CN102832323B - 一种大功率led的封装工艺 - Google Patents

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Abstract

一种大功率LED的封装工艺，选用表面列机械损伤、尺寸和电极大小符合工艺要求的大功率LED的芯片，采用扩片机对粘结芯片的膜进行扩张，将芯片之间的间距拉伸到0.5-0.7mm；然后在LED支架的对应位置上点上银胶层或者绝缘胶层来固定芯片；将芯片置于刺片装置的夹具上，将LED支架置于夹具的下方，将LED芯片一个一个刺到LED支架相应的位置上；烧结，使银胶固化；采用金丝球焊将电极压焊到LED芯片上，连接LED的内外引线；然后将压焊好的LED支架放入模具中固化成型。本发明方法工艺设计合理，体现了制作成本和材料性能的最佳统一，有利于热量的传导，散热效果好，同时有效的提高了大功率LED的发光效率。

Description

一种大功率LED的封装工艺
技术领域
本发明涉及一种封装工艺，特别是一种大功率LED的封装工艺。
背景技术
大功率LED生产过程中，在大功率LED的半导体芯片做好后，为了使半导体芯片免受机械应力、热应力、有害气体以及放射线等外部环境的影响，需要对半导体芯片进行封装和保护处理。封装后一方面可以保证半导体器件最大限度的发挥它的电学特性而正常工作，提高其使用寿命，另一方面通过封装也将会使应用更加方便。
随着大功率LED的进一步推广运用，用户对大功率LED的可靠性要求越来越高，不适当的封装方法会降低LED生产的成品率，缩短大功率LED的使用寿命，提高企业的生产成本，因此，研发更为完善先进的LED封装技术具有重要的现实意义。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供一种工艺更为合理、可操作性强的一种大功率LED的封装工艺。
本发明所要解决的技术问题是通过以下的技术方案来实现的。本发明是一种大功率LED的封装工艺，其特点是，其步骤如下：选用表面列机械损伤、尺寸和电极大小符合工艺要求的大功率LED的芯片，采用扩片机对粘结芯片的膜进行扩张，将芯片之间的间距拉伸到0.5-0.7mm；然后在LED支架的对应位置上点上银胶层或者绝缘胶层来固定芯片；将芯片置于刺片装置的夹具上，将LED支架置于夹具的下方，在显微镜下用针将LED芯片一个一个刺到LED支架相应的位置上；烧结，使银胶固化；采用金丝球焊将电极压焊到LED芯片上，连接LED的内外引线；然后将压焊好的LED支架放入模具中，将模具合模并抽真空，环氧树脂加热后进入各个LED成型槽中并固化成型，即得。
本发明所述的大功率LED的封装工艺技术方案中：所述的LED的芯片的最佳基板材料为硅片，且硅片的厚度优选190-210μm。芯片面积优选为1.2×1.5mm2。
与现有技术相比，本发明方法工艺设计合理，体现了制作成本和材料性能的最佳统一，有利于热量的传导，散热效果好，同时有效的提高了大功率LED的发光效率。
具体实施方式
实施例1，一种大功率LED的封装工艺，其步骤如下：选用表面列机械损伤、尺寸和电极大小符合工艺要求的大功率LED的芯片，采用扩片机对粘结芯片的膜进行扩张，将芯片之间的间距拉伸到0.5-0.7mm；然后在LED支架的对应位置上点上银胶层或者绝缘胶层来固定芯片；将芯片置于刺片装置的夹具上，将LED支架置于夹具的下方，在显微镜下用针将LED芯片一个一个刺到LED支架相应的位置上；烧结，使银胶固化；采用金丝球焊将电极压焊到LED芯片上，连接LED的内外引线；然后将压焊好的LED支架放入模具中，将模具合模并抽真空，环氧树脂加热后进入各个LED成型槽中并固化成型，即得。
实施例2，实施例1所述的大功率LED的封装工艺中：所述的LED的芯片的基板材料为硅片，且硅片的厚度190-210μm。
实施例3，实施例1或2所述的大功率LED的封装工艺中：芯片面积为1.2×1.5mm2。

Claims (3)

1.一种大功率LED的封装工艺，其特征在于，其步骤如下：选用表面列机械损伤、尺寸和电极大小符合设计工艺要求的大功率LED的芯片，采用扩片机对粘结芯片的膜进行扩张，将芯片之间的间距拉伸到0.5-0.7mm；然后在LED支架的对应位置上点上银胶层或者绝缘胶层来固定芯片；将芯片置于刺片装置的夹具上，将LED支架置于夹具的下方，在显微镜下用针将LED芯片一个一个刺到LED支架相应的位置上；烧结，使银胶固化；采用金丝球焊将电极压焊到LED芯片上，连接LED的内外引线；然后将压焊好的LED支架放入模具中，将模具合模并抽真空，环氧树脂加热后进入各个LED成型槽中并固化成型，即得。
2.根据权利要求1所述的大功率LED的封装工艺，其特征在于：所述的LED的芯片的基板材料为硅片，且硅片的厚度190μm-210μm。
3.根据权利要求1或2所述的大功率LED的封装工艺，其特征在于：芯片面积为1.2×1.5mm2。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1836339A (zh) * 2002-08-30 2006-09-20 吉尔科有限公司 具有改良效率的镀膜led
CN101369614A (zh) * 2007-08-17 2009-02-18 刘胜 大功率白光发光二极管的封装结构和封装方法
CN101740708A (zh) * 2009-12-25 2010-06-16 杜姬芳 大功率led光源的集成封装方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100586944B1 (ko) * 2003-12-26 2006-06-07 삼성전기주식회사 고출력 발광다이오드 패키지 및 제조방법
KR100592508B1 (ko) * 2005-07-15 2006-06-26 한국광기술원 비콘 모양의 기판을 구비한 고출력 발광 다이오드 패키지

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1836339A (zh) * 2002-08-30 2006-09-20 吉尔科有限公司 具有改良效率的镀膜led
CN101369614A (zh) * 2007-08-17 2009-02-18 刘胜 大功率白光发光二极管的封装结构和封装方法
CN101740708A (zh) * 2009-12-25 2010-06-16 杜姬芳 大功率led光源的集成封装方法

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