CN104916753A - 发光装置 - Google Patents

发光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104916753A
CN104916753A CN201410444280.5A CN201410444280A CN104916753A CN 104916753 A CN104916753 A CN 104916753A CN 201410444280 A CN201410444280 A CN 201410444280A CN 104916753 A CN104916753 A CN 104916753A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
fluorophor
emitting device
wavelength conversion
luminous element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201410444280.5A
Other languages
English (en)
Inventor
中川启治
小泉洋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Publication of CN104916753A publication Critical patent/CN104916753A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Abstract

实施方式提供一种可改善发光色控制性及光输出特性的发光装置。实施方式的发光装置包括：发光体，包含第1面、与所述第1面相反侧的第2面、以及侧面；第1波长转换体，沿着所述侧面而设于所述发光体周围，且包含第1荧光体，该第1荧光体由所述发光体放射的1次光激发，而放射出与所述1次光波长相异的2次光；以及第2波长转换体，设于所述第1面上的至少一部分，并包含放射出波长不同于所述1次光以及所述2次光的另一2次光的第2荧光体。

Description

发光装置
[相关申请案]
本申请案享受以日本专利申请2014-51247号(申请日：2014年3月14日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。
技术领域
实施方式涉及一种发光装置。
背景技术
组合发光二极管等发光体、及被从发光体放射的光激发而放射波长与激发光不同的光的荧光体而成的发光装置的开发正不断推进。这些发光装置中，例如通过组合蓝色发光二极管、黄色荧光体、红色荧光体或绿色荧光体，而可实现白色光源。另一方面，白色光源被用于各种用途，且其每个用途均要求不同的演色性。因此，需要发光色的控制容易且光输出高的发光装置。
发明内容
实施方式提供一种发光色的控制性及光输出得到提升的发光装置。
实施方式的发光装置包括：发光体，包含第1面、与所述第1面相反侧的第2面、以及侧面；第1波长转换体，沿着所述侧面设于所述发光体周围，且包含第1荧光体，该第1荧光体通过从所述发光体放射的1次光被激发，放射波长与所述1次光不同的2次光；以及第2波长转换体，设于所述第1面上的至少一部分，且包含放射出波长与所述1次光、及所述2次光不同的另一2次光的第2荧光体。
附图说明
图1是表示第1实施方式的发光装置的示意剖视图。
图2是示意性表示第1实施方式的发光装置的动作的局部剖视图。
图3(a)～(d)是表示第1实施方式的发光装置的发光特性的图表。
图4(a)及(b)是表示第1实施方式的发光装置的其他发光特性的图表。
图5是表示第1实施方式的变形例的发光装置的示意剖视图。
图6是表示第1实施方式的另一变形例的发光装置的示意剖视图。
图7是表示第1实施方式的另一变形例的发光装置的示意剖视图。
图8是表示第2实施方式的发光装置的示意剖视图。
具体实施方式
下面，一边参照附图一边对实施方式进行说明。对附图中的相同部分标注相同编号，适当地省略其详细说明，而说明不同部分。此外，附图是示意性或概念性的图，各部分的厚度与宽度的关系、部分间的大小的比率等不一定与实际相同。另外，即便于表现相同部分时也有因附图不同而尺寸或比率互不相同地表现的情况。
[第1实施方式]
图1是表示第1实施方式的发光装置1的示意剖视图。
图2是示意性表示第1实施方式的发光装置1的动作的局部剖视图。
图1及图2所示的发光装置1包括发光体10、第1波长转换体20、及第2波长转换体30。
