination
WO2015134931A1 (en) * 2014-03-06 2015-09-11 Nlight Photonics Corporation High brightness multijunction diode stacking
US9705289B2 (en) 2014-03-06 2017-07-11 Nlight, Inc. High brightness multijunction diode stacking
US9720145B2 (en) 2014-03-06 2017-08-01 Nlight, Inc. High brightness multijunction diode stacking
US10761276B2 (en) 2015-05-15 2020-09-01 Nlight, Inc. Passively aligned crossed-cylinder objective assembly
US10261261B2 (en) 2016-02-16 2019-04-16 Nlight, Inc. Passively aligned single element telescope for improved package brightness
US10564361B2 (en) 2016-02-16 2020-02-18 Nlight, Inc. Passively aligned single element telescope for improved package brightness
US10418774B2 (en) 2016-03-18 2019-09-17 Nlight, Inc. Spectrally multiplexing diode pump modules to improve brightness
US10153608B2 (en) 2016-03-18 2018-12-11 Nlight, Inc. Spectrally multiplexing diode pump modules to improve brightness
US10283939B2 (en) 2016-12-23 2019-05-07 Nlight, Inc. Low cost optical pump laser package
US10797471B2 (en) 2016-12-23 2020-10-06 Nlight Inc. Low cost optical pump laser package
US11424598B2 (en) 2016-12-23 2022-08-23 Nlight, Inc. Low cost optical pump laser package
US10763640B2 (en) 2017-04-24 2020-09-01 Nlight, Inc. Low swap two-phase cooled diode laser package
US10833482B2 (en) 2018-02-06 2020-11-10 Nlight, Inc. Diode laser apparatus with FAC lens out-of-plane beam steering
US11979002B2 (en) 2018-02-06 2024-05-07 Nlight, Inc. Diode laser apparatus with FAC lens out-of-plane beam steering

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011515846A (ja) 2011-05-19
CN101978516A (zh) 2011-02-16
WO2009115998A3 (en) 2010-03-25
EP2269239A2 (en) 2011-01-05
TW200950159A (en) 2009-12-01
US20110025190A1 (en) 2011-02-03
KR20100127286A (ko) 2010-12-03
WO2009115998A2 (en) 2009-09-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2010143026A (ru) Светящееся устройство
JP5371435B2 (ja) 照明装置
US20090097248A1 (en) Light emitting diode illuminating device
US10042109B2 (en) Lighting unit comprising a waveguide
RU2009103911A (ru) Модуль осветительного устройства
JP4976218B2 (ja) 発光ユニット
JP5395097B2 (ja) 発光モジュールおよび灯具ユニット
JP6173456B2 (ja) 照明デバイス
TWI520383B (zh) 發光二極體封裝結構
RU2010109737A (ru) Оптический элемент, связанный с низкопрофильным светоизлучающим диодом бокового излучения
US9200765B1 (en) Method and system for redirecting light emitted from a light emitting diode
RU2010129425A (ru) Осветительная система, светильник и устройство подсветки
DE60315606D1 (de) Optische lichtleitervorrichtung
DE602006008239D1 (de) Kfz-Signal- und/oder Beleuchtungseinrichtung mit einem Lichtleiter
EP1968299A3 (en) Image sensor
WO2007022314A3 (en) An improved optic for leds and other light sources
US20130208478A1 (en) Adaptor for converting laser devices to lighting
JP2010537364A (ja) 照明アセンブリ
RU2010110388A (ru) Оптическое устройство, ламинат и маркированное изделие
TWI512230B (zh) 發光二極體光源模組
US20080068712A1 (en) Polarization Beam Source
US20130272025A1 (en) Lighting device and cove lighting module using the same
CN101619832A (zh) 照明装置
RU2010128538A (ru) Устройство бокового свечения с гибридным верхним отражателем
RU105402U1 (ru) Светодиодный светильник

Legal Events

Date Code Title Description
FA92 Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted)

Effective date: 20130809