CN108269899B - 发光二极管封装结构及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种荧光粉片供应模块、发光二极管封装结构及其制造方法，所述发光二极管封装结构包括基板、设置于基板且呈共平面的电极层与绝缘层、安装于电极层与绝缘层的发光二极管芯片、完整包覆于发光二极管芯片顶面的荧光粉片及设置于电极层与绝缘层上且包覆发光二极管芯片与荧光粉片侧缘的反射壳体。反射壳体的顶平面凹设形成有开孔，以裸露出荧光粉片的出光面，反射壳体的顶平面相对于基板的距离大于出光面相对于基板的距离，并且顶平面与出光面的距离为10微米至30微米。借此，本发明的发光二极管封装结构能够避免相邻发光二极管芯片和相邻荧光粉片产生互相干扰，并可有效地提升发光效率。

Description

发光二极管封装结构及其制造方法
技术领域
本发明是涉及一种发光二极管，且还涉及一种荧光粉片供应模块、发光二极管封装结构及其制造方法。
背景技术
现有的发光二极管封装结构为了提升正向发光效率，大都以白色硅胶充填于发光二极管芯片周围，但为防止白色硅胶附着于荧光粉片(Phosphor in Glass、Phosphor inCeramic)的发光面，需在模具底部贴附离型膜。然而，所述离型膜并可无法完全地平贴于模具底部，因而导致白色硅胶无法完整包覆于发光二极管芯片的周缘，并且容易造成荧光粉片龟裂问题。
于是，本发明人认为上述缺陷可改善，潜心研究并配合学理的运用，终于提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的本发明。
发明内容
本发明实施例在于提供一种荧光粉片供应模块、发光二极管封装结构及其制造方法，用来有效地解决现有发光二极管封装结构所易产生的问题。
本发明实施例公开一种发光二极管封装结构，其中，所述发光二极管封装结构，包括：一基板，具有位于相反侧的一第一板面与一第二板面；一电极层，设置于所述基板的所述第一板面；一绝缘层，设置于所述基板的所述第一板面，所述绝缘层和所述电极层为形状互补，并且所述绝缘层和所述电极层共平面；至少一发光单元，包含一发光二极管芯片及贴附于所述发光二极管芯片的一荧光粉片，所述发光二极管芯片安装于所述电极层和所述绝缘层，并且所述发光二极管芯片的顶面被所述荧光粉片完整覆盖；一反射壳体，设置于所述电极层与所述绝缘层上并且包覆于至少一所述发光二极管芯片的侧缘及所述荧光粉片的侧缘，所述反射壳体的一顶平面凹设形成有至少一开孔，以裸露出至少一所述发光单元的所述荧光粉片的一出光面；其中，所述反射壳体的所述顶平面相对于所述基板的距离大于至少一所述发光单元的所述出光面相对于所述基板的距离，并且所述顶平面与所述出光面的距离为10微米至30微米；以及一焊垫层，设置于所述基板的所述第二板面并且电性连接于所述电极层和所述发光二极管芯片。
优选地，至少一所述发光单元的所述荧光粉片的周缘切齐于所述反射壳体的至少一所述开孔的侧壁。
优选地，所述发光二极管封装结构包括的至少一所述发光单元的数量为多个，其中，任两个相邻的所述发光单元之间的所述反射壳体部位定义为一间隔部，并且所述间隔部截面呈倒T字形，邻近于所述绝缘层的所述间隔部宽度大于远离所述绝缘层的所述间隔部宽度。
优选地，所述电极层包含有一第一金属垫及一第二金属垫，所述第一金属垫具有呈L形的一打线部，所述第二金属垫具有呈L形的一固晶部，至少一所述发光二极管芯片设置于所述第二金属垫的所述固晶部、并打线连接至所述第一金属垫的所述打线部。
优选地，所述发光二极管封装结构包括的至少一所述发光单元的数量为多个；其中，所述电极层包含有一第一金属垫、一第二金属垫及位于所述第一金属垫与所第二金属垫之间的至少一第三金属垫，所述第一金属垫、所述第二金属垫及至少一所述第三金属垫间隔设置并形成至少一次转折的间隙，所述第一金属垫和所述第二金属垫具有呈L形的至少一功能部，至少一所述第三金属垫具有至少二个相连L形的一功能部，呈L形的多个所述功能部分别为承载多个所述发光单元的多个固晶部以及供多个所述发光单元打线连接的多个打线部。
优选地，每个所述发光二极管芯片的至少三个边缘切齐于相对应所述固晶部的外缘。
