JP5076017B2 - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5076017B2 JP5076017B2 JP2011177804A JP2011177804A JP5076017B2 JP 5076017 B2 JP5076017 B2 JP 5076017B2 JP 2011177804 A JP2011177804 A JP 2011177804A JP 2011177804 A JP2011177804 A JP 2011177804A JP 5076017 B2 JP5076017 B2 JP 5076017B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphor
- light
- layer
- emitting device
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/0883—Arsenides; Nitrides; Phosphides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
- C09K11/77348—Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
Description
(M1−x1Eux1)3−ySi13−zAl3+zO2+uN21−w (1)
(上記一般式(1)中、MはIA族元素、IIA族元素、IIIA族元素、Alを除くIIIB族元素、希土類元素、およびIVB族元素から選択される元素である。x1、y、z、u、wは、次の関係を満たす。0<x1<1、−0.1<y<0.3、−3<z≦1、−3<u−w≦1.5)
(M1−x1Eux1)3−ySi13−zAl3+zO2+uN21−w (1)
(上記一般式(1)中、MはIA族元素、IIA族元素、IIIA族元素、Alを除くIIIB族元素、希土類元素、およびIVB族元素から選択される元素である。Euは、発光中心元素である。x1、y、z、u、wは、次の関係を満たす。0<x1<1、−0.1<y<0.3、−3<z≦1、−3<u−w≦1.5)
(M’1−x2Eux2)aSibAlOcNd (2)
(上記一般式(2)中、M’はIA族元素、IIA族元素、IIIA族元素、Alを除くIIIB族元素、希土類元素、およびIVB族元素から選択される元素であり、Euは、発光中心元素である。x2、a、b、c、dは、次の関係を満たす。0<x≦1、0.55<a<0.95、2.0<b<3.9、0<c<0.6、4<d<5.7)
本実施の形態の発光装置は、基板上に設けられ、波長250nm乃至500nmの光を発する発光素子と、発光素子上に配置された蛍光体層を備え、蛍光体層が下記一般式(1)で表わされる組成を有し、かつ、平均粒径が12μm以上の蛍光体を含む。
(M1−x1Eux1)3−ySi13−zAl3+zO2+uN21−w (1)
(上記一般式(1)中、MはIA族元素、IIA族元素、IIIA族元素、Alを除くIIIB族元素、希土類元素、およびIVB族元素から選択される元素であり、Euは、発光中心元素である。x1、y、z、u、wは、次の関係を満たす。0<x1<1、−0.1<y<0.3、−3<z≦1、−3<u−w≦1.5)
(M’1−x2Eux2)aSibAlOcNd (2)
(上記一般式(2)中、M’はIA族元素、IIA族元素、IIIA族元素、Alを除くIIIB族元素、希土類元素、およびIVA族元素から選択される元素であり、Euは発光中心元素である。x2、y、z、u、wは、次の関係を満たす。0<x2<1、0.55<a<0.95、2.0<b<3.9、0<c<0.6、4<d<5.7)
(M1−x1Eux1)3−ySi13−zAl3+zO2+uN21−w (1)
(上記一般式(1)中、MはIA族元素、IIA族元素、IIIA族元素、Alを除くIIIB族元素、希土類元素、およびIVB族元素から選択される元素であり、Euは、発光中心元素である。x1、y、z、u、wは、次の関係を満たす。0<x1<1、−0.1<y<0.3、−3<z≦1、−3<u−w≦1.5)
(M1−x1Eux1)3−ySi13−zAl3+zO2+uN21−w (1)
(上記一般式(1)中、MはIA族元素、IIA族元素、IIIA族元素、Alを除くIIIB族元素、希土類元素、およびIVB族元素から選択される元素であり、Euは、発光中心元素である。x1、y、z、u、wは、次の関係を満たす。0<x1<1、−0.1<y<0.3、−3<z≦1、−3<u−w≦1.5)
本実施の形態の発光装置は、透明樹脂層、第1の蛍光体層、第2の蛍光体層、透明樹脂層からなる積層膜が、個々のLEDチップ上に個別に形成されるのではなく、複数のLEDチップを一括して覆うシート状に形成される点以外は、第1の実施の形態と同様である。したがって、第1の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。
本実施の形態の発光装置の製造方法は、図3に示す第1の実施の形態の発光装置を製造する別の製造方法である。
(M1−x1Eux1)3−ySi13−zAl3+zO2+uN21−w (1)
