CN102903706A - 发光器件封装件及使用其的照明系统 - Google Patents

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Abstract

实施方案的发光器件封装件包括:包括腔的本体;设置在本体的腔中的第一引线电极和第二引线电极;设置在腔中的、与第一引线电极和第二引线电极中的至少之一电连接并且发出在410nm~460nm的范围内的第一主峰波长的发光器件;以及在发光器件上的具有第一磷光体的第一树脂层,其中第一树脂层的第一磷光体通过激发某些具有第一主峰波长的光来发出在461nm到480nm的范围内的第二主峰波长的光,并且第一主峰波长和第二主峰波长具有彼此不同的波长并且包括具有相同颜色的光。

Description

发光器件封装件及使用其的照明系统
技术领域
实施方案涉及一种发光器件封装件以及使用其的照明系统。
背景技术
发光二极管(LED)是一种将电能转换为光的半导体器件。与现有的光源如荧光灯、白炽灯相比,发光二极管具有功耗低、半永久性寿命、响应速度快、安全和环保的优点。因此,正在进行许多为了使用发光二极管代替现有光源的研究,并且对于作为照明装置如各种灯、液晶显示器、电子显示器以及室内用和户外用街灯的光源的发光二极管的使用已经增加。
在施加正向电压时,发光二极管可以通过将n型层的电子和p型层的空穴进行复合由于导带与价带之间的能带隙而产生光能。
作为发光二极管的一种材料的氮化物半导体由于其高的热稳定性和宽的能带隙而在光学器件领域和高功率电子器件领域受到很多关注。具体地,使用氮化物半导体的蓝光LED、绿光LED、UV LED等已经商用并且得到广泛使用。
发明内容
实施方案提供了一种发光器件封装件以及一种使用其的光单元。
实施方案提供了一种具有彼此不同的蓝色系主峰波长的发光器件封装件以及一种使用其的光单元。
实施方案提供了一种能够使用蓝色磷光体和蓝色发光器件来控制白色的发光器件封装件以及一种使用其的光单元。
实施方案的发光器件封装件包括:包括腔的本体;设置在本体中的第一引线电极和第二引线电极;设置在腔中的、与第一引线电极和第二引线电极中的至少之一电连接并且发出在410nm~460nm的范围内的第一主峰波长的发光器件;以及在发光器件上的具有第一磷光体的第一树脂层,其中第一树脂层的第一磷光体通过激发某些具有第一主峰波长的光来发出在461nm~480nm的范围内的第二主峰波长的光,第一主峰波长和第二主峰波长具有彼此不同的波长并且包括具有相同颜色的光。
实施方案的发光器件封装件包括:包括第一腔的本体;设置在第一腔中的第一引线电极和第二引线电极;设置在第一腔中的、与第一引线电极和第二引线电极中的至少之一电连接并且发出第一蓝色波长的光的发光器件;以及设置在发光器件上并且包括发出比第一蓝色波长长的第二蓝色波长的第一磷光体的第一树脂层;其中第一树脂层的第一磷光体发出在460nm~479nm的范围内的第二蓝色波长。
实施方案的照明系统包括至少一个发光器件封装件。
附图说明
图1是根据第一实施方案的发光器件封装件的侧视截面图;
图2示出从图1的发光器件发出的光的光路;
图3示出根据第二实施方案的发光器件封装件;
图4示出根据第三实施方案的发光器件封装件;
图5示出根据第四实施方案的发光器件封装件;
图6示出根据第五实施方案的发光器件封装件;
图7示出根据第六实施方案的发光器件封装件;
图8示出根据第七实施方案的发光器件封装件;
图9示出根据第八实施方案的发光器件封装件;
图10是图9的发光器件的侧视截面图;
图11示出图1的第二磷光体和第一发光器件的主峰波长;
图12示出图1的发光器件的示例;
图13是示出具有图1的发光器件封装件的显示器的示例的立体图;
图14是示出具有图1的发光器件封装件的显示器的另一示例的立体图;以及
图15示出具有图1的发光器件封装件的照明系统。
具体实施方式
在实施方案的描述中,在各衬底、层、膜或电极等描述为形成在其“上”或“下”的情形下,“上”或“下”也表示相对于该部件“直接”或“间接(通过其它部件)”地形成。此外,将基于附图描述相对于各部件“上”或“下”的标准。
在附图中,为了方便解释和清楚,放大、省略或示意性地示出各层的厚度或尺寸。此外,各部件的尺寸不完全反映其实际尺寸。
下文中,将参考附图描述根据实施方案的发光器件。
图1是根据实施方案的发光器件封装件100的侧视截面图。
参考图1,实施方案的发光器件100包括:本体10、腔15、设置在本体10中的第一引线电极31和第二引线电极32、与第一引线电极31和第二引线电极32电连接并且发出光的发光器件20、将发光器件20和第二引线电极32连接的连接构件21、形成为密封发光器件20的第一树脂层40、在第一树脂层40上的第二树脂层50、以及填充第二树脂层50和腔15的第三树脂层60。
本体10可以由树脂材料例如聚邻苯二甲酰胺(PPA)、硅(Si)、铝(Al)、氮化铝(AlN)、AlOx、液晶聚合物(PSG,光敏玻璃)、聚酰胺9T(PA9T)、间规聚苯乙烯(SPS)、金属材料、蓝宝石(Al2O3)、氧化铍(BeO)和印刷电路板(PCB)中的至少一种形成。本体10可以通过注模、蚀刻工艺等形成,但是不限于此。
在本体10由具有导电性的材料形成时,在本体10的表面中形成绝缘膜(未示出),由此防止本体10与第一引线电极31和第二引线电极32之间的电短路。
此外,在本体10由硅(Si)形成时,本体10通过注入导电掺杂剂的方法形成有集成电路型的保护器件如齐纳二极管。
本体10形成有腔15,使得腔15的顶部开放。腔15通过例如本体10的注模工艺或蚀刻工艺单独形成,但不限于此。
腔15可以形成为杯形或凹陷容器形,腔15的侧面相对于腔15的底表面垂直或倾斜。此外,从顶表面观察时,腔15的形状是圆形、矩形、多边形、椭圆形等。腔15可以通过引线电极31和32中的至少之一形成为杯形结构,但是不限于此。
第一引线电极31和第二引线电极32可以设置在本体10中以彼此电分离。第一引线电极31和第二引线电极32与发光器件20电连接,以给发光器件20供电。
第一引线电极31和第二引线电极32的一端设置在本体10中,另一端可以通过本体10暴露于本体10的下表面或外部。此外,第一引线电极31和第二引线电极32可以形成发光器件封装件100的下表面同时穿过本体10的顶表面和下表面。第一引线电极31和第二引线电极32的结构不限于此。
第一引线电极31和第二引线电极32可以使用镀覆方法、沉积方法或光刻方法选择性地形成,但是不限于此。
第一引线电极31和第二引线电极32可以包括具有导电性的金属材料中的至少一种材料,如钛(Ti)、铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)、铬(Cr)、钽(Ta)、铂(Pt)、锡(Sn)、银(Ag)、磷(P)、铝(Al)、铟(In)、钯(Pd)、钴(Co)、硅(Si)、锗(Ge)、铪(Hf)、钌(Ru)或铁(Fe)。此外,第一引线电极31和第二引线电极32可以形成为具有单层结构或多层结构,但是不限于此。
发光器件20可以形成为蓝光发光器件,并且直接接合于第一引线电极31和第二引线电极32中。
在发光器件20是例如蓝光LED芯片时,蓝光LED芯片的第一主峰波长值可以在410nm~460nm的范围内,并且发出在例如在420nm~450nm的范围内的第一主峰波长。发光器件20使用蓝色波长和从黄色磷光体发出光的波长来设置白色的平衡以提供白色。但是,与具有短波长的蓝波长相比因为长波长的蓝波长的能量低,所以发光效率的提高受限。在实施方案中,磷光体吸收很多朝向靠近紫外(UV)波长范围的蓝色波长如朝向450nm或更短如420nm±5nm的波长的能量,由此更大地提高发光效率。
发光器件20由III-V族元素的化合物半导体例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP系列的半导体材料形成,使得可以发出具有半导体材料的独特颜色的光。
发光器件20可以通过芯片接合方式、倒装芯片方式等与第一引线电极31和第二引线电极32电连接,但是不限于此。
