JP5682341B2 - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents
発光装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5682341B2 JP5682341B2 JP2011019352A JP2011019352A JP5682341B2 JP 5682341 B2 JP5682341 B2 JP 5682341B2 JP 2011019352 A JP2011019352 A JP 2011019352A JP 2011019352 A JP2011019352 A JP 2011019352A JP 5682341 B2 JP5682341 B2 JP 5682341B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- layer
- light
- lead frame
- emitting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 55
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 46
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 46
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 34
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 21
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 20
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 11
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 10
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 9
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 8
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 8
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 8
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 8
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N potassium cyanide Chemical compound [K+].N#[C-] NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005486 sulfidation Methods 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
以下、各部材について詳述する。
リードフレームは、母材である金属板と、その上に設けられるめっき層を有している。このリードフレームは、発光装置としたときに、発光素子や保護素子に給電するための電極として機能するよう、樹脂成形体を介して電気的に離間するよう設けられ、図1Aに示すよう正極と負極とが一対設けられるほか、複数対設けてもよい。また、発光素子からの熱を外部に放出する放熱部材(ヒートシンク)としての機能も有している。このような導電部材は、その一部が発光装置の外面に露出されており、これによって外部からの給電を行うと共に、発光素子からの熱を外部に放出することができる。本実施の形態では、発光素子が載置される側を第1リードフレーム、発光素子が載置されていない側を第2リードフレームとしているが、第2リードフレームに発光素子を載置しても構わない。以下、母材、めっき層(下地層、表面層)の説明において、図1C等に図示する第1リードフレーム21の符号等を用いて説明するが、第2リードフレームは、第1リードフレームと同様の材料を用いることができる。
リードフレーム2の母材として用いられる金属板21aとしては、Fe又はCu、更にこれらを含む金属(合金)を用いるのが好ましい。板状のリードフレームを、所望の形状に加工したものを用いることができ、更には、セラミックパッケージ等に設けられる配線パターンに、Cuやその合金をめっきしたものも含む。特に、板状のCu及びCu合金は、機械的特性、電気的特性、加工性等の面において優れているため好ましい。母材の厚みや形状等については、発光装置の形状等に応じて種々選択することができる。
金属板21aの表面に設けられるめっき層は、母材よりも反射率を高くする、また、導電性ワイヤとの密着性を良好とする、など、母材の表面特性を調整するために設けられる。本実施の形態では、金属板のほぼ全面を覆うように設けられ、凹部内の底面において、表面層よりも硫化しにくい下地層21bと、その上に積層され発光素子からの光に対して高い反射率を有する表面層21cとを有する。尚、これらめっき層と金属板の間や、各めっき層の間に、下地層や表面層とは別のめっき層を有していてもよい。また、樹脂成形体5の外側面においては、発光素子からの光は照射されない領域であるため、反射率の高い表面層を設ける必要はなく、図1Aに示すように下地層のみが最表面となるようにする。その場合、下地層は、樹脂成形体と離間させる必要はなく、接するように設けるのが好ましい。すなわち、樹脂成形体とリードフレームのめっき層は、凹部の内部では表面層のみと接し、凹部の外部(側壁部の外側面)では下地層のみと接している。更に、樹脂成形体5の裏面側においても、図1Cに示すように下地層のみと接している。このように、内側と外側とで異なるめっき層と接するように樹脂成形体を形成することで、樹脂成形体とリードフレームの密着性を上げることができる。
