CN101740682B - 发光二极管装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种发光二极管装置及其制造方法，该装置包括：一半导体基板，具有平坦的一上表面；一发光二极管芯片，设置于该半导体基板的该上表面之上；至少两个分隔的外部导线层，形成并穿透该半导体基板而电性连结该发光二极管芯片；一透明包覆层，形成于该半导体基板的该上表面之上，以包覆该发光二极管芯片，其中该透明包覆层具有大体平坦的一上表面；以及一透镜模块，附着于该透明包覆层的该上表面之上且覆盖该发光二极管芯片。在一实施例中，该透镜模块包括一荧光层；以及覆盖该荧光层或为该荧光层所覆盖的一透镜。本发明确保了所制作出的发光二极管装置的可靠度并降低透镜模块内的荧光层与透镜的重做(rework)困难度。

Description

发光二极管装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及发光二极管(light-emitting diode，LED)装置，且特别涉及一种具有荧光材料的透镜模块的发光二极管装置及其制造方法。
背景技术
发光二极管(LED)装置为固态光源且已熟悉多年。LED装置是通过半导体材料的p-n结在顺向偏压时电子-空穴对的结合而发光。相较于传统灯具，LED装置的优点在于低耗电量及较长的使用寿命。特别的是因为白光LED装置具有高演色性指数(color rendering index，CRI)，使其成为最广为接受的发光装置之一。
白光LED装置可通过使用红光LED芯片(chip/die)、绿光LED芯片、及蓝光LED芯片来混合红、绿、及蓝光而形成白光LED装置。然而，上述三合一的白光LED装置较为昂贵，因其需要三个LED芯片来发射不同主色的光。再者，由于三个LED芯片中每一芯片的发光效率不同而降低演色性指数(CRI)。
为了解决上述的缺陷，而发展出结合荧光材料(如，磷光材料)与蓝光LED装置的白光LED装置。蓝光通过发出红色及绿色荧光的磷光材料，使蓝、红、及绿光结合而产生白光。目前，上述白光LED装置是通过在蓝光LED芯片周围填入含有磷光材料的环氧树脂(epoxy resin)并在其上覆盖一透镜而形成的。然而，填入的环氧树脂的均匀性(uniformity)不佳而降低LED装置的发光特性。另一白光LED装置的制作方法为在蓝光LED芯片周围填入一透明保护树脂或胶(glue)，接着其上涂覆一含有磷光材料的环氧树脂层。
然而，环氧树脂层的涂覆速率慢且同样难以控制环氧树脂层的均匀性。又另一白光LED装置的制作方法为在蓝光LED芯片上形成一透镜，接着在其上涂覆一含有磷光材料的环氧树脂层并覆盖一透明保护树脂或胶。然而，环氧树脂层的涂覆速率慢且制造成本较高。此外，环氧树脂层与发光二极管芯片间的直接接触情形则增加了此含有磷光材料的环氧树脂层的重做(rework)困难度。
因此，有必要寻求一种新的LED装置结构，其能够解决上述的问题。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种发光二极管(LED)装置及其制造方法，借以解决前述的公知问题。
根据上述的目的，本发明提供一种发光二极管装置，包括：
一半导体基板，具有平坦的一上表面；一发光二极管芯片，设置于该半导体基板的该上表面之上；至少两个分隔的外部导线层，形成并穿透该半导体基板而电性连结该发光二极管芯片；一透明包覆层，形成于该半导体基板的该上表面之上，以包覆该发光二极管芯片，其中该透明包覆层具有大体平坦的一上表面；以及一透镜模块，附着于该透明包覆层的该上表面之上且覆盖该发光二极管芯片。在一实施例中，该透镜模块包括一荧光层；以及覆盖该荧光层或为该荧光层所覆盖的一透镜。