第一树脂层40覆盖发光器件20,可以由具有透光性的硅或树脂材料形成,并且包括在第一树脂材料402中的第一磷光体401。
第一树脂层40可以通过在腔15中填充硅或树脂材料然后固化的方式来形成,但是不限于此。
第一磷光体401可以形成为使得激发波长范围的色值与发光器件20的发光波长的色值相同。例如,在发光器件20是蓝光LED芯片时,第一磷光体401可以通过激发某些具有410nm到460nm的第一主峰波长的光来发出461nm~480nm的第二主峰波长如470nm±5nm的波长范围的光。第一主峰波长和第二主峰波长之间的波长差异为约5nm~69nm,并且优选为45nm~55nm。
第一磷光体401是例如蓝色磷光体,蓝色磷光体可以包括Sr2MgSi2O7:Eu2+、BaMgAl10O17:Eu(Mn)、Sr5Ba3MgSi2O8:Eu2+、Sr2P2O7:Eu2+、SrSiAl2O3N2:Eu2+、(Ba1-xSrx)SiO4:Eu2+、(Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6C12:Eu2+和CaMgSi2O6:Eu2+中的至少一种材料,并且可以形成为具有1μm到10μm的直径。在第一磷光体401的发光波长可以形成为具有与发光器件20的发光波长范围相匹配的值时,与从发光器件20发出的光和从第一磷光体401发出的光具有不同波长值的情况相比,可以发出相对显著更多的蓝光分量,由此提高白光效率同时维持色坐标值。此外,发出在461nm~480nm的范围内的波长分量,由此使得感受照明效果最大化,使色彩白平衡的自由度增加,因此容易控制色坐标。
在图11中,发光器件20发出具有420nm±5nm的主峰波长P1的蓝色系的第一主峰波长W1,吸收第一主峰波长W1的第一磷光体401发出具有470nm±5nm的主峰波长P2的蓝色系的第二主峰波长W2。第二主峰波长W2的强度可以小于第一主峰波长W1的强度,并且可以具有第一主峰波长W1的强度的约70%~95%的强度。
发光器件20发出第一蓝色波长的光,第一磷光体401发出比第一蓝色波长长的第二蓝色波长的光。第二蓝色波长发出在460nm~470nm的范围内的主峰波长。
第一树脂材料402可以包括透明树脂系列,并且考虑到光折射率和热性能可以包括硅树脂或环氧树脂。硅树脂具有很小的热变色现象,因此可以改善由于发光器件20的高温引起的物理性能的变化。
第二树脂层50可以形成为具有覆盖第一树脂层40的至少一部分的形状。第二树脂层50可以形成为使得在第二树脂材料502中包括第二磷光体501。第二树脂材料502可以包括透明树脂材料例如硅树脂或环氧树脂如第一树脂材料402,并且可以通过在第一树脂材料40中填充树脂材料然后固化来形成。第一树脂层40的形状可以为具有弯曲表面的凸透镜或平坦形状,第二树脂层50的形状可以是具有弯曲表面的凸透镜或平坦形状。第一树脂层40和第二树脂层50的弯曲表面或平坦形状可以是发出光的表面的形状。
第二磷光体501可以通过吸收和激发从发光器件20发出的具有第一主峰波长的光和从第一磷光体401发出的具有第二主峰波长的光中的至少之一来发出第二光。例如,第二磷光体501可以包括红色磷光体、绿色磷光体和黄色磷光体中的至少一种,并且可以包括红色磷光体、绿色磷光体和黄色磷光体的全部。从发光器件20产生的光入射到第二磷光体501上以发出具有不同波长的光。作为发出与蓝色波长相比具有长波长的光的磷光体的第二磷光体501可以包括YAG、TAG、硅酸盐、氮化物、氮氧化物基材料中的至少一种。
红色磷光体可以包括La2O2S:Eu3+、Y2O2S:Eu3+、Y2O3:Eu3+(Bi3+)、CaS:Eu2+、(Zn,Cd)S:Ag+(Cl-)、K5(WO4)6.25Eu3+ 2.5和LiLa2O2BO3:Eu3+中的至少一种。绿色磷光体可以包括ZnS:Cu+(Al3+)、SrGa2S4:Eu2+、CaMgSi2O7:Eu2+、Ca8Mg(SiO4)Cl2:Eu2+(Mn2+)和(Ba,Sr)2SiO4:Eu2+中的至少一种。黄色磷光体可以包括Y3Al5O12:Ce3+和Sr2SiO4:Eu2+中的至少一种。由红色磷光体发出的主峰波长在600nm到630nm的范围内,由绿色磷光体发出主峰波长在525nm到535nm的范围内,由黄色磷光体发出的主峰波长在510nm到525nm的范围内。通过发光器件20和第一磷光体401增加了蓝色系的波长,由此通过第二磷光体501即红色、绿色和黄色磷光体提高了发光效率。因此,可以使461nm~480nm的感受照明效果最大化,并且使白平衡的自由度增加,由此有效地控制了色坐标。
第三树脂层60可以形成为覆盖第二树脂层50和腔15的全部。在当前实施方案中,第三树脂层60可以通过模制环氧树脂或硅树脂来形成。第二树脂层50设置在第一树脂层40与第三树脂层60之间。此外,在第三树脂层60中,其顶端的发光表面可以由具有弯曲表面的凸透镜形成或形成为平坦形状,并且可以发出获得的光同时穿过第一树脂层40和第二树脂层50向外。第三树脂层60还包括第一磷光体,并且可以由与第一磷光体分离的透明树脂层形成。
第一树脂层40、第二树脂层50和第三树脂层60中的至少之一的表面可以形成为凹凸表面,并且凹凸表面折射光以改善光的方向角。
第一树脂层40中的第一磷光体401的含量与第二树脂层50中的第二磷光体的含量不同,例如,第一树脂层40中的第一磷光体401的含量大于第二树脂层50中的第二磷光体501的含量。
第一树脂层40、第二树脂层50和第三树脂层60是透明树脂层,第三树脂层60可以由折射率小于第二树脂层50的折射率的材料形成,并且第二树脂层50可以由折射率小于第一树脂层40的折射率的材料形成。第一树脂层40、第二树脂层50和第三树脂层60的折射率可以由折射率等于或小于2例如1.6或更小的材料形成。在此,第一树脂层40和第二树脂层50的折射率可以相同,并且可以由相同的树脂材料形成。
可以在本体10中添加第一磷光体。本体10的反射率是70%或更大,并且本体10的透射系数小于10%。第一磷光体可以通过改变在本体10中传输的光的波长来发出461nm~480nm的主峰波长。
在图2中,可以改变和反射在第一磷光体401上入射的光的角度,并且第一磷光体401可以通过散射光来发出光。
如果第一磷光体401的直径小,则光的扩散效果不充分,如果过度增加第一磷光体401的直径,则出现磷光体吸收光的问题。因此,第一磷光体401可以形成为具有使光的吸收最小化的尺寸,例如1μm~10μm的直径。
第一磷光体401可以散射从发光器件20发出的光的显著部分。因此,经过第一树脂层40的光可以无偏地均匀混合,由此可以在第二树脂层50的顶部中获得色差减小的光。
图3示出根据第二实施方案的发光器件封装件100B。在描述第二实施方案时,与第一实施方案相同的部分使用相同的附图标记,并且将省略重复的描述。
在图3中,在本体10的腔15上设置第一树脂层40和第二树脂层50,并且在第二树脂层50的第二树脂材料502中添加第一磷光体401和第二磷光体402。包括在第二树脂层50中的第一磷光体401和包括在第一树脂层40中的第一磷光体401单独地形成,第一树脂层40中的第一磷光体401和第二树脂层50中的第一磷光体401在彼此不同的树脂层处发出在461nm~480nm的范围内的波长的光,由此增加了蓝光并且产生感受照明效果。
图4示出根据第三实施方案的发光器件封装件100C。在描述第三实施方案时,与第一实施方案相同的部分使用相同的附图标记,并且将省略重复的描述。
在图4中,第三树脂层60可以覆盖第一树脂层40和第二树脂层50,在第三树脂层60中可以包括第一磷光体401。由于在第三树脂层60中包括第一磷光体401,所以可以增加具有蓝色波长的光的扩散效果,由此容易地控制色坐标。
在第三树脂层60的形状形成为其中沿着垂直于发光器件20的方向形成在顶部处的部分的高度是高的并且高度朝向周围减小的的透镜类型时,由于包括在发光器件20顶部处的第一磷光体401的量增加,由此将更多的朝向中心集中的蓝光有效地散射到整个顶部区域。