下地層21bは、主として導電性ワイヤとの密着性が良好で、且つ、表面層21cよりも反射率が低いものの、硫黄成分と反応しにくい金属を用いる。具体的にはAu、Au合金、Pd、Pd合金等が好ましく、特に最表面としてはAuが好ましい。この下地層21bに導電性ワイヤが電気的に接続される。下地層は、母材の表面(上面、下面、側面)のほぼ全面にわたって設けるのが好ましい。特に、硫黄成分と反応しにくい金属を用いるのが好ましく、これにより、母材としてFe、Cuを用いた場合、その金属板に硫黄成分が浸透するのを抑制するためのバリア層として機能させることができる。下地層の厚みは、0.001μm〜3μmが好ましく、更に0.001μm〜1μmが好ましい。このような範囲の厚さとすることで、硫黄含有ガスの侵入を防ぐバリア層としての効果を充分に確保しつつ、比較的均一な膜厚の導電部材とすることができる。
下地層の上に設けられる表面層は、発光素子からの光に対する反射率が下地層よりも高い金属を用いるのが好ましい。特に可視光領域の波長の光に対する反射率が70%以上、特に好ましくは80%以上の反射率であることが好ましい。これにより、光取り出し効率を向上させることができる。また、高光沢であることが好ましく、光沢度は、は0.5以上、より好ましくは1.0以上、更に好ましくは1.6以上である。ここで示される光沢度は日本電色工業製 微小面色差計VSR 300Aを用い、45°照射、垂直受光で得られる数字である。
接合部材は、発光素子をリードフレーム上に固定するものである。好ましい材料としては、導電性接合部材としては、銀、金、パラジウムなどの導電性ペーストや、Au−Sn共晶などのはんだ、低融点金属等のろう材を用いることができる。絶縁性接合部材としては、エポキシ樹脂組成物、シリコーン樹脂組成物、ポリイミド樹脂組成物やその変性樹脂、ハイブリッド樹脂等を用いることができる。これらの樹脂を用いる場合は、発光素子からの光や熱による劣化を考慮して、発光素子裏面にAlやAg膜などの反射率の高い金属層や誘電体反射膜を設けることができる。
封止部材は、発光素子やリードフレームを被覆し、塵芥や水分、更には外力などから保護する部材である。封止部材の材料としては、発光素子からの光を透過可能な透光性を有し、且つ、それらによって劣化しにくい耐光性を有するものが好ましい。具体的な材料としては、シリコーン樹脂組成物、変性シリコーン樹脂組成物、エポキシ樹脂組成物、変性エポキシ樹脂組成物、アクリル樹脂組成物等発光素子からの光を透過可能な透光性を有する絶縁樹脂組成物を挙げることができる。更に、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、フッ素樹脂及びこれらの樹脂を少なくとも1種以上含むハイブリッド樹脂等も用いることができる。
封止樹部材の外表面の形状については配光特性などに応じて種々選択することができる。例えば、上面を凸状レンズ形状、凹状レンズ形状、フレネルレンズ形状などとすることで、指向特性を調整することができる。
樹脂成形体5は、第1及び第2リードフレームを一体的に保持する部材であり、一対のリードフレームの間に設けられる。また、図1A等に示すように、側壁部51と底面部52からなる凹部を有していてもよい。底面部52は、図1Cに示すように、第1リードフレーム21の表面層21Cと、第2リードフレーム22の表面層22Cと同じ高さとなるように形成されており、露出された下地層21b、22bよりも高い位置に形成される。
発光素子は、任意の波長の半導体発光素子を選択することができる。例えば、青色、緑色の発光素子としては、ZnSeや窒化物系半導体(InXAlYGa1−X−YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)、GaPを用いたものを用いることができる。また、赤色の発光素子としては、GaAlAs、AlInGaPなどを用いることができる。さらに、これ以外の材料からなる発光素子を用いることもできる。用いる発光素子の組成や発光色、大きさや、個数などは目的に応じて適宜選択することができる。
蛍光物質を有する発光装置とする場合には、その蛍光物質を効率良く励起できる短波長が発光可能な窒化物半導体が好適に挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を種々選択することができる。
また、可視光領域の光だけでなく、紫外線や赤外線を出力する発光素子とすることができる。さらには、発光素子とともに、受光素子などを搭載することができる。
1…発光素子
2…リードフレーム
21…第1リードフレーム
21a…母材
21b…下地層
21c…表面層
22…第2リードフレーム
22a…母材
22b…下地層
22c…表面層
3…封止部材
4…導電性ワイヤ
5…樹脂成形体
51…側壁部
52…底面部
6…保護素子
Claims (3)
- 凹部が形成された樹脂成形体と、
表面にめっき層を有し、前記樹脂成形体を介して設けられる少なくとも一対のリードフレームと、
該リードフレームと電気的に接続される発光素子と、
を有する発光装置であって、
前記リードフレームは、その一部が前記樹脂形成体の凹部内の底面において露出され、
前記めっき層は、下地層と、その下地層の上面の一部が露出するよう積層される表面層とを有し、前記下地層は、前記凹部の底面において前記樹脂成形体から離間する位置で露出されていることを特徴とする発光装置。 - 前記下地層は、最表面がAu、Au合金、Pd、Pd合金から選択される少なくとも1種である請求項1記載の発光装置。
- 前記表面層は、Ag又はAg合金である請求項1又は請求項2に記載の発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011019352A JP5682341B2 (ja) | 2011-02-01 | 2011-02-01 | 発光装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011019352A JP5682341B2 (ja) | 2011-02-01 | 2011-02-01 | 発光装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012160581A JP2012160581A (ja) | 2012-08-23 |
JP5682341B2 true JP5682341B2 (ja) | 2015-03-11 |
Family
ID=46840870
