WO2014206250A1 - 荧光粉及包含其的发光装置 - Google Patents

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徐会兵
周小芳
赵春雷
马谦
刘元红
何华强
黄小卫
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北京有色金属研究总院
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Definitions

  • the present invention relates to the field of inorganic luminescent materials, and in particular to a phosphor and a luminescent device comprising the same.
  • BACKGROUND OF THE INVENTION As a new solid-state light source, white light LED has been widely used in lighting and display fields due to its many advantages such as high luminous efficiency, low energy consumption, long life, and no pollution. At present, the implementation of white LEDs is dominated by a single blue/ultraviolet chip composite phosphor, which is simple, easy, and relatively inexpensive. In the field of lighting, green phosphors are indispensable as an important part of the red, green and blue primary colors.
  • the red phosphor blends to produce white light, and it is important that it plays a very important role in improving the color rendering index of white LEDs.
  • the blue chip, the red phosphor and the green phosphor directly determine the range of the color gamut of the liquid crystal display, so the quality of the green phosphor also becomes a key factor affecting the quality of the liquid crystal display.
  • As an emerging nitrogen/nitrogen oxide green phosphor it has received extensive attention since its inception, and its composition is mainly Eu or Ce ion-activated Sr-Al-Si-N-0 compound.
  • a phosphor comprising an inorganic compound having a composition comprising an M element, an A element, a D element, an E element, and an R element, wherein the M element is One or two elements selected from the group consisting of Eu, Ce, Mn, Tb, Dy, and Tm, the element A is one or two elements selected from the group consisting of Mg, Ca, Sr, and Ba, and the D element is selected from the group consisting of B, One or two elements of Al, Ga, In, La, Gd, Sc, Lu, and Y, the E element is one or two elements selected from the group consisting of Si, Ge, Zr, and Hf, and the R element is selected from N , at least two elements of 0, F and C1, and the powder X of the inorganic compound on the Coka line In the ray diffraction pattern, at least in the Bragg angle (2 ⁇ ) at 27.3 ° ⁇ 28.3 °, 29.7
  • composition formula of the above inorganic compound is: M a A b DcE d Re, wherein the parameters a, b, c, d, e satisfy all of the following conditions: 0.0001 ⁇ a ⁇ 0.5, 0.5 ⁇ b ⁇ 1.5, 0.5 ⁇ c ⁇ 1.5, 3 ⁇ d ⁇ 6, 7 ⁇ e ⁇ 14.
  • the inorganic compound is a crystal structure in which a Pm crystal system is a main phase.
  • the above M element contains Eu
  • the A element contains Sr
  • the D element contains Al
  • the E element contains Si
  • the R element contains N and 0. Further, the ratio between the atomic number m of the above Sr element and the atomic number b of the A element satisfies the following condition: 0.8 m/bl. Further, the above M element is Eu, the A element is Sr, the D element is Al, the E element is Si, and the R element is N and 0. Further, the ratio between the number of N atoms and the number of atoms e of the R element satisfies the following condition: 0.5 n/e ⁇ l. Further, the ratio between the number of N atoms and the number of atoms e of the R element satisfies the following condition: 0.9 n/e ⁇ l.
  • the above inorganic compound emits visible light having a peak wavelength in the range of 510 to 550 nm by irradiation with an excitation source.
  • the above phosphor is a mixture of the inorganic compound and other crystalline phase or amorphous phase, and the other crystalline phase and the amorphous phase account for less than 20% by weight of the total mass of the mixture.
  • the inorganic compound is in a powder X-ray diffraction pattern of the Coka line, at least at a Bragg angle (2 ⁇ ) at 17.4. ⁇ 18.4. , 27.3. ⁇ 28.3. , 29.7. ⁇ 30.7. , 41.9. ⁇ 42.9. , 43.5. ⁇ 44.5.
  • a diffraction peak exists in the range, and a phase having these diffraction peaks is a main generation phase of the inorganic compound.
  • the above inorganic compound has a powder X-ray diffraction pattern on the Coka line at least at a Bragg angle (2 ⁇ ) of 17.4. ⁇ 18.4. , 27.3. ⁇ 28.3. , 29.7. ⁇ 30.7. , 35.6. ⁇ 36.6. , 37.0. ⁇ 38.0.