(上記一般式(1)中、MはIA族元素、IIA族元素、IIIA族元素、Alを除くIIIB族元素、希土類元素、およびIVB族元素から選択される元素であり、Euは、発光中心元素である。x1、y、z、u、wは、次の関係を満たす。0<x1<1、−0.1<y<0.3、−3<z≦1、−3<u−w≦1.5)
本実施の形態の発光装置の製造方法は、図5に示す第2の実施の形態の発光装置を製造する別の製造方法である。
本実施の形態の発光装置は、半球の形状をしている透明樹脂層16、第1の蛍光体層18、第2の蛍光体層20、透明樹脂層22からなる4層構造の積層膜が変形可能な樹脂シート上に形成される点で、第1の実施の形態の発光装置と異なっている。第1の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。
(M’1−x2Eux2)aSibAlOcNd (2)
(上記一般式(2)中、M’はIA族元素、IIA族元素、IIIA族元素、Alを除くIIIB族元素、希土類元素、およびIVB族元素から選択される元素であり、Euは、発光中心元素である。x2、a、b、c、dは、次の関係を満たす。0<x2<1、0.55<a<0.95、2.0<b<3.9、0<c<0.6、4<d<5.7)
(M1−x1Eux1)3−ySi13−zAl3+zO2+uN21−w (1)
(上記一般式(1)中、MはIA族元素、IIA族元素、IIIA族元素、Alを除くIIIB族元素、希土類元素、およびIVA族元素から選択される元素であり、Euは、発光中心元素である。x1、y、z、u、wは、次の関係を満たす。0<x1<1、−0.1<y<0.3、−3<z≦1、−3<u−w≦1.5)
(M1−x1Eux1)3−ySi13−zAl3+zO2+uN21−w (1)
(上記一般式(1)中、MはIA族元素、IIA族元素、IIIA族元素、Alを除くIIIB族元素、希土類元素、およびIVB族元素から選択される元素であり、Euは、発光中心元素である。x1、y、z、u、wは、次の関係を満たす。0<x1<1、−0.1<y<0.3、−3<z≦1、−3<u−w≦1.5)
本実施の形態の発光装置は、透明樹脂層、第1の蛍光体層、第2の蛍光体層、透明樹脂層からなる積層膜が、個々のLEDチップ上に個別に形成されるのではなく、複数のLEDチップを一括して覆うシート状に形成される点以外は、第5の実施の形態と同様である。したがって、第5の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。
本実施の形態の発光装置の製造方法は、図9に示す第5の実施の形態の発光装置を製造する別の製造方法である。
(M1−x1Eux1)3−ySi13−zAl3+zO2+uN21−w (1)
(上記一般式(1)中、MはIA族元素、IIA族元素、IIIA族元素、Alを除くIIIB族元素、希土類元素、およびIVB族元素から選択される元素であり、Euは、発光中心元素である。x1、y、z、u、wは、次の関係を満たす。0<x1<1、−0.1<y<0.3、−3<z≦1、−3<u−w≦1.5)
本実施の形態の発光装置の製造方法は、図11に示す第6の実施の形態の発光装置を製造する別の製造方法である。
本実施の形態の発光装置は、基板が凹曲面型であること以外は第5の実施の形態と同様である。したがって、第5の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。
本実施の形態の発光装置は、透明樹脂層、第1の蛍光体層、第2の蛍光体層、透明樹脂層からなる積層膜が、個々のLEDチップ上に個別に形成されるのではなく、複数のLEDチップを一括して覆うシート状に形成される点以外は、第9の実施の形態と同様である。したがって、第9の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。
本実施の形態の発光装置は、基板が凸曲面型であること以外は第5の実施の形態と同様である。したがって、第5の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。
(第12の実施の形態)
本実施の形態の発光装置は、透明樹脂層、第1の蛍光体層、第2の蛍光体層、透明樹脂層からなる積層膜が、個々のLEDチップ上に個別に形成されるのではなく、複数のLEDチップを一括して覆うシート状に形成される点以外は、第11の実施の形態と同様である。したがって、第11の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。
本実施の形態の発光装置は、基板が円筒型であること以外は第5の実施の形態と同様である。したがって、第5の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。
(第14の実施の形態)
本実施の形態の発光装置は、透明樹脂層、第1の蛍光体層、第2の蛍光体層、透明樹脂層からなる積層膜が、個々のLEDチップ上に個別に形成されるのではなく、複数のLEDチップを一括して覆うシート状に形成される点以外は、第13の実施の形態と同様である。したがって、第13の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。