本发明实施例也公开一种发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，所述发光二极管封装结构的制造方法包括：提供一基板；于所述基板相反两侧分别设置一电极层与一焊垫层；安装至少一发光二极管芯片于所述电极层上，至少一所述发光二极管芯片电性连接于所述电极层与所述焊垫层；将至少一荧光粉片组合贴附于至少一所述发光二极管芯片上，至少一所述荧光粉片组合包括一荧光粉片及可剥离地设置于所述荧光粉片的一缓冲片，所述缓冲片的周缘切齐所述荧光粉片的周缘；形有一绝缘层与一反射壳体于所述基板上；其中，所述绝缘层是与所述电极层为形状互补且共平面，而所述反射壳体设置于所述绝缘层与所述电极层上并且包覆至少一所述发光二极管芯片的侧缘、所述荧光粉片的侧缘及所述缓冲片的侧缘；以及将所述缓冲片自所述荧光粉片移除，以使所述反射壳体形成有裸露所述荧光粉片的一开孔。
优选地，在将所述缓冲片自所述荧光粉片移除的步骤包括：以一胶材贴附于所述缓冲片，并且所述胶材与所述缓冲片之间的黏着性大于所述缓冲片与所述荧光粉片之间的黏着性；及撕开所述胶材，以使所述缓冲片黏附于所述胶材，而自所述荧光粉片移除。
优选地，将所述缓冲片自所述荧光粉片移除的步骤中，包含加热所述缓冲片、对所述缓冲片照射紫外光、或将所述缓冲片接触有机溶液，以降低所述缓冲片与所述荧光粉片之间的黏着性。
优选地，所述发光二极管封装结构的制造方法还包含：将所述基板设置于一模具的一模穴内，以形成所述绝缘层与所述反射壳体于所述基板上，所述缓冲片压缩地顶抵于所述模具；其中，在所述缓冲片压缩地顶抵于所述模具的步骤中，使每个所述缓冲片被压缩后的厚度为10微米至30微米。
优选地，所述缓冲片为一热解胶带、一耐热胶带、或一紫外线胶带。
本发明实施例又公开一种荧光粉片供应模块，其特征在于，所述荧光粉片供应模块包括：一附加电路板；以及多个荧光粉片组合，呈矩阵状排列，且可分离地贴附于所述附加电路板，每一所述荧光粉片组合包括；一荧光粉片；及一缓冲片，分别可剥离地设置于所述荧光粉片上，并且所述缓冲片的周缘切齐所述荧光粉片的周缘。
综上所述，本发明实施例所公开的发光二极管封装结构，通过相邻发光二极管芯片间和相邻荧光粉片间设置反射壳体，反射壳体的顶平面高于荧光粉片出光面约10微米至30微米，借以避免相邻发光二极管芯片和相邻荧光粉片互相干扰，并可有效地提升发光效率。
再者，本发明实施例所公开的荧光粉片供应模块及发光二极管封装结构的制造方法，通过在发光二极管芯片上设置有荧光粉片及其上的缓冲片，使得在模具中成形绝缘层集成与反射壳体集成的时候，能够以缓冲片的压缩形成缓冲效果，进而避免荧光粉片碎裂、白色硅胶无法填充或溢出及两个发光二极管芯片之间的间隙过小而不易充填白色硅胶的问题。
为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，但是此等说明与说明书附图仅用来说明本发明，而非对本发明的保护范围作任何的限制。
附图说明
图1为本发明发光二极管封装结构的制造方法的步骤S110与步骤S120的示意图。
图2为本发明发光二极管封装结构的制造方法的步骤S130与步骤S140的示意图。
图3为本发明发光二极管封装结构的制造方法的步骤S141与步骤S142的示意图。
图4为本发明发光二极管封装结构的制造方法的步骤S143的示意图。
图5为本发明发光二极管封装结构的制造方法的步骤S150与步骤S160的示意图。
图6为本发明发光二极管封装结构的制造方法的步骤S170的示意图。
图7为本发明发光二极管封装结构的制造方法的步骤S180的示意图。
图8为本发明发光二极管封装结构的立体示意图。
图9为图8的分解示意图。
图10为图8另一视角的分解示意图。
图11A为本发明发光二极管封装结构的焊垫层示意图。
图11B为图11A另一实施方式的示意图。
图11C为图11A又一实施方式的示意图。
图12为图8沿XⅡ-XⅡ剖线的剖视示意图。
图13为图12的XⅢ部位的局部放大图。
图14为本发明发光二极管封装结构另一实施例的分解示意图。
图15为图14中的电极层示意图。
图16为本发明发光二极管封装结构又一实施例的立体示意图。
图17为图16的分解示意图。
