JP2013119592A - 蛍光体およびそれを用いた発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 実施形態の蛍光体は、250〜520nmの波長範囲内に発光ピークを有する光で励起した際に、570〜670nmの波長範囲内に発光ピークを示す蛍光体である。Sr2Si7Al3ON13の結晶構造と実質的に同じ結晶構造を有する母体を含み、前記母体はEuで付活されており、前記母体にはSrとCaとが、式
0.008≦MCa/(MSr+MCa)≦0.114
(ここで、MCaは、Caのモル数、MSrは、Srのモル数)で示される量的関係が満たされるように含有されていることを特徴とする。
【選択図】 なし
Description
0.008≦MCa/(MSr+MCa)≦0.114
(ここで、MCaは、Caのモル数、MSrは、Srのモル数)で示される量的関係が満たされるように含有されていることを特徴とする。
0.008≦MCa/(MSr+MCa)≦0.114
(ここで、MCaは、Caのモル数、MSrは、Srのモル数)で示される量的関係が満たされるように、SrとCaとが母体の結晶構造に含有されている。
SrとCaとが所定の量的関係を満たすように含有されていれば、Caが含有されない場合と同等の発光特性が得られる。具体的には、所定の量的関係を満たすようにSrとCaとが含有された蛍光体のピーク波長、発光効率、および温度特性は、Caが含有されていない蛍光体と比較して何等遜色ない。
すでに説明したような理由から、pは0.008≦p≦0.114であり、好ましくは0.025≦p≦0.114である。なお、前述のSrのモル数MSrおよびCaのモル数MCaを用いると、p=MCa/(MSr+MCa)と表わされる。
0<C≦0.6、 4≦D≦5
x,A,B,CおよびDは、それぞれ以下の範囲が好ましい。
2.28≦B≦2.62、 0.16≦C≦0.43、 4.08≦D≦4.64
上記表1に示した原子座標に基づくと、Sr2Si7Al3ON13の結晶構造は、図1に示すとおりとなる。図1(a)はc軸方向への投影図であり、図1(b)はb軸方向への投影図であり、図1(c)はa軸方向への投影図である。図中、301はSr原子を表わし、その周囲は、Si原子またはAl原子302、およびO原子またはN原子303で囲まれている。本実施形態においては、Sr原子の一部がCa原子304で置換されている。Sr原子301は、その一部が発光中心であるEuによっても置換されているが、Euの割合が少ないために図面には示されていない。
原料粉体として、Sr3N2、Ca3N2、EuN、Si3N4、Al2O3、およびAlNを用意し、バキュームグローブボックス中でそれぞれ秤量した。Sr3N2、Ca3N2、EuN、Si3N4、Al2O3、およびAlNの配合量は、それぞれ、2.807g、0.007g、0.149g、4.911g、0.510g、および1.435gとした。秤量された原料粉体は遊星ボールミルで乾式混合した。得られた混合物を窒化ホウ素(BN)るつぼに充填し、7.5気圧のN2雰囲気中、1850℃で0.5時間焼成した。さらに、単相の赤色発光蛍光体を得るためにいくつかの目開きの異なるふるいを用いて、乾式ふるいがけにより分級を行なった。
(R3):[(Sr0.98Ca0.02)0.97Eu0.03]2Si7Al3ON13
(R4):[(Sr0.965Ca0.035)0.97Eu0.03]2Si7Al3ON13
(R5):[(Sr0.95Ca0.05)0.97Eu0.03]2Si7Al3ON13
(R6):[(Sr0.925Ca0.075)0.97Eu0.03]2Si7Al3ON13
(R7):[(Sr0.9Ca0.1)0.97Eu0.03]2Si7Al3ON13
得られた蛍光体(R2〜R7)はいずれも、体色が橙色の粉体であり、ブラックライトで励起した結果、赤色発光が観察された。前述と同様の発光素子を用いてピーク波長450nmの光を放射して赤色発光蛍光体(R2〜R7)を励起し、得られたる発光スペクトルを、図6〜図11にそれぞれ示す。図示するように、いずれの蛍光体からも、570〜670nmの波長範囲内にピークを有する発光が確認された。発光強度は、最低でも後に示す対比較例1比で106%程度(実施例1および2)であり、最高では対比較例1比で125%(実施例7)に達している。
(H2):[(Sr0.8Ca0.2)0.97Eu0.03]2Si7Al3ON13
得られた蛍光体(H1,H2)はいずれも、体色が橙色の粉体であり、ブラックライトで励起した結果、赤色発光が観察された。前述と同様の発光素子を用いてピーク波長450nmの光を放射して赤色発光蛍光体(H1,H2)を励起し、得られた発光スペクトルを、図12および図13にそれぞれ示す。
原料粉体として、Sr3N2、Ca3N2、EuN、Si3N4、およびAlNを用意し、バキュームグローブボックス中でそれぞれ秤量した。Sr3N2、Ca3N2、EuN、Si3N4、およびAlNの配合量は、それぞれ、2.533g、0.072g、0.166g、4.911g、および1.844gとした。秤量された原料粉体は、めのう乳鉢内で乾式混合した。得られた混合物を窒化ホウ素るつぼに充填し、7.5気圧のN2雰囲気中、1800℃で1時間焼成して、本実施例の蛍光体(R8)が得られた。
Si3N4の配合量を5.086gに変更し、AlNの配合量を1.691gに変更した以外は、実施例8と同様の原料粉体を用意した。秤量された原料粉体は、めのう乳鉢内で乾式混合した。得られた混合物を窒化ホウ素るつぼに充填し、7.5気圧のN2雰囲気中で次のように焼成した。具体的には、1800℃で1時間焼成し、粉砕後るつぼに入れ直して、1800℃で0.5時間焼成を行なった。これを3回繰り返して、本実施例の蛍光体(R9)が得られた。