发光体10是例如以氮化镓系半导体为材料的发光二极管(LED)，放射于430nm～480nm的波长范围具有发光光谱的波峰的蓝色光。发光体10具有第1面10a、与第1面10a为相反侧的第2面10b、及连结第1面10a与第2面10b的侧面10c。
第1波长转换体20是沿着侧面10c而设于发光体10周围。波长转换体20包含第1荧光体21。第1荧光体21通过从发光体10放射的1次光而被激发，放射波长与1次光不同的2次光。从第1荧光体21放射的荧光光谱的峰波长与发光体10的发光光谱的峰波长不同。
第2波长转换体30设于第1面10a上。第2波长转换体30不介置第1波长转换体20地设于第1面上的至少一部分。第2波长转换体30包含第2荧光体31。第2荧光体31放射波长与从发光体10放射的1次光、及从第1荧光体21放射的第2次光不同的另一2次光。
下面，参照图1、图2，详细地说明发光装置1。
发光体10是以例如第2面10a朝向基底40而进行安装。基底40是使用例如包含反射发光体10的放射光的氧化钛等的树脂、所谓的白树脂而形成。基底40包含例如利用白树脂成形的框架41及43。
基底40的上表面40a的供发光体10安装的部分(安装面)是以框架41及43露出的方式设置。在安装面露出的框架41、43的表面优选为例如实施镀银等而反射发光体10的放射光。另外，在基底40上设有反射材(以下称为反射器45)。反射器45于上方具有开口，且以包围安装于安装面上的发光体10的方式形成。反射器45是使用例如白树脂形成。由此，在基底40的上表面40a形成凹部，内表面反射发光体10的放射光。反射器45的内表面理想的是以例如向上方扩展的方式形成。
发光体10是安装于基底40的上表面40a。而且，在发光体10的电极与框架41、43之间分别接合有金属线13、15。由此，将发光体10、与框架41、43之间电连接。
如图1所示，第1波长转换体20于发光体10、与反射器45之间是以覆盖发光体10的侧面10c的方式设置。于此，所谓“覆盖”，并不限定地理解为“覆盖物”直接接触“被覆盖物”的情况，也包括介隔其他要素而覆盖的情况。
例如，第1波长转换体20为分散有荧光体21、及散射体23的硅酮树脂。例如，第1波长转换体20是以使用分配器，填充发光体10与反射器45之间的空间的方式形成的。
例如，第1荧光体21在大于600nm的波长范围，内具有发光波峰。例如，第1荧光体21以氮化物荧光体为材料，是红色或橙色荧光体。散射体23使发光体10的放射光散射。如，散射体23可使用氧化硅填料。
例如，第2波长转换体30是分散有第2荧光体31的硅酮树脂，且形成于发光体10的第1面10a上。第2波长转换体30可在形成过程中使用灌注法。
如图1所示，第2波长转换体30优选为在不经过第1波长转换体20的情况下，以覆盖第1面10a的方式形成。例如，第1波长转换体20虽可通过覆盖与侧面10c相连的、第1面10a的周边的方式形成，但理想情况下，应是在第1面10a的中央侧，第2波长转换体30在不经过第1波长转换体20的情况下，以至少覆盖第1面10a的一部分的方式形成。
例如，理想情况下，第2波长转换体30应包含第2荧光体31，其放射出的荧光波长短于第1荧光体21。如第2荧光体31中，应使用在500nm～600nm的波长范围内，具有发光波峰的黄色荧光体或绿色荧光体、或两者都使用。如第2荧光体31中，可使用YAG荧光体或氮化物荧光体。
如图2所示，从发光体10的第1面10a放射的1次光L1于在第2波长转换体30中传播的过程中，一部分被第2荧光体31吸收。被1次光L1激发的第2荧光体31放射2次光L2。这样，在发光体10的第1面10a的上方(自发光体10朝第2波长转换体30的方向)，放射有1次光L1、及2次光L2。
另一方面，从发光体10的侧面10c放射的1次光L1于在第1波长转换体20中传播的过程中，被第1荧光体21吸收。被1次光L1激发的第1荧光体21放射2次光L3。从侧面10c放射的1次光L1横向传播，并被反射器45反射。另外，在第1波长转换体20中传播的1次光被散射体23散射。因此，1次光L1的光路长变长，被第1荧光体21吸收的比例增大。
也可在形成过程中，增大分散于第1波长转换体20的散射体23的密度，并采用荧光体21填埋散射体23间的空间。由此，可进一步提高第1荧光体21的激发效率。另外，通过增大散射体23的密度，可减少向基底40方向传播的光。由此，可抑制被框架41、43等吸收的光，从而提升发光装置1的光输出特性。
如图2所示，从第2荧光体31放射的2次光L2也向第1波长转换体20的方向放射，并被第1荧光体21吸收。即，第1荧光体21被1次光L1及2次光L2的两者激发，放射另一2次光L3。