如上所述,第一磷光体401形成为发出对应于发光器件20的发光波长的激发波长的光,以改变波长并且散射光,特别地可以改善允许光从垂直型发光器件垂直地偏重的现象。
图5示出根据第四实施方案的发光器件封装件。在描述第四实施方案时,与第一实施方案中相同的部分使用相同的附图标记,并且将省略重复的描述。
参考图5,发光器件封装件可以包括:本体10、腔15、设置在本体10中的第一引线电极31和第二引线电极32、与第一引线电极31和第二引线电极32电连接并发出光的发光器件20、将发光器件20和第二引线电极32连接的连接构件21、形成为密封发光器件20的第一树脂层41、在第一树脂层41上的第二树脂层51、以及填充第二树脂层51和腔15的第三树脂层60。连接构件21可以是导线。
第一树脂层41的顶表面S1形成为平坦的表面,第二树脂层51的顶表面S2形成为平坦的表面。第一树脂层41设置在本体15的底部与第二树脂层51之间,第二树脂层51设置在第一树脂层41与第三树脂层60之间。第一树脂层41的顶表面S1可以在腔15中设置成低于本体10顶表面,但是不限于此。
第一树脂层41形成有第一磷光体401,并且第二树脂层51形成有第二磷光体501。
第二树脂层51的顶表面S2与本体10的顶表面设置在同一平面上,并且可以设置在不同的平面上。
图6示出根据第五实施方案的发光器件封装件。在描述第五实施方案时,与第一实施方案相同的部分使用相同的附图标记,并且将省略重复的描述。
参考图6,发光器件封装件可以包括:本体10、腔15、设置在本体10中的第一引线电极31和第二引线电极32、与第一引线电极31和第二引线电极32电连接并发出光的发光器件20、将发光器件20和第二引线电极32连接的连接构件21、形成为密封发光器件20的第一树脂层42、在第一树脂层42上的第二树脂层52、以及填充第二树脂层52和腔15的第三树脂层60。
腔15包括其中设置有第一树脂层42的第一腔15A和其中形成有第二树脂层52的第二腔15B。第一腔15A的顶部宽度可以形成为窄于第二腔15B的顶部宽度。因此,腔15内部的侧面可以形成为具有至少两个台阶的梯级结构。此外,第一腔15A和第二腔15B的侧面可以形成为以彼此不同的角度倾斜,但是不限于此。
图7示出根据第六实施方案的发光器件封装件。在描述第六实施方案时,与第一实施方案相同的部分使用相同的附图标记,并且将省略重复的描述。
参考图7,发光器件封装件可以包括:本体10、腔15、设置在本体10中的第一引线电极31和第二引线电极32、与第一引线电极31和第二引线电极32电连接并且发出光的发光器件20、将发光器件20和第二引线电极32连接的连接构件21、形成为密封发光器件20的第一树脂层41A、在第一树脂层41A上的第二树脂层51A、以及填充第二树脂层51A和腔15的第三树脂层60。
可以在第一树脂层41A的第一树脂材料402中添加第一磷光体401和第二磷光体501。在图11中,发光器件20发出具有420nm±5nm的主峰波长P1的蓝色系的第一主峰波长W1,吸收第一主峰波长W1的第一磷光体401发出具有470nm±5nm的主峰波长P2的蓝色系的第二主峰波长W2。第二主峰波长W2的强度可以小于第一主峰波长W1的强度,并且可以具有第一主峰波长W1的强度的约70%~95%的强度。
第二磷光体501可以通过吸收和激发从发光器件20发出的第一主峰波长的光与从第一磷光体401发出的第二主峰波长的光中的至少之一来发出第二光。例如,第二磷光体501可以包括红色磷光体、绿色磷光体和黄色磷光体中的至少一种,并且可以包括红色磷光体、绿色磷光体和黄色磷光体的全部。
可以通过第一树脂层41A发出具有彼此不同的主峰波长的蓝光和具有510nm或更大的主峰波长的第二颜色的光。
第二树脂层51A与不同的磷光体分离,并且可以限定为不具有磷光体的透明树脂层。
图8示出根据第七实施方案的发光器件封装件。在描述第七实施方案时,与第一实施方案相同的部分使用相同的附图标记,并且将省略重复的描述。
参考图8,发光器件封装件可以包括:本体10、腔15、设置在本体10中的第一引线电极31和第二引线电极32、与第一引线电极31和第二引线电极32电连接并且发出光的发光器件20、将发光器件20和第二引线电极32连接的连接构件21、形成为密封发光器件20的第一树脂层41B、在第一树脂层41B上的第二树脂层51B、以及填充第二树脂层51B和腔15的第三树脂层60。
第一树脂层41B形成为不具有磷光体的透明树脂层。
可以在第二树脂层51B的第二树脂材料502中添加第一磷光体401和第二磷光体501。发光器件20发出具有420nm的主峰波长的蓝色系的第一主峰波长W1,吸收第一主峰波长W1的第一磷光体401发出具有470nm±5nm的主峰波长P2的蓝色系的第二主峰波长W2。第二主峰波长W2的强度可以小于第一主峰波长W1的强度,并且可以具有第一主峰波长W1的强度的约70%~90%的强度。
第二磷光体501可以通过吸收和激发从发光器件20发出的第一主峰波长的光和从第一磷光体401发出的第二主峰波长的光中的至少之一来发出第二光。例如,第二磷光体501可以包括红色磷光体、绿色磷光体和黄色磷光体中的至少一种,并且可以包括红色磷光体、绿色磷光体和黄色磷光体的全部。
可以通过第二树脂层51B发出具有彼此不同的主峰波长的蓝光和具有510nm或更大的主峰波长的第二颜色的光。
图9是示出根据第八实施方案的发光器件封装件,图10是图9所示的发光器件封装件的侧视截面图。在描述第八实施方案时,与第一实施方案相同的部分使用相同的附图标记,并且将省略重复的描述。
参考图9和图10,发光器件封装件包括:具有第一腔17的本体12、具有第二腔34的第一引线电极33、具有第三腔36的第二引线电极35、连接框38、发光芯片22和23、以及导线25至28。
本体12可以由树脂材料例如聚邻苯二甲酰胺(PPA)、硅(Si)、金属材料、光敏玻璃(PSG)、蓝宝石(Al2O3)和印刷电路板(PCB)中的至少一种形成。优选地,本体12可以由塑性树脂材料例如聚邻苯二甲酰胺(PPA)和硅材料中的至少一种形成。
根据发光器件封装件的用途和设计,本体12的顶表面的形状可以具有各种形状如三角形、四边形、多边形和圆形等。在直接照明类型中,第一引线电极33和第二引线电极35设置在本体12的下部上,并且可以安装在衬底上。在边缘类型中,第一引线电极33和第二引线电极35设置在本体12的侧面上,并且可以安装在衬底上,但是不限于此。
本体12的顶部开放,并且具有形成侧表面和底表面的第一腔17。第一腔17可以包括从本体12的顶表面凹陷的凹杯结构或凹陷结构,但是不限于此。腔17的侧面可以垂直于腔17的底表面或朝向腔17的底表面倾斜。
从顶表面观察时,腔17的形状可以是圆形、椭圆形、多边形(如四边形)。腔17的角可以是弯曲的表面或平坦的表面。
第一引线电极33设置在第一腔17的第一区域上,并且第一引线电极33的一部分设置在第一腔17的底表面上。第一腔17的中心设置有具有小于第一腔17的底表面的深度的凹陷的第二腔34。第二腔34是从第一引线电极33的顶表面到本体12的下表面凹陷的凹陷形状,并且包括如杯形结构或凹陷形状。第二腔34的侧面朝向第二腔34的底表面倾斜或垂直地弯曲。第二腔34的侧面中的彼此面对的两个侧面可以以相同的角度或彼此不同的角度倾斜。
第二引线电极35设置在与第一腔17的第一区域间隔开的第二区域上,并且第二引线电极35的一部分设置在第一腔17的底表面上。第一腔17的中心设置形成具有小于第一腔17的底表面的深度的凹陷的第三腔36。第三腔36是从第二引线电极113到本体12的下表面凹陷的凹陷形状,并且包括如杯形结构或凹陷形状。第三腔36的侧面朝向第三腔36的底表面倾斜或垂直地弯曲。第三腔36的侧面中的彼此面对的两个侧面可以以相同的角度或彼此不同的角度倾斜。
第一引线电极33的顶部设置成与在本体12的中心处的第二引线电极35的顶部对应,但是不限于此。
第一引线电极33和第二引线电极35的下表面暴露于本体12的下表面,或者可设置在与本体12的下表面相同的平面上。