図9に示した第5の実施の形態の発光装置を、図10を用いて説明した第5の実施の形態の発光装置の製造方法を用いて製造した。この際、表1の実施例1の欄に示した組成、ピーク波長、平均粒径を有する緑色蛍光体を第2の蛍光体層に適用した。また、表2の実施例1の欄に示した組成、ピーク波長、平均粒径を有する赤色蛍光体を第1の蛍光体層に提供した。このようにして得られた、実施例1の発光装置を800mAで駆動したときに得られた全光束を、積分球を用いて評価を行った。結果を表3に示す。なお、ピーク波長の評価は蛍光体単体に青色LEDによる励起光を照射し、発光する光の波長を測定した。
表1の実施例2〜6の欄に示した組成、ピーク波長、平均粒径を有する緑色蛍光体を第2の蛍光体層に適用し、表2の実施例2〜6の欄に示した組成、ピーク波長を有する赤色蛍光体を第1の蛍光体層に提供すること以外は、実施例1と同様の方法で発光装置を製造した。また、実施例1と同様の評価を行った。結果を表3に示す。
表1の比較例1、2の欄に示した組成、ピーク波長、平均粒径を有する緑色蛍光体を第2の蛍光体層に適用し、表2の比較例1、2の欄に示した組成、ピーク波長を有する赤色蛍光体を第1の蛍光体層に適用すること以外は、実施例1と同様の方法で発光装置を製造した。また、実施例1と同様の評価を行った。結果を表3に示す。
図9に示した第5の実施の形態の発光装置を、図13を用いて説明した第7の実施の形態の発光装置の製造方法を用いて製造した。この際、表4の実施例7の欄に示した組成、ピーク波長、平均粒径を有する緑色蛍光体を第2の蛍光体層に適用した。また、表5の実施例7の欄に示した組成、ピーク波長を有する赤色蛍光体を第1の蛍光体層に適用した。
表4の実施例8〜12の欄に示した組成、ピーク波長、平均粒径を有する緑色蛍光体を第2の蛍光体層に適用し、および、表5の実施例8〜12の欄に示した組成、ピーク波長を有する赤色蛍光体を第1の蛍光体層に適用すること以外は、実施例7と同様の方法で発光装置を製造した。また、実施例7と同様の評価を行った。結果を表6に示す。
表4の比較例3の欄に示した組成、ピーク波長、平均粒径を有する緑色蛍光体を第2の蛍光体層に適用し、表5の比較例3の欄に示した組成、ピーク波長、平均粒径を有する赤色蛍光体を第1の蛍光体層に適用すること以外は、実施例7と同様の方法で発光装置を製造した。また、実施例7と同様の評価を行った。結果を表6に示す。
図9に示した第5の実施の形態の発光装置を、図13を用いて説明した第7の実施の形態の発光装置の製造方法を用いて製造することを試みた。この際、表7の比較例4〜6の欄に示した組成、ピーク波長、平均粒径を有する緑色蛍光体を第2の蛍光体層に適用することを試みた。また、表8の比較例4〜6の欄に示した組成、ピーク波長、平均粒径を有する赤色蛍光体を第1の蛍光体層に適用することを試みた。
図11に示した第6の実施の形態の発光装置を、図12を用いて説明した第6の実施の形態の発光装置の製造方法を用いて製造した。この際、表9の実施例13の欄に示した組成、ピーク波長、平均粒径を有する緑色蛍光体を第2の蛍光体層に適用した。また、表10の実施例13の欄に示した組成、ピーク波長を有する赤色蛍光体を第1の蛍光体層に適用した。
により形成する。その後、樹脂シート50を大気中、常圧で、150℃で30分保持することにより硬化させ、第2の蛍光体層層20を形成する。これにより、透明樹脂層16、第1の蛍光体層18、第2の蛍光体層層20の積層膜の形状は平面状となっている。
表9の実施例14〜18の欄に示した組成、ピーク波長、平均粒径を有する緑色蛍光体を第2の蛍光体層に適用し、表10の実施例14〜18の欄に示した組成、ピーク波長を有する赤色蛍光体を第1の蛍光体層に適用すること以外は、実施例19と同様の方法で発光装置を製造した。また、実施例13と同様の評価を行った。結果を表11に示す。
表9の比較例7の欄に示した組成、ピーク波長、平均粒径を有する緑色蛍光体を第2の蛍光体層に適用し、表10の比較例7の欄に示した組成、ピーク波長、平均粒径を有する赤色蛍光体を第1の蛍光体層に適用すること以外は、実施例13と同様の方法で発光装置を製造した。また、実施例13と同様の評価を行った。結果を表11に示す。
図11に示した第6の実施の形態の発光装置を、図14を用いて説明した第8の実施の形態の発光装置の製造方法を用いて製造した。この際、表12の実施例19の欄に示した組成、ピーク波長、平均粒径を有する緑色蛍光体を第2の蛍光体層に適用した。また、表13の実施例19の欄に示した組成、ピーク波長を有する赤色蛍光体を第1の蛍光体層に適用した。
表12の実施例20〜24の欄に示した組成、ピーク波長、平均粒径を有する緑色蛍光体を第2の蛍光体層に適用し、表13の実施例20〜24の欄に示した組成、ピーク波長、平均粒径を有する赤色蛍光体を第1の蛍光体層に適用すること以外は、実施例19と同様の方法で発光装置を製造した。また、実施例19と同様の評価を行った。結果を表14に示す。
表12の比較例8の欄に示した組成、ピーク波長、平均粒径を有する緑色蛍光体を第2の蛍光体層に適用し、表13の比較例8の欄に示した組成、ピーク波長、平均粒径を有する赤色蛍光体を第1の蛍光体層に適用すること以外は、実施例19と同様の方法で発光装置を製造した。また、実施例19と同様の評価を行った。結果を表14に示す。
図11に示した第6の実施の形態の発光装置を、図14を用いて説明した第8の実施の形態の発光装置の製造方法を用いて製造することを試みた。この際、表15の比較例9〜11の欄に示した組成、ピーク波長、平均粒径を有する緑色蛍光体を第2の蛍光体層に適用することを試みた。また、表16の比較例9〜11の欄に示した組成、ピーク波長を有する赤色蛍光体を第1の蛍光体層に適用することを試みた。
