CN105378953B - 发光器件 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种发光器件，其将光学效率和热辐射最大化并且便于薄膜型制造。所公开的发光器件包括包含多个孔的膜、用于覆盖所述多个孔的上部导电图案、从所述上部导电图案延伸从而被容纳在所述孔中的下部导电图案、用于连接相邻的上部导电图案的桥接零件以及安装在所述上部导电图案中的每一个中的发光二极管芯片，从而使得所述器件可以以薄膜型实现并且将光学效率和热辐射最大化，提供缩短制造时间和降低成本的优势。

Description

发光器件
技术领域
示例性实施例涉及一种发光器件，且更具体地涉及一种可最大化照明效率和散热并且可容易在薄结构中制作的发光器件。
背景技术
发光二极管芯片是被配置为在施加正向电压时发射光的电致发光器件。化合物半导体(诸如磷化铟(InP)、砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)以及类似物)用作发射红色光或绿色光的发光二极管芯片的材料，并且使用基于氮化镓(GaN)的化合物半导体作为发射UV光和蓝色光的发光二极管的材料。
此类发光二极管芯片已用在各种显示器、背光单元的光源以及类似物中，并且其应用已基于能够发射红色、绿色和蓝色光的三个发光二极管芯片的使用或基于能够由磷光体通过波长转换发射白色光的白色发光二极管芯片的开发扩展到照明设备。
普通发光二极管芯片安装在由包括引线框的基板上的隔板限定的凹陷区域上，并且该凹陷区域填充有包含磷光体的包封构件以形成单个发光封装。
然后，多个发光封装安装在单个电路板上以构成单个发光器件。
然而，由于此普通发光器件是通过如下方式来制作的：制造包括隔板和引线框的基板，然后将发光二极管芯片安装在该基板上以形成发光封装，随后将该发光封装安装在电路板上，因此存在制造过程复杂和薄发光器件制造受限的问题。此外，此普通发光器件需要使用模制树脂在金属引线框上制造隔板和基板，并且因此因表面粘附力的劣化而经受由水分渗入引起的结构缺陷。
发明内容
技术问题
示例性实施例提供一种可最大化照明效率和散热并且可容易在薄结构中制作的发光器件。
示例性实施例提供一种能够减少制造成本的发光器件。
技术解决方案
根据一个示例性实施例，一种发光器件包括：膜，该膜包括多个孔；上部导电图案，该上部导电图案覆盖该多个孔；下部导电图案，该下部导电图案从上部导电图案延伸并且容纳在该孔中；桥接件，该桥接件将相邻的上部导电图案连接到彼此；以及发光二极管芯片，该发光二极管芯片安装到每个上部导电图形上。
该多个孔可按矩阵形式布置在该膜上。
该桥接件可将在第一方向上彼此相邻的上部导电图案连接到彼此，并且在垂直于该第一方向的第二方向上彼此相邻的上部导电图案可彼此分离预定距离。
该膜可由多个单元体组成，该上部导电图案可包括第一和第二上部导电图案，该第一和第二上部导电图案关于一个单元体彼此分离，该第一和第二上部导电图案由在第二方向上彼此相邻的单元体共享。
该发光器件还可包括：反射单元，覆盖暴露在彼此分离的第一和第二上部导电图案之间的该膜、桥接件以及第一和第二上部导电图案的上表面的部分；以及透镜单元，该透镜单元设置在反射单元上。
该发光器件还可包括突出部，该突出部形成在该反射单元上以限定透镜单元的形成区域。
该突出部可由具有从最底层到最高层逐渐减小的面积的多个层组成，并且可具有阶梯式内部侧表面。
该发光器件还可包括位于突出部内的模制单元，并且该模制单元还可包括荧光材料。
在第二方向上，桥接件的宽度可与上部导电图案的宽度相同或者比其小，并且大于透镜单元的半径。
下部导电图案包括在第二方向上具有不同宽度的第一和第二区域。
第二区域可具有比该第一区域大的宽度，第一区域的宽度可以是第二区域的宽度的80％或更多，并且该第一区域可以是其中安装发光二极管芯片的区域。
上部导电图案和下部导电图案可暴露于对应于单元体发光器件的第二方向的两个侧表面。
桥接件可暴露于对应于单元体发光器件的第一方向的其他侧表面，并且桥接件和上部导电图案可沿该单元体发光器件的边缘连接到彼此。
该膜可由多个单元体组成，该多个孔可包括位于每一单元体中的一对第一孔和第二孔，上部导电图案可包括第一上部导电图案和第二上部导电图案，该第一上部导电图案和第二上部导电图案可具有其中该第一上部导电图案和第二上部导电图案关于一个单元体彼此分离的边界区域，并且该边界区域可设置在第一孔和第二孔之间。