第一引线电极33的第一引线33A设置在本体12的下表面上,并且可以从本体12的第一侧面113突出。第二引线电极35的第二引线35A设置在本体12的下表面上,并且可以从面对本体12的第一侧面的第二侧面114突出。
连接框38设置在第一引线电极33与第二引线电极35之间的区域的一侧,并且设置为与本体12的第一侧面113相邻。连接框38连接发光芯片22和23。
第一引线电极33、第二引线电极35和连接框38可以包括金属材料如钛(Ti)、铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)、铬(Cr)、钽(Ta)、铂(Pt)、锡(Sn)、银(Ag)、磷(P)中的至少一种,并且可以由单层金属层或多层金属层形成。第一引线电极33、第二引线电极35和连接框38的厚度可以形成为相同的厚度,但是不限于此。
第二腔34和第三腔36的底部形状可以是矩形、正方形或具有弯曲的表面的圆形或椭圆形。
第一发光芯片22设置在第一引线电极33的第二腔34中,并且第二发光芯片23设置在第二引线电极31的第三腔36中。
第一发光芯片22可以通过第一导线25和26与设置在腔17的底部中的第一引线电极33和连接框38连接。第二发光芯片23可以与设置在腔17的底部中的第一引线电极33和连接框38连接。
保护器件可以设置在第一腔17的预定区域中,保护器件可以通过晶闸管、齐纳二极管或瞬态电压抑制器(TVS)来实施,并且齐纳二极管保护发光芯片免受静电放电(ESD)。
发光器件22和23包括III-V族元素的化合物半导体,并且发出蓝色波长例如在410nm~460nm的范围内的波长。第一发光器件22可以发出在410nm~460nm的范围中的410nm~440nm的范围内的主峰波长,第二发光二极管23可以发出不同于第一发光器件20的主峰波长的主峰波长如在430nm~460nm的范围内的主峰波长。
作为另一示例,第一发光器件22和第二发光器件23可以发出与主峰波长相同的波长或与主峰波长在波长上相差至少1nm的波长。
本体12的第二腔34形成有树脂层43,第三腔36设置有第二树脂层44,并且第一腔17形成有第三树脂层53。
第一树脂层43包括第一树脂材料404和添加在第一树脂材料404中的第一磷光体403。第二树脂层44包括第二树脂材料406和添加在第二树脂材料406中的第二磷光体405。第三树脂层53包括第三树脂材料504和添加在第三树脂材料504中的第三磷光体503。第一树脂材料404、第二树脂材料406和第三树脂材料504可以由透明树脂材料如硅树脂或环氧树脂形成。
第一磷光体403为蓝色磷光体,并且蓝色磷光体可以包括例如Sr2MgSi2O7:Eu2+、BaMgAl10O17:Eu(Mn)、Sr5Ba3MgSi2O8:Eu2+、Sr2P2O7:Eu2+、SrSiAl2O3N2:Eu2+、(Ba1-xSrx)SiO4:Eu2+、(Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6C12:Eu2+和CaMgSi2O6:Eu2+中的至少一种。
第二磷光体405为蓝色磷光体,并且蓝色磷光体可以包括例如Sr2MgSi2O7:Eu2+、BaMgAl10O17:Eu(Mn)、Sr5Ba3MgSi2O8:Eu2+、Sr2P2O7:Eu2+、SrSiAl2O3N2:Eu2+、(Ba1-xSrx)SiO4:Eu2+、(Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6C12:Eu2+和CaMgSi2O6:Eu2+中的至少一种。
第一磷光体403可以通过激发从第一发光器件22发出的在410nm~440nm的范围内的波长的光来发出在例如465nm~475nm的蓝色波长范围内的主峰波长。第二磷光体405可以通过激发从第二发光器件23发出的在430nm~460nm的范围内的光来发出在例如469nm~479nm的蓝色波长范围内的主峰波长的光。第二磷光体405可以发出具有比第一磷光体403长的主峰波长的光。
作为另一示例,第一发光器件22和第二发光器件33可以发出在410nm~440nm或430nm~460nm的范围内的波长的光。在这种情况下,第一磷光体403可以通过激发从发光器件22发出的光来发出在例如465nm~475nm的蓝色波长范围内的主峰波长的光。第二磷光体405可以通过激发从第二发光器件23发出的在410nm~460nm的波长范围内的波长的光来发出在例如469nm~479nm的蓝色波长范围内的主峰波长的光。第二磷光体405可以发出具有比第一磷光体403长的主峰波长的光。
第一磷光体403和第二磷光体405可以发出波长比第一发光器件22和第二发光器件23发出的光的主峰波长长的光。第一磷光体403的发光波长与第二磷光体405的发光波长之间的差异以及第一发光器件22的发光波长与第二发光器件23的发光波长之间的差异可以是5nm~69nm。
第三磷光体503可以包括红色磷光体、黄色磷光体和绿色磷光体中的至少一种。第三磷光体503可以通过激发从第一发光器件22、第二发光器件23以及第一磷光体403和第二磷光体405发出的光的一部分来发出波长比蓝色波长长的光。还可以在第三树脂材料504中添加第一磷光体。
在第一磷光体403和第二磷光体405的发光波长可以形成为具有与发光器件22和23的发光波长相匹配的值时,与从发光器件22和23发出的光和从第一磷光体403和第二磷光体405发出的光具有不同波长的情况相比,发出相对显著更多的蓝光分量,由此提高白光效率同时维持色坐标值。此外,发出在470nm±5nm的范围内的波长分量,由此使感受照明效果最大化,使色彩白平衡的自由度增加,因此容易控制色坐标。
还可以在本体12的顶部上形成透镜,透镜可以包括凹透镜或/和凸透镜结构,并且可以控制由发光器件发出的光的光分布。
在实施方案中,发光器件封装件中彼此不同的区域上设置两个腔,但是在彼此不同的区域上可以设置至少三个腔。此外,在发光器件封装件中设置两个发光器件,但是可以设置至少三个发光器件,但是不限于此。
图12示出根据实施方案的发光器件。
参考图12,发光器件20包括:发光结构110、在发光结构110下的欧姆层121、在欧姆层121下的反射层124、在反射层124下的导电支撑构件125、以及在反射层124和发光结构110周围的保护层123。
发光结构110包括第一导电型半导体层113、第二导电型半导体层115以及在第一导电型半导体层113与第二导电型半导体层115之间的有源层114。
第一导电型半导体层113可以选自掺杂有第一导电型掺杂剂的III-V族化合物半导体例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP等。在第一导电型半导体层是n型半导体时,第一导电型掺杂剂包括n型掺杂剂如Si、Ge、Sn、Se和Te。第一导电型半导体层113可以形成为单层或多层,但是不限于此。
有源层114可以形成为单量子阱结构、多量子结构、量子线结构和量子点结构。有源层114可以由阱层和势垒层的循环形成,例如使用III-V族元素化合物半导体材料的InGaN阱层/GaN势垒层或InGaN阱层/AlGaN势垒层的循环。具有410nm~460nm的主峰波长的有源层114的阱层可以包括在3%到15%的范围内的铟含量。在减少阱层的铟含量时,发出短波长范围内而不是长波长范围内的光。
可以在有源层114上或/和下形成导电覆层,并且导电覆层可以由AlGaN基半导体形成。
第二导电型半导体层115形成在有源层114下,第二导电型半导体层115可以选自掺杂有第二导电型掺杂剂的III-V族化合物半导体如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP等。在第二导电型半导体层是p型半导体时,第二导电型掺杂剂包括p型掺杂剂如Mg、Zn等。第二导电型半导体层115可以形成为单层或多层,但是不限于此。
此外,可以在第二导电型半导体115下形成第三导电型半导体层如n型半导体层。发光结构135可以由n-p结、p-n结、n-p-n结和p-n-p结中的至少一种形成。
