CN104798215A - 带有蓝宝石倒装芯片的光电半导体组件 - Google Patents

带有蓝宝石倒装芯片的光电半导体组件 Download PDF

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Abstract

一种光电半导体组件具有带有上侧和下侧的体发射蓝宝石倒装芯片，其被嵌入在带有上侧和下侧的光学透明模具主体中。

Description

带有蓝宝石倒装芯片的光电半导体组件
技术领域
本发明涉及如权利要求1中所要求的光电半导体组件以及如权利要求12中所要求的用于生产光电半导体组件的方法。
本专利申请要求德国专利申请10 2012 213 343.7的优先权，其公开内容被通过引用合并到此。
背景技术
DE 10 2009 036 621 A1公开了一种用于生产光电半导体组件的方法，其中，薄膜光电半导体芯片被布置在载体的上侧上。不透明模具主体被浇铸在光电半导体芯片周围，并且覆盖光电半导体芯片的所有侧表面。光电半导体芯片的上侧和下侧优选地保持空出。在去除载体之后，可以分割光电半导体芯片。可以在每个半导体芯片的上侧和/或下侧上提供接触位置。模具主体可以例如由基于环氧树脂的模制材料构成。
从现有技术更进一步地得知形成为作为体发射器而不仅通过芯片的一个表面而且在所有方向上发射辐射的蓝宝石倒装芯片的光电半导体芯片。这样的蓝宝石倒装芯片通常在它们的表面中的仅一个表面上具有电接触。
发明内容
本发明的目的是提供一种改进的光电半导体组件。通过具有权利要求1的特征的光电半导体组件来实现该目的。本发明的另一目的是指定一种改进的用于生产光电半导体组件的方法。通过具有权利要求12的特征的方法来实现该目的。在从属权利要求中指定优选的改良。
一种光电半导体组件具有带有上侧和下侧的体发射蓝宝石倒装芯片，其被嵌入在带有上侧和下侧的光学透明模具主体中。有利地，所述模具主体可以于是用作为所述光电半导体组件的紧凑外壳，并且对于由所述蓝宝石倒装芯片发射的辐射是透射的。有利地，多个体发射蓝宝石倒装芯片可以被同时嵌入在共用模具主体中，该共用模具主体随后被再划分，以便获得多个光电半导体组件。以此方式，可以十分经济地生产光电半导体组件。
在所述光电半导体组件的一个实施例中，所述芯片的下侧不被所述模具主体覆盖。有利地，所述芯片可以于是在其下侧上电接触。
在所述光电半导体组件的一个实施例中，转换器颗粒被集成到所述模具主体中，并且意图转换由所述芯片发射的辐射的波长。有利地，所述模具主体于是不仅用作为所述光电半导体组件的外壳，而且同时履行光转换的功能。这有利地导致特别经济且紧凑的光电半导体组件。
在所述光电半导体组件的一个实施例中，反射层被布置在所述模具主体的下侧上。有利地，所述反射层可以于是在所述模具主体的上侧的方向上反射由所述蓝宝石倒装芯片在所述模具主体的下侧的方向上发射的辐射，从而增加所述光电半导体组件的光通量的被使用的部分。
在所述光电半导体组件的一个改良中，所述模具主体的上侧被凸起地成形。有利地，所述模具主体于是不仅用作为所述光电半导体组件的外壳，而且同时形成为用于光成形和/或色彩轨迹控制的主要光器件。有利地，这导致特别经济且紧凑的光电半导体组件。
在所述光电半导体组件的一个实施例中，所述芯片在其下侧上具有多个第一极性的第一电接触以及多个第二极性的第二电接触。在此情况下，所述半导体组件具有导电互连层，其将各第一接触导电地彼此连接，并且将各第二接触导电地彼此连接。有利地，所述蓝宝石倒装芯片可以于是在没有其自身互连的情况下被形成，从而可以经济地获得所述蓝宝石倒装芯片。可以针对多个光电半导体组件经济地并且在很少支出的情况下有利地生产所述光电半导体组件的互连层。
在所述光电半导体组件的一个实施例中，所述半导体组件具有多个芯片，这些芯片被一起嵌入在所述模具主体中。在此情况下，所述芯片被所述互连层串联连接。有利地，这样的多芯片布置具有在单独芯片的大小与所述光电半导体组件的总体大小之间的特别良好的比率。特别是，所述互连层的相对空间需求随着增加的数量的包含在所述光电半导体组件中的芯片而减少。
在所述光电半导体组件的一个实施例中，所述模具主体具有开孔，其中，导电地连接到所述第一接触的第一接触表面可通过所述开孔接入。有利地，所述光电半导体组件可以于是是从其上侧电接触的。以此方式，有利的是能够避免在所述光电半导体组件的下侧上为所述光电半导体组件提供电接触。
在所述光电半导体组件的另一实施例中，其形成为具有在所述半导体组件的下侧上布置的两个可焊接电连接表面的SMD组件。有利地，所述半导体组件于是适合于借助回流焊接的SMD贴装。
在所述光电半导体组件的一个实施例中，所述模具主体被填充有无机填充物。在此，填充因子大于80%。有利地，被填充的主体于是具有低热膨胀系数，该热膨胀系数匹配于所述蓝宝石倒装芯片的热膨胀系数。
一种用于生产光电半导体组件的方法包括：用于提供具有上侧和下侧的体发射蓝宝石倒装芯片的步骤；以及用于在具有上侧和下侧的光学透明模具主体中嵌入所述芯片的步骤。有利地，利用该方法，可以生产经济的光电半导体组件，其模具主体被用作为外壳，以用于所述光电半导体组件的各部分的机械连接，并且对于由所述体发射蓝宝石倒装芯片发射的辐射是透射的。