该边界区域可在一个单元体内在水平于对角方向的方向上形成。
第一孔可具有三个内侧表面，而第二孔可具有五个内侧表面。
根据本发明的另一示例性实施例，发光器件可包括：第一下部导电图案和第二下部导电图案，在第一方向上彼此分离；第一上部导电图案和第二上部导电图案，在第一下部导电图案和第二下部导电图案上分别设置；绝缘体，在第一下部导电图案和第二下部导电图案之间设置；第一桥接件，在垂直于第一方向的第二方向上从第一上部导电图案延伸；第二桥接件，在第二方向上从第二上部导电图案延伸；以及发光二极管芯片，安装在第一上部导电图案上。
发光器件可进一步包括部分地覆盖第一桥接件、第二桥接件以及第一上部导电图案和第二上部导电图案的反射单元，以及设置在反射单元上的透镜单元。
第一桥接件和第二桥接件的宽度可以在第一方向上分别等于或小于第一上部导电图案和第二上部导电图案的宽度，且可以小于透镜单元的半径。
第二下部导电图案可包括在第一方向上具有不同面积的第一区域和第二区域，该第一区域和第二区域可以在第二方向上具有不同宽度，第二区域的宽度可以大于第一区域的宽度，第一区域的宽度可以是第二区域的宽度的80％或更多，且发光二极管芯片可以安装在与第一区域重叠的区域上。
第一上部导电图案、第二上部导电图案、第一下部导电图案以及第二下部导电图案可以具有暴露于与第一方向相对应的两个侧表面的侧表面。
第一桥接件的暴露侧表面可以连接到第一上部导电图案的暴露侧表面，且第二桥接件的暴露侧表面可以连接到第一上部导电图案的暴露侧表面。
有益效果
根据示例性实施例，发光器件可以通过一种结构实现薄结构，所述结构包括具有多个孔的膜、形成在膜上的上部导电图案，形成在该多个孔内部并在上部导电图案下方的下部导电图案，以及安装在上部导电图案中的每个上的发光二极管芯片。
另外，由于上部导电图案形成在膜上，且该多个孔填充有下部导电图案，根据示例性实施例的该发光器件可以防止通过典型的发光器件的引线框与绝缘基板之间的空间渗入水分或异物而导致的故障。
此外，根据示例性实施例的发光器件允许发光二极管芯片产生的热量通过上部导电图案和下部导电图案轻松排放，从而保证优良的散热效率。
此外，根据示例性实施例的发光器件具有简单结构，其中在膜的上部导电图案上直接安装发光二极管芯片，然后形成透镜单元以覆盖相应的发光二极管芯片，由此通过简化结构降低制造成本和时间。
根据第二示例性实施例的发光器件包括在每个单元体中分割成第一上部导电图案和第二上部导电图案的上部导电图案以及分割成第一下部导电图案和第二下部导电图案的下部导电图案，其中发光二极管芯片安装在第一上部导电图案上，由此实现发光器件的薄结构。
此外，在根据第二示例性实施例的发光器件中，第一和第二上部导电图案通过桥接件彼此连接，这样，第一和第二下部导电图案中的每个的区域以及切割区域彼此间隔预定距离，由此允许轻松切割作业。
此外，在根据示例性实施例的发光器件中，膜被设置成包围第一下部导电图案和第二下部导电图案，这样，第一下部导电图案和第二下部导电图案不会暴露在膜外部，从而通过外力防止水分渗入及变形，由此提高可靠性。
此外，根据示例性实施例的发光器件进一步包括在第一上部导电图案和第二上部导电图案的第二方向上的桥接件，从而在形成第一下部导电图案和第二下部导电图案的电镀过程中防止诸如线电阻之类的电学特征的劣化，由此，第一下部导电图案和第二下部导电图案可以形成为具有均匀厚度。
此外，根据示例性实施例的发光器件通过由多个层组成的突出部的结构提高光提取效率。
附图说明
图1是根据第一示例性实施例的发光器件的平面图。
图2是通过单元体切割过程分割的单元体发光器件的平面图。
图3是沿着图1的线I-I'截取的横截面视图。
图4是根据第二示例性实施例的发光器件的平面图。
图5是沿着图4的线II-II'截取的横截面视图。
图6是根据第三示例性实施例的发光器件的截面图。
图7是根据第四示例性实施例的发光器件的平面图。
图8是通过单元体切割过程分割的单元体发光器件的平面图。
图9是根据第五示例性实施例的发光器件的平面图。
