CN1836339A - 具有改良效率的镀膜led - Google Patents
具有改良效率的镀膜led Download PDFInfo
- Publication number
- CN1836339A CN1836339A CNA038247038A CN03824703A CN1836339A CN 1836339 A CN1836339 A CN 1836339A CN A038247038 A CNA038247038 A CN A038247038A CN 03824703 A CN03824703 A CN 03824703A CN 1836339 A CN1836339 A CN 1836339A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- led
- lens
- led device
- phosphor
- phosphor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 157
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 73
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 72
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 20
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 15
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 15
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 14
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 14
- -1 siloxanes Chemical class 0.000 claims description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 8
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical group CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 241001025261 Neoraja caerulea Species 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 7
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 4
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 claims description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 2
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 claims description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N Acrylic acid Chemical compound OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 15
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 12
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 10
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 10
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 6
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 3
- WFUGQJXVXHBTEM-UHFFFAOYSA-N 2-hydroperoxy-2-(2-hydroperoxybutan-2-ylperoxy)butane Chemical compound CCC(C)(OO)OOC(C)(CC)OO WFUGQJXVXHBTEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000005094 computer simulation Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 240000004859 Gamochaeta purpurea Species 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229910019990 cerium-doped yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 239000007970 homogeneous dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
- F21K9/60—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
- F21K9/64—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction using wavelength conversion means distinct or spaced from the light-generating element, e.g. a remote phosphor layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
本发明提供了一种LED器件,包括LED芯片和透镜,该透镜远离芯片被定位并且涂布有用于至少将由芯片发射的某些射线转换成可见光的荧光磷光体的均匀厚度层。远离LED定位的磷光体层可以提高装置的效率并且产生更稳定的彩色再现性。优选地,透镜的表面积至少是LED芯片的表面积的十倍。为了提高效率,反射镜和次黏着基台也可以用磷光体涂布以进一步地减少内吸收。
Description
背景技术
本发明涉及一种包括UV或蓝光发射二极管或者是UV或蓝光激光二极管(LED)和激活磷光体的发光器件。更具体而言,本发明涉及一种磷光体镀膜LED,该磷光体镀膜LED具有公开的特定几何形状,并设计改进LED效率的涂层。
目前,存在用于全面照明的LED市场,即所谓的“白光LED”。这些“白色LED”发射的射线可感觉到基本为白色。最常见的白色LED由蓝宝石(单晶氧化铝)或单晶SiC上发蓝光的GaInN外延生长层组成。涂布有磷光体的发蓝光芯片将某些蓝色射线转换成互补色例如黄-绿光发射。蓝色光和黄-绿光一起发射通常产生具有约5000K的相关色温且彩色再现指数Ra等于约70-75的白色光,还存在一种白色LED,其利用了UV发光芯片和设计用于将UV射线转换成可见光的磷光体。典型地需要两个或者多个磷光体发射带。
白色磷光体镀膜LED通常具有约50-70%的封装效率。将封装效率定义为:如果所有封装所产生和漏出的射线未被吸收,那么封装效率为LED的实际光输出与所获得的光的比率。在本文描述的发明中,可以获得接近100%的封装效率。
在历史上,磷光体镀膜LED具有相当低的封装效率,这部分是因为磷光体微粒产生的光平均地向各方向射线。某些光常常射向LED芯片、基片、次黏着基台、以及导线结构。所有这些元件吸收该光的一部分。此外,由于磷光体通常不是长波长UV或者蓝色射线的理想吸收体,所以由LED芯片自身发射的部分初始受激射线还会被反射回前述的结构元件上。最终,在UV发射芯片的情况下,为了吸收所有UV并避免UV渗漏,磷光体涂层通常必须相当厚,至少为5-7个粒子厚度。这更增加了涂层的可视反射率。由于LED芯片、次粘着基台、反射镜和导线结构吸收光线,从而限制了封装效率。
正如所述,典型的封装效率是50-70%。因此,如果封装效率可增加到接近100%,则对于提高LED封装的效率提供很好的机会。例如,荧光灯也是利用磷光体涂层而使封装效率接近了100%,这主要是因为由磷光体涂层产生的光被射回灯内,没有照射到任何吸收结构。
本发明提出的另外一个主要问题是磷光体涂层的均匀性。导致上述封装效率的现有设计通常具有安装在基片上并且接着被置于银镀膜反射杯中的蓝色或者UV发射芯片。该杯用含有磷光体粉硅氧烷或硅氧烷环氧树脂进行填充。磷光体微粒被随机地分散在硅氧烷淤浆中,除了由于散射光返回而致上述减少封装亮度的影响之外,相关磷光体厚度也在涂层不同几何形状上有很大的不同。这导致了光束图案中的分色输出。由于不同的涂层图案和厚度以及在LED发射图案中不希望的蓝色或黄色圈,还会导致不同部分具有不同颜色。
磷光体涂层均匀性的问题已经在美国专利第5,959,316号中说明,其中,厚度均匀的荧光层或磷光体层通过透明隔离层与LED芯片分开。然后将整个装置嵌入透明的封装环氧树脂中。
在传统的LED封装中遇到的另一个问题是,若磷光体安置于LED的顶部或邻接LED的层中则其效率降低。这是由于芯片的残留热使磷光体升温并且改变了它的发射特征。传统的LED的另一个缺点在于,由于磷光体非均匀地涂布,使用磷光体的总量经常超过了对由芯片发射的光的有效转化的必要量。磷光体材料是相当昂贵的,该附加量明显地增加了LED的总成本。
最小化LED中光损耗的一种方法是确保次黏着基台、反射镜、和导线结构尽可能地涂布大量反射材料。大多数制造商使用了这种方法。然而,LED本身特别是在具有SiC基片的芯片的情况下吸收大量其自身的射线和磷光体射线。此外,LED结构的其他部件例如次黏着基台相当强烈地吸收可见光射线和近UV射线。使人吃惊地,甚至连银镀膜反射镜和导线结构元件也稍微吸收这两种射线。由于这种吸收以及在磷光体涂层与LED结构之间反射大量的射线的事实,即使具有镀膜表面也很少获得超过50-70%的封装效率。
LumiLED的LUXEONTMLED产品中使用了一种可选的方法即将磷光体放入反射杯的硅氧烷中。在这些设计中,发光LED芯片涂布有薄磷光体保形涂层。这种配置减少了芯片上涂层厚度的非均匀性以及增进了LED的LED颜色的均匀性。然而,它实际上可以降低LED的总效率,这是因为芯片和次黏着基台吸收射线,并且由磷光体涂层产生的超过一半的射线被直接反射到这些元件上。
因此,通过提高LED封装效率到70%以上,优选地接近100%,这样对于设计具有最大光输出的磷光体涂层LED是有利的。
此外,需要生产具有均匀磷光体层和一致颜色通量的UV/磷光体或蓝光/磷光体白色LED,而在UV发射芯片的情况下,LED没有向环境泄漏大量的UV射线。
此外还需要通过使用均匀涂层厚度的磷光体并将该涂层安置于远离LED芯片,以便防止来自芯片的热向磷光体传递,来增加磷光体转换效率。
此外,需要使由于电流波动引起的LED色移最小化。由于磷光体上的高的射线通量密度,经常在磷光体镀膜LED中观察到电流引起的色移,其倾向于通过耗尽某些激活剂的基态使磷光体饱和。在本文描述的发明中,通过在较远处涂布磷光体,来自LED芯片的蓝光通量密度(W)大大地降低了。
发明内容
在一个方面,本发明提供了一种LED照明组件,包括LED芯片和磷光体镀膜表面,磷光体镀膜的表面积大约至少是LED芯片面积的十倍。
在第二个方面,本发明提供了一种LED照明组件,包括LED芯片以及远离LED芯片的涂布于透明透镜的基本均匀厚度的磷光体涂层。
在第三个方面,本发明提供了一种用于形成LED照明组件的方法,该方法包括如下步骤:在安装表面设置LED芯片,将磷光体涂层涂布于透明透镜,并且将所述透镜附着到所述安装表面上,以使从所述LED芯片发射的光传输到所述透镜。
在第四个方面,本发明提供了一种用于形成LED照明组件的方法,该方法包括如下步骤:在粘合剂和溶剂中分散磷光体以形成磷光体混合物,将所述磷光体混合物涂布于透明透镜,固化所述粘合剂,并且将所述透镜附着到LED芯片上方的安装表面。
优选地,提供磷光体涂层,该涂层完全包围LED芯片并且具有至少约为LED吸收部件的露出面积十倍的覆盖面积。在大多数情况下,诸如当磷光体被涂布在半球体上或类似几何结构上的情况下,这种要求通过以下满足,通过使磷光体镀膜表面距离芯片至少是芯片最长侧长度2-3倍的距离并且包围芯片,从而使射线在不透过磷光体镀膜的表面的情况下不能逃逸。从这样的涂层产生或反射出的射线可能照射到涂层的其它部件而不是芯片、次黏着基台等。因此,减少了由于射线被LED的这些内部结构吸收而引起的光损耗。
附图说明
图1是传统的LED封装组件的立体图。
图2是根据本发明的第一实施例的LED组件的截面图。
图3是根据本发明的第二实施例的LED组件的截面图。
图4是根据本发明的第三实施例的LED组件的截面图。
图5是根据本发明的第四实施例的LED组件的截面图。
图6是根据本发明的第四实施例的LED组件侧面立体图。
图7是根据本发明的第四实施例的LED组件侧面立体图。
图8是根据本发明的一实施例具有代表性的LED组件,示出用于入射到不同表面的射线的通量线。
图9是包含带通滤波器的蓝色LED源的透镜的截面图。
图10是包含多个带通滤波器的UV LED的透镜的截面图。
图11是包含微透镜或宏透镜阵列的透镜的截面图,在该透镜的外表面形成,以控制发射射线的发射角、方向、或强度。
具体实施方式
尽管为了方便起见,以下的对本发明的具体实施例的讨论针对LED,但应当理解,本发明涉及任何发光半导体的应用。参照图1,示出了传统LED组件10。LED组件包括安装于该LED组件底部表面14上的LED芯片12。LED芯片12发射射线(通常是在白光LED中的UV或蓝光)。由透明材料制成的透镜18包围芯片12和底面14。两根导线20将芯片12与电源连接。填充透镜和芯片12之间的空间22的通常是环氧树脂或其他透明材料(未示出)。在环氧树脂内均匀分散的是磷光体微粒(未示出),这些磷光体微粒至少吸收一部分由芯片12发射的光并且将其转换成不同的波长。
这些LED的性能适合于某些应用,可是它们具有以上讨论过的许多缺陷。因而,以下要披露的实施例尝试去克服存在于传统LED中的某些局限。
参照图2,示出了本发明的一个实施例的截面图。在该实施例中,通常设置LED封装110,该LED封装包括安装于次黏着基台114(submount)上的LED芯片112,将其依次安装在反射镜116上。正如本文中所使用的,“反射镜”指的是不仅包括LED封装底部的任何表面,而且还包括任何用于支撑LED芯片的其他结构,例如,热沉(heat sink)等等。由透明材料制成的透镜118包围芯片112、次黏着基台114和反射镜116。可选地,填充在透镜和芯片112之间的空间122的通常是环氧树脂或其他透明材料。将包含磷光体微粒的磷光体层124涂布于透镜118的内表面或外表面上。优选地,将涂层涂布在透镜的内表面以防止由于操作等而使磷光体层移动。磷光体涂层的厚度应该足以使至少一部分由LED芯片发射的射线转换成不同的波长。这个厚度通常是在6μm至200μm之间,同时优选的厚度是在20μm至30μm之间。
LED芯片112可以是任何传统的UV或蓝光LED。这种LED是已知的,并且通常是由外延生长在蓝宝石、氧化铝、或单晶SiC基片上的InGaN或AlGaN层组成。优选的LED芯片可以具有在200nm至480nm范围内的原发射。同样地,磷光体层124可以包括一个或多个适合的荧光磷光体,该荧光磷光体能够吸收UV或蓝色射线,并且能够单独或与由LED芯片发射的射线结合产生用于照明的可见白色光或近白色光。用于本发明的适宜磷光体包括但不限于Y3Al5O2:Ce(YAG:Ce)、Tb3Al4.9O12:Ce(TAG:Ce)、和Sr4Al14O25:Eu(SAE)。其他产生磷光体的白光也是适合的。磷光体微粒的尺寸并不重要,例如直径可以约在3μm至30μm。
透镜118可以由基本上对于由LED芯片和磷光体发射的射线透明的材料制成。因而,根据发射射线的波长,透镜可以包含不同的材料,这些材料包括但不限于玻璃、环氧树脂、塑料、热固性树脂或热塑性树脂或本领域已知的任何其他种类的LED封装材料。
在透镜118的内表面设置磷光体涂层124而不是分散在环氧树脂或其他填充材料中,可提供更加均匀而有效的LED发射的转换。一个优点在于可以涂布受控的均匀厚度涂层。其一个益处在于可以利用最小量的磷光体精确地控制涂层的厚度,并且通过准确控制用于实现最佳转换效率和防止UV渗漏(如果使用UV发射芯片)。这有助于实现均匀的光发射,不发生由现有技术装置中磷光体的非均匀分散而导致的色圈。另一个益处在于磷光体远离由LED产生的热,进一步地提高了转换效率。当然,磷光体层可以被设置在透镜材料的内部或具有安置于其上的其他材料的涂层,这种配置也是本发明所涵盖的。
尽管以下并不想限制本发明,但是磷光体涂层可以通过如喷涂、辊涂、弯月面涂或浸涂、烫印、丝网印刷、点胶(dispensing)、滚压、刷涂、或喷射或任何其它的可以提供均匀厚度涂层的方法来涂布。用于涂布磷光体的优选方法是喷涂。
在用于涂布LED外壳的透镜和反射镜的典型技术中,首先将磷光体粉末与粘合剂和溶剂一起搅拌到淤浆。合适的粘合剂包括但不限于硅氧烷、环氧树脂、热塑性塑料、丙烯酸树脂、聚酰亚胺、及其混合物。合适的溶剂包括但不限于诸如甲苯、过氧化甲乙酮(又称丁酮(MEK))、二氯甲烷、以及丙酮这样的低沸点溶剂。淤浆中每种组分的量并不是关键的,但是应该进行选择以便制备出易于涂布于透镜的淤浆,同时,这种淤浆还应包含用于LED射线有效转换的足够浓度的磷光体微粒。典型的淤浆的制作可以使用大约2份重量的6μm磷光体、1.2份重量的硅氧烷、和1份过氧化甲乙酮。合适的硅氧烷是GE XE5844。
接着将这种淤浆涂布到透镜的表面。然后可将这种镀膜透镜进行烘焙、加热、或其它处理以除去溶剂并固化粘合剂。正如本文所使用的,术语“固化”指的是不仅包括对粘合剂实际的固化或交联,而且更一般地是表明在粘合剂中任何化学的和/或物理变化,使得通常由于粘合剂的凝固或硬化而使其中磷光体微粒变得相当稳定。