在所述方法的一个实施例中，在嵌入所述芯片之前，将所述芯片的下侧布置在膜上。有利地，于是可以通过膜辅助转印模制来生产所述模具主体。在此情况下，所述芯片的下侧有利地不被所述模具主体覆盖，并且可以因此被用于所述芯片的电接触。
在所述方法的一个实施例中，在嵌入所述芯片之后执行用于去除所述模具主体的上侧上的一部分所述模具主体的另一步骤。有利地，可以以所述模具主体形成所述光电半导体组件的主要光器件的这样的方式来由此构造所述模具主体的上侧。
在所述方法的一个改良中，在所述模具主体中的所述芯片的嵌入之后执行用于将反射层施加到所述模具主体的下侧上的另一步骤。有利地，所施加的反射层可以被用于反射所述芯片在所述模具主体的下侧的方向上所发射的辐射。以此方式，可以通过所述方法获得的所述光电半导体组件具有更高的有效可使用光通量。
在所述方法的一个实施例中，多个蓝宝石倒装芯片被同时嵌入在共用模具主体中。这有利地减少每个蓝宝石倒装芯片所要求的生产支出。
在所述方法的一个实施例中，在随后的方法步骤中分离所述共用模具主体。有利地，所述方法于是允许多个光电半导体组件的同时共同生产，从而显著减少每个光电半导体组件的生产成本。
附图说明
结合随后的对示例性实施例的描述，本发明的上述性质、特征和优点以及实现它们的方式将是更清楚并且全面地可理解的，将与附图有关地更详细地解释示例性实施例。在各个高度地示意化的表示中：
图1示出根据第一实施例的通过光电半导体组件的截面；
图2示出通过第一实施例的光电半导体组件的部分透视图；
图3示出根据第二实施例的通过光电半导体组件的截面；
图4示出第二实施例的光电半导体组件的部分透视图；
图5示出根据第三实施例的通过光电半导体组件的截面；
图6示出第三实施例的光电半导体组件的部分透视图。
具体实施方式
图1示出根据第一实施例的通过光电半导体组件10的截面的高度示意化的表示。图2示出光电半导体组件10的平面图的高度示意化的表示。在图2的表示中，为了更好的理解的目的，部分透明地表示光电半导体组件10的一些部分。在图2中指示沿着其在图1的表示中对光电半导体组件10取截面的截面直线。光电半导体组件10可以例如是LED封装。
光电半导体组件10包括芯片100。芯片100具有上侧101以及与上侧101相对的下侧102。上侧101与下侧102之间的芯片100的厚度可以例如在100μm和200μm之间。芯片100被形成为具有集成到蓝宝石倒装芯片中的互连的蓝宝石倒装芯片。芯片100被形成为体发射器以便在所有空间方向上发射光学辐射。芯片100优选地具有与上侧101相邻的蓝宝石衬底以及外延地生长到蓝宝石衬底上的外延层，该外延层被朝向下侧102定向并且包括光生成有源层。
第一电接触110和第二电接触120被布置在芯片100的下侧102上。第一电接触110和第二电接触120是芯片100的内部互连的外部可接入电接触。当电压被施加在第一电接触110与第二电接触120之间时，芯片100发射电磁辐射，例如可见光。芯片100在所有空间方向上发射电磁辐射。然而，在芯片100的下侧102的方向上所发射的辐射被布置在下侧102上的电接触110、120在芯片100的上侧101的方向上至少部分地反射。
光电半导体组件10的芯片100嵌入在模具主体200中。模具主体200具有上侧201和下侧202。芯片100的下侧102未被模具主体200覆盖。芯片100的下侧102因此截止为近似与模具主体200的下侧202齐平。芯片100的所有其它表面优选地被模具主体200覆盖。
模具主体200由对于芯片100所发射的辐射基本上透明的材料构成。例如，模具主体200可以由透明注入模制材料（模具材料）构成。模具主体200优选地由硅酮模具材料，例如硅酮树脂构成。
模具主体200的材料优选地具有匹配于芯片100的热膨胀系数的热膨胀系数，即，模具主体200的材料的热膨胀系数近似地对应于芯片100的热膨胀系数。优选地，模具主体200具有至多8ppm/K的热膨胀系数。这可以例如通过以微米或纳米尺度的无机填充物来填充模具主体200的材料来实现。例如，可以利用石英来填充模具主体200的材料。填充因子在此情况下优选地大于80%。作为替换，可想见使用有机改性陶瓷（ormocer）。有利地，高填充因子同时导致模具主体200的高的热传导率。以此方式，模具主体200可以有效地耗散芯片100所产生的热量。
模具主体200的材料更进一步优选地在热效应下对于蓝光是抗老化的。
为了转换芯片100所发射的辐射的波长而使用的转换器颗粒可以更进一步地被集成到模具主体200中。转换器颗粒可以例如包括磷。如果模具主体200包含这样的转换器颗粒，则转换器颗粒吸收芯片100所发射的一部分辐射，并且进而发射具有不同波长的辐射。不过在本描述的范围中将具有这样的转换器颗粒的模具主体200看作或提及为是透明的。
优选地通过注入模制或注入压缩模制处理来从模制化合物生产模具主体200。有利地，顶部箔模制系统对于此并不是必须的，因为芯片100的上侧101不需要被保护；相反地模具主体200被模制在其之上。以此方式，可以通过简单并且经济的处理来生产模具主体200。