  • the intensity of the diffraction peak in the range of 35.6° to 36.6°, 37.0° to 38.0° of the Bragg angle (2 ⁇ ) is higher than the most in the diffraction pattern.
  • 10% of the intensity of the strong diffraction peak is preferably 10% to 30% of the intensity of the strongest diffraction peak in the diffraction pattern.
  • the diffraction peak intensity of the Bragg angle (2 ⁇ ) in the range of 36.7° to 36.8° is lower than 3% of the intensity of the strongest diffraction peak in the diffraction pattern.
  • the Bragg angle (2 ⁇ ) is 17.4. ⁇ 8.4. , 27.3. ⁇ 28.3. , 29.7. ⁇ 30.7. , 31.0° ⁇ 32.0°, 34.0° ⁇ 35.0°, 35.6. ⁇ 36.6.
  • the phase having these diffraction peaks is the main generation phase of the inorganic compound.
  • the intensity of the diffraction peak of the Bragg angle (2 ⁇ ) in the range of 31.0 ° to 32.0 ° is not higher than the intensity of the strongest diffraction peak in the diffraction pattern. 5%.
  • the inorganic compound in the powder X-ray diffraction pattern of the Coka line is at least at a Bragg angle (2 ⁇ ) of 13.4° to 14.4°, 17.4.
  • the inorganic compound in the powder X-ray diffraction pattern of the Coka line is at least at a Bragg angle (2 ⁇ ) of 13.4° to 14.4°, 15.1.
  • a light-emitting device comprising an excitation source and an illuminant, the illuminant comprising at least the phosphor.
  • the excitation light source of the above-mentioned light-emitting device is an ultraviolet, violet, or blue light emitting source.
  • FIG. 2 shows an XRD pattern of the inorganic compound prepared in Example 1.
  • FIG. 3 shows Example 1. SEM image of the prepared inorganic compound;
  • FIG. 4 shows the excitation spectrum and the emission spectrum of the inorganic compound prepared in Example 2; and
  • FIG. 5 shows the inorganic compound and silicate fluorescence prepared in Example 1-5. Comparative data on the thermal stability of powder and ⁇ -sialon phosphors. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS It should be noted that the embodiments in the present application and the features in the embodiments may be combined with each other without conflict. The invention will be described in detail below with reference to the drawings in conjunction with the embodiments.
  • the phosphor contains an inorganic compound containing a composition of an M element, an A element, a D element, an E element, and an R element, wherein the M element is one selected from the group consisting of Eu, Ce, Mn, Tb, Dy, and Tm.
  • the A element is one or two elements selected from the group consisting of Mg, Ca, Sr, Ba
  • the D element is selected from the group consisting of B, Al, Ga, In, La, Gd, Sc, Lu, and Y.
  • the E element is one or two elements selected from the group consisting of Si, Ge, Zr, and Hf
  • the R element is at least one selected from the group consisting of N, 0, F, and C1
  • the inorganic compound in the powder X-ray diffraction pattern of the Coka line at least at a Bragg angle (2 ⁇ ) at 27.3. ⁇ 28.3. , 29.7. ⁇ 30.7. , 41.9. ⁇ 42.9. , 43.5.
  • the composition formula of the above inorganic compound is: M a A b D.
  • the M element is one or two elements selected from the group consisting of Eu, Ce, Mn, Tb, Dy, Tm
  • the A element is one or two elements selected from the group consisting of Mg, Ca, Sr, Ba
  • the D element is one or two elements selected from the group consisting of B, Al, Ga, In, La, Gd, Sc, Lu, and Y
  • the E element is one or two selected from the group consisting of Si, Ge, Zr, and Hf.
  • the R element is at least two elements selected from the group consisting of N, 0, F and C1), wherein the parameters a, b, c, d, e satisfy all of the following conditions: 0.0001 ⁇ a ⁇ 0.5, 0.5 ⁇ b ⁇ 1.5, 0.5 ⁇ c ⁇ 1.5, 3 ⁇ d ⁇ 6, 7 ⁇ e ⁇ 14.