图18为图16沿XVⅢ-XVⅢ剖线的剖视示意图。
其中，附图标记说明如下：
具体实施方式
请参阅图1至图18，为本发明的实施例，需先说明的是，本实施例对应附图所提及的相关数量与外型，仅用来具体地说明本发明的实施方式，以便于了解本发明的内容，而非用来局限本发明的保护范围。
本实施例公开一种发光二极管封装结构及其制造方法，下述先大致说明发光二极管封装结构的制造方法，以便于理解本实施例的发光二极管封装结构100(如图8)。但本发明的发光二极管封装结构100并不局限于必须以下述发光二极管封装结构的制造方法进行生产制造。
请参阅图1至图7，其为本实施例发光二极管封装结构的制造方法的步骤示意图，上述各个步骤能以合理的方式变更或取代，并且上述步骤的顺序也可以依据设计者的需求或是合理方式进行调整，而不受限于本实施例所记载的内容。
步骤S110：请参阅图1，提供一基板集成10及分别设置于所述基板集成10相反两侧的一电极层集成20与一焊垫层集成30。其中，上述基板集成10可以定义出多个基板1，所述电极层集成20包含有相互分离且分别设置于上述多个基板1的多个电极层2，所述焊垫层集成30包含有相互分离且分别设置于上述多个基板1的多个焊垫层3。
步骤S120：请参阅图1，安装一发光二极管芯片集成40与一齐纳二极管芯片集成50于所述电极层集成20。其中，上述发光二极管芯片集成40包含有多个发光二极管芯片4，并且所述多个发光二极管芯片4分别安装于电极层集成20的多个电极层2。所述齐纳二极管芯片集成50包含有多个齐纳二极管芯片5，并且所述多个齐纳二极管芯片5分别安装上述于电极层集成20的多个电极层2。
步骤S130：请参阅图2，在每个发光二极管芯片4上设置有一透明黏着层G，并且上述透明黏着层G的材质较佳是透明硅胶，而本实施例透明黏着层G的厚度较佳是不大于10微米(μm)，但本发明不受限于此。
步骤S140：请参阅图2，自一荧光粉片供应模块S(如图4)取出至少一个荧光粉片组合S1，荧光粉片组合S1至少包含一个荧光粉片6及分别可剥离地设置于上述荧光粉片6的一个缓冲片7，并将自上述荧光粉片供应模块S取出的多个荧光粉片组合S1贴附于多个发光二极管芯片4。进一步地说，每个荧光粉片组合S1是经由一个透明黏着层G贴附于相对应的发光二极管芯片4。
再者，本实施例发光二极管封装结构的制造方法可进一步包括有上述荧光粉片供应模块S的准备步骤，并且所述荧光粉片供应模块S可以单独地被运用，而无须限制在本实施例所记载的发光二极管封装结构100。其中，所述荧光粉片供应模块S的准备步骤大致说明如下。
步骤S141：请参阅图3，将一缓冲膜70固定于一荧光粉膜60上，其中，所述缓冲膜70(或缓冲片7)于本实施例中可以是一热解胶带、一耐热胶带及一紫外线胶带的其中之一。其中，所述缓冲膜70具有黏性且能受压迫而呈弹性压缩状。
步骤S142：请参阅图3和图4，切割相互堆栈的所述缓冲膜70及荧光粉膜60，以成形外型尺寸相同的所述多个荧光粉片6及分别可剥离地设置于多个所述荧光粉片6的多个缓冲片7。其中，在刀具(图中未示出)每次进给切割的过程中，缓冲膜70及荧光粉膜60皆被刀具所切割。每个荧光粉片6及其上缓冲片7的外轮廓大致对应于(如：略大于)任一发光二极管芯片4的顶面外轮廓。也就是说，所述缓冲膜70及荧光粉膜60是依据发光二极管芯片4的顶面外轮廓而进行切割，以成形相对应外型的荧光粉片6及其上缓冲片7。
步骤S143：请参阅图4，将多个所述荧光粉片组合S1可分离地贴附于一附加电路板P上。其中，所述附加电路板P能够使荧光粉片组合S1便于运送，并且每个荧光粉片组合S1能够相对于附加电路板P而具备相对应的位置信息，以便于自动化设备依据上述位置信息吸取每个荧光粉片组合S1。
依上所述，所述荧光粉片供应模块S的结构特征大致整理如下：所述荧光粉片供应模块S包括一附加电路板P和大致呈矩阵状排列且可分离地贴附于所述附加电路板P的多个荧光粉片组合S1。每个荧光粉片组合S1包含一荧光粉片6及分别可剥离地设置于所述荧光粉片6的一缓冲片7。其中，每个所述缓冲片7的周缘切齐相对应所述荧光粉片6的周缘。