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011019352A Active JP5682341B2 (ja) | 2011-02-01 | 2011-02-01 | 発光装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5682341B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020017574A1 (ja) | 2018-07-20 | 2020-01-23 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP6974741B2 (ja) | 2018-12-26 | 2021-12-01 | 日亜化学工業株式会社 | 樹脂パッケージ及び発光装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3940124B2 (ja) * | 2003-01-16 | 2007-07-04 | 松下電器産業株式会社 | 装置 |
DE112004000155B4 (de) * | 2003-01-16 | 2019-06-19 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Anschlussrahmen für ein Halbleiterbauelement |
JP5224665B2 (ja) * | 2006-08-25 | 2013-07-03 | パナソニック株式会社 | リードフレームおよびパッケージ部品および半導体装置およびパッケージ部品の製造方法 |
JP2008192837A (ja) * | 2007-02-05 | 2008-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用リードフレームとその製造方法 |
JP5578960B2 (ja) * | 2010-06-23 | 2014-08-27 | 古河電気工業株式会社 | 光半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 |
-
2011
- 2011-02-01 JP JP2011019352A patent/JP5682341B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012160581A (ja) | 2012-08-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5440010B2 (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
KR101811885B1 (ko) | 발광장치 및 그 제조방법 | |
JP5493553B2 (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
JP2012089830A (ja) | 発光装置 | |
US20140063822A1 (en) | Wiring board, light-emitting device, and method of manufacturing the wiring board | |
JP2022168010A (ja) | 光半導体装置用金属材料、及びその製造方法、及びそれを用いた光半導体装置 | |
JP5682340B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP2010040791A (ja) | 光半導体装置 | |
JP6521032B2 (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
JP5338543B2 (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
US9091419B2 (en) | Light emitting device | |
JP5682341B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP2017046014A (ja) | 光半導体装置 | |
JP2010232643A (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
JP2011035040A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP5573563B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5796649B2 (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
JP7116308B2 (ja) | 光半導体装置用金属材料、及びその製造方法、及びそれを用いた光半導体装置 | |
JP2015133524A (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
JP2016119466A (ja) | 発光装置 | |
JP2011035187A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP6701711B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2010287584A (ja) | 発光装置 | |
JP5402264B2 (ja) | 発光装置 | |
JP7148793B2 (ja) | 光半導体装置用金属材料、及びその製造方法、及びそれを用いた光半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131125 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140527 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140701 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140827 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141216 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141229 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5682341 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |