JP5129283B2 - 蛍光体、蛍光体の製造方法、発光装置及び発光モジュール - Google Patents
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- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 218
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 74
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 61
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 53
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 33
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 18
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims description 7
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 51
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 45
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 45
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 20
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 16
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 6
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 5
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 4
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 4
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 4
- MAYZWDRUFKUGGP-VIFPVBQESA-N (3s)-1-[5-tert-butyl-3-[(1-methyltetrazol-5-yl)methyl]triazolo[4,5-d]pyrimidin-7-yl]pyrrolidin-3-ol Chemical compound CN1N=NN=C1CN1C2=NC(C(C)(C)C)=NC(N3C[C@@H](O)CC3)=C2N=N1 MAYZWDRUFKUGGP-VIFPVBQESA-N 0.000 description 3
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 3
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004993 emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000001683 neutron diffraction Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- XZMCDFZZKTWFGF-UHFFFAOYSA-N Cyanamide Chemical compound NC#N XZMCDFZZKTWFGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 235000005811 Viola adunca Nutrition 0.000 description 1
- 240000009038 Viola odorata Species 0.000 description 1
- 235000013487 Viola odorata Nutrition 0.000 description 1
- 235000002254 Viola papilionacea Nutrition 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-VENIDDJXSA-N lead-201 Chemical compound [201Pb] WABPQHHGFIMREM-VENIDDJXSA-N 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-FTXFMUIASA-N lead-202 Chemical compound [202Pb] WABPQHHGFIMREM-FTXFMUIASA-N 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-AHCXROLUSA-N lead-203 Chemical compound [203Pb] WABPQHHGFIMREM-AHCXROLUSA-N 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 sialon Chemical compound 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
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- C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