又根据上述的目的，本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括：
提供具有平坦的上表面的一半导体基板；于该半导体基板的该上表面之上设置多个发光二极管芯片；采用一透明包覆层以分别覆盖所述多个发光二极管芯片，其中该透明包覆层具有大体平坦的上表面；形成多个透镜模块，所述多个透镜模块以分别覆盖所述多个发光二极管芯片之一；以及自所述多个发光二极管芯片间的该半导体基板的一下表面处蚀刻并分割该半导体基板，以形成多个发光二极管装置。在一实施例中，所述多个透镜模块分别包括：一荧光层，形成于所述多个透明包覆层之一的该上表面的一部上，且面向所述多个发光二极管芯片之一；以及覆盖该荧光层或为该荧光层所覆盖的一透镜。
本发明于形成透镜模块的荧光层与透镜时的并不会破坏或断线相关的导电焊线的连接情形，进而确保了所制作出的发光二极管装置的可靠度并降低透镜模块内的荧光层与透镜的重做(rework)困难度。另外，透镜模块内的荧光层也可通过电泳沉积方式所形成，且相较于环绕发光二极管芯片的公知荧光层而言，采用电泳沉积方式所形成的荧光层的厚度均匀度以及对于荧光材料的形状可得到较为精确的控制。再者，于本发明中，由于透镜模块内的荧光层与透镜是于晶片层级时形成，且发光二极管装置也可通过晶片层级封装所形成，因此发光二极管装置的制作可具有较高产率以及较少制造成本。
附图说明
图1A至图1I为一系列剖面示意图，示出了依据本发明一实施例的发光二极管装置的制造方法；
图2A至图2C为一系列剖面示意图，示出了依据本发明另一实施例的发光二极管装置的制造方法；
图3A至图3E为一系列剖面示意图，示出了依据本发明又一实施例的发光二极管装置的制造方法；
图4A至图4D为一系列剖面示意图，示出了依据本发明另一实施例的发光二极管装置的制造方法；
图5A至图5B为一系列剖面示意图，示出了依据本发明又一实施例的发光二极管装置的制造方法；以及
图6A至图6B为一系列剖面示意图，示出了依据本发明另一实施例的发光二极管装置的制造方法。
上述附图中的附图标记说明如下：
100～半导体基板；
100b～凹口；
104～贯穿开口；
106～绝缘层；
108～内部导线层；
110～外部导线层；
112～绝缘层；
114～空间；
116～发光二极管芯片；
118～焊线；
120～透明包覆层；
122～荧光层/模塑荧光层；
124、128～模具；
126～透镜/模塑透镜；
130～透镜模块；
132～绝缘层；
150～透明导电层；
152～保护层；
154～电泳沉积程序；
160～阻剂层；
162～阻剂层内的开口；
164～透明包覆层内的开口；
166～重分布层；
200～半导体基底
A～元件区。
具体实施方式
以下说明本发明的实施例。此说明的目的在于提供本发明的总体概念而并非用以局限本发明的范围。本发明的保护范围当视所附的权利要求所界定的范围为准。
图1I、图2C、图3E、图4D、图5B与图6B分别示出根据本发明不同实施例的发光二极管装置剖面示意图，其中图2C、图3E、图4D、图5B与图6B与图1I相同的部件使用相同并省略相关的说明。
请参照图1I，发光二极管装置包括了一半导体基板200，例如为硅基板或其他公知的半导体基板，其具有平坦的一上表面。半导体基板200可包含各种元件，例如晶体管、电阻、及其他公知的半导体元件。此处为了简化附图，并未示出各个元件。于半导体基板200之上形成有至少两个分隔的内部导线层108。发光二极管芯片116，例如蓝光发光二极管芯片设置于半导体基板200的上表面之上且通过打线接合(wire bonding)所形成的焊线116而电性连接至内部导线层108。
在另一实施例中，发光二极管芯片116可通过如图4D、图5B与图6B等所示的导电的重分布线166而电性连结内部导线层108。至少两个分隔的外部导线层110，设置于半导体基底200的下表面以作为输入端之用。