在本实施方式中，分别隔开地将第1荧光体21配置于发光体10的侧面侧，将第2荧光体31配置于发光体10上。由此，可以抑制荧光体间的相互吸收，从而可效率良好地激发各波长转换体所含的荧光体。而且，发光装置1的光输出可高于将第1荧光体21及第2荧光体31混合配置的情况。
接着，参照图3(a)～图4(b)，对发光装置1的发光特性进行说明。
图3(a)～图4(b)是表示第1实施方式的发光装置1的发光特性的图表。
图3(a)是表示平均演色评估数Ra与光束的关系的图表。横轴是平均演色评估数Ra。纵轴是光束(流明：lm)。
图3(a)中所示的ES1及ES2是实施方式的发光装置1的数据。CS1是比较例的发光装置的数据。在比较例的发光装置中，以1个树脂层(波长转换体)覆盖发光体10，且在此树脂层中混合分散有红色荧光体、黄色荧光体。在ES1中，将第1波长转换体20所含的第1荧光体21(红色荧光体)的浓度设为20重量％。在ES2中，将第1波长转换体20所含的红色荧光体的浓度设为15重量％。CS1的波长转换体包含与ES2相同量的荧光体。而且，图3(a)中的各数据表示将第2荧光体31的量改变后的样品的光束的变化。下面，关于图3(b)～图3(d)所示的数据也相同。
如图3(a)所示，各数据表示光束随着Ra增大而减少。可知于ES1与ES2之间，光束并无差异。另一方面，若比较ES1及ES2、与CS1，可知对于相同Ra来说ES1、ES2的光束高出约13％。
图3(b)是表示色温与光束的关系的图表。横轴为色温，纵轴为光束(流明：lm)。各数据表示光束随着色温增高而减少。在ES1与ES2之间，光束并无差异。另一方面，若比较ES1及ES2、与CS1，可知对于相同色温来说ES1、ES2的光束高出约13％。
图3(c)是表示平均演色评估数Ra与色温的关系的图表。横轴为平均演色评估数Ra，纵轴为色温。各数据表示随着Ra增高色温也变高。而且，可知平均演色评估数Ra与色温的关系于ES1、ES2及CS1的各者中是大体直线地变化。即，表示即便于将第1荧光体21与第2荧光体31分开配置的情况下，与将两者混合的情况相比，色温及Ra的控制性也得到维持。
图3(d)是表示发光的色度(x、y)的图表。横轴为色度座标x，纵轴为色度座标y。可知于ES1、ES2及CS1的各者中，色度为直线地变化。即意味着，将第1荧光体21与第2荧光体31分开配置的情况下，及将两者混合的情况下，可保持发光色的控制特性。
图4(a)是表示发光的色度(x、y)的另一图表。横轴为色度座标x，纵轴为色度座标y。
图4(b)是表示平均演色评估数Ra与光束间关系的图表。横轴为平均演色评估数Ra。纵轴为光束(流明：lm)。
图4(a)及图4(b)所示的ES3中，将第1波长转换体20所含的第1荧光体(红色荧光体)的浓度设为30重量％。另一方面，CS2的波长转换体中包含的荧光体数量与ES3相同。
如图4(a)所示，ES3中色度呈直线式变化，发光色的控制性得到维持。另一方面，如图4(b)所示，光束随着Ra的变大而减少。另外，对于相同的Ra来说，ES3的光束比CS1的光束高出约15％。
如上所述，在本实施方式中，将第1荧光体21与第2荧光体31相对于发光方向(自发光体10朝第2波长转换体的方向)而横向分离配置。由此，可抑制荧光体相互间的光吸收现象，从而可提升各对象的发光效率。另外，通过向第1波长转换体分散散射体23，可提升第1荧光体的激发效率。上述第1波长转换体配置于发光体10的侧面侧。而且，在发光装置1中，可一边维持发光色的控制性一边提升光输出特性。另外，在发光装置1中，即便将第1荧光体21与第2荧光体31分离配置，也未见色斑、色乱等现象。即，可实现均匀发光。
接着，参照图5～图7，对第1实施方式的变形例的发光装置2～4进行说明。在以下的说明中，省略与发光装置1相同部分的说明，仅说明不同部分。通过相同或相似的构成要素而实现的优点，可如同发光装置1一般，同样的得以实现。
图5是表示第1实施方式的变形例的发光装置2的示意剖视图。在发光装置2中，第1波长转换体20虽包含第1荧光体21，但不包含散射体23。该例中，从发光体10放射的1次光L1及从第2荧光体31放射的2次光L2一边被反射器45的内表面及基底40的上表面40a反射，一边于第1波长转换体20的内部传播。由此，1次光L1及2次光L2被第1荧光体21吸收的概率变高，可提升第1荧光体21的激发效率。
图6是表示第1实施方式的变形例的发光装置3的示意剖视图。在发光装置3中，在发光体10与反射器45之间设有透明树脂层50，它包围发光体10的侧面10c。透明树脂层50将透过发光体10的1次光L1、第2荧光体31的2次光L2及第1荧光体的2次光L3，包含氧化硅填料或氧化钛等散射体51。