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- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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Description
4価の金属元素からなる群から選択される金属元素M1を含む化合物と、
In(III)およびGa(III)を除く3価の金属元素からなる群から選択される金属元素M2を含む化合物と、
M1、M2、In(III)およびGa(III)とは異なる金属元素からなる群から選択される金属元素Mを含む化合物と、
前記のいずれの金属元素とも異なる発光中心元素ECを含む化合物と、
In(III)およびGa(III)からなる群から選択される金属元素Lを含む化合物との混合物を焼成する工程を行うことを特徴とする、波長250〜500nmの光で励起した際に波長570〜650nmの間にピークを有する発光を示す蛍光体を製造するためのものである。
4価の金属元素からなる群から選択される金属元素M1を含む化合物と、
In(III)およびGa(III)を除く3価の金属元素からなる群から選択される金属元素M2を含む化合物と、
M1、M2、In(III)およびGa(III)とは異なる金属元素からなる群から選択される金属元素Mを含む化合物と、
前記のいずれの金属元素とも異なる発光中心元素ECを含む化合物と、
In(III)およびGa(III)からなる群から選択される金属元素Lを含む化合物との原料混合物を焼成することにより得られた、波長250〜500nmの光で励起した際に波長570〜650nmの間にピークを有する発光を示すことを特徴とするものである。
下記一般式(I):
(M1−xECx)aM1 bM2LcOdNe (I)
(式中、
M1は4価の金属元素からなる群から選択される金属元素であり、
M2は、In(III)およびGa(III)を除く3価の金属元素からなる群から選択される金属元素であり、
Lは、In(III)およびGa(III)からなる群から選択される金属元素であり、
Mは、M1、M2、In(III)およびGa(III)とは異なる金属元素からなる群から選択される金属元素であり、
ECは前記のいずれの金属元素とも異なる発光中心元素であり、
0<x<0.4,
0.65<a<0.80、
2<b<3、
0<c<0.1、
0.3<d<0.6
4<e<5である)
で表わされる組成を有し、波長250〜500nmの光で励起した際に波長570〜65
0nmの間にピークを有する発光を示すことを特徴とするものである。
250nm〜500nmの波長の光を発光する発光素子(S1)と、
前記の第一または第二の蛍光体(R)と、
前記発光素子(S1)からの照射光で励起した際に波長430〜580nmの間にピークを有する発光を示す蛍光体(G)
と、を具備することを特徴とするものである。
250nm〜430nmの波長の光を発光する発光素子(S2)と、
前記の第一または第二の蛍光体(R)と、
前記発光素子(S2)からの照射光で励起した際に波長490〜580nmの間にピークを有する発光を示す蛍光体(G)と、
前記発光素子(S2)からの照射光で励起した際に波長400〜490nmの間にピークを有する発光を示す蛍光体(B)と、
を具備することを特徴とするものである。
250nm〜500nmの波長の光を発光する発光素子(S1)と、
前記の第一または第二の蛍光体(R)と、
前記発光素子(S1)からの照射光で励起した際に波長430〜580nmの間にピークを有する発光を示す蛍光体(G)と
を具備する複数の発光装置と、
前記複数の発光装置が設置された基板とを備えることを特徴とするものである。
250nm〜430nmの波長の光を発光する発光素子(S2)と、
前記の第一または第二の蛍光体(R)と、
前記発光素子(S2)からの照射光で励起した際に波長490〜580nmの間にピークを有する発光を示す蛍光体(G)と、
前記発光素子(S2)からの照射光で励起した際に波長400〜490nmの間にピークを有する発光を示す蛍光体(B)と、
を具備する複数の発光装置と、
前記複数の発光装置が設置された基板とを備えることを特徴とするものである。
本発明の一実施態様である赤色蛍光体の製造方法の特徴の一つは、原料としてIn(III)またはGa(III)を含む化合物を用いることである。本発明に係る酸窒化物蛍光体は、いわゆるサイアロン系蛍光体といわれる、ケイ素またはそれに代わる4価金属と、アルミニウムまたはそれに代わる3価金属と、酸素と、窒素とを母体とするものである。このような酸窒化物蛍光体は、前記の元素を含む化合物を混合し、焼成することにより製造されるが、本発明においてはその原料混合物に、In(III)またはGa(III)を含む化合物が混合される。
(1)4価の金属元素からなる群から選択される金属元素M1を含む化合物
(2) In(III)およびGa(III)を除く3価の金属元素からなる群から選択される金属元素M2を含む化合物
(3) M1、M2、In(III)およびGa(III)とは異なる金属元素からなる群から選択される金属元素Mを含む化合物
(4)前記のいずれの金属元素とも異なる発光中心元素ECを含む化合物
(5) In(III)およびGa(III)からなる群から選択される金属元素Lを含む化合物
本発明による第一の赤色発光蛍光体は、前記した方法により製造された蛍光体である。すなわち、前記した原料(1)〜(4)を、原料(5)の共存下に焼成したことにより得られる、波長250〜500nmの光で励起した際に波長570〜650nmの間にピークを有する発光を示す酸窒化物蛍光体である。
(M1−xECx)aM1 bM2LcOdNe (I)
(式中、
M1は4価の金属元素からなる群から選択される金属元素であり、