光电半导体组件10中的模具主体200的上侧201被形成为平面的，并且平行于下侧202。然而，还将可以形成为除了平面之外的模具主体200的上侧201。例如，模具主体200的上侧201可以具有凸透镜形状，以便影响由芯片100发射的辐射的空间分布。如果模具主体200具有集成的转换器颗粒，则通过对模具主体200的上侧201进行成形从而色彩轨迹控制也是可能的。模具主体200的上侧201的成形可以是已经在通过合适的模制工具生产模具主体200期间执行的，或其可以由模具主体200的上侧201的后续处理得到。可以例如通过激光切割或选择性研磨来执行模具主体200的上侧201的后续处理。
反射层300被布置在模具主体200的下侧202上。反射层300可以例如是金属层，例如银层。反射层300被用于在模具主体200的上侧201的方向上反射芯片100在模具主体200的下侧202的方向上所发射的辐射。以此方式，当光电半导体组件10被布置在载体上时，在模具主体200的下侧202的方向上发射的辐射不损失。因此，光电半导体组件10的有效光通量增加。
第一介电层310被布置在反射层300上。反射层300因此位于模具主体200与第一介电层310之间。第一介电层310可以由有机或无机材料构成。例如，第一介电层310可以由二氧化硅构成，并且具有0.5μm的厚度。
在芯片100的下侧102的区域中，反射层300和第一介电层310具有孔。芯片100的下侧102因此不被反射层300和第一介电层310覆盖。
电镀层400被布置在模具主体200的下侧202和芯片100的下侧102上。电镀层400由导电材料（例如铜）构成，并且优选地已经通过电沉积而被施加。电镀层400可以例如具有100μm的厚度。电镀层400通过第一介电层310与反射层300电绝缘。
电镀层400包括第一电焊接接触410和第二电焊接接触420。第一电焊接接触410和第二电焊接接触420彼此电绝缘。第一电焊接接触410在芯片100的下侧102上与第一电接触110导电连接。第二电焊接接触420在芯片100的下侧102上与第二电接触120导电连接。
电焊接接触410、420可以被用于借助于回流焊接方法进行光电半导体组件10的电接触。光电半导体组件10因此是SMD兼容组件。
同时，电焊接接触410、420被用于耗散来自光电半导体组件10的热量。芯片100所产生的废弃热量在此情况下通过光电半导体组件10的电接触110、120和电焊接接触410、420流出芯片。芯片100所产生的较小部分的废弃热量也通过模具主体200、反射层300和第一介电层310流走。
图3示出根据第二实施例的通过光电半导体组件20的截面的高度示意化的表示。图4示出通过光电半导体组件20的平面图或部分透视图。图4中示出在图3的表示中在其上对光电半导体组件20取截面的截面边沿。光电半导体组件20具有与图1和图2的光电半导体组件的对应性。相同的并且具有相同效果的各部分因此被提供有相同标号，并且将不再次详细描述。
代替光电半导体组件10的芯片100，光电半导体组件20具有芯片1100。芯片1100类似地形成为蓝宝石倒装芯片，但其不具有集成的互连。芯片1100也是体发射器，其在所有空间方向上从芯片1100的所有区域发射电磁辐射。芯片1100具有上侧1101以及与上侧1101相对的下侧1102。芯片1100的厚度可以与芯片100的厚度对应。
多个第一极性的电接触1110和多个第二极性的电接触1120被布置在芯片1100的下侧1102上。电接触1110、1120被分别以常规布置分布在芯片1100的整个下侧1102上。当电压被施加在第一极性的电接触1110与第二极性的电接触1120之间时，芯片1110发射电磁辐射，例如可见光。
光电半导体组件20的芯片1100被嵌入在模具主体1200中。模具主体1200具有上侧1201和下侧1202。芯片1100的下侧1102不被模具主体1200覆盖，并且优选地截止为近似与模具主体1200的下侧1202齐平。芯片1100的所有其余表面优选地被模具主体1200覆盖。
模具主体1200由与光电半导体组件10的模具主体200相同的材料构成，并且其具有相同功能。特别是，用于转换由芯片1100发射的辐射的转换器颗粒也可以被集成到模具主体1200中。也可以以与生产模具主体200相似的方式来执行模具主体1200的生产。
模具主体1200的一个的上侧1201具有凸起部，其被布置在芯片1100的上侧1101之上并且形成光电半导体组件20的主要光器件。由芯片1100发射的辐射的角分布受模具主体1200的凸起上侧1201影响。模具主体1200的上侧1201的凸起部可以已经通过合适的模制工具在模具主体1200的注入模制期间被生产，或者其可以通过模具主体1200的上侧1201的后续处理来生产。在光电半导体组件20的简化实施例中，模具主体1200的上侧1201也可以被形成而成为平面的。