如上所述,淤浆可以通过任何合适的方法而涂布于透镜。在优选的方法中,将淤浆通过喷涂来施加。在该方法中,将淤浆用于填充合适的气刷的贮存腔。然后淤浆利用加压喷枪喷射到透镜上,将该淤浆进行预热并且保持在电热板上,优选在高于溶剂沸点温度如110℃的高温下保持。通过连续的道次将部件进行喷射,喷射大约每个道次进行约1/2秒。淤浆在接触时干燥并且获得均匀的涂层。在35-40个道次的透镜上得到约4层厚(利用6μm大小的磷光体微粒约20-30μm)。然后将透镜进行烘焙以固化粘合剂。可将这种涂布LED的方法用于全面照明的任何LED。如果需要的话,可将透明材料的第二涂层添加到磷光体层之上以保护磷光体或提供保护涂层以帮助光提取。
在传统涂布方法之上利用具有YAG磷光体的蓝光LED已经实现了光输出的显著改进,其中,磷光体被埋入淤浆中并且均匀地涂布在芯片周围。显然,许多其他使透镜远远地围绕LED芯片的方法也在本发明的范围之内。
在一个优选的实施例中,透镜的半径优选至少是芯片的一侧长度(“L”)的约2-3倍。这种结构增加了从涂布于这类透镜的涂层产生或反射的射线更有可能照射到涂层的其它部分的可能性,在此射线将被转发射,而在芯片或其他非镀膜区域,射线将被吸收并损耗。
在图3示出的第二个实施例中又设置了LED封装210,并且包括安装于次黏着基台214上的LED芯片212,其依次安装在反射镜216上。透镜218围绕芯片212、次黏着基台214、和反射镜216。可选地,填充在透镜和芯片212之间的空间222的通常是环氧树脂或其他透明材料。为了进一步提高效率,将包含磷光体微粒的磷光体涂层224涂布在透镜218的内表面226上和反射镜216的顶部表面上。优选地,可以认为是封装底部的反射镜顶部表面首先涂布了反射层240,这些反射层是诸如氧化铝、氧化钛等这样的高电介质粉末。优选的反射材料是Al2O3。然后将磷光体层224置于反射镜顶部的反射层240之上。使用反射层240来反射穿过该表面上的磷光体层224的任何射线242。也可选择不涂布具有单独磷光体层224的透明透镜118,而是将磷光体均匀地分散在包含透明半球体的材料内。
优选地,位于反射镜216上的反射层240之上的磷光体层224是相当的厚,即,大于5个粉末层,同时,可将位于半球体曲线顶端的磷光体层进行调整以获得所需要的颜色和吸收所有入射在其上的射线。一般而言,在蓝光发射芯片的情况下,位于半球体顶部的磷光体层将在1-4层的厚度范围内,其目的是将某些蓝色射线进行发射。在UV芯片的情况下,涂布在半球体上的磷光体涂层应该在4-8层的厚度,其目的是吸收至少大部分由芯片发射的UV射线。
如图3所示,防止来自芯片242的射线在没有首先照射到半球体的磷光体镀膜表面的情况下而离开该结构。进一步地,所有磷光体镀膜表面面积要远远大于发射芯片的表面积,优选地,至少是LED芯片的吸收部件的露出面积的十倍。正如在本文所使用的,LED吸收部件的露出表面积包括LED芯片的露出表面积以及没有被反射层和/或磷光体层覆盖的次黏着基台的任何露出面积。
在这种结构中,尽管存在被散射回半球体内的大量蓝色或UV射线,几乎所有的射线均被广泛地散射,照射到磷光体涂层的其他部分而不是芯片或次黏着基台。大部分的由磷光体涂层产生的可见光也直接反射到了半球体内。而且不存在金属反射镜和露出的导线结构。这个几何结构的重要特征在于除了LED芯片212之外的所有元件都进行磷光体涂布并且半球体的磷光体表面积是非常大的,优选地,其面积大于LED的任何吸收部件的表面积的十倍以上。因此,几乎所有的返回半球体的射线将会照射到其它磷光体涂层区域并且被磷光体反射或吸收和重新发射。本文所披露的实施例计算得到高于70%以上的效率,并且在大部分情况下接近100%。
在表1中将该设计的效率与几个标准LED封装几何结构的效率进行了比较。这些比较是利用计算机模似进行的。计算机模拟是下面描述的通量模型。它考虑所有射线通量并且假定将全部射线进行漫射,以便入射到任何给定表面上的射线量与其面积成比例。如表1中所示,上述几何结构提供了基本上100%的封装效率。
表1-磷光体镀膜LED的两个标准配置与披露于本发明中三个
实施例计算出的封装效率的比较
LED描述 | 封装效率 | 毫瓦/流明 | ||
SiC基片 | Al2O3基片 | SiC基片 | Al2O3基片 | |
1.6mm2芯片+27mm2反射镜+芯片上的磷光体 | 58% | 70% | 6.7 | 5.6 |
1.6mm2芯片+芯片上的磷光体 | 69% | 80% | 5.7 | 4.9 |
1.6mm2芯片+27mm2反射镜+透镜上的磷光体(图5) | 82% | 88% | 4.7 | 4.4 |
1.6mm2芯片+3mm半径的半球体(图3) | 98% | 99% | 4 | 3.9 |
1.6mm2芯片+3mm半径的球(图4) | 99% | 100% | 3.9 | 3.9 |
图4示出了在同样原理下操作的第二实施例。这里将LED芯片312安装在底座314上,底座还作为热沉。然而,芯片312被放置在模制球体318的中心部位。然后将磷光体层(未示出)涂布在球体318的内表面320上,也可选择均匀地分散在球体内。在该设计中,LED将向各方向均匀地辐射。此外,显然由磷光体涂层所产生的和散射回球体的蓝光/UV射线和可见射线将更可能优先于照射到其它的磷光体镀膜表面而不是照射到芯片312或底座314。对于漫射射线而言,这些光吸收结构是小的(照射)对象。如表1所示,这种结构的封装效率接近100%。SiC基片上LED结构的较低封装效率是由于与Al2O3基片相比SiC基片吸收的LED射线较高。
根据前面的实施例,显而易见磷光体涂层的特定形状并不重要,只要它尽最大可能地围绕LED芯片并与该芯片保持足够远的距离(例如,这个距离可以使磷光体镀膜表面具有约十倍于芯片露出表面的表面积),这样从涂层散射的射线不可能照射到芯片或芯片结构。本发明不限于在此描述的实施例而是想要包含所有这些涂层形状,优选地,其中磷光体镀膜表面的面积约是LED吸收部件的露出面积的十倍或更多倍。因而,涂布磷光体的透镜不限于球状或半球状的,而是可以包括任何几何形状,同时优选地,磷光体镀膜表面面积大约至少是LED吸收部件的露出面积的十倍。
本发明还想要涵盖多种几何形状,这些几何形状并不十分理想,或许没有提供100%封装效率的全部优点,不过的确利用了所设计的远处的磷光体涂层的原理,以使镀膜表面至少是芯片发射面积的十倍。例如,图5示出了传统表面黏着LED示意图。在这种结构中,将LED芯片412和次黏着基台414装配在反射杯416中。与传统设计(在上述背景中描述)不同,其具有或多或少随机地埋入反射镜和透镜之间的光学介质中的磷光体,将该磷光体涂层作为一层施加于透明透镜418上。磷光体涂层远离芯片412并且位于具有大约十倍以上于LED吸收部件的露出面积的表面上。很明显,涂布有磷光体涂层的透镜418的表面面积可以小于芯片表面积的十倍。然而,由于更多的射线将照射到芯片并且被芯片吸收,因此组件的封装效率降低。此外,可以将第二个透镜430安装在磷光体镀膜透镜之上用于保护。
大部分的从磷光体涂层散射回来的UV或者蓝色射线和可见射线照射到反射杯416或其它磷光体表面。仅仅相对少量射线照射到光吸收芯片和次黏着基台。在该设计中,重要的是反射杯416由非常高的反射性材料制成,例如具有大于95%的反射率的汽相沉积和保护银涂层或诸如细粒氧化铝和氧化钛这样的高纯度无机粉末。另外,反射杯416可用磷光体涂布或者也可不用磷光体涂布。表1示出了面积为1.6mm2的特定LED的模拟性能,该LED位于利用面积为27mm2的磷光体镀膜透镜的银反射杯中次黏着基台上的。
如图6和图7所示,本发明还披露了涂布包含多个LED芯片的系统的远距离磷光体涂层的构思。多个发射蓝光或UV的LED可以被装配在单个反射电连接板或其它结构上。然后,将磷光体镀膜表面用于围绕不是单个的LED而是整组的LED。磷光体镀膜表面可以被单独或与其它高反射表面结合使用以围绕该组LED。图6和图7示出了这种结构的两个实施例。一个是电源模块500,可将其用作筒灯。另外一个是壁灯600,该壁灯具有许多装配在磷光体镀膜面板之后的LED。很明显,假如磷光体表面积优选是十倍于LED吸收部件的露出面积,则可以进行多种这样的配置。
如上所述,任何实施例可以包括位于LED芯片和磷光体镀膜透镜之间的环氧树脂或其它透明填充物。若封装材料或透明填充物具有与芯片和透镜的折射率的几何平均值相匹配折射率,则可以实现光的更有效提取,优选地在这个数值的20%之内,甚至更有选地在10%之内。这减少了灯的内部反射量。这样,在透镜具有约1.5的折射率、GaN LED芯片具有约2.7的折射率的情况下,优选地填充物将具有约2.1的折射率。在具有两种或多种不同折射率的材料的LED芯片的情况下,如在蓝宝石次黏着基台上的具有约1.7的折射率的GaN半导体的情况下,优选地封装物的折射率将与透镜折射率的几何平均值和二者之中的较大值相匹配。这样,利用比环氧树脂高的折射率的封装物可以获得较好的光提取,诸如旋涂式玻璃(SOG)或其他的高折射率材料。
以上的任何实施例还可以装备有一个或多个带通滤波器,以进一步地提高所得到的LED封装效率。这样,在如图9所示的一个实施例中,示出包含第一带通滤波器光片750的用于蓝光LED源的透镜718。将该带通滤波器安置于磷光体层724和LED(未示出)之间。带通滤波器选择为可使来自蓝光LED源752的入射光允许通过,而从磷光体层754发射的光被向外反射。
在如图10所示的实施例中,将两个带通滤波器设置在UV LED源封装中。在该实施例中,将第一带通滤波器850安置于磷光体层824和邻接透镜818的LED源(未示出)之间。第一带通滤波器起到传播来自LED的UV光852的作用,同时反射由磷光体层854发射的光。第二带通滤波器856反射来自LED 852的UV光,同时允许磷光体层854发射的光通过。这种配置防止了来自于封装的潜在有害UV射线的传输,同时确保了可见光的传播。
如图11所示,在以上任意一个实施例中,可以在透镜918的外表面上形成微透镜或宏透镜960阵列以控制发射射线952和954的发射角、方向、或强度。
表1中显示的计算结果是基于图8中所描述的线性通量模型。图中示出了入射到LED封装的四个表面上的九个通量。这些通量用下面的九个线性方程式来描述,每个方程式中用相应的数字描述通量。这些方程式是:
这些表面是:
3=上部磷光体镀膜表面,
2=下部磷光体镀膜表面,
1=反射镜和次黏着基台,以及
0=蓝光或UV发射芯片。
有九个描述蓝色或UV通量的其它方程式。此处未示出这些描述蓝色或UV通量的方程式。它们通过量子效率Q和斯托克位移(λi/λl)与可见光方程式联系到一起。这十八个线性方程式出现十八个未知量,即照射到每个表面的射线的相关功率,并且同时求解。
P值表示来自一个表面的射线将照射到另一个表面的可能性。表1中所示的计算中被用来计算表面积的比率。Q表示磷光体的量子效率。λ是蓝光或UV芯片射线的平均波长或磷光体的可见射线的平均波长。
所需要的其他参数是不同材料表面的反射率和吸收率。这些参数可从手册数值中获得或利用已知方法直接进行测量而获得。没有芯片反射率的数值,因此这些数值通过假定每个芯片由半导体层和基片组成来进行计算。所有入射到芯片上的射线都可以假定为法向的,入射到倒装芯片设计中的基片上,忽略了衍射效应。芯片反射率的二次方程式是:
R=Rsub+(1-Rsub)2 exp(-2asub tsub)Ract+(1-Rsub)2 exp(-2asub tsub)(1-Ract)2 exp(-2aact tact)Rmst…
其中:
Rsub=基片的反射率 Ract=激活层的反射率
asub=基片的吸收值 aact=激活层的吸收系数
tsub=基片的厚度 tact=激活层的厚度
折射率、吸收系数、厚度使用的是已知值或者估计值,因此:
R=((n1-n2)2+k2)/(n1+n2)2+k2),其中k=λa/2π。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (36)
1.一种LED器件,包括:
发光半导体;
透明透镜,覆盖所述半导体上并与所述半导体隔开;以及
磷光体层,包含或者涂布在所述透镜的内表面或外表面。
2.根据权利要求1所述的LED器件,其中,所述透镜的所述内表面的表面积至少是所述发光半导体的露出表面积的十倍。
3.根据权利要求1所述的LED器件,还包括安置于所述发光半导体和所述透镜之间的透明填充物。
4.根据权利要求3所述的LED器件,其中,所述透明填充物是光耦合材料,所述光耦合材料可以是环氧树脂、硅氧烷、丙烯酸树脂、热塑性材料、聚氨酯、聚酰亚胺、或者与系数修正匹配的流体或凝胶。
5.根据权利要求4所述的LED器件,其中,所述填充物具有与所述发光半导体的折射率和所述透镜材料的折射率的几何平均值的接近匹配的折射率。
6.根据权利要求1所述的LED器件,其中,所述磷光体层具有基本均匀的厚度。
7.根据权利要求1所述的LED器件,其中,所述磷光体层由包含一个或多个磷光体和粘合剂的淤浆形成。
8.根据权利要求1所述的LED器件,其中,所述磷光体层由包含一个或多个磷光体、散射介质和粘合剂的淤浆形成。
9.根据权利要求7所述的LED器件,其中,所述淤浆可以包含载剂,而所述粘合剂是透明的折射率匹配材料。
10.根据权利要求9所述的LED器件,其中,所述溶剂是丁酮,而所述粘合剂是选自包括硅氧烷、丙烯酸树脂、环氧树脂、热塑性塑料和聚酰亚胺的组。
11.根据权利要求1所述的LED器件,其中,所述磷光体层包含Y3Al5O2:Ce、Tb3Al4.9O12:Ce、Sr4Al14O25:Eu中的一种或多种及其混合物。
12.根据权利要求1所述的LED器件,其中,所述发光半导体是具有原发射在200nm-480nm范围的的发蓝光LED或UVLED。
13.根据权利要求1所述的LED器件,其中,所述LED器件发射白光。
14.根据权利要求1所述的LED器件,具有70%或更高的封装效率。
15.根据权利要求1所述的LED器件,其中,所述透镜包括球体或者半球体,并且将所述发光半导体安置于所述球体或半球体的中心。
16.一种LED器件,包括:
发光半导体;
透明透镜,覆盖所述半导体,并且安置于远离所述发光半导体一定距离的位置,所述距离至少是所述发光半导体最长侧长度的两倍;以及
磷光体层,包含或者涂布在所述透镜的内表面或外表面上。
17.一种LED器件,包括:
发光半导体;
反射镜,支撑所述发光半导体;
透明透镜,覆盖所述半导体和所述反射镜,并且与所述半导体远距离隔开;以及
均匀厚度磷光体层,涂布在所述反射镜的至少一部分上,并且包含或者涂布在所述透镜的内表面或外表面上。
18.根据权利要求17所述的LED器件,还包括安置于所述磷光体层和所述反射镜之间的反射层。
19.根据权利要求18所述的LED器件,其中,所述反射层包含高电介质粉末。
20.根据权利要求17所述的LED器件,还包括次黏着基台,所述半导体安装在所述次黏着基台上,其中所述次黏着基台上也涂布有所述磷光体层。
21.根据权利要求17所述的LED器件,其中,所述磷光体层的厚度为6μm至100μm。
22.根据权利要求17所述的LED器件,其中,所述半导体是在200-480nm范围内的蓝光发射LED或UV LED。
23.根据权利要求17所述的LED器件,具有70%或者更高的封装效率。
24.根据权利要求17所述的LED器件,其中,所述LED芯片没有涂布所述磷光体层。
25.一种用于形成LED器件的方法,所述LED器件包括具有均匀磷光体涂层的透镜,所述方法包括如下步骤:
提供安装在支撑物上的LED;
提供透明透镜,所述透明透镜的尺寸适合安装在所述支撑物的上方或周围;
在所述透镜的表面上沉积均匀厚度的磷光体层;
组装所述LED、支座、和透镜,以形成所述LED器件。
26.根据权利要求25所述的方法,其中,在所述透镜上沉积所述磷光体的所述步骤包括如下子步骤:
形成包括磷光体粉、溶剂和粘合剂的淤浆;
可选地将所述透镜加热至一高于室温的温度;
烫印、丝网印刷、点胶、滚压、刷涂、或喷射所述淤浆到所述透镜上,以形成均匀厚度的涂层;以及
固化所述粘合剂以形成永久性涂层。
27.根据权利要求26所述的方法,其中,使用多道次的压力喷射方法将所述淤浆喷射到所述透镜上。
28.根据权利要求26所述的方法,其中,所述溶剂选自包括甲苯、丁酮、二氯甲烷、及其混合物的组。
29.根据权利要求24所述的方法,其中,所述粘合剂选自包括硅树脂、环氧树脂、热塑性塑料、丙烯酸树酯、聚酰亚胺、及其混合物的组。
30.根据权利要求24所述的方法,其中,所述磷光体涂层的厚度大约在6μm至200μm。
31.一种LED器件,包括:
多个发光半导体,安装于反射式电子连接板上;
透明透镜,覆盖所述半导体并且与所述半导体隔开;以及
磷光体层,包含或者涂布在所述透镜内表面或外表面上。
32.根据权利要求31所述的LED器件,其中,为了改善光提取和芯片保护,所述透镜具有与所述发光半导体的折射率相匹配的折射率。
33.根据权利要求31所述的LED器件,其中,所述多个发光半导体包括多个蓝光LED,所述器件还包括安置于所述磷光体层和所述多个蓝光LED之间的所述透镜上的带通光滤波器,所述带通滤波器用于使所述LED的发射波长通过并且反射所述磷光体层的发射波长。
34.根据权利要求31所述的LED器件,其中,所述多个发光半导体包括多个UV LED,所述器件还包括:第一带通光滤波器,安置于所述磷光体层和所述蓝光LED之间的所述透镜上,用于使所述LED的发射波长通过和反射所述磷光体层的发射波长;以及,第二带通滤波器,安置于所述透镜的外表面上,用于使所述磷光体的发射波长通过和反射所述LED的发射波长。
35.根据权利要求31所述的LED器件,其中,在所述透镜的外表面上形成微透镜或宏透镜阵列,以控制发射射线的发射角、方向或强度。
36.根据权利要求31所述的LED器件,其中,所述透镜易于从所述LED器件拆卸,以便可以安装包含不同磷光体混合物或者混合量的附加透镜,以容易地调整光的色温、CIE、和CRI,而无需更换所述发光半导体。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US40742602P | 2002-08-30 | 2002-08-30 | |
US60/407,426 | 2002-08-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1836339A true CN1836339A (zh) | 2006-09-20 |
CN100468791C CN100468791C (zh) | 2009-03-11 |
Family
ID=31978482
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB038247038A Expired - Lifetime CN100468791C (zh) | 2002-08-30 | 2003-08-29 | 具有改良效率的镀膜led |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7479662B2 (zh) |