第2波长转换体30设于发光体10的第1面10a上。第1波长转换体20是以包围发光体10的方式，设于第2波长转换体30与透明树脂层50之间的。
于该例中，从发光体10的侧面10c放射的1次光L1通过散射体51的散射、及反射器45及基底40的上表面40a的反射，而朝向第1波长转换体20传播。第1波长转换体20所含的第1荧光体21通过从透明树脂层50入射的1次光L1、及从第2波长转换体30侧入射的第2荧光体31的2次光L2而效率良好地被激发。由此，可提升发光装置3的光输出。
图7是表示第1实施方式的变形例的发光装置4的示意剖视图。在发光装置4中，是在基底60上安装发光体10。基底60包含框架61、63、及包围发光体10的反射器65。基底60及反射器65包含将发光体10的放射光(1次光)反射的材料。
发光体10是安装于基底60的上表面60a上。在发光体10的侧面10c与反射器65之间设有第1波长转换体20。在发光体10的第1面10a上设有第2波长转换体30。
而且，在该例中，设有覆盖第2波长转换体30及反射器65的一部分的透镜67。透镜67是使用例如透明树脂形成。透镜67使发光体10的1次光、及从第1荧光体21及第2荧光体31放射的2次光聚光。即，通过使用透镜67，可控制发光装置4的配向特性。
[第2实施方式]
图8是表示第2实施方式的发光装置5的示意剖视图。
发光装置5具备发光体110、包围该发光体110的侧面110c的第1波长转换体20、及设于发光体110的第1面110a上的第2波长转换体30。
发光体110包含例如n型半导体层103、p型半导体层105、及发光层107。发光层107设于n型半导体层103与p型半导体层105之间。
于发光体110的与第1面110a为相反侧的第2面上，设有树脂层140、p电极120、及n电极130。p电极120是以贯通树脂层140的方式而设，且电连接于p型半导体层105。n电极130是以贯通树脂层140的方式而设，且电连接于n型半导体层103。
于发光体110中，对p电极120与n电极130之间施加电压，发光层107通过在它们之间流通的电流而发光。而且，发光层107的放射光是作为1次光而向外部放射。
第1波长转换体20是例如树脂，且包含第1荧光体21。第2波长转换体30是例如覆盖第1面110a及第1波长转换体20的树脂层，且包含第2荧光体31。
于该例中，从发光体110的侧面110c放射的1次光是在第1波长转换体20的内部传播，激发第1荧光体21。另一方面，从发光体110的第1面放射的1次光是在第2波长转换体30的内部传播，激发第2荧光体31。这样，在将第1荧光体21与第2荧光体31分离而配置的结构中，可以抑制荧光体间的相互吸收，从而有效率地激发各者。由此，可提升发光装置5的发光效率。
以上，对第1实施方式及第2实施方式的发光装置1～5进行了说明，但实施方式并非限定于这些例。例如，第1荧光体21及第2荧光体31也可以分别包含多种荧光体。例如，第1荧光体21可包含红色荧光体及橙色荧光体，第2荧光体31可包含黄色荧光体及绿色荧光体。
另外，从发光体10、110放射的1次光并不限于蓝色光，例如也可以为紫外光。在此情况下，第2波长转换体30理想的是包含例如蓝色荧光体。
虽对本发明的若干实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子而提示的，并不意图限定发明的范围。这些新颖的实施方式可以通过其他各种形态实施，在不脱离发明主旨的范围内可进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包含于发明的范围及主旨，且包含于权利要求所记载的发明及其均等范围内。
[符号的说明]
1～5       发光装置
10、110    发光体
10a、110a  第1面
10b        第2面
10c、110c  侧面
13、15     金属线
20         第1波长转换体
21              第1荧光体
23、51          散射体
30              第2波长转换体
31              第2荧光体
40、60          基底
40a、60a        上表面
41、43、61、63  框架
45、65          反射器
50              透明树脂层
67              透镜
103n            型半导体层
105             p型半导体层
107             发光层
120             p电极
130             n电极
140             树脂层