Sr3N2の配合量を2.667gに変更し、Ca3N2を用いない以外は実施例8と同様の原料粉体を用意した。秤量された原料粉体は、めのう乳鉢内で乾式混合した。得られた混合物を窒化ホウ素るつぼに充填し、7.5気圧のN2雰囲気中、1800℃で2時間焼成して本比較例の蛍光体(H3)を得た。蛍光体(H3)の設計組成は、(Sr0.965Eu0.035)1.9Si7Al3N14である。
Sr3N2の配合量を2.667gに変更し、Ca3N2を用いない以外は実施例9と同様の原料粉体を用意した。比較例3と同様の焼成方法により、本比較例の蛍光体(H4)を得た。蛍光体(H4)の設計組成は、(Sr0.965Eu0.035)1.9Si7.25Al2.75N14である。
出発原料としてSr3N2、Mg3N2、EuN、Si3N4、Al2O3、およびAlNを用意し、バキュームグローブボックス中でそれぞれ秤量した。Sr3N2、Mg3N2、EuN、Si3N4、Al2O3、およびAlNの配合量は、それぞれ、2.765g、0.020g、0.149g、4.911g、0.510g、および1.435gとした。秤量された原料粉体は、遊星ボールミルで乾式混合した。得られた混合物を窒化ホウ素(BN)るつぼに充填し、7.5気圧のN2雰囲気中、1850℃で0.5時間焼成した。さらに、単相の赤色発光蛍光体を得るためにいくつかの目開きの異なるふるいを用いて、乾式ふるいがけにより分級を行なった。
104…反射面; 105…凹部; 106…発光チップ
107…ボンディングワイヤー; 108…ボンディングワイヤー; 109…蛍光層
110…蛍光体; 111…樹脂層; 301…Sr原子
302…Si原子またはAl原子; 303…O原子またはN原子。
Claims (7)
- 250〜520nmの波長範囲内に発光ピークを有する光で励起した際に、570〜670nmの波長範囲内に発光ピークを示す蛍光体であって、Sr2Si7Al3ON13の結晶構造と実質的に同じ結晶構造を有する母体を含み、前記母体はEuで付活されており、前記母体にはSrとCaとが、式
0.008≦MCa/(MSr+MCa)≦0.114
(ここで、MCaは、Caのモル数、MSrは、Srのモル数)で示される量的関係が満たされるように含有されていることを特徴とする蛍光体。 - 前記蛍光体のX線回折パターンは、15.1±0.1°,23.0±0.1°,24.9±0.15°,25.7±0.2°,26.0±0.15°,29.4±0.1°,31.0±0.1°,31.7±0.15°,33.1±0.15°,33.6±0.15°,34.0±0.15°,34.4±0.2°,35.2±0.25°,36.1±0.1°,36.6±0.15°,37.3±0.2°,40.6±0.2°,および56.6±0.25°のいずれか10個の回折角度(2θ)にピークを有することを特徴とする請求項1に記載の蛍光体。
- 前記蛍光体は、下記組成式(1)で表わされる組成を有することを特徴とする請求項1または2に記載の蛍光体。
[(Sr1-pCap)1-xEux]ASiBAlOCND (1)
(ここで、p,x,A,B,CおよびDは、それぞれ以下の範囲内である。
0.008≦p≦0.114、 0<x≦0.4, 0.55≦A≦0.8
2≦B≦3、 0<C≦0.6、 4≦D≦5) - 250〜520nmの波長範囲内に発光ピークを有する光を発し、定常駆動時のピーク波長が初期駆動時のピーク波長より6nm以上長くなる発光素子と、
前記発光素子からの光を受けて赤色発光する蛍光体を含有する蛍光層とを具備し、前記赤色発光蛍光体は、請求項1乃至3のいずれか1項に記載の蛍光体を含むことを特徴とする発光装置。 - 前記発光素子は、380〜490nmの波長範囲内に発光ピークを有する光を発し、
前記蛍光層は、前記発光素子からの光を受けて緑色に発光する緑色発光蛍光体をさらに含有することを特徴とする請求項4に記載の発光装置。 - 前記発光素子は、380〜490nmの波長範囲内に発光ピークを有する光を発し、
前記蛍光層は、前記発光素子からの光を受けて黄色に発光する黄色発光蛍光体をさらに含有することを特徴とする請求項4に記載の発光装置。 - 前記発光素子は、250〜430nmの波長範囲内に発光ピークを有する光を発し、
前記蛍光層は、前記発光素子からの光を受けて緑色に発光する緑色発光蛍光体と、前記発光素子からの光を受けて青色に発光する青色発光蛍光体とをさらに含有することを特徴とする請求項4に記載の発光装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020198397A (ja) * | 2019-06-04 | 2020-12-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5185421B2 (ja) * | 2010-09-09 | 2013-04-17 | 株式会社東芝 | 赤色発光蛍光体およびそれを用いた発光装置 |
JP2014177586A (ja) * | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Toshiba Corp | 蛍光体、およびその製造方法、ならびにその蛍光体を用いた発光装置 |
JP6645429B2 (ja) * | 2014-08-07 | 2020-02-14 | 三菱ケミカル株式会社 | 蛍光体、発光装置、画像表示装置及び照明装置 |