EP (1) | EP1540746B1 (zh) |
JP (1) | JP2005537651A (zh) |
KR (1) | KR100622209B1 (zh) |
CN (1) | CN100468791C (zh) |
AT (1) | ATE448571T1 (zh) |
AU (1) | AU2003270052B2 (zh) |
DE (1) | DE60330023D1 (zh) |
ES (1) | ES2335878T3 (zh) |
WO (1) | WO2004021461A2 (zh) |
Cited By (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009070925A1 (en) * | 2007-11-30 | 2009-06-11 | Jenn-Wei Mii | Brightness improving structure of light-emitting module with an optical film surface layer |
CN101876407A (zh) * | 2010-05-17 | 2010-11-03 | 中山大学佛山研究院 | 一种led光源模组 |
CN101899301A (zh) * | 2010-06-25 | 2010-12-01 | 海洋王照明科技股份有限公司 | Led发光材料、led发光装置及制作方法 |
WO2011035668A1 (zh) * | 2009-09-24 | 2011-03-31 | Shen Lihao | 一种提高led灯照明演色性的结构 |
US7919913B2 (en) | 2007-03-14 | 2011-04-05 | Mii Jenn-Wei | Light illuminating element |
CN102157670A (zh) * | 2010-02-11 | 2011-08-17 | 亿光电子工业股份有限公司 | 发光装置 |
CN102306698A (zh) * | 2011-09-30 | 2012-01-04 | 深圳市灏天光电有限公司 | 一种新型led封装结构 |
CN102396063A (zh) * | 2009-04-17 | 2012-03-28 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 具有高强度的透明oled器件 |
CN102496673A (zh) * | 2011-12-22 | 2012-06-13 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 发光二极管封装结构及其封装方法 |
CN102588816A (zh) * | 2011-01-07 | 2012-07-18 | 晶元光电股份有限公司 | 发光装置、混光装置及发光装置的制造方法 |
CN102648537A (zh) * | 2009-11-13 | 2012-08-22 | 特里多尼克詹纳斯多尔夫有限公司 | 发光二极管模块及相应的制造方法 |
CN102679199A (zh) * | 2011-03-08 | 2012-09-19 | 威力盟电子股份有限公司 | 发光二极管球泡灯及其制造方法 |
CN101740682B (zh) * | 2008-11-10 | 2012-10-10 | 采钰科技股份有限公司 | 发光二极管装置及其制造方法 |
CN102810537A (zh) * | 2012-08-17 | 2012-12-05 | 南通脉锐光电科技有限公司 | 白光led发光装置 |
CN102832323A (zh) * | 2012-09-04 | 2012-12-19 | 江苏尚明光电有限公司 | 一种大功率led的封装工艺 |
CN102859648A (zh) * | 2010-03-03 | 2013-01-02 | 克里公司 | 将光学材料施加到光学元件的系统和方法 |
CN102074638B (zh) * | 2009-11-25 | 2013-01-16 | 亿光电子工业股份有限公司 | 发光二极管封装及其制作方法 |
CN102903706A (zh) * | 2011-07-29 | 2013-01-30 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件封装件及使用其的照明系统 |
CN102980065A (zh) * | 2012-11-21 | 2013-03-20 | 惠州雷曼光电科技有限公司 | Led光源、led显示模组及led照明装置 |
CN103026128A (zh) * | 2010-02-05 | 2013-04-03 | 迪斯普拉斯有限责任公司 | 用于产生光辐射表面的方法以及用于实施所述方法的发光设备 |
CN103057024A (zh) * | 2013-01-22 | 2013-04-24 | 桂林电子科技大学 | 一种具有特殊微相结构的环氧树脂基复合涂层的光扩散片及其制备方法 |
CN103094465A (zh) * | 2011-11-04 | 2013-05-08 | 杭州华普永明光电股份有限公司 | Led模组及其制作工艺 |
CN103180659A (zh) * | 2010-11-09 | 2013-06-26 | 通用电气照明解决方案有限责任公司 | Led灯 |
CN103348476A (zh) * | 2011-01-13 | 2013-10-09 | 艾尔坦研究生产商业联合股份公司 | 带有光致发光转换器的白光led光源 |
CN103367597A (zh) * | 2012-03-29 | 2013-10-23 | 常熟卓辉光电科技有限公司 | 一种led光源 |
CN103403894A (zh) * | 2011-03-07 | 2013-11-20 | 皇家飞利浦有限公司 | 发光模块、灯、照明器和显示装置 |
CN103797597A (zh) * | 2011-09-20 | 2014-05-14 | 皇家飞利浦有限公司 | 发光模块、灯、照明器和显示装置 |
CN101960918B (zh) * | 2008-02-27 | 2014-08-27 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 具有led以及一个或多个透射窗的照明设备 |
TWI451045B (zh) * | 2007-11-20 | 2014-09-01 | Koninkl Philips Electronics Nv | 具有波長轉換的側發光裝置 |
US8845143B2 (en) | 2007-10-29 | 2014-09-30 | Epistar Corporation | Photoelectronic device |
CN104659161A (zh) * | 2013-11-21 | 2015-05-27 | 比亚迪股份有限公司 | Led芯片及其形成方法 |
CN104798215A (zh) * | 2012-07-30 | 2015-07-22 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 带有蓝宝石倒装芯片的光电半导体组件 |
TWI512317B (zh) * | 2008-09-25 | 2015-12-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | 塗佈發光裝置及其塗佈方法 |
US9508904B2 (en) | 2011-01-31 | 2016-11-29 | Cree, Inc. | Structures and substrates for mounting optical elements and methods and devices for providing the same background |
CN103094465B (zh) * | 2011-11-04 | 2016-12-14 | 杭州华普永明光电股份有限公司 | Led模组及其制作工艺 |
CN107591395A (zh) * | 2017-10-07 | 2018-01-16 | 谭瑞银 | 简易led |
CN108630795A (zh) * | 2017-03-17 | 2018-10-09 | 日亚化学工业株式会社 | 透光性构件的制造方法以及发光装置的制造方法 |
CN108826022A (zh) * | 2017-06-29 | 2018-11-16 | 凤凰电机公司 | 发光二极管灯 |
CN109080259A (zh) * | 2018-07-31 | 2018-12-25 | 珠海迈时光电科技有限公司 | 一种uvled固化光源系统及其设计方法 |
CN111190307A (zh) * | 2019-12-13 | 2020-05-22 | 深圳市隆利科技股份有限公司 | 直下式背光装置及显示设备 |
Families Citing this family (263)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6600175B1 (en) | 1996-03-26 | 2003-07-29 | Advanced Technology Materials, Inc. | Solid state white light emitter and display using same |
US7224000B2 (en) * | 2002-08-30 | 2007-05-29 | Lumination, Llc | Light emitting diode component |
US10340424B2 (en) | 2002-08-30 | 2019-07-02 | GE Lighting Solutions, LLC | Light emitting diode component |
US7118438B2 (en) | 2003-01-27 | 2006-10-10 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making phosphor based light sources having an interference reflector |
US7245072B2 (en) | 2003-01-27 | 2007-07-17 | 3M Innovative Properties Company | Phosphor based light sources having a polymeric long pass reflector |
US7312560B2 (en) | 2003-01-27 | 2007-12-25 | 3M Innovative Properties | Phosphor based light sources having a non-planar long pass reflector and method of making |
US20040145289A1 (en) | 2003-01-27 | 2004-07-29 | 3M Innovative Properties Company | Phosphor based light sources having a non-planar short pass reflector and method of making |
WO2004068603A2 (en) | 2003-01-27 | 2004-08-12 | 3M Innovative Properties Company | Phosphor based light source component and method of making |
US7091661B2 (en) | 2003-01-27 | 2006-08-15 | 3M Innovative Properties Company | Phosphor based light sources having a reflective polarizer |
US20040159900A1 (en) | 2003-01-27 | 2004-08-19 | 3M Innovative Properties Company | Phosphor based light sources having front illumination |
US7091653B2 (en) | 2003-01-27 | 2006-08-15 | 3M Innovative Properties Company | Phosphor based light sources having a non-planar long pass reflector |
US7423296B2 (en) * | 2003-02-26 | 2008-09-09 | Avago Technologies Ecbu Ip Pte Ltd | Apparatus for producing a spectrally-shifted light output from a light emitting device utilizing thin-film luminescent layers |
US7084434B2 (en) * | 2003-04-15 | 2006-08-01 | Luminus Devices, Inc. | Uniform color phosphor-coated light-emitting diode |
US7005679B2 (en) * | 2003-05-01 | 2006-02-28 | Cree, Inc. | Multiple component solid state white light |
US7247986B2 (en) * | 2003-06-10 | 2007-07-24 | Samsung Sdi. Co., Ltd. | Organic electro luminescent display and method for fabricating the same |
US7329024B2 (en) | 2003-09-22 | 2008-02-12 | Permlight Products, Inc. | Lighting apparatus |
JP3837588B2 (ja) | 2003-11-26 | 2006-10-25 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体と蛍光体を用いた発光器具 |
US8174036B2 (en) * | 2003-12-30 | 2012-05-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lighting device |
JP4317478B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2009-08-19 | 三菱化学株式会社 | 蛍光体型発光装置及びそれを照明源とする内視鏡装置 |
US7517728B2 (en) | 2004-03-31 | 2009-04-14 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element |
US7724440B2 (en) | 2004-04-23 | 2010-05-25 | Light Prescriptions Innovators, Llc | Combining outputs of different light sources |
JP2007535149A (ja) | 2004-04-23 | 2007-11-29 | ライト プレスクリプションズ イノベーターズ エルエルシー | 発光ダイオード用光学マニホールド |
US6956247B1 (en) * | 2004-05-26 | 2005-10-18 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Semiconductor light emitting device including photonic band gap material and luminescent material |
US7781789B2 (en) * | 2006-11-15 | 2010-08-24 | The Regents Of The University Of California | Transparent mirrorless light emitting diode |
US7070300B2 (en) * | 2004-06-04 | 2006-07-04 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Remote wavelength conversion in an illumination device |
US7646029B2 (en) * | 2004-07-08 | 2010-01-12 | Philips Solid-State Lighting Solutions, Inc. | LED package methods and systems |
US7201495B2 (en) * | 2004-08-03 | 2007-04-10 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Semiconductor light emitting device package with cover with flexible portion |
US20060097385A1 (en) * | 2004-10-25 | 2006-05-11 | Negley Gerald H | Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same |
US7419839B2 (en) * | 2004-11-12 | 2008-09-02 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Bonding an optical element to a light emitting device |