Claims (5)

1.一种发光装置，其特征在于包括：
发光体，包含第1面、与所述第1面相反侧的第2面、以及侧面；
第1波长转换体，沿着所述侧面而设于所述发光体周围，且包含第1荧光体，该第1荧光体由所述发光体放射的1次光激发，而放射出与所述1次光波长相异的2次光；以及
第2波长转换体，设于所述第1面上的至少一部分，并包含放射出波长不同于所述1次光以及所述2次光的另一2次光的第2荧光体。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于从所述第1荧光体放射出的2次光的峰波长是长于从所述第2荧光体放射出的2次光的峰波长。
3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于所述第1波长转换体包含使所述1次光散射的散射体。
4.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于更包括反射材，该反射材包围所述发光体，将所述1次光反射，且在从所述发光体朝所述第2波长转换体的方向具有开口；且
所述第2波长转换体设于所述发光体与所述反射材之间。
5.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于更包括基底，其设于所述第2面侧且将所述1次光反射；且
所述发光体是安装于所述基底上的。
CN201410444280.5A 2014-03-14 2014-09-03 发光装置 Pending CN104916753A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-051247 2014-03-14
JP2014051247A JP2015176960A (ja) 2014-03-14 2014-03-14 発光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104916753A true CN104916753A (zh) 2015-09-16

Family

ID=54069891

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410444280.5A Pending CN104916753A (zh) 2014-03-14 2014-09-03 发光装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20150263243A1 (zh)
JP (1) JP2015176960A (zh)
CN (1) CN104916753A (zh)
TW (1) TW201535797A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109841721A (zh) * 2017-11-28 2019-06-04 首尔半导体股份有限公司 发光二极管封装体及其制造方法
CN109844970A (zh) * 2016-07-28 2019-06-04 亮锐有限责任公司 具有反射侧覆层的发光器件封装
CN111211206A (zh) * 2015-09-18 2020-05-29 新世纪光电股份有限公司 发光装置及其制造方法

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3022779B1 (en) * 2013-07-19 2020-03-18 Lumileds Holding B.V. Pc led with optical element and without substrate carrier
EP3064166B1 (de) * 2015-03-06 2018-07-04 Schott AG Hermetisch abgedichtete led-leuchte sowie verfahren zur herstellung einer hermetisch abgedichteten led-leuchte
KR102360957B1 (ko) * 2015-03-27 2022-02-11 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드 패키지
DE102016112275B4 (de) 2016-07-05 2022-10-06 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum herstellen einer optoelektronischen leuchtvorrichtung und optoelektronische leuchtvorrichtung
US10193043B2 (en) 2016-07-28 2019-01-29 Lumileds Llc Light emitting device package with reflective side coating
JP6955135B2 (ja) 2016-10-19 2021-10-27 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
JP6597657B2 (ja) 2017-01-24 2019-10-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE102017111426A1 (de) * 2017-05-24 2018-11-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements
KR102593592B1 (ko) * 2018-05-04 2023-10-25 엘지이노텍 주식회사 조명 장치
JP7057508B2 (ja) * 2019-03-28 2022-04-20 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7285439B2 (ja) * 2020-11-30 2023-06-02 日亜化学工業株式会社 面状光源
WO2023107883A1 (en) * 2021-12-10 2023-06-15 Lumileds Llc Phosphor converted leds with improved light uniformity including discrete light-scattering layers

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101752483A (zh) * 2008-12-15 2010-06-23 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 发光二极管
CN102903706A (zh) * 2011-07-29 2013-01-30 Lg伊诺特有限公司 发光器件封装件及使用其的照明系统
WO2013144834A1 (en) * 2012-03-30 2013-10-03 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device with wavelength converting side coat