步骤S150：请参阅图5，将所述基板集成10及位于基板集成10上的组件(如发光二极管芯片集成40和齐纳二极管芯片集成50)皆设置在一模具200的一模穴201内，并且上述多个荧光粉片组合S1的缓冲片7压缩地顶抵于所述模具200。其中，本实施例的每个所述缓冲片7被压缩后的厚度T大致为10微米至30微米，但本发明不受限于此。
步骤S160：请参阅图5，于所述模具200的模穴201内注入白色硅胶，以使上述白色硅胶充填满模穴201而成形为一绝缘层集成80与一反射壳体集成90。其中，所述绝缘层集成80是与电极层集成20形状互补且共平面，而所述反射壳体集成90设置于绝缘层集成80与电极层集成20上，并且所述反射壳体集成90包覆多个所述发光二极管芯片4的侧缘、多个所述荧光粉片6的侧缘及多个所述缓冲片7的侧缘。
步骤S170：请参阅图6，将多个所述缓冲片7分别自多个所述荧光粉片6移除，以使所述反射壳体集成90形成有分别裸露多个所述荧光粉片6的多个开孔92。其中，每个开孔92的深度相当于上述缓冲片7被压缩后的厚度T。
进一步地说，在将多个所述缓冲片7自多个所述荧光粉片6移除的具体实施方式包括：以一胶材300贴附于多个所述缓冲片7，并且所述胶材300与所述缓冲片7之间的黏着性大于每个缓冲片7与所述荧光粉片6之间的黏着性；撕开所述胶材300，以使多个所述缓冲片7黏附于胶材300，而自多个所述荧光粉片6移除。
须说明的是，在上述以胶材300移除缓冲片7的过程中，可以先依据缓冲片7的类型，如对缓冲片7进行加热、照射紫外光、或接触有机溶液(如丙酮、乙醇或异丙醇等)，以降低缓冲片7与荧光粉片6之间的黏着性，借以利于后续以胶材300移除缓冲片7的实施。
步骤S180：请参阅图7，切割所述反射壳体集成90、绝缘层集成80及基板集成10，以成形有多个发光二极管封装结构100。借此，本实施例发光二极管封装结构的制造方法通过在发光二极管芯片4上设置有荧光粉片组合S1，使得在模具200中成形绝缘层集成80与反射壳体集成90的时候，能够以荧光粉片组合S1的缓冲片7压缩形成缓冲效果，进而避免荧光粉片6碎裂、白色硅胶无法填充或溢出及两个发光二极管芯片4之间的间隙过小而不易充填白色硅胶的问题。其中，上述白色硅胶是用以形成所述反射壳体集成90与绝缘层集成80。
以上为本实施例发光二极管封装结构的制造方法的各步骤说明，下述将接着介绍本实施例的发光二极管封装结构100的具体构造。
请参阅图8至图13，本实施例公开的发光二极管封装结构100，包括一基板1、设置于上述基板1一侧的一电极层2与一绝缘层8、设置于上述基板1另一侧的一焊垫层3、安装于所述电极层2的多个发光二极管芯片4与多个齐纳二极管芯片5、分别贴附于上述多个发光二极管芯片4的多个荧光粉片6及设置于所述电极层2与绝缘层8上的一反射壳体9。
其中，为便于说明本实施例，每个发光二极管芯片4及其所贴附的荧光粉片6也可合称为一发光单元U。以下将分别介绍发光二极管封装结构100的各个组件构造，而后再适时说明各个组件间的连接关系。
如图9和图10，所述基板1具有位于相反侧的一第一板面11与一第二板面12，并且上述基板1内埋设有多个导电柱13，而每个导电柱13的相反两端分别自所述基板1的第一板面11与第二板面12而裸露于外。
如图9和图11A，所述电极层2设置于基板1的第一板面11，并且所述电极层2包含有一第一金属垫21、一第二金属垫22及位于上述第一金属垫21与第二金属垫22之间且呈间隔排列的四个第三金属垫23。
所述第一金属垫21包含有呈L形的一第一打线部211-1(也可称为打线部211)、长条状的一第一延伸部212及呈矩形的一第一焊接部213，并且上述第一延伸部212连接第一打线部211-1与第一焊接部213。所述第二金属垫22包含有呈L形的一第五固晶部221-5(也可称为固晶部221)、长条状的一第二延伸部222及呈矩形的一第二焊接部223，并且上述第二延伸部222连接第五固晶部221-5与第二焊接部223。所述每个第三金属垫23包含有呈L形的一固晶部231(如第一、第二、第三、第四固晶部231-1～231-4)及一体连接于上述固晶部231且呈L形的一打线部232(如第二、第三、第四、第五固晶部232-2～232-5)。其中，上述每个固晶部221-5、231-1～231-4(也就是第一、第二、第三、第四、第五固晶部)是用以供一个发光二极管芯片4与一个齐纳二极管芯片5进行安装设置，上述每个打线部211-1、232-2～232-5(也就是第一、第二、第三、第四、第五打线部)则是用以供一个发光二极管芯片4与一个齐纳二极管芯片5进行打线。