ATE511740T1 (de) * | 2004-12-09 | 2011-06-15 | Koninkl Philips Electronics Nv | Beleuchtungssystem |
AU2005319965B2 (en) * | 2004-12-22 | 2011-02-10 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device |
TWI248218B (en) * | 2004-12-31 | 2006-01-21 | Ind Tech Res Inst | Light-emitting diode package structure and fabrication method thereof |
US20060171152A1 (en) | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting device and method of making the same |
EP1686630A3 (en) * | 2005-01-31 | 2009-03-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Led device having diffuse reflective surface |
KR101139891B1 (ko) | 2005-01-31 | 2012-04-27 | 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트 | 확산 반사면을 구비한 발광 다이오드 소자 |
US7497973B2 (en) * | 2005-02-02 | 2009-03-03 | Lumination Llc | Red line emitting phosphor materials for use in LED applications |
JP2006278567A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Matsushita Electric Works Ltd | Ledユニット |
CN100409462C (zh) * | 2005-05-26 | 2008-08-06 | 陈隆建 | 采用荧光粉激发的反射式白光发光二极管 |
US7319246B2 (en) | 2005-06-23 | 2008-01-15 | Lumination Llc | Luminescent sheet covering for LEDs |
KR100757196B1 (ko) * | 2005-08-01 | 2007-09-07 | 서울반도체 주식회사 | 실리콘 렌즈를 구비하는 발광소자 |
TW200717131A (en) * | 2005-08-19 | 2007-05-01 | Lg Chemical Ltd | Side emitting lens, light emitting device using the side emitting lens, mold assembly for preparing the side emitting lens and method for preparing the side emitting lens |
CN100405621C (zh) * | 2005-09-29 | 2008-07-23 | 上海乐金广电电子有限公司 | 白色光源的制造方法 |
CN100414727C (zh) * | 2005-11-04 | 2008-08-27 | 江苏日月照明电器有限公司 | 一种白光led荧光粉涂覆厚度控制方法 |
KR20080077259A (ko) * | 2005-12-08 | 2008-08-21 | 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 | 고효율 발광 다이오드 |
US7375379B2 (en) * | 2005-12-19 | 2008-05-20 | Philips Limileds Lighting Company, Llc | Light-emitting device |
US20070200118A1 (en) * | 2005-12-21 | 2007-08-30 | Epstein Kenneth A | Led light confinement element |
JP2009527071A (ja) * | 2005-12-22 | 2009-07-23 | クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド | 照明装置 |
KR100726970B1 (ko) * | 2005-12-23 | 2007-06-14 | 한국광기술원 | 다이크로익 필터를 이용한 발광 장치 |
JP2007180234A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光光源及び照明器具 |
EP1974389A4 (en) | 2006-01-05 | 2010-12-29 | Illumitex Inc | SEPARATE OPTICAL DEVICE FOR DIRECTING LIGHT FROM A LED |
KR100867519B1 (ko) * | 2006-02-02 | 2008-11-07 | 삼성전기주식회사 | 발광 다이오드 모듈 |
DE102006005042A1 (de) * | 2006-02-03 | 2007-08-09 | Tridonic Optoelectronics Gmbh | Licht emittierende Vorrichtung mit nicht-aktiviertem Leuchtstoff |
DE102006008793A1 (de) * | 2006-02-24 | 2007-09-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektronisches Bauteil |
CN100411210C (zh) * | 2006-03-03 | 2008-08-13 | 中山大学 | 一种白光led的封装方法 |
US8299903B2 (en) * | 2006-03-23 | 2012-10-30 | Edward H Haase | Screw-in LED light and sound bulb |
DE102006015606A1 (de) * | 2006-04-04 | 2007-10-18 | Noctron Holding S.A. | Halbleiter-Leuchtmittel und Leuchtpaneel mit solchen |
US7661840B1 (en) | 2006-06-21 | 2010-02-16 | Ilight Technologies, Inc. | Lighting device with illuminated front panel |
US20080074583A1 (en) * | 2006-07-06 | 2008-03-27 | Intematix Corporation | Photo-luminescence color liquid crystal display |
US8947619B2 (en) | 2006-07-06 | 2015-02-03 | Intematix Corporation | Photoluminescence color display comprising quantum dots material and a wavelength selective filter that allows passage of excitation radiation and prevents passage of light generated by photoluminescence materials |
US20080012035A1 (en) * | 2006-07-11 | 2008-01-17 | Bily Wang | LED chip package structure and method for manufacturing the same |
US20080051135A1 (en) * | 2006-07-31 | 2008-02-28 | 3M Innovative Properties Company | Combination camera/projector system |
TWI465147B (zh) * | 2006-07-31 | 2014-12-11 | 3M Innovative Properties Co | 具有中空集光透鏡之led源 |
US8075140B2 (en) * | 2006-07-31 | 2011-12-13 | 3M Innovative Properties Company | LED illumination system with polarization recycling |
WO2008016905A1 (en) | 2006-07-31 | 2008-02-07 | 3M Innovative Properties Company | Optical projection subsystem |
US20080036972A1 (en) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | 3M Innovative Properties Company | Led mosaic |
US20080029720A1 (en) | 2006-08-03 | 2008-02-07 | Intematix Corporation | LED lighting arrangement including light emitting phosphor |
US7842960B2 (en) | 2006-09-06 | 2010-11-30 | Lumination Llc | Light emitting packages and methods of making same |
KR100835063B1 (ko) | 2006-10-02 | 2008-06-03 | 삼성전기주식회사 | Led를 이용한 면광원 발광장치 |
US20080151143A1 (en) * | 2006-10-19 | 2008-06-26 | Intematix Corporation | Light emitting diode based backlighting for color liquid crystal displays |
EP2087563B1 (en) * | 2006-11-15 | 2014-09-24 | The Regents of The University of California | Textured phosphor conversion layer light emitting diode |
CN101617411B (zh) * | 2006-11-30 | 2012-07-11 | 科锐公司 | 照明装置及照明方法 |
TW201448263A (zh) | 2006-12-11 | 2014-12-16 | Univ California | 透明發光二極體 |
WO2008073435A1 (en) * | 2006-12-11 | 2008-06-19 | The Regents Of The University Of California | Lead frame for transparent and mirrorless light emitting diode |
US8109656B1 (en) | 2007-01-12 | 2012-02-07 | Ilight Technologies, Inc. | Bulb for light-emitting diode with modified inner cavity |
US7686478B1 (en) | 2007-01-12 | 2010-03-30 | Ilight Technologies, Inc. | Bulb for light-emitting diode with color-converting insert |
JP5102051B2 (ja) * | 2007-01-18 | 2012-12-19 | シチズン電子株式会社 | 半導体発光装置 |
US20080192458A1 (en) * | 2007-02-12 | 2008-08-14 | Intematix Corporation | Light emitting diode lighting system |
US7815341B2 (en) | 2007-02-14 | 2010-10-19 | Permlight Products, Inc. | Strip illumination device |
CN101657671B (zh) * | 2007-02-22 | 2012-07-11 | 科锐公司 | 照明装置、照明方法、滤光器和滤光方法 |
US7972030B2 (en) | 2007-03-05 | 2011-07-05 | Intematix Corporation | Light emitting diode (LED) based lighting systems |
US8203260B2 (en) * | 2007-04-13 | 2012-06-19 | Intematix Corporation | Color temperature tunable white light source |
TW200842455A (en) * | 2007-04-16 | 2008-11-01 | Chi Lin Technology Co Ltd | Light mixing and guiding device |
US7703943B2 (en) * | 2007-05-07 | 2010-04-27 | Intematix Corporation | Color tunable light source |
US7942556B2 (en) * | 2007-06-18 | 2011-05-17 | Xicato, Inc. | Solid state illumination device |
JP2010532104A (ja) | 2007-06-27 | 2010-09-30 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 高効率白色発光ダイオードのための光学設計 |
KR100919461B1 (ko) * | 2007-07-09 | 2009-09-28 | 심현섭 | 색온도가 변환되는 조명기기용 광원장치 |
US10505083B2 (en) * | 2007-07-11 | 2019-12-10 | Cree, Inc. | Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same |
US7663315B1 (en) | 2007-07-24 | 2010-02-16 | Ilight Technologies, Inc. | Spherical bulb for light-emitting diode with spherical inner cavity |
JP2009038304A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Stanley Electric Co Ltd | 照明用灯具 |
US20090065792A1 (en) * | 2007-09-07 | 2009-03-12 | 3M Innovative Properties Company | Method of making an led device having a dome lens |
DE102007059548A1 (de) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Auskoppellinse für ein optoelektronisches Bauelement |
DE102007049799A1 (de) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
US8783887B2 (en) | 2007-10-01 | 2014-07-22 | Intematix Corporation | Color tunable light emitting device |
JP2009099759A (ja) * | 2007-10-17 | 2009-05-07 | Fine Rubber Kenkyusho:Kk | 発光装置 |
US7915627B2 (en) | 2007-10-17 | 2011-03-29 | Intematix Corporation | Light emitting device with phosphor wavelength conversion |
US7984999B2 (en) | 2007-10-17 | 2011-07-26 | Xicato, Inc. | Illumination device with light emitting diodes and moveable light adjustment member |
US9086213B2 (en) * | 2007-10-17 | 2015-07-21 | Xicato, Inc. | Illumination device with light emitting diodes |
US8376577B2 (en) * | 2007-11-05 | 2013-02-19 | Xicato, Inc. | Modular solid state lighting device |
US8042961B2 (en) * | 2007-12-02 | 2011-10-25 | Andrew Massara | Audio lamp |