M2は、In(III)およびGa(III)を除く3価の金属元素からなる群から選択される金属元素であり、
Lは、In(III)およびGa(III)からなる群から選択される金属元素であり、
Mは、M1、M2、In(III)およびGa(III)とは異なる金属元素からなる群から選択される金属元素であり、
ECは前記のいずれの金属元素とも異なる発光中心元素であり、
0<x<0.4、好ましくは0.02≦x≦0.2、
0.65<a<0.80、好ましくは0.66≦a≦0.73、
2<b<3、好ましくは2.2≦b≦2.7、
0<c<0.1、好ましくは0<c≦0.05、
0.3<d<0.6、好ましくは0.35≦d≦0.49、
4<e<5、好ましくは4.2≦e≦4.7である)
M、M1、M2、およびECは、例えば誘導結合プラズマ発光分光分析(ICP発光分光分析といわれることもある)により測定することができる。具体的には、酸窒化物蛍光体の試料を白金ルツボに計量し、アルカリ融解によって分解し、内標準元素Yを添加して測定溶液を調製し、ICP発光分光分析により測定する。測定装置には、例えばSPS−4000型ICP発光分光分析装置(エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製)を用いることができる。
本発明による発光装置は、前記した赤色発光蛍光体と、それを励起することができる発光素子とを具備するものである。
(1)基板上に設けられた、250nm〜500nmの波長の光を発光する発光素子(S1)の上に透明樹脂で半球形状のドームを形成し、その上に透明樹脂に分散した前記蛍光体(R)を塗布し、その上に透明樹脂に分散した緑色発光蛍光体(G)を塗布した積層構造を有する発光装置
(2)基板上に設けられた、250nm〜430nmの波長の光を発光する発光素子(S2)の上に透明樹脂で半球形状のドームを形成し、その上に透明樹脂に分散した前記蛍光体(R)を塗布し、その上に透明樹脂に分散した緑色発光蛍光体(G)を塗布し、さらにその上に透明樹脂に分散した青色発光蛍光体(B)を塗布した積層構造を有する発光装置
Ca,Ba,Eu)10(PO4)5Cl2、(Sr,Eu)Si9Al19ON31などが挙げられる。
出発原料としてSr3N2、EuN、Si3N4、Al2O3、AlNおよびGa2O3を用意した。これら各々2.308g、0.697g、4.583g、0.454g、1.339g、0.039gをバキュームグローブボックス中で秤量後、めのう乳鉢内で乾式混合したものを、BNるつぼに充填し、7.5気圧のN2雰囲気中、1850℃で4時間焼成することにより蛍光体を合成した。
Al2O3およびGa2O3の量をそれぞれ0.262g、0.394gに変更した以外は実施例1と同様にして、蛍光体を合成した。
出発原料としてSr3N2、EuN、Si3N4、Al2O3、AlNおよびGaNを用意した。これら各々2.308g、0.697g、4.583g、0.476g、1.322g、0.035gをバキュームグローブボックス中で秤量後、めのう乳鉢内で乾式混合したものを、BNるつぼに充填し、7.5気圧のN2雰囲気中、1850℃で4時間焼成することにより蛍光体を合成した。
AlNおよびGaNの量をそれぞれ1.167g、0.352gに変更した以外は実施例3と同様にして、蛍光体を合成した。
出発原料として、Sr3N2、EuN、Si3N4、Al2O3およびAlNを各々2.308g、0.697g、4.583g、0.476g、1.339g用いたほかは、実施例1と同様にして、設計組成が(Sr0.85Eu0.15)2Al3Si7ON13であるような蛍光体を合成した。
Sr3N2、EuNの質量を2.443g、0.465gに変更した以外は比較例1と同様の条件で、本比較例の蛍光体を合成した。設計組成が(Sr0.9Eu0.1)2Al3Si7ON13であるような蛍光体を合成した。
Sr3N2、EuNの質量を2.172g、0.929gに変更した以外は比較例1と同様の条件で、本比較例の蛍光体を合成した。設計組成が(Sr0.8Eu0.2)2Al3Si7ON13であるような蛍光体を合成した。
Sr3N2、EuNの質量を1.629g、1.859gに変更した以外は比較例1と同様の条件で、本比較例の蛍光体を合成した。設計組成が(Sr0.6Eu0.4)2Al3Si7ON13であるような蛍光体を合成した。
Sr3N2、EuNの質量を1.357g、2.324gに変更した以外は比較例1と同様の条件で、本比較例の蛍光体を合成した。設計組成が(Sr0.5Eu0.5)2Al3Si7ON13であるような蛍光体を合成した。
Sr3N2、EuNの質量を0.543g、3.718gに変更した以外は比較例1と同様の条件で、本比較例の蛍光体を合成した。設計組成が(Sr0.2Eu0.8)2Al3Si7ON13であるような蛍光体を合成した。
出発原料としてSr3N2、EuN、Si3N4、Al2O3、AlNおよびIn2O3を用意した。これら各々2.308g、0.697g、4.583g、0.262g、1.339g、0.583gをバキュームグローブボックス中で秤量後、めのう乳鉢内で乾式混合したものを、BNるつぼに充填し、7.5気圧のN2雰囲気中、1850℃で4時間焼成して、蛍光体を合成した。
0.583gのIn2O3の代わりに、0.290gのSc2O3を用いたほかは、実施例5と同様にして、蛍光体を合成した。
実施例1の蛍光体を用いて、応用実施例101の発光装置を製造した。この発光装置は図3(A)に従って製造した。具体的には、発光ピーク波長440nmの発光ダイオード301を、8mm角形状を有するAlNパッケージ基板302上に半田を用いて接合し、金ワイヤー303を介して電極に接続した。この発光ダイオード上にドーム状に透明樹脂304を塗布し、その上に実施例1の赤色発光蛍光体を混入させた透明樹脂305を層状に塗布し、その上に、透明樹脂層306、ピーク波長520nmの緑色蛍光体を混入させた透明樹脂307を順に積層塗布し、発光装置を製造した。
実施例1の蛍光体を用いて、応用実施例151の発光装置モジュールを製造した。図16は、応用実施例151の発光装置モジュールの概念図である。この発光装置モジュールは、放熱基板1601の表面に、砲弾型発光装置1600が複数配置されている。そして、この砲弾型発光装置は、図3(A)に示された構造を有するものである。この発光装置モジュールは、具体的には、以下のように製造した。まず、発光ピーク波長440nmの発光ダイオード301を16個準備した。それらを各発光ダイオードの中心部が6mmの間隔になるように放熱基板1601上に配置し、半田を使用して接合し、さらに金ワイヤー303を介して電極に接続した。この発光ダイオード上にドーム状に透明樹脂層304を形成し、その上に実施例1の赤色発光蛍光体を混入させた透明樹脂層305を層状に形成し、さらにその上に、透明樹脂層306、およびピーク波長520nmの緑色蛍光体を混入させた透明樹脂層307を順に積層塗布して、発光装置モジュールを製造した。ここでそれぞれの発光装置の上面から見た形状は円形であり、その直径は2.8mmであった。
実施例1の蛍光体を用いて、応用実施例201の発光装置を製造した。この発光装置は図3(B)に従って製造した。具体的には、発光ピーク波長390nmの発光ダイオード301を、8mm角形状を有するAlNパッケージ基板302上に半田を用いて接合し、金ワイヤー303を介して電極に接続した。この発光ダイオード上にドーム状に透明樹脂304を塗布し、その上に実施例1の赤色発光蛍光体を混入させた透明樹脂305を層状に塗布し、その上に透明樹脂306、ピーク波長520nmの緑色蛍光体を混入させた透明樹脂307、透明樹脂308を順に層状に塗布して、さらにその上にピーク波長452nmの青色蛍光体を混入させた透明樹脂309を塗布して、発光装置を製造した。
実施例1の蛍光体を用いて、応用実施例251の発光装置モジュールを製造した。図19は、応用実施例251の発光装置モジュールの概要図である。この発光装置モジュールは、放熱基板1901の表面に、砲弾型発光装置1900が複数配置されている。そして、この砲弾型発光装置は、図3(B)に示された構造を有するものである。この発光装置モジュールは、具体的には、以下のように製造した。まず、発光ピーク波長390nmの発光ダイオード301を16個準備した。それらを各発光ダイオードの中央部が6mmの間隔になるように放熱基板1901上に配置し、半田を使用して接合し、さらに金ワイヤー303を介して電極に接続した。この発光ダイオード上にドーム状に透明樹脂層304を形成し、その上に実施例1の赤色発光蛍光体を混入させた透明樹脂層305を層状に形成し、さらにその上に、透明樹脂層306、ピーク波長520nmの緑色蛍光体を混入させた透明樹脂層307、透明樹脂層308、ピーク波長452nmの青色蛍光体を混入させた透明樹脂層309を順に積層塗布して、発光装置モジュールを製造した。ここでそれぞれの発光装置の上面から見た形状は円形であり、その直径は3.0mmであった。
201、202 リード
203 樹脂部
204 反射面
205 凹部
206 発光チップ
207、208 ボンディングワイヤー
209 蛍光層
210 蛍光体
211 樹脂層
301 発光ダイオード
302 基板
303 導電性ワイヤー
304、306、308 透明樹脂層
305 赤色発光蛍光体を含む透明樹脂層
307 緑色発光蛍光体を含む透明樹脂層
309 青色発光蛍光体を含む透明樹脂層
1600、1900 発光装置
1601、1901 基板
Claims (12)
- 下記一般式(I):
(M 1−x EC x ) a M 1 b M 2 L c O d N e (I)
(式中、
M 1 はSiであり、
M 2 はAlであり、
Lは、In(III)およびGa(III)からなる群から選択される金属元素であり、
MはSrであり、
ECはEu、Ce、Mn、Tb、Yb、Dy、Sm、Tm、Pr、Nd、Pm、Ho、Er、Cr、Sn、Cu、Zn、As、Ag、Cd、Sb、Au、Hg、Tl、Pb、Bi、およびFeからなる群から選択される発光中心元素であり、
0<x<0.4,
0.65<a<0.80、
2<b<3、
0<c<0.00150、
0.3<d<0.6、
4<e<5である)
で表わされる組成を有し、波長250〜500nmの光で励起した際に波長570〜650nmの間にピークを有する発光を示す蛍光体の製造方法であって、
M1を含む化合物と、
M2を含む化合物と、
Mを含む化合物と、
ECを含む化合物と、
Lを含む化合物との混合物を焼成する工程を行うことを特徴とする、蛍光体の製造方法。 - 前記Lを含む化合物が酸化物または窒化物である、請求項1に記載の酸窒化物蛍光体の製造方法。
- 下記一般式(I):
(M 1−x EC x ) a M 1 b M 2 L c O d N e (I)
(式中、
M 1 はSiであり、
M 2 はAlであり、
Lは、In(III)およびGa(III)からなる群から選択される金属元素であり、
MはSrであり、
ECはEu、Ce、Mn、Tb、Yb、Dy、Sm、Tm、Pr、Nd、Pm、Ho、Er、Cr、Sn、Cu、Zn、As、Ag、Cd、Sb、Au、Hg、Tl、Pb、Bi、およびFeからなる群から選択される発光中心元素であり、
0<x<0.4,
0.65<a<0.80、
2<b<3、
0<c<0.00150、
0.3<d<0.6、
4<e<5である)
で表わされる組成を有し、
M1を含む化合物と、
M2を含む化合物と、
Mを含む化合物と、
ECを含む化合物と、
Lを含む化合物との混合物を焼成することにより得られた、
波長250〜500nmの光で励起した際に波長570〜650nmの間にピークを有する発光を示すことを特徴とする蛍光体。 - 250nm〜500nmの波長の光を発光する発光素子(S1)と、