表17の実施例25〜29の欄に示した組成、ピーク波長、平均粒径を有する緑色蛍光体を第2の蛍光体層に適用し、表18の実施例25〜29の欄に示した組成、ピーク波長を有する赤色蛍光体を第1の蛍光体層に適用すること以外は、実施例1と同様の方法で発光装置を製造した。また、実施例1と同様の評価を行った。結果を表19に示す。
表17の比較例12、13の欄に示した組成、ピーク波長、平均粒径を有する緑色蛍光体を第2の蛍光体層に適用し、表18の比較例12、13の欄に示した組成、ピーク波長を有する赤色蛍光体を第1の蛍光体層に適用すること以外は、実施例1と同様の方法で発光装置を製造した。また、実施例1と同様の評価を行った。結果を表19に示す。
12 LEDチップ
14 ワイヤ
16 透明樹脂層
18 第1の蛍光体層
20 第2の蛍光体層
22 透明樹脂層
Claims (4)
- 青色光を発する発光素子と、
前記発光素子上に配置された蛍光体層を備え、
前記蛍光体層が下記一般式(1)で表わされる組成を有し、青色光で励起した際、波長490〜580nmの間にピークを有する発光を示し、板状粒子で、かつ、平均粒径が12μm以上の蛍光体を含むことを特徴とする発光装置。
(M1−x1Eux1)3−ySi13−zAl3+zO2+uN21−w (1)
(上記一般式(1)中、MはIA族元素、IIA族元素、IIIA族元素、Alを除くIIIB族元素、希土類元素、およびIVB族元素から選択される元素である。x1、y、z、u、wは、次の関係を満たす。
0<x1<1、
−0.1<y<0.3、
−3<z≦1、
−3<u−w≦1.5) - 前記平均粒径が20μm以上であることを特徴とする請求項1記載の発光装置。
- 前記平均粒径が50μm以上であることを特徴とする請求項1記載の発光装置。
- 前記発光素子上に、下記一般式(2)で表わされる組成を有し、青色光で励起した際、波長580〜700nmの間にピークを有する発光を示す蛍光体を含む蛍光体層が配置されることを特徴とする請求項1ないし請求項3いずれか一項記載の発光装置。
(M’1−x2Eux2)aSibAlOcNd (2)
(上記一般式(2)中、M’はIA族元素、IIA族元素、IIIA族元素、Alを除くIIIB族元素、希土類元素、およびIVB族元素から選択される元素である。x2、a、b、c、dは、次の関係を満たす。
0<x2<1、
0.55<a<0.95
2.0<b<3.9、
0<c<0.6、
4<d<5.7)
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011177804A JP5076017B2 (ja) | 2010-08-23 | 2011-08-16 | 発光装置 |
US13/214,410 US8937328B2 (en) | 2010-08-23 | 2011-08-22 | Light emitting device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010186548 | 2010-08-23 | ||
JP2010186548 | 2010-08-23 | ||
JP2011177804A JP5076017B2 (ja) | 2010-08-23 | 2011-08-16 | 発光装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012093748A Division JP5740344B2 (ja) | 2010-08-23 | 2012-04-17 | 発光装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012109531A JP2012109531A (ja) | 2012-06-07 |
JP5076017B2 true JP5076017B2 (ja) | 2012-11-21 |
Family
ID=45593361
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011177804A Active JP5076017B2 (ja) | 2010-08-23 | 2011-08-16 | 発光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8937328B2 (ja) |
JP (1) | JP5076017B2 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5592602B2 (ja) * | 2008-07-31 | 2014-09-17 | 株式会社東芝 | 蛍光体およびそれを用いた発光装置 |
JP5127965B2 (ja) * | 2010-09-02 | 2013-01-23 | 株式会社東芝 | 蛍光体およびそれを用いた発光装置 |
JP5185421B2 (ja) * | 2010-09-09 | 2013-04-17 | 株式会社東芝 | 赤色発光蛍光体およびそれを用いた発光装置 |
CN102420282B (zh) * | 2010-09-27 | 2014-07-02 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构及其制造方法 |