JP2010074117A (ja) | 2007-12-07 | 2010-04-02 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
CN100490201C (zh) * | 2007-12-20 | 2009-05-20 | 宁波安迪光电科技有限公司 | 白光发光二极管 |
TW200932035A (en) * | 2008-01-04 | 2009-07-16 | Lighthouse Technology Co Ltd | Light-emitting element |
US8058088B2 (en) * | 2008-01-15 | 2011-11-15 | Cree, Inc. | Phosphor coating systems and methods for light emitting structures and packaged light emitting diodes including phosphor coating |
RU2484552C2 (ru) * | 2008-01-31 | 2013-06-10 | Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. | Светоизлучающее устройство |
DE102008017071A1 (de) | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Modul und Projektionsvorrichtung mit dem optoelektronischen Modul |
WO2009100358A1 (en) | 2008-02-08 | 2009-08-13 | Illumitex, Inc. | System and method for emitter layer shaping |
US8567973B2 (en) | 2008-03-07 | 2013-10-29 | Intematix Corporation | Multiple-chip excitation systems for white light emitting diodes (LEDs) |
US8740400B2 (en) | 2008-03-07 | 2014-06-03 | Intematix Corporation | White light illumination system with narrow band green phosphor and multiple-wavelength excitation |
US8067891B2 (en) * | 2008-04-25 | 2011-11-29 | Deng Jia H | A/C LED bulb |
US9258854B2 (en) * | 2008-05-20 | 2016-02-09 | Jia H. Deng | LED PAR and R lamps |
CN102057510B (zh) * | 2008-06-10 | 2014-08-13 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | Led模块 |
US7618157B1 (en) * | 2008-06-25 | 2009-11-17 | Osram Sylvania Inc. | Tubular blue LED lamp with remote phosphor |
EP2304312A4 (en) * | 2008-06-25 | 2015-03-25 | Mario W Cardullo | UV LIGHT SOURCE FOR GENERATING VISIBLE LIGHT |
WO2009158422A1 (en) * | 2008-06-26 | 2009-12-30 | Osram Sylvania, Inc. | Led lamp with remote phosphor coating and method of making the lamp |
US20100027293A1 (en) * | 2008-07-30 | 2010-02-04 | Intematix Corporation | Light Emitting Panel |
CA2730719A1 (en) * | 2008-08-08 | 2010-02-11 | Xicato, Inc. | Color tunable light source |
US8525207B2 (en) * | 2008-09-16 | 2013-09-03 | Osram Sylvania Inc. | LED package using phosphor containing elements and light source containing same |
US9793481B2 (en) * | 2008-10-01 | 2017-10-17 | The Regents Of The University Of Michigan | Patterning by stamped metal resist |
US8703016B2 (en) | 2008-10-22 | 2014-04-22 | General Electric Company | Phosphor materials and related devices |
US8329060B2 (en) * | 2008-10-22 | 2012-12-11 | General Electric Company | Blue-green and green phosphors for lighting applications |
US8822954B2 (en) * | 2008-10-23 | 2014-09-02 | Intematix Corporation | Phosphor based authentication system |
WO2010055831A1 (ja) * | 2008-11-13 | 2010-05-20 | 国立大学法人名古屋大学 | 半導体発光装置 |
US8220971B2 (en) | 2008-11-21 | 2012-07-17 | Xicato, Inc. | Light emitting diode module with three part color matching |
KR101521260B1 (ko) * | 2008-11-25 | 2015-05-18 | 삼성전자주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 이의 제조방법 |
US8390193B2 (en) * | 2008-12-31 | 2013-03-05 | Intematix Corporation | Light emitting device with phosphor wavelength conversion |
TWI386728B (zh) * | 2009-01-20 | 2013-02-21 | Au Optronics Corp | 背光模組與液晶顯示器 |
US8089085B2 (en) * | 2009-02-26 | 2012-01-03 | Bridgelux, Inc. | Heat sink base for LEDS |
US8299489B2 (en) * | 2010-08-03 | 2012-10-30 | Silitek Electronics (Guangzhou) Co., Ltd. | Illumination device |
US8376582B2 (en) | 2009-03-18 | 2013-02-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | LED luminaire |
US8414155B2 (en) | 2009-03-18 | 2013-04-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | LED luminaire |
TWM374650U (en) * | 2009-04-20 | 2010-02-21 | Hsin I Technology Co Ltd | LED packaging structure |
US7956546B2 (en) * | 2009-05-15 | 2011-06-07 | Bridgelux, Inc. | Modular LED light bulb |
US8247248B2 (en) * | 2009-05-15 | 2012-08-21 | Achrolux Inc. | Methods and apparatus for forming uniform layers of phosphor material on an LED encapsulation structure |
US8123378B1 (en) | 2009-05-15 | 2012-02-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Heatsink for cooling at least one LED |
US8168998B2 (en) * | 2009-06-09 | 2012-05-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | LED with remote phosphor layer and reflective submount |
US8651692B2 (en) * | 2009-06-18 | 2014-02-18 | Intematix Corporation | LED based lamp and light emitting signage |
JP5380182B2 (ja) * | 2009-07-03 | 2014-01-08 | パナソニック株式会社 | 発光装置、面光源および液晶ディスプレイ装置 |
US8449128B2 (en) * | 2009-08-20 | 2013-05-28 | Illumitex, Inc. | System and method for a lens and phosphor layer |
US8585253B2 (en) | 2009-08-20 | 2013-11-19 | Illumitex, Inc. | System and method for color mixing lens array |
TW201126114A (en) * | 2009-08-20 | 2011-08-01 | Illumitex Inc | System and method for a phosphor coated lens |
US8455910B2 (en) * | 2009-09-21 | 2013-06-04 | Walsin Lihwa Corporation | Method of manufacturing light emitting diode packaging lens and light emitting diode package |
JP5543884B2 (ja) * | 2009-09-25 | 2014-07-09 | パナソニック株式会社 | 波長変換粒子およびそれを用いた波長変換部材ならびに発光装置 |
CN102630288B (zh) | 2009-09-25 | 2015-09-09 | 科锐公司 | 具有低眩光和高亮度级均匀性的照明设备 |
KR20120079470A (ko) * | 2009-09-25 | 2012-07-12 | 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 | 반도체 조명기구 |
US8593040B2 (en) | 2009-10-02 | 2013-11-26 | Ge Lighting Solutions Llc | LED lamp with surface area enhancing fins |
US20110110095A1 (en) * | 2009-10-09 | 2011-05-12 | Intematix Corporation | Solid-state lamps with passive cooling |
US9328894B2 (en) * | 2009-10-22 | 2016-05-03 | Light Prescriptions Innovators, Llc | Remote phosphor light engines and lamps |
US8779685B2 (en) * | 2009-11-19 | 2014-07-15 | Intematix Corporation | High CRI white light emitting devices and drive circuitry |
US8506127B2 (en) | 2009-12-11 | 2013-08-13 | Koninklijke Philips N.V. | Lens frame with a LED support surface and heat dissipating structure |
US8466611B2 (en) | 2009-12-14 | 2013-06-18 | Cree, Inc. | Lighting device with shaped remote phosphor |
US20110149548A1 (en) * | 2009-12-22 | 2011-06-23 | Intematix Corporation | Light emitting diode based linear lamps |
US9631782B2 (en) * | 2010-02-04 | 2017-04-25 | Xicato, Inc. | LED-based rectangular illumination device |
EP2362134A3 (de) * | 2010-02-26 | 2012-09-26 | Osram Ag | Reflektorelement für eine elektrische Lampe sowie Lampe mit einem derartigen Reflektorelement |
JP5407931B2 (ja) * | 2010-02-26 | 2014-02-05 | コニカミノルタ株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
US8104908B2 (en) | 2010-03-04 | 2012-01-31 | Xicato, Inc. | Efficient LED-based illumination module with high color rendering index |
US20110220920A1 (en) * | 2010-03-09 | 2011-09-15 | Brian Thomas Collins | Methods of forming warm white light emitting devices having high color rendering index values and related light emitting devices |
US8384105B2 (en) * | 2010-03-19 | 2013-02-26 | Micron Technology, Inc. | Light emitting diodes with enhanced thermal sinking and associated methods of operation |
TWI476959B (zh) * | 2010-04-11 | 2015-03-11 | Achrolux Inc | 轉移均勻螢光層至一物件上之方法及所製得之發光結構 |
US7988336B1 (en) | 2010-04-26 | 2011-08-02 | Xicato, Inc. | LED-based illumination module attachment to a light fixture |
JP5894579B2 (ja) | 2010-05-04 | 2016-03-30 | シカト・インコーポレイテッド | Ledベース照明デバイスを固定部材に接続する柔軟な電気接続部 |
US8330178B2 (en) * | 2010-05-11 | 2012-12-11 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Package structure and package process of light emitting diode |
US8888318B2 (en) | 2010-06-11 | 2014-11-18 | Intematix Corporation | LED spotlight |
US8807799B2 (en) | 2010-06-11 | 2014-08-19 | Intematix Corporation | LED-based lamps |
CA2802689A1 (en) | 2010-06-18 | 2011-12-22 | Xicato, Inc. | Led-based illumination module on-board diagnostics |
US8624491B2 (en) | 2010-07-22 | 2014-01-07 | Kyocera Corporation | Light emitting device |
US8946998B2 (en) | 2010-08-09 | 2015-02-03 | Intematix Corporation | LED-based light emitting systems and devices with color compensation |
US8506105B2 (en) | 2010-08-25 | 2013-08-13 | Generla Electric Company | Thermal management systems for solid state lighting and other electronic systems |