图10是通过单元体切割过程分割的单元体发光器件的平面图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图详细描述本公开的示例性实施例。以下实施例将以示例的方式被提供以便向本公开所属领域的技术人员充分传达本公开的精神。因此，本公开不限于本文公开的实施例并且也可以以不同的形式被实现。为了清楚和描述的目的，在附图中夸大了元件的宽度、长度、厚度等。在整个说明书中，相同的参考标号表示具有相同或相似功能的相同元件。
图1是根据第一示例性实施例的发光器件的平面图，且图2是由单元体切割过程来分割的单元体发光器件的平面图。
图3是沿图1中的线I-I'截取的横截面图。
参考图1到图3，根据第一示例性实施例的发光器件具有这样的结构，在该结构中多个单元体彼此相互连接。
发光器件包括具有多个孔的膜、多个上部导电图案120、多个下部导电图案124、多个发光二级管芯片150、反射单元160和多个透镜单元170。
该膜包括绝缘层110和第一粘结层111。该膜具有围绕该多个孔的矩阵结构。该膜可由机械冲压过程形成。
上部导电图案120覆盖该孔，延伸到该膜的上表面，并且包括桥接件122，该桥接件122使得在第一方向上彼此相邻的上部导电图案120彼此连接。上部导电图案120在垂直于第一方向的第二方向上彼此间隔预定距离，并且在第二方向上彼此相邻的上部导电图案120可通过膜彼此绝缘。
在第一示例性实施例中，尽管桥接件122形成为使得在第一方向上彼此相邻的上部导电图案120彼此连接，但应当理解，本公开不限于此，并且发光器件还可包括用于使在第二方向上彼此相邻的上部导电图案120彼此连接的桥接件，以便在检查过程中允许为整个发光二级管芯片150稳定供应检查信号。
上部导电图案120包括由相邻的单元体共享的第一上部导电图案121和第二上部导电图案123，并且由相邻的单元体共享的第一上部导电图案121和第二上部导电图案123可通过切割过程被分割。
下部导电图案124可形成于该多个孔内。下部导电图案124可在上部导电图案120的下表面上由电镀过程形成。下部导电图案124具有比上部导电图案120更窄的区域。
反射单元160部分地覆盖膜和上部导电图案120。具体地说，反射单元160形成于该膜的在上部导电图案120之间暴露的区域上。此外，反射单元160可形成于上部导电图案120上，安装有上部导电图案120的发光二极管芯片150的区域和电连接至发光二极管芯片150的电极的区域除外。
反射单元160可由包含反射材料的树脂形成，该反射材料具有高反射性。
反射单元160可由本领域已知的任何方法形成，并且可由例如印刷过程形成。因此，反射单元160具有从膜和上部导电图案120的表面的恒定厚度。
发光二极管芯片150被设置于上部导电图案120中的每个上，具体地，在上部导电图案120的一个边缘附近。发光二极管芯片150包括电极，该电极经由第一电线151和第二电线152被电连接到对应的上部导电图案120。在此示例性实施例中，尽管发光二极管芯片150的电极经由第一电线151和第二电线152被电连接至上部导电图案120，但应当理解，本公开不限于此并且也可使用其他类型的发光二极管芯片，诸如采用单个电线的垂直型发光二极管芯片。
发光器件具有矩阵形式的划线区域(SR)以便通过切割过程分割单元体发光器件。
参考图2和图3，发光器件可以通过切割过程被分割为单元体发光器件100。
单元体发光器件100包括膜、发光二极管芯片150、第一上部导电图案121和第二上部导电图案123、第一下部导电图案125和第二下部导电图案127、反射单元160和透镜单元170。
该膜包括绝缘层110和第一粘结层111。第一粘结层111被设置于绝缘层110上。
第一上部导电图案121和第二上部导电图案123被设置于第一粘结层111上。第一上部导电图案121和第二上部导电图案123可以是铜图案，但不限于此。
第一保护层131和第二保护层133可分别形成于第一上部导电图案121和第二上部导电图案123上。第一保护层131和第二保护层133保护第一上部导电图案121和第二上部导电图案123以防止由于接触空气而致的特性的变形，例如，腐蚀。第一保护层131和第二保护层133可由能够反射光的材料形成。第一保护层131和第二保护层133具有反射光的附加功能，并且可由例如Ag/Ni形成，但不限于此。