  • the M element serves as a luminescent center selected from one or two elements of Eu, Ce, Mn, Tb, Dy, and Tm.
  • a represents the content of the M element, and when the value of a is less than 0.0001, the number of luminescent centers is small, and thus the luminance of the luminescence is low.
  • the value of a is larger than 0.5, the number of luminescent center ions is too large, resulting in a shortening of the distance between the M ions, and the occurrence of concentration quenching results in a very low brightness.
  • 0.0001 ⁇ a ⁇ 0.5 and the luminescent brightness of the phosphor is relatively high at this time.
  • M is Eu
  • a preferable range of a value is: 0.03 ⁇ a ⁇ 0.1, at which time the phosphor has a better luminescent brightness.
  • the A element is one or two elements selected from the group consisting of Mg, Ca, Sr, Ba, the A element and the M element occupy the same atomic position in the inorganic compound, and b represents the A elemental element.
  • the D element is one or two elements selected from the group consisting of B, Al, Ga, In, La, Gd, Sc, Lu, and Y
  • the E element is selected from the group consisting of Si, Ge, Zr, and One or two elements in Hf
  • the R element is at least two elements selected from N, 0, F, and C1.
  • the R element can form a covalent bond with the E element, and the R element can also form a covalent bond with the D element. The presence of these covalent bonds facilitates the stability of the structure of the inorganic compound.
  • c represents the content of the D element, preferably 0.5 ⁇ c ⁇ 1.5. More preferably, 0.9 ⁇ c ⁇ 11.
  • the above inorganic compound can form a crystal phase which is more advantageous for increasing the luminance of the phosphor, and further contributes to an improvement in the luminance of the inorganic compound.
  • d represents the content of the element E, and preferably 3 ⁇ d ⁇ 6. More preferably, the content of the E element is 4.7 ⁇ d ⁇ 4.9.
  • the above inorganic compound can form a crystal phase which is more advantageous for increasing the luminance of the phosphor, and further contributes to an improvement in the luminance of the inorganic compound.
  • e represents the content of the R element, and preferably the value ranges from 7 ⁇ e ⁇ 14.
  • a more preferable range of values is: 8 ⁇ e ⁇ 10.
  • the above inorganic compound can form a crystal phase which is more advantageous for increasing the luminance of the phosphor, and further contributes to an improvement in the luminance of the inorganic compound.
  • the brightness of the obtained phosphors when the values of a, b, c, d and e are taken in different ranges is explained.
  • a more preferred range is that a, b, c, d, and e values simultaneously satisfy 0.03 ⁇ a ⁇ 0.1, 0.9 ⁇ b ⁇ l. l, 0.9 ⁇ c ⁇ l. l, 4.7 ⁇ d ⁇ 4.9, 8 ⁇ e ⁇
  • the luminance of the phosphor is relatively high.
  • the inorganic compound in the phosphor, is analyzed by a crystal structure, and the inorganic compound is obtained as a main phase of P m (the sixth space group of International Tables for Crystallography). Crystal structure.
  • the composition formula of the inorganic compound is M a A b D.
  • the network structure formed between the elements in the obtained inorganic compound is relatively stable, and the luminescent brightness and stability are good.
  • the composition formula M a A b DcE d Re of the inorganic compound it is preferable that c and d satisfy d/c>4.6, and at this time, the crystal structure formed by the D element and the E element and the R element is relatively stable, and
  • the inorganic compound has a high luminance of light emission, and more preferably: 4.7 d/c 4.9.
  • the use of an inorganic compound having such a lattice constant as a phosphor not only has a relatively high relative luminance but also has a relatively stable structure.
  • the inorganic compound having the above lattice constant includes, but is not limited to, an inorganic compound of the formula: Eu Q5 Sr Q . 95 AlSi 4 . 8 N 8 0 i.
  • a preferred M element contains Eu
  • the A element contains Sr
  • the D element contains Al
  • the E element contains Si
  • the R element contains N and 0.
  • the inorganic compound having the above elements is relatively easy to form a high-brightness phosphor.
  • the A element contains, in addition to Sr, one or two elements of Mg, Ca and Ba.
  • the addition of the elements Mg, Ca and Ba enables adjustment of the emission wavelength of the phosphor.