再者，所述第一金属垫21的第一打线部211-1以及上述多个第三金属垫23的第二至第五打线部232-2～232-5是沿着一第一方向L1间隔地排成一列，所述第二金属垫22的第五固晶部221-5以及上述多个第三金属垫23的第一至第四固晶部231-1～231-4是沿着第一方向L1间隔地排成另一列。
换个角度说，本实施例第一金属垫21的打线部211可定义为第一打线部211-1，而其余打线部232则自上述第一打线部211-1沿第一方向L1依序定义为第二打线部232-2、第三打线部232-3、第四打线部232-4及第五打线部232-5。再者，最远离第二金属垫22固晶部221的第三金属垫23固晶部231定义为第一固晶部231-1，而其余固晶部231、221则自上述第一固晶部231沿第一方向L1依序定义为第二固晶部231-2、第三固晶部231-3、第四固晶部231-4及第五固晶部221-5。
所述第一打线部211-1是沿垂直第一方向L1的一第二方向L2而与第一固晶部231-1间隔设置并形成具有至少一次转折的间隙24；所述第二打线部232-2是沿第二方向L2而与第二固晶部231-2间隔设置并形成具有至少一次转折的间隙24；所述第三打线部232-3是沿第二方向L2而与第三固晶部231-3间隔设置并形成具有至少一次转折的间隙24；所述第四打线部232-2是沿第二方向L2而与第四固晶部231-4间隔设置并形成具有至少一次转折的间隙24；所述第五打线部232-5是沿第二方向L2而与第五固晶部221-5间隔设置并形成具有至少一次转折的间隙24。其中，上述每个间隙24于本实施例中大致呈W形，但本发明不以此为限。
所述五个发光二极管芯片4分别固定于第一固晶部231-1、第二固晶部231-2、第三固晶部231-3、第四固晶部231-4及第五固晶部221-5，并分别打线至第一打线部211-1、第二打线部232-2、第三打线部232-3、第四打线部232-4及第五打线部232-5。所述五个齐纳二极管芯片5也分别固定于第一固晶部231-1、第二固晶部231-2、第三固晶部231-3、第四固晶部231-4及第五固晶部221-5，并分别打线至第一打线部211-1、第二打线部232-2、第三打线部232-3、第四打线部232-4及第五打线部232-5。
补充说明一点，上述呈L形的每个固晶部221、231或打线部211、232于本实施例中也可以被称为功能部221、231、211、232。也就是说，本实施例的多个功能部221、231、211、232分别为承载多个所述发光单元U的多个固晶部221、231以及供多个所述发光单元U打线连接的多个打线部211、232。
另，所述电极层2的第三金属垫23可以依据发光二极管芯片4的数量而作相对应的调整。举例来说，如图11B所示，所述发光二极管封装结构100的发光二极管芯片4数量也可以是只有两个，所述电极层2则包含上述第一金属垫21、上述第二金属垫22及位于上述第一金属垫21与第二金属垫22之间且呈间隔排列的一个所述第三金属垫23。其中，图11B所示的电极层2各个组件构造与连接关系，是大致类似图11A的相对应组件，相同处不在加以赘述。
进一步地说，本实施例第一金属垫21的打线部211可定义为第一打线部211-1，而第三金属垫23的打线部232则定义为第二打线部232-2。第三金属垫23的固晶部231定义为第一固晶部231-1，而第二金属垫22的固晶部221则定义为第二固晶部221-2。
所述第一打线部211是沿第二方向L2而与第一固晶部231间隔设置并形成具有至少一次转折的间隙24；所述第二打线部232-2是沿第二方向L2而与第二固晶部221-2间隔设置并形成具有至少一次转折的间隙24。
所述两个发光二极管芯片4分别固定于第一固晶部231-1与第二固晶部221-2，并分别打线至第一打线部211-1与第二打线部232-2。所述两个齐纳二极管芯片5也分别固定于第一固晶部231-1与第二固晶部221-2，并分别打线至第一打线部211-1与第二打线部232-2。