欧姆层121可以与发光结构110的下层如第二导电型半导体层115欧姆接触,并且其材料可以由选自铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZO)、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf及其选择性组合构成的材料中的材料形成。此外,欧姆层121可以使用金属材料和透明导电材料如IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO形成为多层,并且可以层叠为例如IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni、AZO/Ag/Ni等。在欧姆层121内部还可以形成与电极116对应的阻挡电流的层。
保护层123可以由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZO)、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiO2等选择性地形成。保护层123可以通过溅射方法或沉积方法来形成,并且可以防止金属如反射层124使发光结构110的层短路。
反射层124可以由Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf及其选择性组合构成的材料形成。反射层124可以形成为大于发光结构110的宽度,由此可以提高光反射效率。
作为基础衬底的导电支撑构件125可以由铜(Cu)、金(Au)、镍(Ni)、钼(Mo)、铜钨合金(Cu-W)、载体晶片如Si、Ge、GaAs、ZnO、SiC等形成。在导电支撑构件125与反射层124之间还可以形成有接合层,并且接合层可以接合至两个层。
以上公开的作为示例的发光芯片不限于以上公开的特性。发光芯片可以选择性地应用于发光器件的实施方案,但是不限于此。
实施方案的发光器件封装件可以应用于照明系统。照明系统包括排列有多个发光器件封装件的结构,包括如图13和图14所示的显示器以及如图15所示的照明装置,并且还可以应用于如照明、交通灯、车辆前灯、电子显示器、指示灯之类的装置。
图13是实施方案的显示器的分解的立体图。
在图13中,显示器1000可以包括:导光板1041、给导光板1041提供光的发光模块1031、在导光板1041下的反射构件1022、在导光板1041上的光学片1051、在光学片1051上的显示面板1061以及容纳导光板1041、发光模块1031、反射构件1022的底盖1011,但是不限于此。
底盖1011、反射构件1022、导光板1041和光学片1051可以限定为光单元1050。
导光板1041通过扩散来自发光模块1031的光来用作面光源。导光板1041由透明材料形成,并且包括丙烯酸树脂例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)树脂、聚碳酸酯(PC)树脂、环烯烃共聚物(COC)树脂和聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)树脂中的一种。
发光模块1031设置在导光板1041的至少一个侧面上,给导光板1041的至少一个侧面提供光,并且用作显示器的光源。
底盖1011中设置有至少一个发光模块1031,并且可以直接或间接地由导光板1041的一个侧面提供光。发光模块1031包括衬底1033和根据上面公开的实施方案的发光器件封装件100,并且发光器件封装件100可以以预定的间隔排列在衬底1033上。衬底可以是印刷电路板,但是不限于此。此外,衬底1033可以包括金属芯PCB(MCPCB)、柔性PCB(FPCB)等,但是不限于此。在发光器件封装件100安装在底盖1011的侧面或散热板上时,可以移除衬底1033。散热板的一部分可以与底盖1011的顶表面接触。因此,发光器件封装件100产生的热量可以经由散热板排放到底盖1011中。
多个发光器件封装件100可以安装在衬底1033上,使得其上发光的发光表面与导光板1041间隔开预定的间隔,但是不限于此。发光器件封装件100可以直接或间接地给导光板1041的一个侧面即入光面提供光,但是不限于此。
反射构件1022可以设置在导光板1041下。反射构件1022反射入射到导光板1041的下表面上的光,以给显示面板1061提供光,由此提高显示面板1061的亮度。反射构件1022可以由例如PET、PC、PVC树脂等形成,但是不限于此。反射构件1022可以是底盖1011的顶表面,但是不限于此。
底盖1011可以容纳导光板1041、发光模块1031和反射构件1022等。为此,底盖1011的顶表面可以形成有具有开放的盒形的容纳部1012,但是不限于此。底盖1011可以与顶罩(未示出)耦接,但是不限于此。
底盖1011可以由金属材料或树脂材料形成,并且可以通过例如压模或挤出模制等工艺来制造。此外,底盖1011可以包括金属或具有优异导热性的非金属材料,但是不限于此。
作为例如LCD面板的显示面板1061包括具有透明材料并彼此面对的第一衬底和第二衬底以及设置在第一衬底与第二衬底之间的液晶层。显示面板1061的至少一个表面可以安装有偏光板,但是不限于偏光板这种附接结构。显示面板1061传输或阻挡从发光模块1031提供的光以显示信息。这种显示器1000可以应用于各种手持终端、笔记本电脑的监视器、便携电脑的监视器以及显示装置例如电视机。
光学片1051设置在显示面板1061与导光板1041之间,并且包括至少一个透明片。光学片1051可以包括如扩散片、水平/垂直棱镜片以及增亮片等中的至少一种片。扩散片扩散入射光,水平/垂直棱镜片将入射光聚集到显示面板1061中,增亮片重新使用损失的光来提高亮度。此外,在显示面板1061上可以设置有保护片,但是不限于此。
在发光模块1031的光学路径上可以包括作为光学构件的导光板1041和光学片1051,但是不限于此。
图14示出具有实施方案的发光器件封装件的显示器。
在图14中,显示器1100包括:底盖1152、排列有上面公开的发光器件封装件100的衬底1120、光学构件1154以及显示面板1155。
衬底1120和发光器件封装件100可以限定为发光模块1060。底盖1152、至少一个发光模块1060以及光学构件1154可以限定为光单元1150。
底盖1152设置有容纳部1153,但是不限于此。
光学构件1154可以包括透镜、导光板、扩散片、水平/垂直棱镜片以及增亮片等中的至少一种。导光板可以由PC材料或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)材料形成,并且可以移除导光板。扩散片扩散入射光,水平/垂直棱镜片将入射光聚集到显示面板1155中,增亮片重新使用损失的光来提高亮度。
光学构件1154设置在发光模块1060上,使得从发光模块1060发出的光作为面光源,并且进行扩散和聚集等。
图15示出实施方案的照明系统的立体图。
在图15中,照明系统1500可以包括:壳1510、设置在壳1510中的发光模块1530、以及设置在壳1510中并且从外部电源接收电力的接线端子1520。
优选地,壳1510由具有优异散热特性的材料形成,并且优异的材料是例如金属材料或树脂材料。
发光模块1530可以包括衬底1532和安装在衬底1532中的发光器件封装件100。多个发光器件封装件100可以排列成矩阵形式或以预定的间隔间隔开。
其中电路图案印刷在绝缘体上的衬底1532可以包括例如印刷电路板(PCB)、金属芯PCB、柔性PCB、陶瓷PCB等。
此外,衬底1532可以由有效地反射光的材料形成,或可以成为具有有效地反射光的颜色如白色、银色等的涂层。
可以在衬底1532上安装至少一个发光器件封装件100。各发光器件封装件100可以包括至少一个发光二极管(LED)芯片。LED芯片可以包括发出在可见射线如红光、绿光、蓝光或白光等的范围内的光的发光二极管或发出紫外(UV)光的UV发光二极管。
发光模块1530可以设置为具有各种发光器件封装件100的组合以获得颜色和亮度。例如,为了确保高的显色指数(CRI),能够设置组合的白光二极管、红光二极管以及绿光二极管。