  • Excellent The ratio between the atomic number m of the Sr element and the atomic number b of the A element satisfies the following condition, that is, 0.8 ⁇ m/bl. Within this range, it is advantageous to increase the luminance of the phosphor.
  • the M element is Eu
  • the A element is Sr
  • the D element is Al
  • the E element is Si
  • the R element is N and 0.
  • the inorganic compound composed of the above elements is more likely to form a high-brightness phosphor.
  • a phosphor having an inorganic compound having an R element of N and 0 as a matrix is excellent in stability in high-temperature air.
  • the ratio between the number of N atoms n and the number of atoms e of the R element satisfies the following condition: 0.5 n/e ⁇ l.
  • the inorganic compound contains both N and 0, the number of atoms of N is increased to make it easier to form a stable covalent bond structure with the A1 or/and Si atoms.
  • This covalent bond structure is not easily broken at high temperatures, and the stability of the phosphor can be improved.
  • the ratio between the number of N atoms and the number of atoms e of the R element satisfies the following condition: 0.9 n/e ⁇ l, and at this time, the stability of the phosphor is higher.
  • M is an activator, preferably Eu.
  • the M element may be doped by adding a co-activator, and the coactivator ion may be one of Ce, Mn, Tb, Dy, and P Tm .
  • the ratio of the content of Eu in the M element is more than 80 mol%. Therefore, the inorganic compound emits visible light having a peak wavelength in the range of 510 to 550 nm by irradiation with an excitation source.
  • the ideal state is:
  • the phosphors contain all of the crystalline phases of the above inorganic compounds, but in the actual phosphor synthesis process, inevitably different from the inorganic
  • the other crystalline or amorphous phase of the compound forms a mixture with the inorganic compound.
  • the other crystalline phase and the amorphous phase account for less than 20% of the total mass of the mixture (integration of the inorganic compound with other crystalline phase and amorphous phase).
  • the inorganic compound has a powder X-ray diffraction pattern on the Coka line at least at a Bragg angle (2 ⁇ ) of 17.4. ⁇ 18.4. , 27.3. ⁇ 28.3. , 29.7. ⁇ 30.7. , 41.9.
  • the above inorganic compound is in a powder X-ray diffraction pattern of the Coka line, at least at a Bragg angle (2 ⁇ ) at 17.4. ⁇ 18.4. , 27.3. ⁇ 28.3. , 29.7. ⁇ 30.7. , 35.6. ⁇ 36.6. , 37.0. ⁇ 38.0.
  • the phase having these diffraction peaks is the main generation phase of the inorganic compound.
  • the intensity of the diffraction peak in the range of 35.6° to 36.6°, 37.0° to 38.0° of the Bragg angle (2 ⁇ ) is higher than the most in the diffraction pattern. 10% of the intensity of the strong diffraction peak.
  • the diffraction peak intensity of the Bragg angle (2 ⁇ ) in the range of 36.7° to 36.8° is lower than 3% of the intensity of the strongest diffraction peak in the diffraction pattern.
  • the above shows that the diffraction peak of the inorganic compound in the range of 35.6 ° to 36.6 ° and 37.0 ° to 38.0 ° does not cross, and the other side shows that the crystallization of the inorganic compound is better.
  • the inorganic compound is in a powder X-ray diffraction pattern of the Coka line, and the Bragg angle (2 ⁇ ) is 17.4. ⁇ 8.4.
  • the intensity of the diffraction peak of the Bragg angle (2 ⁇ ) in the range of 31.0 ° to 32.0 ° is higher than the intensity of the strongest diffraction peak in the diffraction pattern. %.
  • the inorganic compound is in the powder X-ray diffraction pattern of the Coka line, at least at a Bragg angle (2 ⁇ ) of 13.4 ° to 14.4 °, 17.4. ⁇ 18.4. , 27.3. ⁇ 28.3. , 29.7. ⁇ 30.7. , 31.0° ⁇ 32.0°, 34.0.
  • the phase having these diffraction peaks is the main generation phase of the inorganic compound.