第一下部导电图案125可形成于第一上部导电图案121的下方。第一下部导电图案125可通过电镀形成。也就是说，第一下部导电图案125可形成于第一上部导电图案121的下表面上。此外，第一下部导电图案125可延伸到对应于该膜的下表面的区域。
第二下部导电图案127可形成于第二上部导电图案123的下方。第二下部导电图案127可通过电镀形成。也就是说，第二下部导电图案127可形成于第二上部导电图案123的下表面上。此外，第二下部导电图案127可延伸到对应于该膜的下表面的区域。
发光二极管芯片150设置在第一上部导电图案121上。发光二极管芯片150可经由第二粘结层140安装到第一上部导电图案121上。
发光二极管芯片150包括电极(未示出)。电极中的一个经由第一电线151电连接到第一上部导电图案121上，而另一个电极经由第二电线152电连接到第二上部导电图案123上。
荧光材料180沉积在发光二极管芯片150上。荧光材料180可通过喷涂沉积在发光二极管芯片150上。
虽然荧光材料180在第一示例性实施例中通过喷涂沉积，但应该理解的是，本公开不限于此，并且荧光材料180可通过旋涂、静电沉积、电泳淀积等沉积。
第一保护层131可被设置在第二粘结层140和第一上部导电图案121之间。也就是说，第二粘结层140可被设置在发光二极管芯片150和第一保护层W1(131)之间，第一保护层W1(131)设置在第一上部导电图案121上。
反射单元160在暴露在第一上部导电图案121和第二上部导电图案123之间的膜的第一粘结层111上形成，并在第一上部导电图案121和第二上部导电图案123的上表面的部分上形成。这里，反射单元160可包括具有高反射率的反射材料或可由具有高反射率的树脂形成。
透镜单元170覆盖发光二极管芯片150并被设置在反射单元160上。透镜单元170由透光材料形成并可进一步包括沿着其边缘覆盖反射单元160的延伸部171。延伸部171可由透光材料，例如硅树脂形成。
参照图1至图3，在制造发光器件的方法中，在第一步骤中，在绝缘层110上形成第一粘结层111且通过冲压形成多个孔。
在第二步骤中，形成金属层以覆盖该多个孔且通过电镀在金属层的下方形成第一下部导电图案125和第二下部导电图案127。
在第三步骤中，通过图案化金属层形成第一上部导电图案121和第二上部导电图案123以暴露第一粘结层111的一部分。这里，暴露的第一粘结层111限定了第一上部导电图案121和第二上部导电图案123之间的边界。
在第四步骤中，通过在第一上部导电图案121和第二上部导电图案123和暴露的第一粘结层111上沉积包括具有高反射率的反射材料的树脂，随后图案化而形成反射单元160。
在第五步骤中，分别在通过反射单元160暴露的第一上部导电图案121和第二上部导电图案123上形成第一保护层131和第二保护层133。
在第六步骤中，经由第二粘结层140在第一上部导电图案121上安装发光二极管芯片150，然后经由第一电线151和第二电线152将发光二极管芯片150电连接到第一上部导电图案121和第二上部导电图案123。
在第七步骤中，将荧光材料180喷涂到发光二极管芯片150上。
这里，可使用掩模(未示出)在发光二极管芯片150周围限制性地形成荧光材料180。荧光材料180具有均匀的总体厚度。
在第八步骤中，形成透镜单元170以覆盖发光二极管芯片150。
虽然在第一示例性实施例中荧光材料180被示出为在发光二极管芯片150上直接形成，但应该理解的是，本公开不限于此，并且荧光材料180分散在透镜单元170内或可在透镜单元170的表面上形成。在本文中，在透镜单元170内或在透镜单元170的表面上形成的荧光材料具有均匀的总体厚度。
如上所述，根据本公开的示例性实施例的发光器件通过所述基板结构可实现薄的结构，所述基板结构包括具有在其中形成的该多个孔的膜，在膜上形成的上部导电图案120和在该多个孔的内部在上部导电图案120下方形成的下部导电图案124。
此外，由于上部导电图案120在膜上形成且该多个孔填充有下部导电图案124，所以根据示例性实施例的发光器件可防止由于水分或异物通过典型的发光器件的引线框与绝缘基板之间的空间渗入而引起的故障。
此外，根据示例性实施例的发光器件允许由发光二极管芯片150产生的热量容易地通过上部导电图案120和下部导电图案124排出，从而保证优良的散热效率。
此外，根据示例性实施例的发光器件具有简单的结构，其中，发光二极管芯片150直接安装到上部导电图案120上，然后透镜单元179覆盖对应的发光二极管芯片150，从而通过简化结构降低了制造成本和时间。
图4是根据第二示例性实施例的发光器件的平面图，且图5是沿图4的线II-II'截取的截面图。
如图4和图5中所示，根据第二示例性实施例的发光器件具有与图1至图3中所示的根据第一示例性实施例的发光器件相同的特征，除了膜、第一上部导电图案121和第二上部导电图案123和突出部260，因此相同的部件将由相同的参考标号表示，将省略对它们的详细描述。
膜包括多个孔，使得第一上部导电图案121和第二上部导电图案123彼此隔开。第一上部导电图案121和第二上部导电图案123覆盖该多个孔。
第一上部导电图案121和第二上部导电图案123在相邻的单元体之间彼此间隔预定距离。也就是说，第一上部导电图案121在第一方向上彼此连接，第二上部导电图案123在第一方向上彼此连接，且第一上部导电图案121和第二上部导电图案123在第一方向上彼此隔开。
发光二极管芯片150安装于第一上部导电图案121上。因此，第一上部导电图案121可以具有大于第二上部导电图案123的面积。
突出部260具有在透镜单元170形成时限定透镜单元170的形成区域的功能。突出部260形成在发光二极管芯片150外部，以包围发光二极管芯片150。突出部260可以形成在反射层160上。突出部260可以借助透光树脂通过表面张力来限制透镜单元170的形成区域。
发光器件可以通过单元体切割过程分割为单元体发光器件200。
根据第二示例性实施例的发光器件包括其中形成有该多个孔的膜、在膜上相邻的单元体之间彼此隔开的第一上部导电图案121和第二上部导电图案123、形成在该多个孔内的第一上部导电图案121和第二上部导电图案123的下表面上的第一下部导电图案125和第二下部导电图案127以及安装于第一上部导电图案121上的发光二极管芯片150，从而实现了发光器件的薄结构。
此外，由于第一上部导电图案121和第二上部导电图案123形成在膜上且该多个孔中填充有第一下部导电图案125和第二下部导电图案127，因此，根据本示例性实施例的发光器件能够防止因水分或异物渗入典型发光器件的引线框与绝缘基板之间的空间而造成的故障。
而且，根据本示例性实施例的发光器件允许由发光二极管芯片150产生的热量能够通过第一上部导电图案121和第二上部导电图案123以及第一下部导电图案125和第二下部导电图案127容易地排出，从而保证优良的散热效率。
而且，在根据第二示例性实施例的发光器件中，第一上部导电图案121和第二上部导电图案123通过桥接件相互连接，这样使得用于第一下部导电图案125和第二下部导电图案127中的每一个的区域与切割区域彼此之间间隔预定距离，进而使得切割操作容易进行。
此外，在根据本示例性实施例的发光器件中，膜设置成包围第一下部导电图案125和第二下部导电图案127，以使得第一下部导电图案125和第二下部导电图案127没有暴露在膜外部，以防止外力造成的水分渗入和变形，从而改善可靠性。
此外，根据本示例性实施例的发光器件还包括在第一上部导电图案121和第二上部导电图案123的第二方向上的桥接件122，以在用于形成第一下部导电图案125和第二下部导电图案127的电镀过程期间防止出现电学特性(例如线电阻)劣化，由此，第一下部导电图案125和第二下部导电图案127能够形成为具有均匀的厚度。
图6是根据第三示例性实施例的发光器件的截面图。
如图6所示，除了突出部360、模制单元390和透镜单元380，根据第三示例性实施例的发光器件具有与如图4和图5中所示的根据第二示例性实施例的发光器件相同的特征，并且因此，相同的部件将采用相同的附图标记来表示，并且将省略对其的详细描述。
发光器件可以通过单元体切割过程分割为单元体发光器件300。
突出部360可以由多个层组成。突出部360具有从最底层向最顶层逐渐减小的面积。突出部360具有内侧表面和外侧表面，在从横截面观察时，内侧表面和外侧表面各自具有阶梯状结构。呈阶梯状结构的内侧表面具有通过将从发光二极管芯片150发射的光折射至外部来改善光提取效率的功能。突出部360可以通过图案化形成在反射单元160上。突出部360可以包括反射材料，或者可以由反射树脂形成。