US20120051045A1 (en) | 2010-08-27 | 2012-03-01 | Xicato, Inc. | Led Based Illumination Module Color Matched To An Arbitrary Light Source |
US8297767B2 (en) | 2010-09-07 | 2012-10-30 | Xicato, Inc. | LED-based illumination modules with PTFE color converting surfaces |
US8610341B2 (en) * | 2010-10-05 | 2013-12-17 | Intematix Corporation | Wavelength conversion component |
US8614539B2 (en) * | 2010-10-05 | 2013-12-24 | Intematix Corporation | Wavelength conversion component with scattering particles |
JP6069205B2 (ja) * | 2010-10-05 | 2017-02-01 | インテマティックス・コーポレーションIntematix Corporation | フォトルミネッセンス波長変換を備える発光装置及び波長変換コンポーネント |
US8957585B2 (en) | 2010-10-05 | 2015-02-17 | Intermatix Corporation | Solid-state light emitting devices with photoluminescence wavelength conversion |
US8604678B2 (en) * | 2010-10-05 | 2013-12-10 | Intematix Corporation | Wavelength conversion component with a diffusing layer |
US9546765B2 (en) * | 2010-10-05 | 2017-01-17 | Intematix Corporation | Diffuser component having scattering particles |
US9024341B2 (en) * | 2010-10-27 | 2015-05-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Refractive index tuning of wafer level package LEDs |
JP5545866B2 (ja) * | 2010-11-01 | 2014-07-09 | シチズン電子株式会社 | 半導体発光装置 |
KR101781424B1 (ko) | 2010-11-26 | 2017-09-26 | 서울반도체 주식회사 | 엘이디 조명기구 |
US20140008697A1 (en) * | 2010-12-08 | 2014-01-09 | Brian R. Harkness | Siloxane Compositions Including Titanium Dioxide Nanoparticles Suitable For Forming Encapsulants |
KR101819912B1 (ko) * | 2010-12-17 | 2018-01-18 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | 광원, 방사선 변환 요소 및 필터를 갖는 조명 시스템 |
CN102569593A (zh) * | 2010-12-22 | 2012-07-11 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管 |
US8425065B2 (en) | 2010-12-30 | 2013-04-23 | Xicato, Inc. | LED-based illumination modules with thin color converting layers |
TWI441361B (zh) * | 2010-12-31 | 2014-06-11 | Interlight Optotech Corp | 發光二極體封裝結構及其製造方法 |
US8757836B2 (en) | 2011-01-13 | 2014-06-24 | GE Lighting Solutions, LLC | Omnidirectional LED based solid state lamp |
JP5582048B2 (ja) * | 2011-01-28 | 2014-09-03 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US9166126B2 (en) | 2011-01-31 | 2015-10-20 | Cree, Inc. | Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same |
RU2457393C1 (ru) * | 2011-02-17 | 2012-07-27 | Закрытое Акционерное Общество "Научно-Производственная Коммерческая Фирма "Элтан Лтд" | Светодиодный источник белого света с удаленным фотолюминесцентным конвертером |
TWI517452B (zh) * | 2011-03-02 | 2016-01-11 | 建準電機工業股份有限公司 | 發光晶體之多晶封裝結構 |
JP5658600B2 (ja) | 2011-03-07 | 2015-01-28 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
JP5656290B2 (ja) | 2011-03-18 | 2015-01-21 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
JP2012199497A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-10-18 | Panasonic Corp | 発光装置 |
US8899767B2 (en) | 2011-03-31 | 2014-12-02 | Xicato, Inc. | Grid structure on a transmissive layer of an LED-based illumination module |
KR101202173B1 (ko) * | 2011-04-01 | 2012-11-20 | 서울반도체 주식회사 | 복수개의 파장변환 물질층들을 갖는 발광 소자 |
US9004705B2 (en) | 2011-04-13 | 2015-04-14 | Intematix Corporation | LED-based light sources for light emitting devices and lighting arrangements with photoluminescence wavelength conversion |
TW201242099A (en) * | 2011-04-14 | 2012-10-16 | Lextar Electronics Corp | Light-tuning method |
WO2012154446A1 (en) * | 2011-05-12 | 2012-11-15 | 3M Innovative Properties Company | Optical structure for remote phosphor led |
US8449129B2 (en) | 2011-08-02 | 2013-05-28 | Xicato, Inc. | LED-based illumination device with color converting surfaces |
US8403529B2 (en) | 2011-08-02 | 2013-03-26 | Xicato, Inc. | LED-based illumination module with preferentially illuminated color converting surfaces |
GB201114084D0 (en) * | 2011-08-16 | 2011-09-28 | Eis Optics Ltd | Optical wheel |
US9897276B2 (en) * | 2011-08-26 | 2018-02-20 | Cree, Inc. | Reduced phosphor lighting devices |
US8485692B2 (en) | 2011-09-09 | 2013-07-16 | Xicato, Inc. | LED-based light source with sharply defined field angle |
US8579451B2 (en) | 2011-09-15 | 2013-11-12 | Osram Sylvania Inc. | LED lamp |
US20130088848A1 (en) | 2011-10-06 | 2013-04-11 | Intematix Corporation | Solid-state lamps with improved radial emission and thermal performance |
US8992051B2 (en) | 2011-10-06 | 2015-03-31 | Intematix Corporation | Solid-state lamps with improved radial emission and thermal performance |
US9115868B2 (en) | 2011-10-13 | 2015-08-25 | Intematix Corporation | Wavelength conversion component with improved protective characteristics for remote wavelength conversion |
US9365766B2 (en) | 2011-10-13 | 2016-06-14 | Intematix Corporation | Wavelength conversion component having photo-luminescence material embedded into a hermetic material for remote wavelength conversion |
US8858045B2 (en) | 2011-12-05 | 2014-10-14 | Xicato, Inc. | Reflector attachment to an LED-based illumination module |
US8820951B2 (en) | 2012-02-06 | 2014-09-02 | Xicato, Inc. | LED-based light source with hybrid spot and general lighting characteristics |
US8779687B2 (en) | 2012-02-13 | 2014-07-15 | Xicato, Inc. | Current routing to multiple LED circuits |
KR20120039590A (ko) * | 2012-03-08 | 2012-04-25 | 장일호 | 고출력 백색광 엘이디 패키지 모듈 및 그 제조방법 |
US9066383B2 (en) | 2012-04-11 | 2015-06-23 | Eminvent, LLC | Systems and methods for altering and coordinating illumination characteristics |
US9538608B2 (en) | 2012-04-11 | 2017-01-03 | Eminvent, LLC | Systems and apparatuses including alterable characteristics and methods of altering and coordinating such characteristics |
US8941332B2 (en) * | 2012-04-11 | 2015-01-27 | Eminvent LLC | Systems and apparatuses including alterable characteristics and methods of altering and coordinating such characteristics |
CN103375708B (zh) * | 2012-04-26 | 2015-10-28 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管灯源装置 |
CN102646674A (zh) * | 2012-04-26 | 2012-08-22 | 南通脉锐光电科技有限公司 | 白光led发光装置 |
WO2013163573A1 (en) | 2012-04-26 | 2013-10-31 | Intematix Corporation | Methods and apparatus for implementing color consistency in remote wavelength conversion |
US9500355B2 (en) | 2012-05-04 | 2016-11-22 | GE Lighting Solutions, LLC | Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device |
US8680785B2 (en) | 2012-05-18 | 2014-03-25 | Xicato, Inc. | Variable master current mirror |
US8994056B2 (en) | 2012-07-13 | 2015-03-31 | Intematix Corporation | LED-based large area display |
US20140003044A1 (en) | 2012-09-06 | 2014-01-02 | Xicato, Inc. | Integrated led based illumination device |
KR101330249B1 (ko) * | 2012-11-29 | 2013-11-15 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 다이오드 및 이의 제조 방법 |
KR101984897B1 (ko) * | 2012-12-10 | 2019-06-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법 |
US8845380B2 (en) | 2012-12-17 | 2014-09-30 | Xicato, Inc. | Automated color tuning of an LED based illumination device |
US20140185269A1 (en) | 2012-12-28 | 2014-07-03 | Intermatix Corporation | Solid-state lamps utilizing photoluminescence wavelength conversion components |
US8870617B2 (en) | 2013-01-03 | 2014-10-28 | Xicato, Inc. | Color tuning of a multi-color LED based illumination device |
US9217543B2 (en) | 2013-01-28 | 2015-12-22 | Intematix Corporation | Solid-state lamps with omnidirectional emission patterns |
US20140209950A1 (en) * | 2013-01-31 | 2014-07-31 | Luxo-Led Co., Limited | Light emitting diode package module |
DE102013102482A1 (de) * | 2013-03-12 | 2014-10-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
US8770800B1 (en) | 2013-03-15 | 2014-07-08 | Xicato, Inc. | LED-based light source reflector with shell elements |
CN105121951A (zh) | 2013-03-15 | 2015-12-02 | 英特曼帝克司公司 | 光致发光波长转换组件 |
WO2014189855A1 (en) * | 2013-05-22 | 2014-11-27 | Quarkstar Llc | Light-emitting device with remote phosphor and recess |
CN104241262B (zh) | 2013-06-14 | 2020-11-06 | 惠州科锐半导体照明有限公司 | 发光装置以及显示装置 |