  • the inorganic compound is in the powder X-ray diffraction pattern of the Coka line, at least at a Bragg angle (2 ⁇ ) of 13.4 ° to 14.4 °, 15.1. ⁇ 16.1. , 17.4. ⁇ 18.4. , 23.7. ⁇ 25.7,. 27.3. ⁇ 28.3.
  • the raw material of the M source may be one or more of a nitride, an oxide, a fluoride or a chloride of the M element; the source A is a nitride of the A element, and the D element One or more of nitrides, oxides, fluorides or chlorides; E source is one of nitrides or oxides of element E One or more; R source is provided by fluoride, chloride, oxide, nitride, nitrogen in a calcination atmosphere, etc. of the above M element, A element, D element and R element.
  • the raw material of the M source may be one or more of a nitride, an oxide, a fluoride or a chloride of the M element; the source A is a nitride of the A element, and the D element One or more of nitrides, oxides, fluorides or chlorides; E source is one of nitrides or oxides of element E One or more; R source is provided by fluor
  • the preparation method comprises: accurately weighing the raw materials according to a certain stoichiometric ratio, and calcining at 1500-1800 ° C, nitrogen and/or hydrogen atmosphere for 5-20 h to obtain a calcined product, and the calcined product is post-treated to obtain a desired inorganic substance.
  • Compounds, post-treatment processes include crushing, washing (washing or weak pickling, etc.), grading, and the like.
  • Example 1 Eu 2 0 3 is the Eu source, Sr 3 N 2 is the Sr source, A1N is the A1 source, and a-Si 3 N 4 is the Si source; according to the chemical formula of the inorganic compound Eu Q5 Sr 95 AlSi 4 . 8 N 8 The ratio of each raw material in O i is accurately weighed, and the raw materials are uniformly mixed.
  • the mixed raw materials are kept at 1750 ° C for 8 hours in a nitrogen atmosphere, and then the temperature is lowered to normal temperature.
  • the desired inorganic compound is obtained.
  • the emission spectrum and excitation spectrum of the inorganic compound powder under blue light excitation at 460 nm are shown in Fig. 1.
  • the peak wavelength is 515 nm
  • the full width at half maximum is 66.6 nm
  • the relative luminescence brightness is 131 (with the relative luminescence brightness of Example 7).
  • Table 1 The XRD pattern is shown in Figure 2.
  • the XRD-diffraction intensity is shown in Table 2.
  • the SEM data is shown in Figure 3.
  • Example 2 Eu 2 0 3 is the Eu source
  • Sr 3 N 2 is the Sr source
  • Ca 3 N 2 is the Ca source
  • A1N is the A1 source
  • a-Si 3 N 4 is the Si source
  • the chemical formula Eu 05Sr according to the inorganic compound 8Caiu5AluSi4.7N7.9O.
  • the ratio of each raw material in 2 is accurately weighed, and the raw materials are uniformly mixed.
  • the mixed raw materials are kept at 1750 ° C for 8 hours under nitrogen atmosphere, and the temperature is lowered to normal temperature.
  • the desired inorganic compound is obtained after a post-treatment process such as grinding, washing, drying, etc., and the inorganic compound has a P m crystal structure.
  • the excitation and emission spectra of the inorganic compound powder under blue light excitation at 460 nm are shown in Fig. 4.
  • the peak wavelength is 511 nm
  • the full width at half maximum is 67.0 nm
  • the relative luminance is 108.
  • the above data are shown in Table 1.
  • the XRD-diffraction intensity is shown in Table 2.
  • Examples 3-26 The preparation methods of the inorganic compounds of Examples 3-26 are basically similar to those of Example 1, except that the ratio of the selected raw materials and raw materials is different, and the obtained inorganic compounds of Examples 3-26 have the same.
  • the crystal structure of P m and the photochromic properties of the obtained inorganic compound are shown in Table 1.
  • the intensity of the XRD diffraction peak is shown in Table 2.
  • Example 27 The preparation method of the inorganic compound of Example 27 was substantially similar to that of Example 1, except that the ratio of the selected raw materials and raw materials was different, and the obtained inorganic compound of Example 27 had a crystal structure of P 222 , obtained.
  • the light color performance parameters of the inorganic compound are shown in Table 1, and the intensity of the XRD diffraction peak is shown in Table 2.
