JP6974741B2 - 樹脂パッケージ及び発光装置 - Google Patents
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims description 369
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims description 369
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 160
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 160
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 11
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 8
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 41
- 239000000463 material Substances 0.000 description 29
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 18
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 13
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 9
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 9
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 8
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 6
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 6
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 cerium-activated strontium aluminum Chemical class 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 3
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 3
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 3
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Sn] Chemical compound [Ag].[Sn] QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002695 AgAu Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007977 PBT buffer Substances 0.000 description 1
- 229910021124 PdAg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002669 PdNi Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006230 acetylene black Substances 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JWVAUCBYEDDGAD-UHFFFAOYSA-N bismuth tin Chemical compound [Sn].[Bi] JWVAUCBYEDDGAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- XFWJKVMFIVXPKK-UHFFFAOYSA-N calcium;oxido(oxo)alumane Chemical compound [Ca+2].[O-][Al]=O.[O-][Al]=O XFWJKVMFIVXPKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012860 organic pigment Substances 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical group [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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Description
図1Aから図4Bに基づいて、本開示の第1の実施形態である樹脂パッケージ10を説明する。
図1Aに示すように、樹脂パッケージ10は、底面11aと内側面11bとを有する凹部11を有する。樹脂パッケージ10は、リード20と、樹脂体30と、を備える。リード20は、素子載置領域211aを有する第1リード21と、ワイヤ接続領域221aを有する第2リード22と、を含んでいる。樹脂体30は、第1樹脂部31、第2樹脂部32、及び、第3樹脂部33を含んでいる。樹脂体30は、第1リード21及び第2リード22と一体的に形成されている。樹脂パッケージ10の凹部11の底面11aは、素子載置領域211a、ワイヤ接続領域221a及び第1樹脂部31を含んでいる。凹部11の内側面11bは、第2樹脂部32を含んでいる。第3樹脂部33は、凹部11の底面11aより上側に位置し、凹部11の内側面11bから離れて素子載置領域211aを囲んでいる。ワイヤ接続領域221aは、第3樹脂部33の外側に位置している。第1リード21及び第2リード22は表面にめっき層200を備える。めっき層200は第1めっき層201と、第1めっき層201の一部を覆う第2めっき層202と、を備えている。第1めっき層201は、ワイヤ接続領域221aの最表面に位置する。第2めっき層202は、素子載置領域211aの最表面に位置する。第1めっき層は、Au、Au合金、Pd、Pd合金から選択される少なくとも1種である。第3樹脂部33に沿うように、ワイヤ接続領域221aが第1めっき層201の最表面よりも高い位置に最表面を有する第2めっき層202に挟まれる。素子載置領域211aとは、発光素子が配置される領域であり、最表面が第2めっき層で、第3樹脂部33の内側に位置する第1リード21の上面21aのことである。ワイヤ接続領域221aとは、ワイヤが接続される領域であり、最表面が第1めっき層で、第2樹脂部32と第3樹脂部33との間に位置する第2リードの上面である。