US8772819B2 (en) * | 2012-01-19 | 2014-07-08 | GEM Weltronics TWN Corporation | Multi-layer array type LED device |
US9039905B2 (en) * | 2012-02-17 | 2015-05-26 | 3M Innovative Properties Company | Method of forming a lighting system |
WO2014206250A1 (zh) * | 2013-06-24 | 2014-12-31 | 北京有色金属研究总院 | 荧光粉及包含其的发光装置 |
US9590148B2 (en) | 2014-03-18 | 2017-03-07 | GE Lighting Solutions, LLC | Encapsulant modification in heavily phosphor loaded LED packages for improved stability |
US9680067B2 (en) * | 2014-03-18 | 2017-06-13 | GE Lighting Solutions, LLC | Heavily phosphor loaded LED packages having higher stability |
CN105273713A (zh) | 2014-07-18 | 2016-01-27 | 三星电子株式会社 | 磷光体及其制备方法 |
JP6623577B2 (ja) * | 2015-06-30 | 2019-12-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
US9653660B1 (en) * | 2016-06-30 | 2017-05-16 | Shu-Hung Lin | Chip scale LED packaging method |
JP6773063B2 (ja) * | 2018-02-22 | 2020-10-21 | 日亜化学工業株式会社 | 透光性部材の形成方法 |
KR102646700B1 (ko) * | 2018-08-16 | 2024-03-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 조명 장치 |
DE102020115536A1 (de) | 2019-06-21 | 2020-12-24 | Lg Display Co., Ltd. | Lichtleiterfilm, Hintergrundlichteinheit und Anzeigevorrichtung |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5145934B2 (ja) | 2005-03-04 | 2013-02-20 | 三菱化学株式会社 | 蛍光体およびその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた発光装置 |
WO2006106883A1 (ja) | 2005-03-31 | 2006-10-12 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | 蛍光体、蛍光体シートおよびその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた発光装置 |
JP2005311395A (ja) * | 2005-07-14 | 2005-11-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置の製造方法 |
CN1988188A (zh) * | 2005-12-23 | 2007-06-27 | 香港应用科技研究院有限公司 | 具有荧光层结构的发光二极管晶粒及其制造方法 |
WO2007105631A1 (ja) | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | 蛍光体および発光装置 |
JP2007273562A (ja) | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
JP2008027999A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光装置の製造方法および発光装置 |
JP2008041841A (ja) * | 2006-08-03 | 2008-02-21 | Sharp Corp | 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法 |
JP2008041843A (ja) * | 2006-08-03 | 2008-02-21 | Sharp Corp | 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法 |
EP2068377B8 (en) | 2006-09-27 | 2021-12-15 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device, backlight comprising the semiconductor light emitting device, and display device |