接线端子1520与发光模块1530电连接以提供电力。接线端子1520通过插座方案旋转以插入外部电源,但是不限于此。例如,接线端子1520可以形成为引脚类型,并且因此插入外部电源中,或可以通过导线与外部电源连接。
如上所述,实施方案的照明系统可以通过包括实施方案的发光器件或发光器件封装件来提高光效率并且可以有效地应用于感受性照明。
根据本发明的实施方案,可以使用发出的光来改善感受照明效果。
此外,在实施方案中,可以提高发光器件封装件的光效率。
在实施方案中,可以提供具有小色差的发光器件封装件和使用其的光单元。
本说明书中对于“一个实施方案”、“实施方案”、“示例实施方案”等的任意引用表示结合实施方案描述的具体特征、结构或者特性包括在本发明的至少一个实施方案中。本说明书中的各个位置出现的这样的短语并非都涉及相同的实施方案。此外,在结合任意实施方案描述具体的特征、结构或特性时,认为将这种特征、结构或特性与实施方案的其它特征、结构或者特性结合在本领域技术人员的范围内。
虽然已经参照大量示意性实施方案描述了实施方案,但是应当理解,本领域技术人员可以在本公开内容的原理的精神和范围内设计出大量其它修改和实施方案。更具体地,可以在本公开内容、附图和所附权利要求的范围内对主题组合设置的部件和/或设置进行各种变化和修改。除了部件和/或设置方面的变化和修改,替选用途对于本领域技术人员来说也是明显的。

Claims (19)

1.一种发光器件封装件,包括:
包括腔的本体;
设置在所述本体的所述腔中的第一引线电极和第二引线电极;
设置在所述腔中的、与所述第一引线电极和所述第二引线电极中的至少之一电连接并且发出在410nm~460nm的范围内的第一主峰波长的发光器件;以及
在所述发光器件上的具有第一磷光体的第一树脂层;
其中所述第一树脂层的所述第一磷光体通过激发某些具有所述第一主峰波长的光来发出在461nm~480nm的范围内的第二主峰波长的光,所述第一主峰波长和第二主峰波长具有彼此不同的波长并且包括具有相同颜色的光。
2.根据权利要求1所述的发光器件封装件,其中所述发光器件发出在420nm±5nm的范围内的所述第一主峰波长的光,所述第一磷光体发出在470nm±5nm的范围内的所述第二主峰波长的光。
3.根据权利要求1所述的发光器件封装件,其中所述发光器件的所述第一主峰波长和所述第一磷光体的所述第二主峰波长的差异为5~69nm。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件封装件,还包括在所述第一树脂层上的第二树脂层和在所述第二树脂层中的所述第一磷光体。
5.根据权利要求4所述的发光器件封装件,还包括在所述第二树脂层中的第二磷光体,
其中所述第二磷光体包括红色磷光体、绿色磷光体和黄色磷光体中的至少两种。
6.根据权利要求5所述的发光器件封装件,其中从所述发光器件、所述第一磷光体和所述第二磷光体发出的光被混色成白光。
7.根据权利要求5所述的发光器件封装件,还包括在所述第一树脂层下的与所述第一磷光体和所述第二磷光体分离的透明树脂层。
8.根据权利要求4所述的发光器件封装件,其中所述第一磷光体包括选自BaMgAl10O17:Eu(Mn)、Sr5Ba3MgSi2O8:Eu2+、Sr2P2O7:Eu2+、SrSiAl2O3N2:Eu2+、(Ba1-xSrx)SiO4:Eu2+、(Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6C12:Eu2+和CaMgSi2O6:Eu2+中的至少一种。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的发光器件封装件,其中所述第一磷光体的直径形成为在1μm~10μm的范围内。
10.根据权利要求4所述的发光器件封装件,还包括在所述第二树脂层上的与所述第一磷光体分离的透明的第三树脂层。
11.根据权利要求10所述的发光器件封装件,还包括在所述第三树脂层中的第一磷光体。
12.一种发光器件封装件,包括:
包括第一腔的本体;
设置在所述第一腔中的第一引线电极和第二引线电极;
设置在所述腔中的、与所述第一引线电极和所述第二引线电极中的至少之一电连接并且发出第一蓝色波长的发光器件;以及
设置在所述发光器件上并且包括发出比所述第一蓝色波长长的第二蓝色波长的第一磷光体的第一树脂层;
其中所述第一树脂层的所述第一磷光体发出在461nm~480nm的范围内的第二蓝色波长。
13.根据权利要求12所述的发光器件封装件,其中所述第一蓝色波长和所述第二蓝色波长之间的波长差异为约45~55nm。
14.根据权利要求13所述的发光器件封装件,还包括设置在所述第一引线电极中的第二腔和设置在所述第二引线电极中的第三腔,
其中所述发光器件包括设置在所述第二腔中的第一发光器件和设置在所述第三腔中的第二发光器件,并且所述第一发光器件和所述第二发光器件发出彼此不同的主峰波长。
15.根据权利要求12至14中任一项所述的发光器件封装件,其中所述第一发光器件发出410nm~430nm的主峰波长,所述第二发光器件发出波长比所述第一发光器件长的光。
16.根据权利要求15所述的发光器件封装件,其中所述第一树脂层设置在所述第二腔和所述第三腔中,设置在所述第二腔中的所述第一树脂层的所述第一磷光体发出在465nm~475nm的范围内的主峰波长,设置在所述第三腔中的所述第一树脂层的所述第一磷光体发出在469nm~479nm的范围内的主峰波长。
17.根据权利要求16所述的发光器件封装件,还包括在所述第一树脂层上的包括第二磷光体的第二树脂层,
其中所述第二磷光体发出波长比所述第二蓝色波长长的光。
18.根据权利要求16所述的发光器件封装件,还包括在所述第二树脂层上的包括所述第一磷光体的第三树脂层,
其中所述第三树脂层的所述第一磷光体的含量与所述第一树脂层的所述第一磷光体的含量不同。
19.一种照明系统,包括:
衬底;以及
设置在所述衬底上的多个发光器件封装件,
其中所述发光器件封装件包括:包括腔的本体;设置在所述本体的所述腔中的第一引线电极和第二引线电极;设置在所述腔中的、与所述第一引线电极和所述第二引线电极中的至少之一电连接并且发出在410nm~460nm的范围内的第一主峰波长的发光器件;以及在所述发光器件上的具有第一磷光体的第一树脂层;所述第一树脂层的所述第一磷光体通过激发某些具有所述第一主峰波长的光来发出在461nm~480nm的范围内的第二主峰波长的光,所述第一主峰波长和第二主峰波长包括具有相同颜色的光。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104916753A (zh) * 2014-03-14 2015-09-16 株式会社东芝 发光装置
CN105529389A (zh) * 2015-08-25 2016-04-27 王子欣 一种全光谱的发光二极管及其应用
CN107204394A (zh) * 2017-06-06 2017-09-26 江苏鸿利国泽光电科技有限公司 一种用于生鲜照明的led灯珠
CN108467733A (zh) * 2018-04-08 2018-08-31 有研稀土新材料股份有限公司 一种近红外荧光粉、其制备方法及含该荧光粉的发光装置
CN108878621A (zh) * 2018-06-21 2018-11-23 深圳创维-Rgb电子有限公司 一种led封装结构、背光模组及显示设备
WO2019051780A1 (zh) * 2017-09-15 2019-03-21 厦门市三安光电科技有限公司 一种白光led封装结构以及白光源系统
CN113227643A (zh) * 2018-12-26 2021-08-06 Lg伊诺特有限公司 照明模块、照明装置及其制造方法

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI535070B (zh) * 2012-04-06 2016-05-21 晶元光電股份有限公司 發光元件