下記一般式(I):
(M 1−x EC x ) a M 1 b M 2 L c O d N e (I)
(式中、
M 1 はSiであり、
M 2 はAlであり、
Lは、In(III)およびGa(III)からなる群から選択される金属元素であり、
MはSrであり、
ECはEu、Ce、Mn、Tb、Yb、Dy、Sm、Tm、Pr、Nd、Pm、Ho、Er、Cr、Sn、Cu、Zn、As、Ag、Cd、Sb、Au、Hg、Tl、Pb、Bi、およびFeからなる群から選択される発光中心元素であり、
0<x<0.4,
0.65<a<0.80、
2<b<3、
0<c<0.00150、
0.3<d<0.6、
4<e<5である)
で表わされる組成を有し、
M1を含む化合物と、
M2を含む化合物と、
Mを含む化合物と、
ECを含む化合物と、
Lを含む化合物と
の混合物を焼成することにより得られた、前記発光素子(S1)からの照射光で励起した際に波長570〜650nmの間にピークを有する発光を示す蛍光体(R)と、
前記発光素子(S1)からの照射光で励起した際に波長430〜580nmの間にピークを有する発光を示す蛍光体(G)
と、を具備することを特徴とする発光装置。 - 250nm〜430nmの波長の光を発光する発光素子(S2)と、
下記一般式(I):
(M 1−x EC x ) a M 1 b M 2 L c O d N e (I)
(式中、
M 1 はSiであり、
M 2 はAlであり、
Lは、In(III)およびGa(III)からなる群から選択される金属元素であり、
MはSrであり、
ECはEu、Ce、Mn、Tb、Yb、Dy、Sm、Tm、Pr、Nd、Pm、Ho、Er、Cr、Sn、Cu、Zn、As、Ag、Cd、Sb、Au、Hg、Tl、Pb、Bi、およびFeからなる群から選択される発光中心元素であり、
0<x<0.4,
0.65<a<0.80、
2<b<3、
0<c<0.00150、
0.3<d<0.6、
4<e<5である)
で表わされる組成を有し、
M1を含む化合物と、
M2を含む化合物と、
Mを含む化合物と、
ECを含む化合物と、
Lを含む化合物と
からなる原料混合物を焼成することにより得られた、前記発光素子(S2)からの照射光で励起した際に波長570〜650nmの間にピークを有する発光を示す酸窒化物蛍光体(R)と、
前記発光素子(S2)からの照射光で励起した際に波長490〜580nmの間にピークを有する発光を示す蛍光体(G)と、
前記発光素子(S2)からの照射光で励起した際に波長400〜490nmの間にピークを有する発光を示す蛍光体(B)と、
を具備することを特徴とする発光装置。 - 250nm〜500nmの波長の光を発光する発光素子(S1)と、
下記一般式(I):
(M 1−x EC x ) a M 1 b M 2 L c O d N e (I)
(式中、
M 1 はSiであり、
M 2 はAlであり、
Lは、In(III)およびGa(III)からなる群から選択される金属元素であり、
MはSrであり、
ECはEu、Ce、Mn、Tb、Yb、Dy、Sm、Tm、Pr、Nd、Pm、Ho、Er、Cr、Sn、Cu、Zn、As、Ag、Cd、Sb、Au、Hg、Tl、Pb、Bi、およびFeからなる群から選択される発光中心元素であり、
0<x<0.4,
0.65<a<0.80、
2<b<3、
0<c<0.00150、
0.3<d<0.6、
4<e<5である)
で表わされる組成を有し、
M1を含む化合物と、
M2を含む化合物と、
Mを含む化合物と、
ECを含む化合物と、
Lを含む化合物と
の混合物を焼成することにより得られた、波長250〜500nmの光で励起した際に波長570〜650nmの間にピークを有する発光を示す蛍光体(R)と、
前記発光素子(S1)からの照射光で励起した際に波長430〜580nmの間にピークを有する発光を示す蛍光体(G)と、
を具備する複数の発光装置と、
前記複数の発光装置が設置された基板とを備える発光装置モジュール。 - 250nm〜430nmの波長の光を発光する発光素子(S2)と、
下記一般式(I):
(M 1−x EC x ) a M 1 b M 2 L c O d N e (I)
(式中、
M 1 はSiであり、
M 2 はAlであり、
Lは、In(III)およびGa(III)からなる群から選択される金属元素であり、
MはSrであり、
ECはEu、Ce、Mn、Tb、Yb、Dy、Sm、Tm、Pr、Nd、Pm、Ho、Er、Cr、Sn、Cu、Zn、As、Ag、Cd、Sb、Au、Hg、Tl、Pb、Bi、およびFeからなる群から選択される発光中心元素であり、
0<x<0.4,
0.65<a<0.80、
2<b<3、
0<c<0.00150、
0.3<d<0.6、
4<e<5である)
で表わされる組成を有し、
M1を含む化合物と、
M2を含む化合物と、
Mを含む化合物と、
ECを含む化合物と、
Lを含む化合物と
の混合物を焼成することにより得られた、前記発光素子(S2)からの照射光で励起した際に波長570〜650nmの間にピークを有する発光を示す蛍光体(R)と、
前記発光素子(S2)からの照射光で励起した際に波長490〜580nmの間にピークを有する発光を示す蛍光体(G)と、
前記発光素子(S2)からの照射光で励起した際に波長400〜490nmの間にピークを有する発光を示す蛍光体(B)と、
を具備する複数の発光装置と、
前記複数の発光装置が設置された基板とを備える発光装置モジュール。 - 下記一般式(I):
(M1−xECx)aM1 bM2LcOdNe (I)
(式中、
M1はSiであり、
M2はAlであり、
Lは、In(III)およびGa(III)からなる群から選択される金属元素であり、
MはSrであり、
ECはEu、Ce、Mn、Tb、Yb、Dy、Sm、Tm、Pr、Nd、Pm、Ho、Er、Cr、Sn、Cu、Zn、As、Ag、Cd、Sb、Au、Hg、Tl、Pb、Bi、およびFeからなる群から選択される発光中心元素であり、