  • Table 1 Luminescence properties of inorganic compounds represented by Examples 1-27
  • Thermal Stability Test Tested by a quantum efficiency device by testing the quantum efficiency at different temperatures for excitation at 460 nm.
  • the phosphors prepared in the above Examples 1-27 of the present invention have good thermal stability to a certain extent, and the inorganic compounds prepared in combination with Examples 1-5 and silicate phosphors and ⁇ -sialon will be combined below.
  • the test results of the phosphors illustrate the thermal stability of the inorganic compound prepared by the present invention. As shown in FIG. 5, comparative data of the thermal stability of the inorganic compound prepared in Examples 1-5 with the silicate phosphor and the ⁇ -sialon phosphor are shown in FIG. 5, in which the above Example 1 is invented.
  • the thermal stability of the prepared inorganic compounds is superior to that of the silicate phosphors.
  • the thermal stability effect is Example 1 > Example 3 > Example 2 > Example 4 > Example 5.
  • the advantageous effects of using the inorganic compound prepared by the above invention as a green phosphor for a blue LED chip will be further described below in conjunction with Examples 28-30.
  • the above inorganic compound provided by the present invention can be used as a green phosphor for a blue LED chip.
  • the first embodiment will be described as an example.
  • the phosphor is uniformly dispersed in a silica gel having a refractive index of 1.41 and a transmittance of 99%, and the chip and the light conversion film are combined, and the circuit is sealed and sealed to obtain a liquid crystal backlight module having a luminous efficacy of 105.
  • the color gamut is 100%.
  • Embodiment 29 A light-emitting device adopts a blue LED chip, a NOx green inorganic compound in Example 2, and a red fluorescent substance CaAlSiN 3 :Eu.
  • the phosphor is uniformly dispersed in a silica gel having a refractive index of 1.41 and a transmittance of 99%, and the chip and the light conversion film are combined, and the circuit is sealed and sealed to obtain a liquid crystal backlight module having a luminous efficacy of 103.