WO2013176195A1 (ja) * 2012-05-22 2013-11-28 宇部マテリアルズ株式会社 可視領域での発光光の発光強度と演色性とが最適化された蛍光体混合物
JP2013258209A (ja) * 2012-06-11 2013-12-26 Nitto Denko Corp 封止シート、発光ダイオード装置およびその製造方法
EP2927969B1 (en) * 2012-11-28 2019-04-24 LG Chem, Ltd. Light-emitting diode
US20140209950A1 (en) * 2013-01-31 2014-07-31 Luxo-Led Co., Limited Light emitting diode package module
US9142732B2 (en) * 2013-03-04 2015-09-22 Osram Sylvania Inc. LED lamp with quantum dots layer
JP2014175354A (ja) * 2013-03-06 2014-09-22 Disco Abrasive Syst Ltd 発光ダイオード
DE102013102482A1 (de) * 2013-03-12 2014-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
KR20140124110A (ko) * 2013-04-16 2014-10-24 주식회사 포스코엘이디 광 반도체 조명장치
TWI596805B (zh) * 2013-07-24 2017-08-21 晶元光電股份有限公司 發光元件及其製作方法
EP3044809B1 (en) * 2013-09-13 2019-04-24 Lumileds Holding B.V. Frame based package for flip-chip led
KR102060195B1 (ko) * 2013-09-23 2020-02-11 엘지디스플레이 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
JP6191453B2 (ja) * 2013-12-27 2017-09-06 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR102224848B1 (ko) * 2014-10-06 2021-03-08 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 제조 방법
WO2016080769A1 (ko) * 2014-11-18 2016-05-26 서울반도체 주식회사 발광 장치
KR102346157B1 (ko) * 2015-03-23 2021-12-31 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 패키지
TWI635622B (zh) 2015-06-10 2018-09-11 隆達電子股份有限公司 發光結構、燈具及背光模組
JP2017009725A (ja) * 2015-06-19 2017-01-12 ソニー株式会社 表示装置
US9735323B2 (en) * 2015-06-30 2017-08-15 Nichia Corporation Light emitting device having a triple phosphor fluorescent member
KR101778848B1 (ko) 2015-08-21 2017-09-14 엘지전자 주식회사 발광소자 패키지 어셈블리 및 이의 제조 방법
CN105762144A (zh) * 2016-05-24 2016-07-13 杜军 一种全光谱高显色性led发白光器件及其制作方法
KR20180125639A (ko) * 2016-06-27 2018-11-26 (주)라이타이저코리아 발광 소자 패키지
JP6803539B2 (ja) * 2016-08-23 2020-12-23 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置、及び、照明装置
TWI702362B (zh) * 2017-07-13 2020-08-21 東貝光電科技股份有限公司 Led發光裝置
KR20190019539A (ko) * 2017-08-18 2019-02-27 삼성전자주식회사 발광 소자 및 발광소자 패키지
US10957825B2 (en) * 2017-09-25 2021-03-23 Lg Innotek Co., Ltd. Lighting module and lighting apparatus having thereof
JP6940764B2 (ja) 2017-09-28 2021-09-29 日亜化学工業株式会社 発光装置
US11257990B2 (en) * 2017-09-29 2022-02-22 Nichia Corporation Light emitting device
JP7083255B2 (ja) * 2018-02-07 2022-06-10 シャープ株式会社 発光装置、表示装置及び基板
KR20220036681A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 삼성전자주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조 방법

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1836339A (zh) * 2002-08-30 2006-09-20 吉尔科有限公司 具有改良效率的镀膜led
JP2008034188A (ja) * 2006-07-27 2008-02-14 Asahi Rubber:Kk 照明装置
US20080191610A1 (en) * 2004-04-27 2008-08-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Phosphor composition and method for producing the same, and light-emitting device using the same
CN101442097A (zh) * 2005-03-18 2009-05-27 三菱化学株式会社 发光装置、白光发光装置、照明装置及图像显示装置
CN101636851A (zh) * 2007-02-26 2010-01-27 皇家菲利浦电子有限公司 具有透镜中的磷光体片和过模压磷光体的led
TW201022410A (en) * 2008-10-09 2010-06-16 Koninkl Philips Electronics Nv Blue emitting SiON phosphor
CN101809768A (zh) * 2007-08-31 2010-08-18 Lg伊诺特有限公司 发光器件封装
CN102201504A (zh) * 2010-03-26 2011-09-28 Lg伊诺特有限公司 发光器件和具有发光器件的照明单元

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE421169T1 (de) 2002-06-13 2009-01-15 Cree Inc Halbleiter-strahlungsquelle mit gesättigtem phosphor
US7800121B2 (en) 2002-08-30 2010-09-21 Lumination Llc Light emitting diode component