在本实施例中，上述外部导电层110形成并穿透半导体基板200而连结于形成于半导体基板200的上部的内部导线层108，使得外部导线层110直接连接了内部导线层108，并进而电性连接于发光二极管芯片116。一透明包覆层120则形成于半导体基板200的上表面之上，以包覆发光二极管芯片116，其具有大体平坦的一上表面。于透明包覆层的上表面之上则附着有一透镜模块130，此透镜模块覆盖了发光二极管芯片120。
在如图1I图与图4D所示的实施例中，透镜模块130包括了一模塑透镜126以及为模塑透镜126所覆盖的一模塑荧光层122，而模塑透镜126与模塑荧光层122皆面向发光二极管芯片116而设置。
而在如图2C与图5B所示的实施例中，不同于图1I与图4D所示的发光二极管装置，在此透镜模块130包括一模塑透镜126以及包覆模塑透镜126的模塑荧光层122，而模塑透镜126与模塑荧光层122皆面向发光二极管芯片116而设置
而在如图3E与图6B所示的实施例中，不同于图1I与图4D所示的发光二极管装置，在此透镜模块130包括一模塑透镜126以及通过电泳沉积方式所形成的一荧光层122，而荧光层122为模塑透镜所包覆，而模塑透镜126与荧光层122皆面向发光二极管芯片116而设置
图1A至图1I为示出依据本发明一实施例的LED装置的制造方法的剖面示意图。请参照图1A，首先提供一半导体基板100，例如一硅晶片或其他的半导体晶片。于半导体基板100的上表面则定义有数个相邻的元件区A，于每一元件区A内则可通过如蚀刻程序(未显示)的方式形成穿透半导体基板100的至少两个贯穿开口(through hole)104。此处为了简化附图，于图1A内仅示出二个相邻的元件区A，且于每一元件区A内仅示出形成并穿透半导体基板100的两个贯穿开口104。
请参照图1B，接着于半导体基底100的上表面与下表面以及每一贯穿开口104的内表面的上顺应性地形成一绝缘层106。绝缘层106的方法例如采用热氧化法、化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)或其他公知的沉积技术所形成的氧化硅层，其厚度约为0.5～1.0微米。
请参照图1C，接着于位于半导体基底100的上表面的绝缘层106之上通过如溅镀的程序的而顺应性形成一第一金属层(未显示)并填入贯穿开口104的上部。第一金属层的厚度约为5～20微米。接着，接着于位于半导体基底100的下表面的绝缘层106之上通过如溅镀的程序的而顺应性形成一第二金属层(未显示)并填入贯穿开口104的下部。第二金属层的厚度约为5～20微米。上述沉积形成的第一金属层与第二金属层将通过贯穿开口104而相连结。接着，通过光刻及蚀刻工艺(皆未显示)的实施以图案化上述的第一金属层与第二金属层，进而分别形成了经图案化的导线层108与110。
如此，于半导体基板100上每一元件区A内的上表面之上便形成有至少两个分隔的内部导线层108，且于半导体基板100的每一元件区A内的下表面上便形成有至少两个分隔的外部导线层110。在此，内部导线层108与外部导线层110可包括如铝、铜或上述材料的合金等导电材料。
请参照图1D，接着坦覆地形成一层绝缘材料(未显示)于半导体基板100的上表面之上，以覆盖内部导线层108以及为内部导线层108所露出的绝缘层106。接着通过光刻及蚀刻工艺(皆未显示)的实施以图案化此层绝缘材料，因而于部分的内连导线层108的上形成了数个图案化的绝缘层112。此些图案化的绝缘层112于每一元件区A内定义形成用于设置发光二极管芯片(下称LED芯片，未显示)的一空间114。
在此，绝缘层112可包括有机材料，例如为包括碳、氧、硅或氢等元素的有机薄膜，且其具有约介于5-20微米的厚度。