  • the display color gamut is 98%.
  • Embodiment 30 A light-emitting device adopts a blue LED chip, a NOx green inorganic compound in Example 5, and a red fluorescent substance CaAlSiN 3 :Eu.
  • the display color gamut is 102%.

Abstract

本发明涉及一种荧光粉及包含其的发光装置。该荧光粉中包含无机化合物，该无机化合物具有包含M元素、A元素、D元素、E元素和R元素的组成，M元素选自Eu、Ce、Mn、Tb、Dy、Tm，A元素选自Mg、Ca、Sr和Ba，D元素选自B、Al、Ga、In、La、Gd、Sc、Lu和Y，E元素选自Si、Ge、Zr和Hf，R元素选自N、O、F和Cl中的至少两种元素，且该无机化合物在Cokα线的粉末X射线衍射图谱中，至少在布拉格角度（2θ）在27.3°～28.3°，29.7°～30.7°，41.9°～42.9°，43.5°～44.5°的范围内存在衍射峰。本发明荧光粉的提出，为绿色荧光粉的应用提供了更多的备选方案。

Description

荧光粉及包含其的发光装置 技术领域 本发明属于无机发光材料领域， 尤其涉及一种荧光粉及包含其的发光装置。 背景技术 白光 LED作为新型的固态光源， 以其高光效、 低能耗、 长寿命、 无污染等众多优 势， 在照明和显示领域得到了广泛的应用。 目前白光 LED 的实现方式以单一蓝光 /紫 外芯片复合荧光粉为主， 该方案简单、 易行且价格相对低廉。 在照明领域， 绿色荧光粉作为红、 绿、 蓝三基色中的重要组成部分不可或缺， 除 了用于补偿"蓝光 LED+YAG:Ce3+"中的绿色缺乏外， 还可以与蓝光 LED及红色荧光 粉配合产生白光， 重要的是它对白光 LED显色指数的提高起到非常重要的作用。而在 液晶背光源 LED的实现过程中， 蓝光芯片、红色荧光粉以及绿色荧光粉直接决定液晶 显示色域的范围， 因此绿色荧光粉的质量也成为影响液晶显示质量的关键因素。 作为新兴的氮 /氮氧化物绿色荧光粉自问世以来就受到了广泛关注，其组成主要为 Eu 或 Ce 离子激活的 Sr-Al-Si-N-0 化合物 。 其中包括 以下组成： MSi202N2:Eu2+(M=Ca，Sr,Ba)、M3Si6012N2:Eu2+(M=Ca,Sr,Ba)、 Ca-a-Sialon以及 β-Sialon 绿色荧光粉等。 目前， 还需要进一步对绿色荧光粉进行研究， 以为绿色荧光粉的应用提出更多的 备选方案， 进而适应于白光 LED的快速发展。 发明内容 本发明旨在提供一种荧光粉及包括其的发光设备， 以提供更多的绿色荧光粉的备 选方案。 为了实现上述目的， 根据本发明的一个方面， 提供了一种荧光粉， 其包含无机化 合物， 该无机化合物具有包含 M元素、 A元素、 D元素、 E元素和 R元素的组成， 其 中 M元素为选自 Eu、 Ce、 Mn、 Tb、 Dy、 Tm中的一种或两种元素， A元素为选自 Mg、 Ca、 Sr和 Ba中的一种或两种元素， D元素为选自 B、 Al、 Ga、 In、 La、 Gd、 Sc、 Lu和 Y中的一种或两种元素， E元素为选自 Si、 Ge、 Zr和 Hf中一种或两种元素， R 元素为选自 N、 0、 F和 C1中的至少两种元素， 且该无机化合物在 Coka线的粉末 X 射线衍射图谱中，至少在布拉格角度（2Θ)在 27.3°〜28.3°， 29.7°〜30.7°， 41.9°〜42.9°， 43.5°〜44.5°的范围内存在衍射峰，且具有这些衍射峰的相为所述无机化合物的主要生 成相。 进一步地， 上述无机化合物的组成式为： MaAbDcEdRe， 其中参数 a， b， c， d， e 满足以下所有条件： 0.0001≤a≤0.5， 0.5≤b≤1.5， 0.5≤c≤1.5， 3<d<6, 7≤e≤14。 进一步地， 上述无机化合物为以 Pm晶系为主相的晶体结构。 进一步地，上述参数 a、b、c、d禾口 e满足以下条件： 0.03≤a≤0.1， 0.9≤b≤l.l， 0.9≤c≤l.l， 4.7<d<4.9, 8≤e≤10。 进一步地，上述参数 a、 b、 c和 d满足以下条件： (a+b)： c:d= (0.8-1.2)： (0.8-1.2)： (4.8-5.2)。 进一步地， 上述参数满足以下条件： d/c>4.6。 进一步地， 上述参数满足以下条件： 4.7 d/c 4.9。 进一步地， 上述无机化合物的晶格常数分别为 a '、 b ' 和 c '， 其数值为： a ' =14.74(1)A， b ' =9.036(1) A, c' =7.461(1) A。 进一步地， 上述 M元素包含 Eu， A元素包含 Sr， D元素包含 Al， E元素包含 Si，