具有上侧601和下侧602的光学透镜600被布置在模具主体1200的上侧1201上。光学透镜600的下侧602与模具主体1200的上侧1201接触。光学透镜600由对于芯片1100所发射的辐射透明的材料构成。光学透镜600优选地在生产光电半导体组件20期间被模制到模具主体1200上。光学透镜600被用于由芯片1100发射的辐射的进一步波束成形。为此，光学透镜600的上侧601被形成为具有凸透镜形状。在图3和图4中所表示的示例中，光学透镜600的上侧601的凸起区域具有比模具主体1200的上侧1201的凸起区域更大的半径。然而，也可以以另外的方式来形成光学透镜600的上侧601的凸起区域和模具主体1200的上侧1201的凸起区域。在光电半导体组件20的简化实施例中，也可以省略光学透镜600。
在结构和功能上与光电半导体组件10的对应层对应的反射层300和第一介电层310进而被布置在模具主体1200的下侧1202上。
在光电半导体组件20中，由导电材料制成的互连层500被布置在第一介电层310上。互连层500可以例如由铜构成并且具有2μm的厚度。互连层500通过第一介电层310与反射层300电绝缘。
互连层500具有第一集线部（manifold）510和第二集线部520，其中的每一个由互连层500的相互分离的横向部分形成。第一集线部510和第二集线部520因此彼此电绝缘。第一集线部510与第一极性的所有电接触1110在芯片1100的下侧1102上导电连接。第二集线部520在芯片1100的下侧1102上与所有第二极性的电接触1120导电连接。集线部510、520被用于将相应极性的电接触1110、1120彼此电连接。更进一步地，集线部510、520被用于在横向方向上将导电连接馈送出而到达芯片1100的电接触1110、1120。
互连层500的各部分被第二介电层320覆盖。第二介电层320由电绝缘材料，例如与第一介电层310相同的材料构成。然而，第二介电层320可以由填充有陶瓷颗粒的有机材料，例如商业上可用的产品贝格斯HPL（Bergquist HPL）构成。在此情况下，第二介电层320具有特别良好的热传导率。
光电半导体组件20更进一步地具有电镀层400，其基本上与图1和图2的光电半导体组件10的电镀层400对应。电镀层400包括第一电焊接接触410、第二电焊接接触420和热焊接接触430。第一电焊接接触410被部分地布置在互连层500的第一集线部510上，并且因此提供对芯片110的第一极性的电接触1110的导电连接。第二电焊接接触420被部分地布置在互连层500的第二集线部520上，并且因此提供对芯片1100的第二极性的电接触1120的导电连接。热焊接接触430被布置在第二介电层320和第一介电层310上，并且通过第二介电层320与互连层500电绝缘。热焊接接触430被用于耗散芯片1100所产生的废弃热量。
电焊接接触410、420和热焊接接触430适合用于借助于回流焊接方法而被接触。光电半导体组件20因此还被形成为SMD组件。
光电半导体组件20更进一步地具有保护二极管530，其被导电地连接到第一集线部510和第二集线部520。保护二极管530与芯片1100一起嵌入在模具主体1200中。保护二极管530被用作ESD保护二极管，以用于保护芯片1100抵抗由于静电放电的损坏。
光电半导体组件20的模具主体1200因此被用作外壳，并且用于光电半导体组件20的各部分的机械连接，并且可选地用于光转换和光成形。
图5示出根据第三实施例的通过光电半导体组件30的截面的高度示意化的表示。图6示出通过光电半导体组件30的平面图或部分透视图。在图6中指示在图5的表示中沿着其对光电半导体组件30取截面的截面直线。光电半导体组件30具有与图3和图4的光电半导体组件20的对应性。相同的并且具有相同效果的各部分因此被提供有相同标号，并且将不再次详细描述。
光电半导体组件30包括总共九个芯片1100。芯片1100被布置成3×3芯片1100的矩阵。以此方式，芯片1100的面积对于光电半导体组件30总横向延伸的比率在光电半导体组件30中比在光电半导体组件20中更大。如果芯片1100的横向延伸为例如1mm×1mm，并且光电半导体组件30的横向延伸为例如4mm×4mm，则光电半导体组件30的面积的56%的部分由芯片1100的上侧1101形成。如果图3和图4的光电半导体组件20的横向延伸为例如3mm×3mm，则光电半导体组件20的面积的仅11%的部分由光电半导体组件20中的芯片1100的上侧1101形成。光电半导体组件30还可以在替换的实施例中具有不同数量的芯片1100，例如2×2芯片1100或3×4芯片1100。
光电半导体组件30的芯片1100嵌入在共用模具主体2200中。模具主体2200具有上侧2201和下侧2202。芯片1100的下侧1102不被模具主体2200覆盖，并且优选地截止为近似与模具主体2200的下侧2202齐平。用于生产模具主体2200的合成物和方法与光电半导体组件20的模具主体1200的合成物和方法对应。
在所表示的示例中，模具主体2200的上侧2201具有多个凸透镜形状的部分，其分别被布置在芯片1100的上侧1101上。在替换的实施例中，模具主体2200的上侧2201也可以仅具有覆盖所有九个芯片1100一个凸起区域，或者模具主体2200的上侧2201可以被形成从而是平面的。模具主体2200的上侧2201的其它配置也是可能的。