第1リード21および第2リード22は、導電性を有し、発光素子に給電するための電極や熱伝導性を有する放熱性部材として機能する。本実施形態では、リード20として、第1リード21および第2リード22を備える。また、樹脂パッケージ10は、第1リード21および第2リード22に加えて第3リードを備えていてもよい。樹脂パッケージ10が第1リード21、第2リード22、及び、第3リードを含む場合には、第1リード21と第2リード22との間に第3リードが位置してもよい。この場合、第3リードは放熱部材として機能し、第1リードおよび第2リードは電極として機能してよい。尚、樹脂パッケージ10は、4つ以上のリードを備えていてもよい。
図5Aから図8Cに基づいて、本開示の発光装置100、101、102を説明する。内部の構造を示すため、図5A、図6A、及び、図7Aおいて、封止部材は透明な部材として示している。
発光素子41には、発光ダイオード素子などの半導体発光素子を用いることができる。本実施形態では、発光装置100は、1つの発光素子を備えているが、2つ以上の発光素子を備えていてもよい。発光素子41は、特に、紫外〜可視域の発光が可能な窒化物半導体(InxAlyGa1−x−yN、0≦x、0≦y、x+y≦1)を含むことが好ましい。例えば、発光素子41は、それぞれ青色光および緑色光を出射してもよい。発光装置が、3つの発光素子を備える場合、3つの発光素子は、それぞれ、青色光、緑色光、赤色光を出射してもよい。複数の発光素子は直列接続されていてもよく、並列接続されていてもよい。また、複数の発光素子が直列接続と並列接続を組みわせて電気的に接続されていてもよい。
樹脂部材50は、ワイヤ接続領域221a及び第2めっき層202と接する。これにより、樹脂部材50と樹脂パッケージ10とが接する面積が大きくなるので、樹脂部材50と樹脂パッケージ10の密着性を向上させることができる。また、樹脂部材50はワイヤ43aの少なくとも一部を被覆している。樹脂部材50は、ワイヤ43aを外力や埃、水分などから保護することができる。
発光装置は、静電耐圧を向上させるために保護素子60を備えていてもよい。保護素子60には、一般的な発光装置に搭載される種々の保護素子を用いることができる。例えば、保護素子60としてツェナーダイオードを用いることができる。発光装置において、保護素子および発光素子は、並列に接続されている。
樹脂体30
第1樹脂部31
第2樹脂部32
第3樹脂部33
第1リード21
素子載置領域211a
第2リード22
ワイヤ接続領域221a
発光素子41
樹脂部材50
保護素子60
封止部材75
第1封止部75a、第2封止部75b
樹脂枠80
Claims (11)
- 底面と内側面とを有する凹部を有し、リードと樹脂体とを含む樹脂パッケージと、
発光素子と、
ワイヤと、
光反射性物質を含有する樹脂部材と、を備え、
前記リードは、素子載置領域を有する第1リードと、ワイヤ接続領域を有する第2リードと、
を含み、
前記樹脂体は、第1樹脂部、第2樹脂部および第3樹脂部を含み、
前記凹部の底面は、前記素子載置領域、前記ワイヤ接続領域および前記第1樹脂部を含み、
前記凹部の内側面は、前記第2樹脂部を含み、
前記第3樹脂部は、前記凹部の底面より上側に位置し、前記凹部の内側面から離れて前記素子載置領域を囲み、
前記ワイヤ接続領域は、前記第3樹脂部の外側に位置し、
前記発光素子は、前記素子載置領域に配置され、前記発光素子の高さは前記第3樹脂部の高さよりも高く、
前記ワイヤは、前記ワイヤ接続領域と前記発光素子とを電気的に接続し、
前記第1リード及び前記第2リードは表面にめっき層を備え、前記めっき層は第1めっき層と、前記第1めっき層の一部を覆う第2めっき層と、を備え、
前記第1めっき層は、前記ワイヤ接続領域の最表面に位置し、
前記第2めっき層は、前記素子載置領域の最表面に位置し、
前記第1めっき層は、Au、Au合金、Pd、又は、Pd合金から選択される少なくとも1種であり、
前記第3樹脂部に沿うように、前記ワイヤ接続領域が前記第1めっき層の最表面よりも高い位置に最表面を有する前記第2めっき層に挟まれ、
前記樹脂部材は、前記第3樹脂部と、前記凹部の内側面と、前記ワイヤ接続領域及び前記第2めっき層とに接し、上面視において前記発光素子から離れて位置する発光装置。 - 前記発光素子のピーク波長における前記第2めっき層の反射率は、前記第1めっき層の反射率よりも高い請求項1に記載の発光装置。
- 前記第2めっき層がAg又はAg合金から選択される少なくとも1種である請求項1又は2に記載の発光装置。
- 前記第1めっき層及び前記第2めっき層と前記樹脂体とが接する請求項1から3のいずれか1項に記載の発光装置。
- 上面視において、前記第3樹脂部に囲まれる前記第1めっき層の全面が前記第2めっき層に覆われる請求項1から4のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記発光素子及び前記凹部の底面の少なくとも一部を被覆する保護層を備える請求項1から5のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記樹脂部材は、前記凹部の底面側から前記凹部の開口へ広がる傾斜面を有する、請求項1から6いずれか1項に記載の発光装置。
- 前記第2めっき層が前記ワイヤ接続領域を第1方向において挟み、前記第1方向に対して垂直な第2方向における前記ワイヤ接続領域の大きさは、前記第2方向において前記ワイヤ接続領域を挟む前記第2樹脂部から前記第3樹脂部までの距離に対して0.03倍から0.7倍である、請求項1から7のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記第1リードの上面は第1溝を有し、前記第1溝の幅は、前記第3樹脂部の幅よりも大きい、請求項1から8のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記樹脂部材が、前記第3樹脂部と前記発光素子の間に位置する前記凹部の底面の一部と接する、請求項1から9のいずれか1項に記載の発光装置。
- 保護素子をさらに備え、
前記保護素子は前記樹脂部材内に埋め込まれている、請求項1から10のいずれか1項に記載の発光装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018242142A JP6974741B2 (ja) | 2018-12-26 | 2018-12-26 | 樹脂パッケージ及び発光装置 |