请参照图1E，接着于为绝缘层112所定义出的每一空间114内对应地形成一发光二极管芯片116。每一发光二极管芯片116通过打线接合方式而通过焊线118而电性耦接于对应的内连金属层108。接着于每一空间114内填入包括如硅胶类胶体(silicone based glue)的材料以形成透明包覆层120，其完整覆盖并保护打线接合于对应的内连金属层108的发光二极管芯片116。
如图1E所示，透明包覆层120形成于为绝缘层112所定义形成的空间114之内且大体与其相邻绝缘层112共平面，进而提供了用于后续透镜模块制作的一平坦表面。
请参照图1F，接着通过模具124于半导体基板100的上表面之上模塑形成数个荧光层122，所述荧光层112例如为含磷的膜层且按照一阵列形态而排列。所述模塑形成的荧光层122分别对应其下方的数个空间114之一，且分别对应地形成于透明包覆层120之一上。由于荧光层122通过模塑方式形成，且位于下方的透明包覆层120以及绝缘层112提供了大体平坦的表面，因此可进一步控制所形成的荧光层122的轮廓。在本实施例中，模塑形成的荧光层122的中心部较其边缘部的厚度为厚。
请参照图1G，于移除模具124之后，借着通过模具128的使用而于半导体基板的上表面形成多个透镜126。所述多个透镜126分别对应于每一荧光层122而设置，且由如树脂、无机胶体、硅胶胶体或深紫外光胶体的可模塑材料所形成。在此，每一透镜126是整个包覆位于其下方的一荧光层112的上表面且覆盖邻近此荧光层112的绝缘层112的一部。
请继续参照图1H，于移除模具128之后，于所述多个发光二极管芯片116之上形成了分别包括透镜126与荧光层122的多个透镜模块130。接着，依序蚀刻位于半导体基底100下表面之上的外部金属层110、绝缘层106以及部分半导体基底100，以于相邻的空间114之间形成多个凹口110b，进而形成了单独的半导体基底200并分别露出了绝缘层112底面的一部。
请参照图1I，自所述多个凹口100b之处切割绝缘层112以形成数个位于对应半导体基板200上的发光二极管装置。于各半导体基底200及其上绝缘层112的侧壁上可选择性地形成一绝缘层132。
图2A至图2D示出依据本发明另一实施例的LED装置的制造方法剖面示意图。本实施例的制造方法修改如图1A至图1I所示工艺而完成，其中图2A至图2D与图1A至图1I相同的部件使用相同标号并于下文中省略相关的说明。
请参照图2A，首先提供如图1E所示的大体制备的半导体结构。接着通过模具128的使用而于此大体制备的半导体结构的上表面形成数个透镜126。所述数个透镜126分别对应于每一透明包覆层120而设置，且由如树脂、无机胶体、硅胶胶体或深紫外光胶体的可模塑材料所形成。在此，于每一元件区A内，透镜126整个包覆位于其下方的透明包覆层120的上表面且覆盖邻近此透明包覆层120的绝缘层112的一部。
请参照图2B，于移除模具128之后，接着通过模具124于所述数个透镜126的上表面及其邻近的绝缘层112的一部上模塑形成数个荧光层122，所述数个荧光层112例如磷光材料膜层。
请参照图2C，于移除模具124之后，针对图2B所示结构进行如前述图1H与图1I所示的工艺，进而得到位于对应半导体基底200上的数个发光二极管装置。于各半导体基底200及其上绝缘层112的侧壁上可选择性地形成一绝缘层132。在本实施例中，每一发光二极管装置具有形成了埋设有发光二极管芯片116的透明包覆层120之上一透镜模块130，其包括一内部透镜126以及包覆此内部透镜126的外部荧光层122。
图3A至图3E示出依据本发明另一实施例的LED装置的制造方法剖面示意图。本实施例的制造方法修改如图1A至图1I所示工艺而完成，其中图3A至图3E与图1A至图1I相同的部件使用相同标号并于下文中省略相关的说明。