此外，如图11C所示，当所述发光二极管封装结构100的发光二极管芯片4数量是只有一个时，所述电极层2可省略第三金属垫23。具体来说，所述电极层2包含上述第一金属垫21与上述第二金属垫22。所述发光二极管芯片4固定于第二金属垫22的固晶部211，并分别打线至第一金属垫21的打线部211。所述齐纳二极管芯片5也固定于第二金属垫22的固晶部221，并分别打线至第一金属垫21的打线部211。其中，图11C所示的电极层2各个组件的构造与连接关系，是大致类似图11A中的相对应组件，相同处不在加以赘述。
如图9和图10，所述绝缘层8设置于基板1的第一板面11，并且所述绝缘层8和电极层2为形状互补且共平面。也就是说，所述绝缘层8是设置在基板1未设置有电极层2的第一板面11部位上，并且绝缘层8的侧缘切齐于基板1的侧缘。
所述焊垫层3设置于基板1的第二板面12并且电性连接于上述电极层2和发光二极管芯片4。其中，所述焊垫层3包含有多组焊垫31，并且上述多组焊垫31通过埋置于所述基板1内的多个导电柱13而分别电性连接于上述电极层2的固晶部231、221与打线部211、232。
更详细地说，每组焊垫31包含有一负极焊垫311与一正极焊垫312；而所述多组焊垫31的负极焊垫311分别位于固晶部231、221下方，并且负极焊垫311与相对应的固晶部231、221经由导电柱13而电性连接，所述多组焊垫31的正极焊垫312分别位于打线部211、232下方，并且正极焊垫312与相对应的打线部211、232经由导电柱13而电性连接。
借此，所述电极层2的设计搭配打线方式，可使所有发光二极管芯片4属于相连通的电性串接。而焊垫层3的多组焊垫31则是分别电性独立，借以使每组焊垫31能够独立对其所对应的发光二极管芯片4进行通电。也就是说，任一发光二极管芯片4能够被其所对应的该组焊垫31进行独立控制，进而能被应用于适路性车灯系统(Adaptive Front LightingSystem，AFS)。
所述发光二极管芯片4于本实施例中是采用垂直式芯片(vertical chip)，所述多个发光二极管芯片4是分别安装于电极层2的多个固晶部221、231上，并且所述多个发光二极管芯片4分别经打线而连接至电极层2的多个打线部211、232上。其中，上述每个发光二极管芯片4的至少三个边缘切齐于相对应固晶部221、231的外缘。
如图9、图12、和图13，所述荧光粉片6于本实施例中是指PIG(phosphor in glass)或PIC(phosphor in ceramic)。其中，所述发光二极管芯片4的顶面大致上被所述荧光粉片6完整覆盖，并且所述荧光粉片6的至少一个侧边缘凸伸出所述发光二极管芯片4的距离D1大致是5微米至10微米。进一步地说，本实施例荧光粉片6的至少三个侧边缘是凸伸出切齐固晶部221、231外缘的发光二极管芯片4至少三个边缘。再者，每个发光单元U较佳是具有一透明黏着层G，并且所述荧光粉片6于本实施例中是经由上述透明黏着层G而固定于相对应的发光二极管芯片4。
如图9和图10，所述多个齐纳二极管芯片5分别安装于电极层2的多个固晶部221、231并分别打线连接于电极层2的多个打线部211、232。其中，每个固晶部211、231上的所述齐纳二极管芯片5与发光二极管芯片4是分别设置在不同区域，借以避免固晶胶溢胶产生的制程干扰。
如图9、图12、和图13，所述反射壳体9设置于电极层2与绝缘层8上，并且反射壳体9与绝缘层8较佳为一体成形的构造，但不受限于此。所述反射壳体9包覆于所述多个发光单元U的侧缘(也就是说，反射壳体9包覆于发光二极管芯片4的侧缘及荧光粉片6的侧缘)，而多个齐纳二极管芯片5则埋置于反射壳体9内，以避免产生遮光的问题。其中，所述反射壳体9的一顶平面91凹设形成有多个开孔92，以分别裸露出多个荧光粉片6的出光面61；并且每个荧光粉片6的周缘较佳是切齐于反射壳体9的相对应开孔92侧壁。
更详细地说，所述反射壳体9的顶平面91相对于基板1的距离D2大于任一荧光粉片6的出光面61相对于基板1的距离D3，并且上述反射壳体9的顶平面91与荧光粉片6的出光面61的距离D4大致为10微米至30微米。