结构和功能与光电半导体组件10和20的相同层对应的反射层300和第一介电层310进而被布置在光电半导体组件30的模具主体2200的下侧2202上。芯片1100的下侧1102不被反射层300和第一介电层310覆盖。
在光电半导体组件30中，由导电材料制成的互连层1500被布置在第一介电层310上。互连层1500通过第一介电层310与反射层300电分离。互连层1500包括第一集线部1510、第二集线部1520以及在不同横向部分中的多个串联电路部分1530。集线部1510、1520和串联电路部分1530分别彼此横向地分离，并且因此彼此电绝缘。
第一集线部1510导电地连接到第一芯片1100的第一极性的电接触1110。第二集线部1520导电地连接到芯片1100的最后的第二极性的电接触1120。串联电路部分1530分别将芯片1100中的一个的第二极性的电接触1120连接到随后的芯片1100的第一极性的电接触1100。以此方式，光电半导体组件30的九个芯片1100通过串联电路部分1530串联地电连接。通过在第一集线部1510与第二集线部1520之间施加电压，可以感应出通过光电半导体组件30的所有九个芯片1100的电流的流动，其效果是芯片1100发射电磁辐射。
将互连层1500与光电半导体组件30的环境电绝缘的第二介电层320被布置在互连层1500上。被用于耗散芯片1100所产生的废弃热量的具有热焊接接触430的电镀层400可以进而被布置在第二介电层320上。在如所表示那样的光电半导体组件30的实施例中，省略电镀层400。在该实施例中，因此也可以省略第二介电层320的构造。
模具主体2200具有第一开孔2210和第二开孔2220。第一开孔2210和第二开孔2220分别从模具主体2200的上侧2201延伸到下侧2202。在开孔2210、2220的区域中，在反射层300和第一介电层310中更进一步地形成有孔。第一开孔2210被横向地布置在第一集线部1510之上。第二开孔2220被横向地布置在第二集线部1520之上。第一集线部1510的第一接触表面1515因此是可从模具主体2200的上侧2201通过第一开孔2210接入的。第二集线部1520的第二接触表面1525是可从模具主体2200的上侧2201通过第二开孔2220接入的。
光电半导体组件30的第一接触表面1515可以例如通过来自模具主体2200的上侧2201的布线键合而被电接触。对应地，第二接触表面1525也可以从模具主体2200的上侧2201通过第二开孔2220而被电接触。光电半导体组件30因此不是SMD组件，而是可从上部接触的组件。
优选地如以下所解释那样执行光电半导体组件10、20、30的生产。首先，以芯片100、1100的下侧1102在膜上的方式布置芯片100、1100。芯片100、1100随后被通过模制处理嵌入在模具主体200、1200、2200中。在通过使用合适的模制工具进行模制处理期间，模具主体200、1200、2200的上侧201、1201、2201可以被形成从而为平面的，或已经被提供有凸透镜部分或被以不同方式配置的部分。作为替换，也可以在例如通过激光切割或选择性研磨进行模制处理之后执行模具主体200、1200、2200的上侧201、1201、2201的处理。可以随后例如通过模制成附加的光学透镜600而将这些透镜600布置在模具主体200、1200、2200的上侧201、1201、2201上。
反射层300、第一介电层310以及可选地第二介电层320随后被施加到模具主体200、1200、2200的下侧202、1202、2202上并被构造。可以经由电镀层400的焊接接触410、420或通过模具主体200、1200、2200中的开孔2210、2220来执行光电半导体组件10、20、30的电接触。甚至可以想见这两种可能性的组合。如果提供电镀层400，则这也可以使用热接触430，以用于耗散芯片100、1100所产生的废弃热量。
保护二极管530可以被分别集成到光电半导体组件10、20、30中。保护二极管530优选地与芯片100、1100一起嵌入在模具主体200、1200、2200中。
特别优选地，通过将多个芯片100、1100同时嵌入在大的共用模具主体（例如在采用模制晶片的形式的模具主体）中来同时地生产一种类型或不同类型的多个光电半导体组件10、20、30。在进一步的层300、310、320、400的施加和构造之后，将大的共用模具主体再划分为更小的模具主体200、1200、2200，以便获得多个光电半导体组件10、20、30。
已经借助优选的示例性实施例详细图解和描述了本发明。然而，本发明不局限于所公开的示例。相反，本领域技术人员可以由此在不脱离本发明的保护范围的情况下得出其它变形。

Claims (17)

1.一种光电半导体组件（10，20，30），具有带有上侧（101，1101）和下侧（102，1102）的体发射蓝宝石倒装芯片（100，1100），
其中，所述芯片（100，1100）嵌入在带有上侧（201，1201，2201）和下侧（202，1202，2202）的光学透明模具主体（200，1200，2200）中。
2.如权利要求1所述的光电半导体组件（10，20，30），
其中，所述模具主体（200，1200，2200）不覆盖所述芯片（100，1100）的所述下侧（102，1102）。