突出部360起到限定模制单元390的形成区域的屏障的作用。
模制单元390可以形成在发光二极管芯片150上。模制单元390可以由透光材料，例如硅树脂形成。模制单元390可以形成在突出部360内部。
尽管在第三示例性实施例中模制单元390被示出为由透光材料形成，但应理解的是，本发明并不限于此，并且，模制单元390还可以包括荧光材料。
透镜单元380设置在模制单元390上。透镜单元380由模制单元390和突出部360支撑。透镜单元380可以包括荧光材料，或者可以由荧光树脂形成。
根据第三示例性实施例的发光器件包括其中形成有该多个孔的膜、在膜上相邻的单元体之间彼此隔开的第一上部导电图案121和第二上部导电图案123、形成在该多个孔内的第一上部导电图案121和第二上部导电图案123的下表面上的第一下部导电图案125和第二下部导电图案127以及安装于第一上部导电图案121上的发光二极管芯片150，从而实现了发光器件的薄结构。
此外，由于第一上部导电图案121和第二上部导电图案123形成在膜上且该多个孔中填充有第一下部导电图案125和第二下部导电图案127，因此，根据本示例性实施例的发光器件能够防止因水分或异物渗入典型发光器件的引线框与绝缘基板之间的空间而造成的故障。
而且，根据本示例性实施例的发光器件允许由发光二极管芯片150产生的热量通过第一上部导电图案121和第二上部导电图案123以及第一下部导电图案125和第二下部导电图案127容易地排出，从而保证优良的散热效率。
此外，根据本示例性实施例的发光器件借助由该多个层组成的突出部360的结构而具有改善的光提取效率。
图7为根据第四示例性实施例的发光器件的平面图，而图8为通过单元体切割过程分割的单元体发光器件的平面图。
如图7和图8所示，除了第一上部导电图案421和第二上部导电图案423、第一下部导电图案425和第二下部导电图案427和桥接件422，根据第四示例性实施例的发光器件具有与图4和图5所示的根据第二示例性实施例的发光器件相同的特征，因而相同部件将采用相同的附图标记表示，并省略对其的详细描述。
根据第四示例性实施例的发光器件包括膜，该膜包括多个孔，且该多个孔包括在每个单元体中具有不同大小和形状的一对孔。
该对孔包括具有三个内侧表面的孔和具有五个内侧表面的孔。
第一上部导电图案421和第二上部导电图案423覆盖在该对孔上。具体地说，第一上部导电图案421覆盖在具有五个内侧表面的孔上，且第二上部导电图案423覆盖在具有三个内侧表面的孔上，此处，尽管在第四示例性实施例中具有三个内侧表面的孔和具有五个内侧表面的孔提供给每个单元体，但是应该理解的是，本公开并不局限于此，并且孔的形状没有特别限制，并可根据需要改变。而且，第一上部导电图案421和第二上部导电图案423的形状也可对应于上述孔的形状而改变。
在单元体中，第一上部导电图案421和第二上部导电图案423以预定距离彼此隔开。通过切割过程分割的单元体发光器件具有第一边缘E1到第四边缘E4，且互相隔开的第一上部导电图案421和第二上部导电图案423之间的边界区域与使第三边缘E3和第四边缘E4彼此连接的第一对角轴线平行设置。也就是说，彼此隔开的第一上部导电图案421和第二上部导电图案423之间的边界区域设置在垂直于使第一边缘E1和第二边缘E2彼此连接的第二对角轴线的方向上。在第四示例性实施例中，尽管彼此隔开的第一上部导电图案421和第二上部导电图案423之间的边界区域被示为平行于第一对角轴线，但是应当理解，本公开并不限于此，而且上述边界区域可平行于第二对角轴线而设置。
桥接件422用于将第二上部导电图案423连接到第一上部导电图案421。通过桥接件422彼此连接的第一上部导电图案421和第二上部导电图案423设置在不同的单元体上。也就是说，第二上部导电图案423可通过桥接件422连接到相邻的单元体的第一上部导电图案421。另外，第一上部导电图案421可通过桥接件422连接到相邻的单元体的第二上部导电图案423。
发光二极管芯片150安装在第一上部导电图案421上。因此，第一上部导电图案421可具有比第二上部导电图案423更大的面积。