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100643442B1 (ko) * 1996-06-26 2006-11-10 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자
JP5044329B2 (ja) * 2007-08-31 2012-10-10 株式会社東芝 発光装置
JP2010074117A (ja) * 2007-12-07 2010-04-02 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光装置
TW200932035A (en) * 2008-01-04 2009-07-16 Lighthouse Technology Co Ltd Light-emitting element
JP5766386B2 (ja) * 2008-08-29 2015-08-19 株式会社東芝 発光デバイス及び発光装置
JP5416946B2 (ja) * 2008-11-05 2014-02-12 株式会社東芝 蛍光体溶液
JP5226774B2 (ja) * 2009-07-27 2013-07-03 株式会社東芝 発光装置
KR100986560B1 (ko) * 2010-02-11 2010-10-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
JP5129283B2 (ja) * 2010-03-09 2013-01-30 株式会社東芝 蛍光体、蛍光体の製造方法、発光装置及び発光モジュール
KR101867106B1 (ko) * 2010-03-30 2018-06-12 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 Led용 수지 부착 리드 프레임, 반도체 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 led용 수지 부착 리드 프레임의 제조 방법
JP5325834B2 (ja) * 2010-05-24 2013-10-23 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
JP4875185B2 (ja) * 2010-06-07 2012-02-15 株式会社東芝 光半導体装置
JP2012028501A (ja) * 2010-07-22 2012-02-09 Toshiba Corp 発光装置
US20130154478A1 (en) * 2010-08-25 2013-06-20 Sharp Kabushiki Kaisha Organic light emitting device and antistatic method for the same
EP2613371B1 (en) * 2010-08-31 2019-04-24 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacturing same
US9070851B2 (en) * 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
KR20120062302A (ko) * 2010-12-06 2012-06-14 삼성엘이디 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR101812168B1 (ko) * 2011-04-19 2017-12-26 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 이용한 발광 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101752483A (zh) * 2008-12-15 2010-06-23 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 发光二极管
CN102903706A (zh) * 2011-07-29 2013-01-30 Lg伊诺特有限公司 发光器件封装件及使用其的照明系统
WO2013144834A1 (en) * 2012-03-30 2013-10-03 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device with wavelength converting side coat
CN104205374A (zh) * 2012-03-30 2014-12-10 皇家飞利浦有限公司 具有波长转换侧面涂层的发光器件

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111211206A (zh) * 2015-09-18 2020-05-29 新世纪光电股份有限公司 发光装置及其制造方法
US10957674B2 (en) 2015-09-18 2021-03-23 Genesis Photonics Inc Manufacturing method
CN109844970A (zh) * 2016-07-28 2019-06-04 亮锐有限责任公司 具有反射侧覆层的发光器件封装
CN109841721A (zh) * 2017-11-28 2019-06-04 首尔半导体股份有限公司 发光二极管封装体及其制造方法
CN109841721B (zh) * 2017-11-28 2023-05-02 首尔半导体股份有限公司 发光二极管封装体及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20150263243A1 (en) 2015-09-17
JP2015176960A (ja) 2015-10-05
TW201535797A (zh) 2015-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104916753A (zh) 发光装置
KR101046079B1 (ko) Ｌｅｄ 소자 및 이를 이용한 ｌｅｄ 조명기구
JP5044329B2 (ja) 発光装置
US8921876B2 (en) Lighting devices with discrete lumiphor-bearing regions within or on a surface of remote elements
KR101265094B1 (ko) 백색 발광 다이오드 및 그 제조 방법
KR101974354B1 (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조 방법
JP5113820B2 (ja) 発光装置
WO2015056525A1 (ja) 発光装置
WO2013028000A2 (ko) 고전류 구동용 발광 소자
JP2011096740A (ja) 発光装置
KR100888438B1 (ko) 백색 발광소자 및 그 제조방법
JP2012059824A (ja) 発光装置
CN104124327B (zh) 发光二极管封装结构
CN105023995A (zh) 发光装置
CN107565009A (zh) Led模块
US20160056143A1 (en) Light emitting device package
JP2005302920A (ja) 発光装置
JP2009111273A (ja) 発光装置
JP4591106B2 (ja) 白色発光装置
JP2007243056A (ja) 発光装置
KR101493708B1 (ko) 백색 발광 장치
JP2008244468A (ja) 発光装置
JP2008235552A (ja) 発光装置の製造方法および発光装置
JP5341154B2 (ja) 高演色性発光ダイオードランプユニット
JP2008244469A (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20150916