US9596737B2 (en) | 2013-07-02 | 2017-03-14 | Xicato, Inc. | Multi-port LED-based lighting communications gateway |
US9591726B2 (en) | 2013-07-02 | 2017-03-07 | Xicato, Inc. | LED-based lighting control network communication |
US9736283B2 (en) * | 2013-09-09 | 2017-08-15 | Apple Inc. | Light source window paint |
EP3047203A2 (en) | 2013-09-17 | 2016-07-27 | Xicato, Inc. | Led based illumination device with integrated output window |
US20150085466A1 (en) * | 2013-09-24 | 2015-03-26 | Intematix Corporation | Low profile led-based lighting arrangements |
US9425896B2 (en) | 2013-12-31 | 2016-08-23 | Xicato, Inc. | Color modulated LED-based illumination |
CN103943753A (zh) * | 2014-03-06 | 2014-07-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光二极管光源及其制作方法、背光源及显示装置 |
US9788379B2 (en) | 2014-03-28 | 2017-10-10 | Xicato, Inc. | Deep dimming of an LED-based illumination device |
US9781799B2 (en) | 2014-05-05 | 2017-10-03 | Xicato, Inc. | LED-based illumination device reflector having sense and communication capability |
US10017000B2 (en) * | 2014-05-09 | 2018-07-10 | Fuji Polymer Industries Co., Ltd. | Phosphor-containing identification substance and method for producing the same |
US9318670B2 (en) | 2014-05-21 | 2016-04-19 | Intematix Corporation | Materials for photoluminescence wavelength converted solid-state light emitting devices and arrangements |
TW201547059A (zh) * | 2014-06-03 | 2015-12-16 | Shih-Yu Chiu | 發光二極體封裝結構 |
JP6454505B2 (ja) * | 2014-09-18 | 2019-01-16 | 株式会社共立電照 | 照明装置 |
US9960848B2 (en) | 2015-02-27 | 2018-05-01 | Xicato, Inc. | Commissioning of devices on a lighting communications network |
US9788397B2 (en) | 2015-02-27 | 2017-10-10 | Xicato, Inc. | Lighting communication advertising packets |
US9930741B2 (en) | 2015-02-27 | 2018-03-27 | Xicato, Inc. | Synchronized light control over a wireless network |
US9853730B2 (en) | 2015-02-27 | 2017-12-26 | Xicato, Inc. | Lighting based authentication of a mobile electronic device |
US10680208B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-06-09 | National Taiwan University | Electroluminescent device and display pixel structure using the same |
US20160268554A1 (en) * | 2015-03-11 | 2016-09-15 | National Taiwan University | Electroluminescent devices with improved optical out-coupling efficiencies |
JP6511528B2 (ja) | 2015-03-23 | 2019-05-15 | インテマティックス・コーポレーションIntematix Corporation | フォトルミネセンス・カラーディスプレイ |
WO2016164645A1 (en) | 2015-04-08 | 2016-10-13 | Xicato, Inc. | Led-based illumination systems having sense and communication capability |
US10009980B2 (en) | 2015-05-18 | 2018-06-26 | Xicato, Inc. | Lighting communications gateway |
US9750092B2 (en) | 2015-10-01 | 2017-08-29 | Xicato, Inc. | Power management of an LED-based illumination device |
CN106611812B (zh) * | 2015-10-23 | 2019-01-04 | 华中科技大学 | 一种远离荧光粉胶涂覆方法及产品 |
WO2018100775A1 (ja) * | 2017-04-06 | 2018-06-07 | 日本碍子株式会社 | 光学部品及び透明体 |
DE102017121889B3 (de) * | 2017-09-21 | 2018-11-22 | Heraeus Noblelight Gmbh | Breitbandige halbleiterbasierte UV-Lichtquelle für eine Spektralanalysevorrichtung |
CN207969020U (zh) * | 2018-02-06 | 2018-10-12 | 广东欧曼科技股份有限公司 | 低压灯带 |
EP3759841A4 (en) | 2018-02-26 | 2021-12-01 | Lumeova, Inc | OPTICAL FREE-SPACE COMMUNICATION DEVICE |
CN108615803B (zh) * | 2018-06-22 | 2024-03-22 | 东莞长盛光电科技有限公司 | 高效增光型csp led及其制造工艺 |
US11592166B2 (en) | 2020-05-12 | 2023-02-28 | Feit Electric Company, Inc. | Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility |
US11876042B2 (en) | 2020-08-03 | 2024-01-16 | Feit Electric Company, Inc. | Omnidirectional flexible light emitting device |
Family Cites Families (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5055892A (en) | 1989-08-29 | 1991-10-08 | Hewlett-Packard Company | High efficiency lamp or light accepter |
US5093576A (en) | 1991-03-15 | 1992-03-03 | Cree Research | High sensitivity ultraviolet radiation detector |
JPH07193281A (ja) | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Mitsubishi Materials Corp | 指向性の少ない赤外可視変換発光ダイオード |
US5739554A (en) | 1995-05-08 | 1998-04-14 | Cree Research, Inc. | Double heterojunction light emitting diode with gallium nitride active layer |
DE69603744T2 (de) | 1995-11-08 | 1999-12-09 | Siemens Microelectronics, Inc. | Flache optische vorrichtung mit mehreren montagekonfigurationen |
EP1441395B9 (de) * | 1996-06-26 | 2012-08-15 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
US6274890B1 (en) | 1997-01-15 | 2001-08-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and its manufacturing method |
JP3167641B2 (ja) | 1997-03-31 | 2001-05-21 | 和泉電気株式会社 | Led球 |
US5962971A (en) * | 1997-08-29 | 1999-10-05 | Chen; Hsing | LED structure with ultraviolet-light emission chip and multilayered resins to generate various colored lights |
US6340824B1 (en) * | 1997-09-01 | 2002-01-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device including a fluorescent material |
US5959316A (en) * | 1998-09-01 | 1999-09-28 | Hewlett-Packard Company | Multiple encapsulation of phosphor-LED devices |
JP2000101148A (ja) | 1998-09-25 | 2000-04-07 | Rohm Co Ltd | 発光ダイオ−ド |
US6309054B1 (en) * | 1998-10-23 | 2001-10-30 | Hewlett-Packard Company | Pillars in a printhead |
US6204523B1 (en) * | 1998-11-06 | 2001-03-20 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | High stability optical encapsulation and packaging for light-emitting diodes in the green, blue, and near UV range |
US6351069B1 (en) | 1999-02-18 | 2002-02-26 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Red-deficiency-compensating phosphor LED |
WO2000057490A1 (de) | 1999-03-19 | 2000-09-28 | Eurolight Illumination Technologies Gmbh | Leuchte |
JP2000315824A (ja) | 1999-04-30 | 2000-11-14 | Runaraito Kk | 発光ダイオードおよびその製造方法 |
JP2000315822A (ja) | 1999-04-30 | 2000-11-14 | Runaraito Kk | 発光ダイオードおよびその製造方法 |
JP2001057445A (ja) | 1999-08-19 | 2001-02-27 | Rohm Co Ltd | 発光ダイオ−ド |
US6504301B1 (en) * | 1999-09-03 | 2003-01-07 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Non-incandescent lightbulb package using light emitting diodes |
US6350041B1 (en) | 1999-12-03 | 2002-02-26 | Cree Lighting Company | High output radial dispersing lamp using a solid state light source |
JP2001173239A (ja) | 1999-12-16 | 2001-06-26 | Nippon Kayaku Co Ltd | 補修剤注入用プラグ |
TW457731B (en) | 1999-12-29 | 2001-10-01 | Taiwan Oasis Entpr Co Ltd | Structure and manufacturing method of a light emitting diode |
JP2002076434A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-03-15 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
US7053419B1 (en) | 2000-09-12 | 2006-05-30 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Light emitting diodes with improved light extraction efficiency |
JP3614776B2 (ja) * | 2000-12-19 | 2005-01-26 | シャープ株式会社 | チップ部品型ledとその製造方法 |
US6812503B2 (en) * | 2001-11-29 | 2004-11-02 | Highlink Technology Corporation | Light-emitting device with improved reliability |
US7244965B2 (en) | 2002-09-04 | 2007-07-17 | Cree Inc, | Power surface mount light emitting die package |
US7264378B2 (en) | 2002-09-04 | 2007-09-04 | Cree, Inc. | Power surface mount light emitting die package |
JP2004140185A (ja) * | 2002-10-17 | 2004-05-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光装置 |
JP2006511944A (ja) | 2002-12-20 | 2006-04-06 | クリー インコーポレイテッド | 半導体メサ構造および導電性接合部を含む電子素子ならびに関連素子を形成する方法 |
US6765237B1 (en) * | 2003-01-15 | 2004-07-20 | Gelcore, Llc | White light emitting device based on UV LED and phosphor blend |
US7042020B2 (en) | 2003-02-14 | 2006-05-09 | Cree, Inc. | Light emitting device incorporating a luminescent material |
MY142684A (en) * | 2003-02-26 | 2010-12-31 | Cree Inc | Composite white light source and method for fabricating |
JP2006525682A (ja) | 2003-04-30 | 2006-11-09 | クリー インコーポレイテッド | 高出力固体発光素子パッケージ |
KR100405453B1 (en) | 2003-07-25 | 2003-11-12 | Seoul Semiconductor Co Ltd | Chip light emitting diode(led) and manufacturing method thereof |
US7029935B2 (en) * | 2003-09-09 | 2006-04-18 | Cree, Inc. | Transmissive optical elements including transparent plastic shell having a phosphor dispersed therein, and methods of fabricating same |