JP2016060845A (ja) * | 2014-09-18 | 2016-04-25 | 株式会社東芝 | 蛍光体、蛍光体の製造方法、およびそれを用いた発光装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010098141A1 (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-02 | 日亜化学工業株式会社 | 蛍光体及びその製造方法並びにこれを用いた発光装置 |
WO2011024296A1 (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-03 | 株式会社 東芝 | 蛍光体の製造方法およびそれにより製造された蛍光体 |
JP4869317B2 (ja) * | 2008-10-29 | 2012-02-08 | 株式会社東芝 | 赤色蛍光体およびそれを用いた発光装置 |
JP5129283B2 (ja) * | 2010-03-09 | 2013-01-30 | 株式会社東芝 | 蛍光体、蛍光体の製造方法、発光装置及び発光モジュール |
JP5259770B2 (ja) * | 2011-05-02 | 2013-08-07 | 株式会社東芝 | 赤色蛍光体の製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004115633A (ja) | 2002-09-25 | 2004-04-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 珪酸塩蛍光体およびそれを用いた発光装置 |
WO2007105631A1 (ja) | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | 蛍光体および発光装置 |
JP5241131B2 (ja) | 2007-04-27 | 2013-07-17 | 三菱電機株式会社 | 誘導電動機およびその回転子に挿入された二次導体 |
US9112562B2 (en) * | 2008-09-02 | 2015-08-18 | Intel Corporation | Techniques utilizing adaptive codebooks for beamforming in wireless networks |
JP4991958B2 (ja) * | 2010-09-06 | 2012-08-08 | 株式会社東芝 | 発光装置 |
JP4929413B2 (ja) * | 2010-09-07 | 2012-05-09 | 株式会社東芝 | 発光装置 |
US8414795B2 (en) | 2010-09-09 | 2013-04-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Red light-emitting fluorescent substance and light-emitting device employing the same |
-
2011
- 2011-12-07 JP JP2011268212A patent/JP5865688B2/ja active Active
-
2012
- 2012-08-31 US US13/601,070 patent/US8974697B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4869317B2 (ja) * | 2008-10-29 | 2012-02-08 | 株式会社東芝 | 赤色蛍光体およびそれを用いた発光装置 |
WO2010098141A1 (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-02 | 日亜化学工業株式会社 | 蛍光体及びその製造方法並びにこれを用いた発光装置 |
WO2011024296A1 (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-03 | 株式会社 東芝 | 蛍光体の製造方法およびそれにより製造された蛍光体 |
JP5129283B2 (ja) * | 2010-03-09 | 2013-01-30 | 株式会社東芝 | 蛍光体、蛍光体の製造方法、発光装置及び発光モジュール |
JP5259770B2 (ja) * | 2011-05-02 | 2013-08-07 | 株式会社東芝 | 赤色蛍光体の製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020198397A (ja) * | 2019-06-04 | 2020-12-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP7319528B2 (ja) | 2019-06-04 | 2023-08-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8974697B2 (en) | 2015-03-10 |
JP5865688B2 (ja) | 2016-02-17 |
US20130234585A1 (en) | 2013-09-12 |
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