3.如前述权利要求之一所述的光电半导体组件（10，20，30），
其中，转换器颗粒被集成到所述模具主体（200，1200，2200）中，并且意图转换由所述芯片（100，1100）发射的辐射的波长。
4.如前述权利要求之一所述的光电半导体组件（10，20，30），
其中，反射层（300）被布置在所述模具主体（200，1200，2200）的所述下侧（202，1202，2202）上。
5.如前述权利要求之一所述的光电半导体组件（20，30），
其中，所述模具主体（1200，2200）的所述上侧（1201，2201）被凸起地成形。
6.如前述权利要求之一所述的光电半导体组件（20），
其中，光学透镜（600）被布置在所述模具主体（1200）的所述上侧（1201）上。
7.如前述权利要求之一所述的光电半导体组件（20，30），
其中，所述芯片（1100）在其下侧（102，1102）上具有多个第一极性的第一电接触（1110）和多个第二极性的第二电接触（1120），以及
其中，所述半导体组件（20，30）具有导电互连层（500，1500），其导电地将所述第一接触（1110）彼此连接，并且导电地将所述第二接触（1120）彼此连接。
8.如权利要求7所述的光电半导体组件（30），
其中，所述半导体组件（30）具有多个芯片（1100），所述多个芯片（1100）被一起嵌入在所述模具主体（2200）中，以及
其中，所述互连层（1500）将所述芯片（1100）串联连接。
9.如权利要求7和8之一所述的光电半导体组件（30），
其中，所述模具主体（2200）具有开孔（2210），以及
其中，被导电地连接到所述第一接触（1110）的第一接触表面（1515）可通过所述开孔（2210）接入。
10.如权利要求1至8之一所述的光电半导体组件（10，20），
其中，所述半导体组件（10，20）被形成为带有在所述半导体组件（10，20）的下侧上所布置的两个可焊接电连接表面（410，420）的SMD组件。
11.如前述权利要求之一所述的光电半导体组件（10，20，30），
其中，所述模具主体（200，1200，2200）被填充有无机填料，填充因子大于80%。
12.一种用于生产光电半导体组件（10，20，30）的方法，
其包括以下步骤：
-提供带有上侧（101，1101）和下侧（102，1102）的体发射蓝宝石倒装芯片（100，1100），
-将所述芯片（100，1100）嵌入在带有上侧（201，1201，2201）和下侧（202，1202，2202）的光学透明模具主体（200，1200，2200）中。
13.如权利要求12所述的方法，
其中，在嵌入所述芯片（100，1100）之前，在膜上布置所述芯片（100，1100）的所述下侧（102，1102）。
14.如权利要求12和13之一所述的方法，
其中，在嵌入所述芯片（100，1100）之后，执行如下的另一步骤：
-去除在所述模具主体（200，1200，2200）的所述上侧（201，1201，2201）上的所述模具主体（200，1200，2200）的一部分。
15.如权利要求12至14之一所述的方法，
其中，在把所述芯片（100，1100）嵌入在所述模具主体（200，1200，2200）中之后，执行如下的另一步骤：
-将反射层（300）施加到所述模具主体（200，1200，2200）的所述下侧（202，1202，2202）上。
16.如权利要求12至15之一所述的方法，
其中，多个蓝宝石倒装芯片（100，1100）被同时地嵌入在共用模具主体（200，1200，2200）中。
17.如权利要求16所述的方法，
其中，在随后的方法步骤中分离所述共用模具主体（200，1200，2200）。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109417109A (zh) * 2016-07-05 2019-03-01 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 用于生产光电子组件的方法和光电子组件

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US9711703B2 (en) 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US8368112B2 (en) 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
KR102185099B1 (ko) * 2013-05-20 2020-12-02 루미리즈 홀딩 비.브이. 돔을 가진 칩 규모 발광 디바이스 패키지
DE102013112886A1 (de) * 2013-11-21 2015-05-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement
US9601670B2 (en) 2014-07-11 2017-03-21 Cree, Inc. Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate
US10622522B2 (en) * 2014-09-05 2020-04-14 Theodore Lowes LED packages with chips having insulated surfaces
JP6384533B2 (ja) * 2015-12-21 2018-09-05 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
DE102016203162A1 (de) * 2016-02-29 2017-08-31 Tridonic Jennersdorf Gmbh CSP LED Modul mit verbesserter Lichtemission
DE102017107961B4 (de) * 2017-04-12 2022-10-13 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung einer Beleuchtungseinrichtung und Beleuchtungseinrichtung
US11232957B2 (en) 2017-11-29 2022-01-25 Pep Inovation Pte. Ltd. Chip packaging method and package structure
US11610855B2 (en) * 2017-11-29 2023-03-21 Pep Innovation Pte. Ltd. Chip packaging method and package structure
US11233028B2 (en) 2017-11-29 2022-01-25 Pep Inovation Pte. Ltd. Chip packaging method and chip structure
US11114315B2 (en) 2017-11-29 2021-09-07 Pep Innovation Pte. Ltd. Chip packaging method and package structure

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1603170A1 (en) * 2003-03-10 2005-12-07 Toyoda Gosei Co., Ltd. Solid element device and method for manufacture thereof
CN1836339A (zh) * 2002-08-30 2006-09-20 吉尔科有限公司 具有改良效率的镀膜led
US20090050926A1 (en) * 2007-08-23 2009-02-26 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device
US20100258830A1 (en) * 2007-11-19 2010-10-14 Yoshiyuki Ide Semiconductor light-emitting device and manufacturing method of the same

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6936855B1 (en) * 2002-01-16 2005-08-30 Shane Harrah Bendable high flux LED array
US7800121B2 (en) * 2002-08-30 2010-09-21 Lumination Llc Light emitting diode component
US7391153B2 (en) * 2003-07-17 2008-06-24 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device provided with a submount assembly for improved thermal dissipation
JP2006066868A (ja) * 2004-03-23 2006-03-09 Toyoda Gosei Co Ltd 固体素子および固体素子デバイス
WO2006005062A2 (en) * 2004-06-30 2006-01-12 Cree, Inc. Chip-scale methods for packaging light emitting devices and chip-scale packaged light emitting devices
US20090127702A1 (en) * 2005-06-29 2009-05-21 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Package, subassembly and methods of manufacturing thereof