US7064424B2 (en) | 2004-05-06 | 2006-06-20 | Wilson Robert E | Optical surface mount technology package |
US7271963B2 (en) | 2005-03-07 | 2007-09-18 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bi-curvature lens for light emitting diodes and photo detectors |
-
2003
- 2003-08-29 WO PCT/US2003/027363 patent/WO2004021461A2/en active Application Filing
- 2003-08-29 US US10/525,697 patent/US7479662B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-08-29 ES ES03751945T patent/ES2335878T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2003-08-29 KR KR1020057003453A patent/KR100622209B1/ko active IP Right Grant
- 2003-08-29 CN CNB038247038A patent/CN100468791C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-08-29 AU AU2003270052A patent/AU2003270052B2/en not_active Ceased
- 2003-08-29 JP JP2004532037A patent/JP2005537651A/ja active Pending
- 2003-08-29 DE DE60330023T patent/DE60330023D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-08-29 AT AT03751945T patent/ATE448571T1/de not_active IP Right Cessation
- 2003-08-29 EP EP03751945A patent/EP1540746B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (56)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7919913B2 (en) | 2007-03-14 | 2011-04-05 | Mii Jenn-Wei | Light illuminating element |
US8845143B2 (en) | 2007-10-29 | 2014-09-30 | Epistar Corporation | Photoelectronic device |
TWI451045B (zh) * | 2007-11-20 | 2014-09-01 | Koninkl Philips Electronics Nv | 具有波長轉換的側發光裝置 |
WO2009070925A1 (en) * | 2007-11-30 | 2009-06-11 | Jenn-Wei Mii | Brightness improving structure of light-emitting module with an optical film surface layer |
CN101960918B (zh) * | 2008-02-27 | 2014-08-27 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 具有led以及一个或多个透射窗的照明设备 |
TWI512317B (zh) * | 2008-09-25 | 2015-12-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | 塗佈發光裝置及其塗佈方法 |
CN101740682B (zh) * | 2008-11-10 | 2012-10-10 | 采钰科技股份有限公司 | 发光二极管装置及其制造方法 |
CN102396063A (zh) * | 2009-04-17 | 2012-03-28 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 具有高强度的透明oled器件 |
CN102396063B (zh) * | 2009-04-17 | 2015-11-25 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 具有高强度的透明oled器件 |
WO2011035668A1 (zh) * | 2009-09-24 | 2011-03-31 | Shen Lihao | 一种提高led灯照明演色性的结构 |
CN102648537A (zh) * | 2009-11-13 | 2012-08-22 | 特里多尼克詹纳斯多尔夫有限公司 | 发光二极管模块及相应的制造方法 |
CN102648537B (zh) * | 2009-11-13 | 2016-05-04 | 特里多尼克詹纳斯多尔夫有限公司 | 发光二极管模块及相应的制造方法 |
CN102074638B (zh) * | 2009-11-25 | 2013-01-16 | 亿光电子工业股份有限公司 | 发光二极管封装及其制作方法 |
CN103026128A (zh) * | 2010-02-05 | 2013-04-03 | 迪斯普拉斯有限责任公司 | 用于产生光辐射表面的方法以及用于实施所述方法的发光设备 |
CN102157670A (zh) * | 2010-02-11 | 2011-08-17 | 亿光电子工业股份有限公司 | 发光装置 |
CN102859648A (zh) * | 2010-03-03 | 2013-01-02 | 克里公司 | 将光学材料施加到光学元件的系统和方法 |
CN101876407A (zh) * | 2010-05-17 | 2010-11-03 | 中山大学佛山研究院 | 一种led光源模组 |
CN101899301A (zh) * | 2010-06-25 | 2010-12-01 | 海洋王照明科技股份有限公司 | Led发光材料、led发光装置及制作方法 |
CN101899301B (zh) * | 2010-06-25 | 2014-02-19 | 海洋王照明科技股份有限公司 | Led发光材料、led发光装置及制作方法 |
CN103180659A (zh) * | 2010-11-09 | 2013-06-26 | 通用电气照明解决方案有限责任公司 | Led灯 |
US10400959B2 (en) | 2010-11-09 | 2019-09-03 | Lumination Llc | LED lamp |
CN102588816A (zh) * | 2011-01-07 | 2012-07-18 | 晶元光电股份有限公司 | 发光装置、混光装置及发光装置的制造方法 |
CN103348476A (zh) * | 2011-01-13 | 2013-10-09 | 艾尔坦研究生产商业联合股份公司 | 带有光致发光转换器的白光led光源 |
US9508904B2 (en) | 2011-01-31 | 2016-11-29 | Cree, Inc. | Structures and substrates for mounting optical elements and methods and devices for providing the same background |
CN103403894B (zh) * | 2011-03-07 | 2016-10-26 | 皇家飞利浦有限公司 | 发光模块、灯、照明器和显示装置 |
CN103403894A (zh) * | 2011-03-07 | 2013-11-20 | 皇家飞利浦有限公司 | 发光模块、灯、照明器和显示装置 |
CN102679199A (zh) * | 2011-03-08 | 2012-09-19 | 威力盟电子股份有限公司 | 发光二极管球泡灯及其制造方法 |
CN102903706B (zh) * | 2011-07-29 | 2017-05-17 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件封装件及使用其的照明系统 |
CN102903706A (zh) * | 2011-07-29 | 2013-01-30 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件封装件及使用其的照明系统 |
US9599292B2 (en) | 2011-09-20 | 2017-03-21 | Koninklijke Philips N.V. | Light emitting module, a lamp, a luminaire and a display device |
CN103797597A (zh) * | 2011-09-20 | 2014-05-14 | 皇家飞利浦有限公司 | 发光模块、灯、照明器和显示装置 |
CN103797597B (zh) * | 2011-09-20 | 2017-08-15 | 皇家飞利浦有限公司 | 发光模块、灯、照明器和显示装置 |
CN102306698A (zh) * | 2011-09-30 | 2012-01-04 | 深圳市灏天光电有限公司 | 一种新型led封装结构 |
CN103094465B (zh) * | 2011-11-04 | 2016-12-14 | 杭州华普永明光电股份有限公司 | Led模组及其制作工艺 |
CN103094465A (zh) * | 2011-11-04 | 2013-05-08 | 杭州华普永明光电股份有限公司 | Led模组及其制作工艺 |
CN102496673A (zh) * | 2011-12-22 | 2012-06-13 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 发光二极管封装结构及其封装方法 |
CN103367597A (zh) * | 2012-03-29 | 2013-10-23 | 常熟卓辉光电科技有限公司 | 一种led光源 |
CN104798215B (zh) * | 2012-07-30 | 2018-04-17 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 带有蓝宝石倒装芯片的光电半导体组件 |
CN104798215A (zh) * | 2012-07-30 | 2015-07-22 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 带有蓝宝石倒装芯片的光电半导体组件 |
US9847461B2 (en) | 2012-07-30 | 2017-12-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor component with sapphire flip-chip |
CN102810537B (zh) * | 2012-08-17 | 2016-03-09 | 江苏脉锐光电科技有限公司 | 白光led发光装置 |
CN102810537A (zh) * | 2012-08-17 | 2012-12-05 | 南通脉锐光电科技有限公司 | 白光led发光装置 |
CN102832323B (zh) * | 2012-09-04 | 2016-05-04 | 江苏尚明光电有限公司 | 一种大功率led的封装工艺 |
CN102832323A (zh) * | 2012-09-04 | 2012-12-19 | 江苏尚明光电有限公司 | 一种大功率led的封装工艺 |
CN102980065A (zh) * | 2012-11-21 | 2013-03-20 | 惠州雷曼光电科技有限公司 | Led光源、led显示模组及led照明装置 |
CN102980065B (zh) * | 2012-11-21 | 2015-07-01 | 惠州雷曼光电科技有限公司 | Led光源、led显示模组及led照明装置 |
CN103057024A (zh) * | 2013-01-22 | 2013-04-24 | 桂林电子科技大学 | 一种具有特殊微相结构的环氧树脂基复合涂层的光扩散片及其制备方法 |
CN104659161A (zh) * | 2013-11-21 | 2015-05-27 | 比亚迪股份有限公司 | Led芯片及其形成方法 |
CN104659161B (zh) * | 2013-11-21 | 2017-10-31 | 比亚迪股份有限公司 | Led芯片及其形成方法 |
CN108630795B (zh) * | 2017-03-17 | 2023-01-13 | 日亚化学工业株式会社 | 透光性构件的制造方法以及发光装置的制造方法 |
CN108630795A (zh) * | 2017-03-17 | 2018-10-09 | 日亚化学工业株式会社 | 透光性构件的制造方法以及发光装置的制造方法 |
CN108826022A (zh) * | 2017-06-29 | 2018-11-16 | 凤凰电机公司 | 发光二极管灯 |
CN107591395A (zh) * | 2017-10-07 | 2018-01-16 | 谭瑞银 | 简易led |
CN109080259A (zh) * | 2018-07-31 | 2018-12-25 | 珠海迈时光电科技有限公司 | 一种uvled固化光源系统及其设计方法 |
CN109080259B (zh) * | 2018-07-31 | 2020-07-24 | 珠海迈时光电科技有限公司 | 一种uvled固化光源系统及其设计方法 |
CN111190307A (zh) * | 2019-12-13 | 2020-05-22 | 深圳市隆利科技股份有限公司 | 直下式背光装置及显示设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
ATE448571T1 (de) | 2009-11-15 |
US20070120135A1 (en) | 2007-05-31 |
AU2003270052A1 (en) | 2004-03-19 |
CN100468791C (zh) | 2009-03-11 |
ES2335878T3 (es) | 2010-04-06 |
WO2004021461A3 (en) | 2004-09-30 |
EP1540746A2 (en) | 2005-06-15 |
KR20050046742A (ko) | 2005-05-18 |
WO2004021461A2 (en) | 2004-03-11 |
US7479662B2 (en) | 2009-01-20 |
JP2005537651A (ja) | 2005-12-08 |
EP1540746B1 (en) | 2009-11-11 |
AU2003270052B2 (en) | 2009-02-19 |
DE60330023D1 (de) | 2009-12-24 |
KR100622209B1 (ko) | 2006-09-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN100468791C (zh) | 具有改良效率的镀膜led | |
CN1220284C (zh) | 使用led的发光装置 | |
US10309587B2 (en) | Light emitting diode component | |
US9287475B2 (en) | Solid state lighting component package with reflective polymer matrix layer | |
JP5301613B2 (ja) | 固体発光体およびダウンコンバージョン材料を用いる高効率光源 | |
US8362695B2 (en) | Light emitting diode component | |
US9033531B2 (en) | LED-based illumination modules with thin color converting layers | |
US7889421B2 (en) | High-power white LEDs and manufacturing method thereof | |
EP2766936B1 (en) | Light emitting device with photoluminescence wavelength conversion component | |
US8614539B2 (en) | Wavelength conversion component with scattering particles | |
US10340424B2 (en) | Light emitting diode component | |
CN103765090A (zh) | 具有反射掩模的基于led的照明模块 | |
EP1930959B1 (en) | Phosphor-coated light emitting diode with improved efficiency | |
US20150338034A1 (en) | Wavelength conversion member and remote phosphor type light emitting apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CX01 | Expiry of patent term | ||
CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20090311 |