根据第四示例性实施例的发光器件包括其中形成该多个孔的膜，第一上部导电图案421和第二上部导电图案423在膜上相邻的单元体之间彼此隔开，且第一下部导电图案425和第二下部导电图案427在该多个孔内在第一上部导电图案421和第二上部导电图案423的下表面上形成，从而实现了发光器件的薄结构。
另外，由于第一上部导电图案421和第二上部导电图案423形成在膜上且该多个孔中填充有第一下部导电图案425和第二下部导电图案427，因此，根据此示例性实施例的发光器件能够防止因水分或异物渗入典型发光器件的引线框与绝缘基板之间的空间而造成的故障。
而且，根据本示例性实施例的发光器件允许由发光二极管芯片150产生的热量通过第一上部导电图案421和第二上部导电图案423以及第一下部导电图案425和第二下部导电图案427容易地排出，从而保证优良的散热效率。
而且，在根据第四示例性实施例的发光器件中，第一上部导电图案421和第二上部导电图案423通过桥接件422彼此连接，以使用于第一下部导电图案425和第二下部导电图案427中的每一个的区域与切割区域彼此之间分离预定距离，从而使得切割操作容易进行。
此外，在用于第一下部导电图案425和第二下部导电图案427的形成的电镀过程期间，根据本示例性实施例的发光器件防止电学特性(诸如线电阻)的劣化，因此，第一下部导电图案425和第二下部导电图案427能够形成为具有均匀的厚度。
此外，在根据本示例性实施例的发光器件中，膜被设置成包围第一下部导电图案425和第二下部导电图案427，以使第一下部导电图案425和第二下部导电图案427没有暴露在膜外部，以便防止由外力造成的水分渗入和变形，从而提高可靠性。
此外，在根据第四示例性实施例的发光器件中，在每个单元体中在彼此隔开的第一上部导电图案421和第二上部导电图案423之间的边界区形成在单元体的对角方向上，以确保用于安装发光二极管芯片150的余量和孔形成余量尽可能大，从而在最大化散热效率的同时，提高安装发光二极管芯片150的可靠性。
图9是根据第五示例性实施例的发光器件的平面图，而图10是由单元体切割过程来分割的单元体发光器件的平面图。
如图9和图10所示，除了上部导电图案520和下部导电图案524，根据第五示例性实施例的发光器件具有与根据第一示例性实施例的发光器件相同的特征，因此相同的部件将采用相同的附图标记来表示，并且省略对其的详细描述。
上部导电图案520包括桥接件522，该桥接件522与在第一方向上彼此相邻的上部导电图案520彼此连接。在第二方向上彼此相邻的上部导电图案520彼此间隔预定距离，并彼此绝缘。
由于上部导电图案520形成于被反射单元曝光的区域上，齐纳二极管ZC安装于透镜单元170内，且该反射单元可以形成为不与齐纳二极管(ZC)所安装的区域重叠。在附图中，第二保护层133的上侧和下侧具有凹下的形状。
桥接件522与在第一方向上彼此相邻的上部导电图案520彼此连接，并在上部导电图案520的形成中具有提高图案可靠性的功能。也就是说，该上部导电图案520可通过电镀形成，并在第一方向上彼此连接，从而在制造过程中提高图案可靠性。桥接件522在第二方向上可具有与上部导电图案520相同的宽度或小于上部导电图案520的宽度，但不限于此。桥接件522可被设计成在第二方向上大于透镜单元170的半径。反射单元(未示出)形成于桥接件522上。
下部导电图案524具有比上部导电图案520小的面积。下部导电图案524可被分割为在第二方向上具有不同宽度的第一区域和第二区域。在此，第一区域可以限定为发光二极管芯片150所安装的区域，且第二区域可以限定为从第一区域向边缘延伸的区域。第一区域在第一方向上具有第一宽度W1，且第二区域在第一方向上具有第二宽度W2。第一宽度W1小于第二宽度W2。具体来说，第一宽度W1可以是第二宽度W2的80％或更多。例如，第一宽度W1可以是1.77mm，且第二宽度W2可以是2.17mm。根据本示例性实施例，第一宽度W1被设计成第二宽度W2的80％或更多，从而在实现薄结构的同时防止电学特征的劣化。
在通过单元体切割过程分割的单元体发光器件中，上部导电图案520和下部导电图案524具有对应于彼此的形状，并且在对应于第二方向的其两侧表面处被暴露。
在单元体发光器件中，桥接件522在对应于第一方向的其他侧表面处被暴露。在此，桥接件522可沿单元体发光器件的边缘连接到上部导电图案520。