请参照图3A，首先提供如图1E所示的大体制备的半导体结构。接着于此大体制备的半导体结构的上表面之上形成一透明导电层150以覆盖绝缘层112以及透明包覆层120。透明导电层150包括如铟锡氧化物、铟锌氧化物等透明导电材料。
请参照图3B，接着于覆盖于绝缘层112上的透明导电层150之上形成经图案化的保护层152，进而露出位于包覆有LED芯片116的透明包覆层120的上方的透明导电层150部分。保护层152包括如无机材料的介电材料。接着，进行一电泳沉积程序154，采用一混合物作为一前驱物、异丙醇作为载体溶液以及透明导电层150作为阴极。于电泳沉积程序154进行过程中，上述混合物内添加有硝酸镁以改善其导电度。
此外，也可针对所露出的透明导电层选择性地进行一表面处理，采用含硫酸与过氧化氢的混合物以酸洗，进而使得为保护层152所露出的透明导电层150的表面具有OH官能基，如此将有利于改善荧光材料与透明导电层150间的黏着程度。于电泳沉积程序154进行完毕之后，便于图案化的保护层152与透明包覆层120所定义出的空间内填入荧光层122。
在本实施例中，荧光层122可包括多个磷光材料颗粒(未显示)，而单独的磷颗粒为含二氧化硅与含氧化铝的胶体(未显示)所包覆，以形成一核-壳结构(core-shell structure)。特别地，在此荧光层122与保护层152的上表面共平面。
请参照图3C，接着于如图3B所示结构的上表面之上通过模具128的使用而形成多个透镜126。所述多个透镜126对应于每一荧光层122而设置且包括如树脂、无机胶体、硅胶胶体或深紫外光胶体等可模塑材料。透镜126覆盖于荧光层122及其邻近的保护层152的一部。
请参照图3D，于移除模具128之后，便于所述多个发光二极管芯片116之上形成多个透镜模块130，所述多个透镜模块分别包括透镜128与荧光层122。接着，依序蚀刻位于半导体基底100下表面之上的外部金属层110、绝缘层106以及部分半导体基底100，以于相邻的空间114之间形成多个凹口110b，进而形成了单独的半导体基底200并分别露出了绝缘层112底面的一部。
请参照图3E，自所述多个凹口100b之处切割绝缘层112、透明导电层150与保护层152以形成数个位于对应半导体基板200上的发光二极管装置。于各半导体基底200及其上绝缘层112的侧壁上可选择性地形成一绝缘层132。在本实施例中，每一发光二极管装置具有形成了埋设有发光二极管芯片116的透明包覆层120之上一透镜模块130，其包括为透镜126所包覆的荧光层122，而由于荧光层由电泳沉积方法所形成，因此可改善所形成的荧光层122的厚度均匀性。
图4A至图4D为示出依据本发明另一实施例的LED装置的制造方法剖面示意图。本实施例的制造方法系修改如图1A至图1I所示工艺而完成，其中图4A至图4D与图1A至图1I相同的部件使用相同标号并于下文中省略相关的说明。
请参照图4A，首先提供相似于图1E所示的大体制备的半导体结构。然而，在本实施例中，埋设于透明包覆层112内的发光二极管芯片116并未通过打线接合方式而连结于对应的内部导线层108。接着坦覆地形成包括如干膜阻剂或湿膜阻剂的感光材料的阻剂层160以覆盖绝缘层112与透明包覆层120的上表面。接着通过公知光刻与显影程序(皆未显示)，以图案化阻剂层160，进而于阻剂层160内形成数个开口162。
如图4A所示，于各元件区A之内分别形成有两开口162，而上述开口162穿透了阻剂层160并部分的露出了透明包覆层120。