TWI375083B (en) * 2006-09-12 2012-10-21 Mutual Tek Ind Co Ltd Light emitting apparatus and method for the same
CN100585887C (zh) 2006-09-19 2010-01-27 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管的覆晶封装结构
JP5104490B2 (ja) 2007-04-16 2012-12-19 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
DE102007022947B4 (de) 2007-04-26 2022-05-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen
DE102009036621B4 (de) 2009-08-07 2023-12-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102010018260A1 (de) 2010-01-29 2011-08-04 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Beleuchtungsvorrichtung
JP2011199221A (ja) * 2010-03-24 2011-10-06 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオード
GB2479191B (en) 2010-04-01 2014-03-19 Microsaic Systems Plc Microengineered multipole ion guide
US20110303940A1 (en) * 2010-06-14 2011-12-15 Hyo Jin Lee Light emitting device package using quantum dot, illumination apparatus and display apparatus
DE102010031237A1 (de) 2010-07-12 2012-01-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
DE102011077898A1 (de) 2011-06-21 2012-12-27 Osram Ag LED-Leuchtvorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer LED-Leuchtvorrichtung
DE102011080458A1 (de) 2011-08-04 2013-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische anordnung und verfahren zur herstellung einer optoelektronischen anordnung

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1836339A (zh) * 2002-08-30 2006-09-20 吉尔科有限公司 具有改良效率的镀膜led
EP1603170A1 (en) * 2003-03-10 2005-12-07 Toyoda Gosei Co., Ltd. Solid element device and method for manufacture thereof
US20090050926A1 (en) * 2007-08-23 2009-02-26 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device
US20100258830A1 (en) * 2007-11-19 2010-10-14 Yoshiyuki Ide Semiconductor light-emitting device and manufacturing method of the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109417109A (zh) * 2016-07-05 2019-03-01 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 用于生产光电子组件的方法和光电子组件
CN109417109B (zh) * 2016-07-05 2022-02-15 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 用于生产光电子组件的方法和光电子组件

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