在根据第五示例性实施例的发光器件中，下部导电图案524被设计成具有第一宽度W1和第二宽度W2，以具有比典型发光器件的基板大的散热面积，从而提供优良的散热效率。
而且，在根据第五示例性实施例的发光器件中，第一宽度W1被设计成第二宽度W2的80％或更多，以增加发光二极管芯片150所安装的第一区域的面积，从而提高SMT方法的可靠性。
此外，在根据第五示例性实施例的发光器件中，第一宽度W1和第二宽度W2之间的偏差被设为20％或更少，从而在提高生产率的同时提高通过电镀形成下部导电图案524的过程的可靠性。

Claims (14)

1.一种发光器件，其包括：
膜，所述膜包括多个孔；
多个上部导电图案，所述多个上部导电图案分别覆盖所述多个孔；
多个下部导电图案，所述多个下部导电图案分别从所述多个上部导电图案中相应的上部导电图案延伸并且容纳在所述多个孔中；
多个桥接件，所述多个桥接件分别将相邻的上部导电图案彼此连接；和
多个发光二极管芯片，每个发光二极管芯片安装在所述多个上部导电图案中的每一个上，
其中，每个发光二极管芯片包括电极，电极中的一个经由第一电线电连接到所述多个上部导电图案中的第一上部导电图案，电极中的另一个经由第二电线电连接到所述多个上部导电图案中的第二上部导电图案，
其中，每个桥接件将在第一方向上彼此相邻的上部导电图案彼此连接，并且在垂直于所述第一方向的第二方向上彼此相邻的上部导电图案彼此隔开预定距离，
其中，所述膜由多个单元体组成，所述第一上部导电图案和所述第二上部导电图案关于一个单元体在所述第二方向上彼此隔开，且所述第一上部导电图案和第二上部导电图案由在所述第二方向上彼此相邻的单元体共享。
2.如权利要求1所述的发光器件，其中，所述多个孔以矩阵形式排列在所述膜上。
3.如权利要求1所述的发光器件，其进一步包括：
反射单元，其覆盖暴露在彼此分离的所述第一上部导电图案和第二上部导电图案之间的所述膜、所述桥接件以及所述第一上部导电图案和第二上部导电图案的上表面的部分；和
透镜单元，所述透镜单元设置在所述反射单元上。
4.如权利要求3所述的发光器件，其进一步包括：
突出部，所述突出部形成于所述反射单元上以限定所述透镜单元的形成区。
5.如权利要求4所述的发光器件，其中，所述突出部由具有从最低层到最高层逐渐减小的面积的多个层组成，并且具有阶梯式内侧表面。
6.如权利要求4所述的发光器件，其进一步包括：
在所述突出部内的模制单元，所述模制单元进一步包括荧光材料。
7.如权利要求3所述的发光器件，其中，在所述第二方向上，所述桥接件的宽度与所述上部导电图案的宽度相同或者比其小，并且大于所述透镜单元的半径。
8.如权利要求1所述的发光器件，其中，所述下部导电图案包括在所述第二方向上具有不同宽度的第一区域和第二区域。
9.根据权利要求8所述的发光器件，其中，所述第二区域具有比所述第一区域更大的宽度，所述第一区域的所述宽度是所述第二区域的所述宽度的80％或更多，并且所述第一区域为安装有所述发光二极管芯片的区域。
10.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述上部导电图案和所述下部导电图案暴露于单元体发光器件的与所述第二方向对应的两个侧表面。
11.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述桥接件暴露于单元体发光器件的与所述第一方向对应的其他侧表面，并且所述桥接件和所述上部导电图案沿着所述单元体发光器件的边缘彼此连接。
12.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述多个孔包括在每个单元体中的一对第一孔和第二孔，
所述第一上部导电图案和所述第二上部导电图案具有边界区域，在该边界区域中，所述第一上部导电图案和所述第二上部导电图案关于一个单元体彼此分开，并且
所述边界区域设置在所述第一孔与所述第二孔之间。
13.根据权利要求12所述的发光器件，其中，所述边界区域在平行于所述一个单元体内的对角线方向的方向上形成。
14.根据权利要求12所述的发光器件，其中，所述第一孔具有三个内侧表面且所述第二孔具有五个内侧表面。
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