0<x<0.4,
0.65<a<0.80、
2<b<3、
0<c<0.00150、
0.3<d<0.6、
4<e<5である)
で表わされる組成を有し、波長250〜500nmの光で励起した際に波長570〜650nmの間にピークを有する発光を示すことを特徴とする、蛍光体。 - 250nm〜500nmの波長の光を発光する発光素子(S1)と、
下記一般式(I):
(M1−xECx)aM1 bM2LcOdNe (I)
(式中、
M1はSiであり、
M2はAlであり、
Lは、In(III)およびGa(III)からなる群から選択される金属元素であり、
MはSrであり、
ECは、Eu、Ce、Mn、Tb、Yb、Dy、Sm、Tm、Pr、Nd、Pm、Ho、Er、Cr、Sn、Cu、Zn、As、Ag、Cd、Sb、Au、Hg、Tl、Pb、Bi、およびFeからなる群から選択される発光中心元素であり、
0<x<0.4,
0.65<a<0.80、
2<b<3、
0<c<0.00150、
0.3<d<0.6、
4<e<5である)
で表わされる組成を有し、波長250〜500nmの光で励起した際に波長570〜650nmの間にピークを有する発光を示す蛍光体(R)と、
前記発光素子(S1)からの照射光で励起した際に波長430〜580nmの間にピークを有する発光を示す蛍光体(G)
と、を具備することを特徴とする発光装置。 - 250nm〜430nmの波長の光を発光する発光素子(S2)と、
下記一般式(I):
(M1−xECx)aM1 bM2LcOdNe (I)
(式中、
M1はSiであり、
M2はAlであり、
Lは、In(III)およびGa(III)からなる群から選択される金属元素であり、
MはSrであり、
ECは、Eu、Ce、Mn、Tb、Yb、Dy、Sm、Tm、Pr、Nd、Pm、Ho、Er、Cr、Sn、Cu、Zn、As、Ag、Cd、Sb、Au、Hg、Tl、Pb、Bi、およびFeからなる群から選択される発光中心元素であり、
0<x<0.4,
0.65<a<0.80、
2<b<3、
0<c<0.00150、
0.3<d<0.6、
4<e<5である)
で表わされる組成を有し、波長250〜500nmの光で励起した際に波長570〜650nmの間にピークを有する発光を示す蛍光体(R)と、
前記発光素子(S2)からの照射光で励起した際に波長490〜580nmの間にピークを有する発光を示す蛍光体(G)と、
前記発光素子(S2)からの照射光で励起した際に波長400〜490nmの間にピークを有する発光を示す蛍光体(B)と、
を具備することを特徴とする発光装置。 - 250nm〜500nmの波長の光を発光する発光素子(S1)と、
下記一般式(I):
(M1−xECx)aM1 bM2LcOdNe (I)
(式中、
M1はSiであり、
M2はAlであり、
Lは、In(III)およびGa(III)からなる群から選択される金属元素であり、
MはSrであり、
ECは、Eu、Ce、Mn、Tb、Yb、Dy、Sm、Tm、Pr、Nd、Pm、Ho、Er、Cr、Sn、Cu、Zn、As、Ag、Cd、Sb、Au、Hg、Tl、Pb、Bi、およびFeからなる群から選択される発光中心元素であり、
0<x<0.4,
0.65<a<0.80、
2<b<3、
0<c<0.00150、
0.3<d<0.6、
4<e<5である)
で表わされる組成を有し、波長250〜500nmの光で励起した際に波長570〜650nmの間にピークを有する発光を示す蛍光体(R)と、
前記発光素子(S1)からの照射光で励起した際に波長430〜580nmの間にピークを有する発光を示す蛍光体(G)と
を具備する複数の発光装置と、
前記複数の発光装置が設置された基板とを備える発光装置モジュール。 - 250nm〜430nmの波長の光を発光する発光素子(S2)と、
下記一般式(I):
(M1−xECx)aM1 bM2LcOdNe (I)
(式中、
M1はSiであり、
M2はAlであり、
Lは、In(III)およびGa(III)からなる群から選択される金属元素であり、
MはSrであり、
ECは、Eu、Ce、Mn、Tb、Yb、Dy、Sm、Tm、Pr、Nd、Pm、Ho、Er、Cr、Sn、Cu、Zn、As、Ag、Cd、Sb、Au、Hg、Tl、Pb、Bi、およびFeからなる群から選択される発光中心元素であり、
0<x<0.4,
0.65<a<0.80、
2<b<3、
0<c<0.00150、
0.3<d<0.6、
4<e<5である)
で表わされる組成を有し、波長250〜500nmの光で励起した際に波長570〜650nmの間にピークを有する発光を示す蛍光体(R)と、
前記発光素子(S2)からの照射光で励起した際に波長490〜580nmの間にピークを有する発光を示す蛍光体(G)と、
前記発光素子(S2)からの照射光で励起した際に波長400〜490nmの間にピークを有する発光を示す蛍光体(B)と、
を具備する複数の発光装置と、
前記複数の発光装置が設置された基板とを備える発光装置モジュール。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010051630A JP5129283B2 (ja) | 2010-03-09 | 2010-03-09 | 蛍光体、蛍光体の製造方法、発光装置及び発光モジュール |
US12/875,507 US8552437B2 (en) | 2010-03-09 | 2010-09-03 | Fluorescent substance, process for production of fluorescent substance, light-emitting device and light-emitting module |
TW099130061A TWI490310B (zh) | 2010-03-09 | 2010-09-06 | 螢光物質,製造螢光物質的方法,發光裝置以及發光模組 |