请参照图4B，接着采用阻剂层160作为蚀刻掩模而进行一蚀刻程序(未显示)，以蚀刻去除为每一开口162所露出的透明包覆层120部分。于移除阻剂层160之后，于每一元件区A之内形成了穿透透明包覆层120的两开口164，其分别露出内部导线层108之一的一部以及发光二极管芯片116的上表面的一部。接着，于绝缘层112及透明包覆层120之上沉积形成一层导电材料并使之填入于每一开口164之内，上述导电材料例如为铝、铜或其合金。接着通过光刻与蚀刻程序(未显示)以图案化此层导电材料，以于每一元件区A之内形成导电的重分布层166。重分布层166填满了各开口164而分别电性连结了内部导线层108与发光二极管芯片116。
请参照图4C，接着分别于每一元件区A内的重分布层166、其邻近的透明包覆层120与绝缘层12之上形成一透镜模块130，而透镜模块130包括内部的荧光层122以及外部的透镜126。在本实施例中，透镜模块130的透镜126与荧光层122依据图1F与图1G所示工艺并分别配合了模具124与128的应用而制成。
请参照图4D，接着针对如图4C所示结构进行如图1H所示程序，以于对应的半导体基底200之上形成单独的发光二极管装置。可选择性地于半导体基底200与绝缘层112的侧壁上形成绝缘层132。在本实施例中，发光二极管装置具有包括模塑透镜126与模塑荧光层122所组成的一透镜模块130。
图5A至图5B为示出依据本发明另一实施例的LED装置的制造方法剖面示意图。本实施例的制造方法修改如图4A至图4D所示工艺而完成，其中图5A至图5B与图4A至图4D相同的部件使用相同标号并于下文中省略相关的说明。
请参照图5A，首先提供相似于图4B所示的大体制备的半导体结构。接着，针对此大体制备的半导体结构进行如前述图2A-图2C所示工艺，以于每一元件区A内的重分布层166及其邻近的绝缘层112与透明包覆层120之上形成包括由内部的透镜126与外部的荧光层122所组成的透镜模块130。
请参照图5B，接着针对如图5A所示结构进行如图1H至图1I所示程序，进而形成位于对应半导体基底200之上的单独发光二极管装置。于半导体基底200与其上绝缘层112的侧壁上可选择性地形成绝缘层132。在本实施例中，所形成的发光二极管装置的透镜模块包括一透镜126以及形成于透镜126外侧的一荧光层122。
图6A至图6B为示出依据本发明另一实施例的LED装置的制造方法剖面示意图。本实施例的制造方法修改如图4A至图4D所示工艺而完成，其中图6A至图6B与图4A至图4D相同的部件使用相同标号并于下文中省略相关的说明。
请参照图6A，首先提供相似于图4B所示的大体制备的半导体结构。接着，针对此大体制备的半导体结构进行如前述图3A-图3D所示工艺，以于每一元件区A内的重分布层166及其邻近的绝缘层112与透明包覆层120之上形成由通过电泳沉积程序所形成的荧光层122以及覆盖荧光层122的模塑透镜126所组成的透镜模块130。
请参照图6B，接着针对如图6A所示结构进行如图3D至图3E所示程序，进而形成位于对应半导体基底200之上的单独发光二极管装置。于半导体基底200与其上绝缘层112的侧壁上可选择性地形成绝缘层132。在本实施例中，所形成的发光二极管装置的透镜模块包括由通过电泳沉积程序所形成的荧光层122以及覆盖荧光层122的模塑透镜126所组成的透镜模块130。
如前述实施例所述，本发明的发光二极管装置所应用透镜模块内的荧光层与透镜并非实体接触发光二极管芯片，且与其之间为如透明包覆层或透明导电层的一中间膜层而相分隔。因此，相较于公知涂布于发光二极管芯片四周的荧光层，本发明于形成透镜模块的荧光层与透镜时的并不会破坏或断线相关的导电焊线的连接情形，进而确保了所制作出的发光二极管装置的可靠度并降低透镜模块内的荧光层与透镜的重做(rework)困难度。另外，透镜模块内的荧光层也可通过电泳沉积方式所形成，且相较于环绕发光二极管芯片的公知荧光层而言，采用电泳沉积方式所形成的荧光层的厚度均匀度以及对于荧光材料的形状可得到较为精确的控制。再者，于本发明中，由于透镜模块内的荧光层与透镜是于晶片层级时形成，且发光二极管装置也可通过晶片层级封装所形成，因此发光二极管装置的制作可具有较高产率以及较少制造成本。
虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附的权利要求所界定的范围为准。

Claims (13)

1.一种发光二极管装置，包括：
一半导体基板，具有平坦的一上表面；
一发光二极管芯片，设置于该半导体基板的该上表面之上；
至少两个分隔的外部导线层，形成并穿透该半导体基板而电性连结该发光二极管芯片；
一透明包覆层，形成于该半导体基板的该上表面之上，以包覆该发光二极管芯片，其中该透明包覆层具有大体平坦的一上表面；
导电的重分布层，形成并穿透该透明包覆层，其中该重分布层位于该透明包覆层之上，且电性连接该发光二极管芯片与所述至少两个分隔的外部导线层之一；以及
一透镜模块，附着于该重分布层及该透明包覆层的该上表面之上且覆盖该发光二极管芯片，其中该透镜模块包括：
一荧光层；以及
一透镜，覆盖该荧光层或为该荧光层所覆盖。
2.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中该荧光层为一模塑荧光层，该透镜为一模塑透镜
3.如权利要求1所述的发光二极管装置，其中该荧光层为一电泳荧光层，该透镜为一模塑透镜，而该透镜覆盖该荧光层。
4.如权利要求1所述的发光二极管装置，更包括至少两个分隔的内部导线层，设置于该半导体基板的该上表面之上，以分别电性连结该发光二极管芯片与所述至少两个分隔的外部导线层之一。
5.如权利要求4所述的发光二极管装置，其中该半导体基板包括至少两个贯穿开口，位于该半导体基板之中，以使得所述至少两个分隔的外部导线层分别通过所述贯穿开口而电性连结所述至少两个分隔的内部导线层之一。
6.如权利要求4所述的发光二极管装置，其中该重分布层位于该透明包覆层、该发光二极管芯片与所述至少两个分隔的内部导线层之一之上。
7.一种发光二极管装置的制造方法，包括：
提供具有平坦的上表面的一半导体基板；
于该半导体基板的该上表面上设置多个发光二极管芯片；
采用一透明包覆层以分别覆盖所述多个发光二极管芯片，其中该透明包覆层具有大体平坦的上表面；
形成穿透该透明包覆层且位于该透明包覆层上的重分布线；
形成多个透镜模块，所述多个透镜模块分别覆盖所述重分布线及所述多个发光二极管芯片之一，且包括：
一荧光层，形成于所述透明包覆层之一的该上表面上，且面向所述多个发光二极管芯片之一；以及
一透镜，覆盖该荧光层或为该荧光层所覆盖；
以及
自所述多个发光二极管芯片间的该半导体基板的一下表面处蚀刻并分割该半导体基板，以形成多个发光二极管装置。
8.如权利要求7所述的发光二极管装置的制造方法，更包括形成穿透该半导体基板的至少两个外部导线层，以电性连结对应的所述多个发光二极管芯片之一。
9.如权利要求8所述的发光二极管装置的制造方法，更包括于该半导体基底之上表面形成至少两个内部导线层，以分别电性连结该发光二极管芯片与所述外部导线层。
10.如权利要求9所述的发光二极管装置的制造方法，其中各半导体基板更包括形成于该半导体基板内的至少两个贯穿开口，以使得所述外部导线层分别通过所述贯穿开口而电性连接于所述内部导线层之一。
11.如权利要求7所述的发光二极管装置的制造方法，其中该荧光层为一模塑荧光层，该透镜为一模塑透镜。
12.如权利要求7所述的发光二极管装置的制造方法，其中该荧光层为一电泳荧光层，该透镜为模塑透镜，而该透镜覆盖该荧光层。
13.如权利要求9所述的发光二极管装置的制造方法，其中该重分布线电性连结该发光二极管芯片与所述内部导线层之一。
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