JP5044329B2 (ja) | 2007-08-31 | 2012-10-10 | 株式会社東芝 | 発光装置 |
JP5395342B2 (ja) | 2007-09-18 | 2014-01-22 | 株式会社東芝 | 蛍光体および発光装置 |
JP5193586B2 (ja) * | 2007-12-25 | 2013-05-08 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
JP5592602B2 (ja) | 2008-07-31 | 2014-09-17 | 株式会社東芝 | 蛍光体およびそれを用いた発光装置 |
JP4881358B2 (ja) | 2008-08-28 | 2012-02-22 | 株式会社東芝 | 発光装置 |
JP4869317B2 (ja) * | 2008-10-29 | 2012-02-08 | 株式会社東芝 | 赤色蛍光体およびそれを用いた発光装置 |
JP5190475B2 (ja) | 2010-02-19 | 2013-04-24 | 株式会社東芝 | 蛍光体およびそれを用いた発光装置 |
JP5129283B2 (ja) | 2010-03-09 | 2013-01-30 | 株式会社東芝 | 蛍光体、蛍光体の製造方法、発光装置及び発光モジュール |
WO2011115032A1 (ja) * | 2010-03-18 | 2011-09-22 | 株式会社東芝 | 白色発光ランプおよびそれを用いた白色led照明装置 |
-
2011
- 2011-08-16 JP JP2011177804A patent/JP5076017B2/ja active Active
- 2011-08-22 US US13/214,410 patent/US8937328B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120043573A1 (en) | 2012-02-23 |
US8937328B2 (en) | 2015-01-20 |
JP2012109531A (ja) | 2012-06-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5076017B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5740344B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP5752650B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5138145B2 (ja) | 蛍光体積層構造及びそれを用いる光源 | |
JP5604482B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5311582B2 (ja) | Led素子並びにこのled素子を用いたバックライト装置及びディスプレー装置 | |
JP5319743B2 (ja) | 発光装置 | |
CN108305929B (zh) | 具有高显色性的白光发光装置 | |
TWI518947B (zh) | 發光裝置 | |
JP5677377B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2010129906A (ja) | 表示装置用照明装置及び表示装置 | |
JP4929413B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5852149B2 (ja) | 発光モジュール | |
JP2011159809A (ja) | 白色発光装置 | |
JP2008163078A (ja) | 蛍光体及びそれを用いた発光装置 | |
JP6774747B2 (ja) | 発光モジュール | |
JP2010118620A (ja) | 発光装置 | |
JP4948015B2 (ja) | アルミン酸系青色蛍光体およびそれを用いた発光装置 | |
JP4863794B2 (ja) | 波長変換材料、その製造方法およびそれを用いた発光装置 | |
JP2017171706A (ja) | 赤色蛍光体および発光モジュール | |
JP2014224184A (ja) | 蛍光体および発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120417 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20120607 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120731 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120827 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5076017 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150831 Year of fee payment: 3 |