US16/720,681 US11257994B2 (en) | 2018-12-26 | 2019-12-19 | Resin package and light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018242142A JP6974741B2 (ja) | 2018-12-26 | 2018-12-26 | 樹脂パッケージ及び発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020107629A JP2020107629A (ja) | 2020-07-09 |
JP6974741B2 true JP6974741B2 (ja) | 2021-12-01 |
Family
ID=71122265
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018242142A Active JP6974741B2 (ja) | 2018-12-26 | 2018-12-26 | 樹脂パッケージ及び発光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11257994B2 (ja) |
JP (1) | JP6974741B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI809087B (zh) * | 2019-04-11 | 2023-07-21 | 晶元光電股份有限公司 | 發光二極體封裝 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4942331B2 (ja) * | 2005-11-25 | 2012-05-30 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
US20070126020A1 (en) * | 2005-12-03 | 2007-06-07 | Cheng Lin | High-power LED chip packaging structure and fabrication method thereof |
JP2010199547A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-09-09 | Nichia Corp | 発光装置及びその製造方法 |
JP5573563B2 (ja) | 2010-09-30 | 2014-08-20 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
WO2012049853A1 (ja) * | 2010-10-14 | 2012-04-19 | パナソニック株式会社 | 発光装置及びこれを用いた面光源装置 |
JP5599299B2 (ja) * | 2010-12-17 | 2014-10-01 | シチズン電子株式会社 | 半導体発光装置実装基板の製造方法 |
JP5682341B2 (ja) | 2011-02-01 | 2015-03-11 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP5682340B2 (ja) | 2011-02-01 | 2015-03-11 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
KR20140143701A (ko) * | 2013-06-07 | 2014-12-17 | 서울반도체 주식회사 | 발광 디바이스 및 이의 제조방법 |
JP6221403B2 (ja) * | 2013-06-26 | 2017-11-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6264634B2 (ja) * | 2013-08-21 | 2018-01-24 | 大日本印刷株式会社 | 樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびにledパッケージおよびその製造方法 |
JP6237826B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-11-29 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージ及び発光装置、並びにそれらの製造方法 |
KR102562090B1 (ko) * | 2016-01-07 | 2023-08-02 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 패키지 |
JP6555242B2 (ja) | 2016-12-16 | 2019-08-07 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
JP6555243B2 (ja) | 2016-12-16 | 2019-08-07 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
US10411169B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-09-10 | Nichia Corporation | Light emitting device having leads in resin package |
JP6562027B2 (ja) | 2017-02-03 | 2019-08-21 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
-
2018
- 2018-12-26 JP JP2018242142A patent/JP6974741B2/ja active Active
-
2019
- 2019-12-19 US US16/720,681 patent/US11257994B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020107629A (ja) | 2020-07-09 |
US11257994B2 (en) | 2022-02-22 |
US20200212274A1 (en) | 2020-07-02 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
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