再者，任两个相邻发光单元U之间的反射壳体9部位定义为一间隔部93，并且所述间隔部93截面呈倒T字形。其中，邻近于所述绝缘层8的间隔部93宽度W1大于远离所述绝缘层8的间隔部93宽度W2。换个角度来说，对应于间隔部93的发光单元U截面则是呈T字形。
借此，所述发光二极管封装结构100通过相邻发光二极管芯片4间和相邻荧光粉片6间设置反射壳体9，反射壳体9的顶平面91高于荧光粉片6出光面61约10微米至30微米，借以避免相邻发光二极管芯片4和相邻荧光粉片7产生互相干扰，并可有效地提升发光效率。再者，所述反射壳体9的间隔部93为上窄下宽的倒T字形构造，并且反射壳体9的开孔92大小与荧光粉片6大致相同，借以避免发光二极管芯片4的蓝光外露。
此外，本实施例的发光二极管封装结构100虽是以图8至图10的构造作说明，但设计者也可依据需求而加以调整变化。举例来说，所述发光二极管封装结构100所采用的发光二极管芯片4类型也可以是如图14所示的覆晶式芯片(flip chip)，并且所述发光二极管封装结构100所采用的发光二极管芯片4数量也可是如图11C和图16至图18所示的单个芯片、或如图11B所示的两个芯片，而其他相对应的组件与构造则依据发光二极管芯片4数量作适应性的调整。
如图15所示，所述电极层2包含一第一金属垫21、一第二金属垫22和位于第一金属垫21与第二金属垫22之间的四个第三金属垫23。第一金属垫21与第二金属垫22各包含呈L状的一功能部211、221(如打线和固晶使用)、呈矩形的第一、第二延伸部212、222和呈矩形的第一、第二焊接部213、223。第一、第二延伸部212、222还包含两个L型槽孔2121、2221设置其上。第三金属垫23大致呈S状，且每个第三金属垫23间隔排列。第三金属垫23的上半部作为打线部232，供齐纳二极管芯片5打线设置，第三金属垫23的下半部做为固晶部231，供齐纳二极管芯片5和发光二极管芯片4设置，第三金属垫23的下半部还包含T型槽孔2311。值得注意的是，此实施例采用的是覆晶式的发光二极管芯片4，发光二极管芯片4分别跨接在两相邻的金属垫21、22、23上。其中，如图15由左向右数来的第一个发光二极管芯片4跨接在第一金属垫21与其相邻的第三金属垫23。第二个、第三个和第四个发光二极管芯片4跨接两个相邻的第三金属垫23。第五个发光二极管芯片4跨接在第二金属垫22与其相邻的第三金属垫23。上述L型槽孔2121、2221和T型槽孔2311提供发光二极管芯片4对位用。
以上所述仅为本发明的较佳可行实施例，并非用来局限本发明的保护范围，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的保护范围。

Claims (11)

1.一种发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管封装结构，包括：
一基板，具有位于相反侧的一第一板面与一第二板面；
一电极层，设置于所述基板的所述第一板面；
一绝缘层，设置于所述基板的所述第一板面，所述绝缘层和所述电极层为形状互补，并且所述绝缘层和所述电极层共平面；
至少一发光单元，包含一发光二极管芯片及贴附于所述发光二极管芯片的一荧光粉片，所述发光二极管芯片安装于所述电极层和所述绝缘层，并且所述发光二极管芯片的顶面被所述荧光粉片完整覆盖，而所述荧光粉片能用以供一缓冲片可剥离地设置；
一反射壳体，设置于所述电极层与所述绝缘层上并且包覆于至少一所述发光二极管芯片的侧缘及所述荧光粉片的侧缘，所述反射壳体的一顶平面凹设有通过移除所述缓冲片而形成的至少一开孔，以裸露出至少一所述发光单元的所述荧光粉片的一出光面；其中，所述反射壳体的所述顶平面相对于所述基板的距离大于至少一所述发光单元的所述出光面相对于所述基板的距离，并且所述顶平面与所述出光面的距离为10微米至30微米；以及