JP2004352928A (ja) * 2003-05-30 2004-12-16 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置及び照明装置
TW200512949A (en) * 2003-09-17 2005-04-01 Nanya Plastics Corp A method to provide emission of white color light by the principle of secondary excitation and its product
JP5080723B2 (ja) * 2005-02-22 2012-11-21 シャープ株式会社 半導体発光装置
TWI413274B (zh) * 2005-03-18 2013-10-21 Mitsubishi Chem Corp 發光裝置,白色發光裝置,照明裝置及影像顯示裝置
KR101055772B1 (ko) 2005-12-15 2011-08-11 서울반도체 주식회사 발광장치
JP2008081631A (ja) * 2006-09-28 2008-04-10 Sharp Corp 発光装置
KR100862695B1 (ko) * 2006-10-17 2008-10-10 삼성전기주식회사 백색 발광 다이오드
JP5286585B2 (ja) * 2007-10-05 2013-09-11 シャープ株式会社 発光装置
US9634203B2 (en) 2008-05-30 2017-04-25 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device, surface light source, liquid crystal display device, and method for manufacturing light emitting device
US9909058B2 (en) 2009-09-02 2018-03-06 Lg Innotek Co., Ltd. Phosphor, phosphor manufacturing method, and white light emitting device

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1836339A (zh) * 2002-08-30 2006-09-20 吉尔科有限公司 具有改良效率的镀膜led
US20080191610A1 (en) * 2004-04-27 2008-08-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Phosphor composition and method for producing the same, and light-emitting device using the same
CN101442097A (zh) * 2005-03-18 2009-05-27 三菱化学株式会社 发光装置、白光发光装置、照明装置及图像显示装置
JP2008034188A (ja) * 2006-07-27 2008-02-14 Asahi Rubber:Kk 照明装置
CN101636851A (zh) * 2007-02-26 2010-01-27 皇家菲利浦电子有限公司 具有透镜中的磷光体片和过模压磷光体的led
CN101809768A (zh) * 2007-08-31 2010-08-18 Lg伊诺特有限公司 发光器件封装
TW201022410A (en) * 2008-10-09 2010-06-16 Koninkl Philips Electronics Nv Blue emitting SiON phosphor
CN102201504A (zh) * 2010-03-26 2011-09-28 Lg伊诺特有限公司 发光器件和具有发光器件的照明单元

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104916753A (zh) * 2014-03-14 2015-09-16 株式会社东芝 发光装置
CN105529389A (zh) * 2015-08-25 2016-04-27 王子欣 一种全光谱的发光二极管及其应用
CN107204394A (zh) * 2017-06-06 2017-09-26 江苏鸿利国泽光电科技有限公司 一种用于生鲜照明的led灯珠
US11217732B2 (en) 2017-09-15 2022-01-04 Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co., Ltd. White light LED package structure and white light source system
US11978833B2 (en) 2017-09-15 2024-05-07 Quanzhou Sanan Semiconductor Technology Co., Ltd. White light LED package structure and white light source system
WO2019051780A1 (zh) * 2017-09-15 2019-03-21 厦门市三安光电科技有限公司 一种白光led封装结构以及白光源系统
CN108467733A (zh) * 2018-04-08 2018-08-31 有研稀土新材料股份有限公司 一种近红外荧光粉、其制备方法及含该荧光粉的发光装置
CN108878621B (zh) * 2018-06-21 2020-03-17 深圳创维-Rgb电子有限公司 一种led封装结构、背光模组及显示设备
CN108878621A (zh) * 2018-06-21 2018-11-23 深圳创维-Rgb电子有限公司 一种led封装结构、背光模组及显示设备
CN113227643A (zh) * 2018-12-26 2021-08-06 Lg伊诺特有限公司 照明模块、照明装置及其制造方法
US11656399B2 (en) 2018-12-26 2023-05-23 Lg Innotek Co., Ltd. Lighting module, lighting device, and manufacturing method thereof
CN113227643B (zh) * 2018-12-26 2023-06-16 Lg伊诺特有限公司 照明装置
US11874491B2 (en) 2018-12-26 2024-01-16 Lg Innotek Co., Ltd. Lighting module, lighting device, and manufacturing method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
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CN102903706B (zh) 2017-05-17
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KR20130014256A (ko) 2013-02-07
US20130026500A1 (en) 2013-01-31
TW201306328A (zh) 2013-02-01
JP5999929B2 (ja) 2016-09-28
US8916887B2 (en) 2014-12-23
TWI550915B (zh) 2016-09-21
JP2013033903A (ja) 2013-02-14

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