CN201010277528.5A CN102191058B (zh) | 2010-03-09 | 2010-09-07 | 荧光物质、制造荧光物质的方法、发光器件及发光模块 |
EP10251563A EP2368965A3 (en) | 2010-03-09 | 2010-09-08 | Fluorescent substance, process for production and light-emitting device using the substance |
KR1020100092279A KR101246511B1 (ko) | 2010-03-09 | 2010-09-20 | 형광 물질, 형광 물질의 제조 방법, 발광 장치 및 발광 모듈 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010051630A JP5129283B2 (ja) | 2010-03-09 | 2010-03-09 | 蛍光体、蛍光体の製造方法、発光装置及び発光モジュール |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012204801A Division JP5646567B2 (ja) | 2012-09-18 | 2012-09-18 | 蛍光体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011184577A JP2011184577A (ja) | 2011-09-22 |
JP5129283B2 true JP5129283B2 (ja) | 2013-01-30 |
Family
ID=42942169
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010051630A Active JP5129283B2 (ja) | 2010-03-09 | 2010-03-09 | 蛍光体、蛍光体の製造方法、発光装置及び発光モジュール |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8552437B2 (ja) |
EP (1) | EP2368965A3 (ja) |
JP (1) | JP5129283B2 (ja) |
KR (1) | KR101246511B1 (ja) |
CN (1) | CN102191058B (ja) |
TW (1) | TWI490310B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013119592A (ja) * | 2011-12-07 | 2013-06-17 | Toshiba Corp | 蛍光体およびそれを用いた発光装置 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011024296A1 (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-03 | 株式会社 東芝 | 蛍光体の製造方法およびそれにより製造された蛍光体 |
JP5076017B2 (ja) | 2010-08-23 | 2012-11-21 | 株式会社東芝 | 発光装置 |
JP5127965B2 (ja) * | 2010-09-02 | 2013-01-23 | 株式会社東芝 | 蛍光体およびそれを用いた発光装置 |
JP4991958B2 (ja) | 2010-09-06 | 2012-08-08 | 株式会社東芝 | 発光装置 |
JP5185421B2 (ja) | 2010-09-09 | 2013-04-17 | 株式会社東芝 | 赤色発光蛍光体およびそれを用いた発光装置 |
JP5749201B2 (ja) * | 2012-03-09 | 2015-07-15 | 株式会社東芝 | 白色発光装置 |
WO2013137434A1 (ja) * | 2012-03-16 | 2013-09-19 | 株式会社東芝 | 蛍光体、蛍光体の製造方法および発光装置 |
JPWO2013137435A1 (ja) * | 2012-03-16 | 2015-08-03 | 株式会社東芝 | 蛍光体、蛍光体の製造方法および発光装置 |
RU2641282C2 (ru) * | 2012-05-22 | 2018-01-16 | Люмиледс Холдинг Б.В. | Новые люминофоры, такие как новые узкополосные люминофоры красного свечения, для твердотельного источника света |
CN104024375B (zh) * | 2012-05-31 | 2017-05-24 | 国立研究开发法人物质·材料研究机构 | 荧光体及其制备方法、发光装置及图像显示装置 |
DE102012210083A1 (de) * | 2012-06-15 | 2013-12-19 | Osram Gmbh | Optoelektronisches halbleiterbauelement |
JP5646567B2 (ja) * | 2012-09-18 | 2014-12-24 | 株式会社東芝 | 蛍光体の製造方法 |
CN105814172B (zh) * | 2013-09-26 | 2018-01-23 | 皇家飞利浦有限公司 | 用于固态照明的新氮化铝硅酸盐磷光体 |
JP2015176960A (ja) * | 2014-03-14 | 2015-10-05 | 株式会社東芝 | 発光装置 |