一焊垫层，设置于所述基板的所述第二板面并且电性连接于所述电极层和所述发光二极管芯片。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，至少一所述发光单元的所述荧光粉片的周缘切齐于所述反射壳体的至少一所述开孔的侧壁。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管封装结构包括的至少一所述发光单元的数量为多个，其中，任两个相邻的所述发光单元之间的所述反射壳体部位定义为一间隔部，并且所述间隔部截面呈倒T字形，邻近于所述绝缘层的所述间隔部宽度大于远离所述绝缘层的所述间隔部宽度。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述电极层包含有一第一金属垫及一第二金属垫，所述第一金属垫具有呈L形的一打线部，所述第二金属垫具有呈L形的一固晶部，至少一所述发光二极管芯片设置于所述第二金属垫的所述固晶部、并打线连接至所述第一金属垫的所述打线部。
5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管封装结构包括的至少一所述发光单元的数量为多个；其中，所述电极层包含有一第一金属垫、一第二金属垫及位于所述第一金属垫与所述第二金属垫之间的至少一第三金属垫，所述第一金属垫、所述第二金属垫及至少一所述第三金属垫间隔设置并形成至少一次转折的间隙，所述第一金属垫和所述第二金属垫具有呈L形的至少一功能部，至少一所述第三金属垫具有至少二个彼此相连的L形的功能部，呈L形的多个所述功能部分别为承载多个所述发光单元的多个固晶部以及供多个所述发光单元打线连接的多个打线部。
6.如权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征在于，每个所述发光二极管芯片的至少三个边缘切齐于相对应所述固晶部的外缘。
7.一种发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，所述发光二极管封装结构的制造方法包括：
提供一基板；
于所述基板相反两侧分别设置一电极层与一焊垫层；
安装至少一发光二极管芯片于所述电极层上，至少一所述发光二极管芯片电性连接于所述电极层与所述焊垫层；
将至少一荧光粉片组合贴附于至少一所述发光二极管芯片上，至少一所述荧光粉片组合包括一荧光粉片及可剥离地设置于所述荧光粉片的一缓冲片，所述缓冲片的周缘切齐所述荧光粉片的周缘；
形有一绝缘层与一反射壳体于所述基板上；其中，所述绝缘层是与所述电极层为形状互补且共平面，而所述反射壳体设置于所述绝缘层与所述电极层上并且包覆至少一所述发光二极管芯片的侧缘、所述荧光粉片的侧缘及所述缓冲片的侧缘；以及
将所述缓冲片自所述荧光粉片移除，以使所述反射壳体形成有裸露所述荧光粉片的一开孔。
8.如权利要求7所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，在将所述缓冲片自所述荧光粉片移除的步骤包括：
以一胶材贴附于所述缓冲片，并且所述胶材与所述缓冲片之间的黏着性大于所述缓冲片与所述荧光粉片之间的黏着性；及
撕开所述胶材，以使所述缓冲片黏附于所述胶材，而自所述荧光粉片移除。
9.如权利要求8所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，将所述缓冲片自所述荧光粉片移除的步骤中，包含加热所述缓冲片、对所述缓冲片照射紫外光、或将所述缓冲片接触有机溶液，以降低所述缓冲片与所述荧光粉片之间的黏着性。
10.如权利要求7所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，所述发光二极管封装结构的制造方法还包含：将所述基板设置于一模具的一模穴内，以形成所述绝缘层与所述反射壳体于所述基板上，所述缓冲片压缩地顶抵于所述模具；其中，在所述缓冲片压缩地顶抵于所述模具的步骤中，使每个所述缓冲片被压缩后的厚度为10微米至30微米。
11.如权利要求7所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，所述缓冲片为一热解胶带、一耐热胶带、或一紫外线胶带。
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