CN105060328A (zh) * | 2015-08-04 | 2015-11-18 | 贵州远盛钾业科技有限公司 | 一种利用含钾岩石生产硫酸铝钾的方法 |
JP6212589B2 (ja) * | 2016-03-28 | 2017-10-11 | シャープ株式会社 | 発光装置および画像表示装置 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10133352A1 (de) | 2001-07-16 | 2003-02-06 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle |
JP4568867B2 (ja) | 2004-06-29 | 2010-10-27 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 複合窒化物蛍光体の製造方法 |
US7439668B2 (en) | 2005-03-01 | 2008-10-21 | Lumination Llc | Oxynitride phosphors for use in lighting applications having improved color quality |
US7887718B2 (en) * | 2005-03-04 | 2011-02-15 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Phosphor and manufacturing method therefore, and light emission device using the phosphor |
JP4975269B2 (ja) | 2005-04-28 | 2012-07-11 | Dowaホールディングス株式会社 | 蛍光体およびその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた発光装置 |
JP4981042B2 (ja) | 2005-06-30 | 2012-07-18 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 黄緑色を放出するルミネッセント材料を含む照明系 |
US20070052342A1 (en) * | 2005-09-01 | 2007-03-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
KR101264580B1 (ko) * | 2005-09-27 | 2013-05-14 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | 형광체 및 그 제조방법, 및 상기 형광체를 사용한 발광장치 |
EP2308946B1 (en) * | 2006-03-10 | 2013-07-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Luminescent material and light-emitting device |
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JP4869317B2 (ja) | 2008-10-29 | 2012-02-08 | 株式会社東芝 | 赤色蛍光体およびそれを用いた発光装置 |
-
2010
- 2010-03-09 JP JP2010051630A patent/JP5129283B2/ja active Active
- 2010-09-03 US US12/875,507 patent/US8552437B2/en active Active
- 2010-09-06 TW TW099130061A patent/TWI490310B/zh not_active IP Right Cessation
- 2010-09-07 CN CN201010277528.5A patent/CN102191058B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-09-08 EP EP10251563A patent/EP2368965A3/en not_active Withdrawn
- 2010-09-20 KR KR1020100092279A patent/KR101246511B1/ko active IP Right Grant
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013119592A (ja) * | 2011-12-07 | 2013-06-17 | Toshiba Corp | 蛍光体およびそれを用いた発光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI490310B (zh) | 2015-07-01 |
CN102191058B (zh) | 2014-11-05 |
CN102191058A (zh) | 2011-09-21 |
US8552437B2 (en) | 2013-10-08 |
KR101246511B1 (ko) | 2013-03-25 |
US20110220919A1 (en) | 2011-09-15 |
EP2368965A2 (en) | 2011-09-28 |
EP2368965A3 (en) | 2011-10-26 |
TW201130954A (en) | 2011-09-16 |
KR20110102120A (ko) | 2011-09-16 |
JP2011184577A (ja) | 2011-09-22 |
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