R元素包含 N和 0。 进一步地， 上述 Sr元素的原子数 m与 A元素的原子数 b之间的比例满足以下条 件： 0.8 m/b l。 进一步地， 上述 M元素为 Eu， A元素为 Sr， D元素为 Al， E元素为 Si， R元素 为 N和 0。 进一步地， 上述 N原子数 n与 R元素的原子数 e之间的比例满足以下条件： 0.5 n/e< l。 进一步地， 上述 N原子数 n与 R元素的原子数 e之间的比例满足以下条件： 0.9 n/e< l。 进一步地， 上述无机化合物通过激发源辐照而发射出峰值波长在 510-550nm范围 的可见光。 进一步地， 上述荧光粉是由所述无机化合物和其他结晶相或非结晶相组成的混合 物， 以及所述的其他结晶相和非结晶相占混合物总质量的比重小于 20%。 进一步地， 上述无机化合物在 Coka线的粉末 X射线衍射图谱中， 至少在布拉格 角度 ( 2Θ ) 在 17.4。〜18.4。， 27.3。〜28.3。， 29.7。〜30.7。， 41.9。〜42.9。， 43.5。〜44.5。 的范围内存在衍射峰， 且具有这些衍射峰的相为所述无机化合物的主要生成相。 进一步地， 上述无机化合物在 Coka线的粉末 X射线衍射图谱中， 至少在布拉格 角度 ( 2Θ )在 17.4。〜18.4。， 27.3。〜28.3。， 29.7。〜30.7。， 35.6。〜36.6。， 37.0。〜38.0。， 41.9°〜42.9°， 43.5°〜44.5°的范围内存在衍射峰， 且具有这些衍射峰的相为所述无机 化合物的主要生成相。 进一步地，上述无机化合物在 Coka线的粉末 X射线衍射图谱中，布拉格角度 ( 2Θ ) 在 35.6°〜36.6°， 37.0°〜38.0°的范围内的衍射峰的强度均高于该衍射图谱中最强衍射 峰的强度的 10%， 优选为该衍射图谱中最强衍射峰的强度的 10%〜30%。。 进一步地，上述无机化合物在 Coka线的粉末 X射线衍射图谱中，布拉格角度 ( 2Θ ) 在 36.7°~36.8°的范围内的衍射峰强度低于该衍射图谱中最强衍射峰的强度的 3%。 进一步地，上述无机化合物在 Coka线的粉末 X射线衍射图谱中，布拉格角度 ( 2Θ ) 在 17.4。〜 8.4。， 27.3。〜28.3。， 29.7。〜30.7。， 31.0°~32.0° , 34.0°~35.0° , 35.6。〜36.6。， 37.0°〜38.0°， 41.9°〜42.9°， 43.5°〜44.5°的范围内存在衍射峰， 且具有这些衍射峰的 相为所述无机化合物的主要生成相。 进一步地，上述无机化合物在 Coka线的粉末 X射线衍射图谱中，布拉格角度 ( 2Θ ) 在 31.0 ° ~32.0 ° 的范围内的衍射峰的强度不高于该衍射图谱中最强衍射峰的强度的 5%。 进一步地， 上述无机化合物在 Coka线的粉末 X射线衍射图谱中， 至少在布拉格 角度 ( 2Θ ) 在 13.4°~14.4° , 17.4。〜18.4。， 27.3。〜28.3。， 29.7。〜30.7。， 31.0°~32.0° , 34.0。〜35.0。， 35.6。〜36.6。， 37.0。〜38.0。， 39.3 ° -40.3 ° ， 41.9°〜42.9°， 43.5°〜44.5°， 74.3°〜75.3°的范围内存在衍射峰，且具有这些衍射峰的相为所述无机化合物的主要生 成相。 进一步地， 上述无机化合物在 Coka线的粉末 X射线衍射图谱中， 至少在布拉格 角度 ( 2Θ ) 在 13.4°~14.4° , 15.1。〜16.1。， 17.4。〜18.4。， 23.7。〜25.7， 。27.3。〜28.3。， 29.7°〜30.7°， 31.0°~32.0° , 34.0。〜35.0。， 35.6°〜36.6°， 37.0。〜38.0。， 39.3 ° -40.3 ° ， 41.9。〜42.9。， 43.5。〜44.5。， 46.5。〜47.5。， 54.6。~55.6。， 74.3。〜75.3。的范围内存在衍 射峰， 且具有这些衍射峰的相为所述无机化合物的主要生成相。 根据本发明的另一方面， 提供了一种发光装置， 包括激发源和发光体， 该发光体 至少包含上述荧光粉。 进一步地， 上述的发光装置的激发光源为紫外、 紫光、 或蓝光发射源。 应用本发明的技术方案一种荧光粉及包括其的发光设备， 为绿色荧光粉的应用提 供了更多的备选方案， 进而有利于促进白光 LED的快速发展。 附图说明 构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解， 本发明的示 意性实施例及其说明用于解释本发明， 并不构成对本发明的不当限定。 在附图中： 图 1示出了实施例 1所制备的无机化合物的激发光谱和发射光谱； 图 2示出了实施例 1所制备的无机化合物的 XRD图谱； 图 3示出了实施例 1所制备的无机化合物的 SEM图； 图 4示出了实施例 2所制备的无机化合物的激发光谱和发射光谱； 以及 图 5示出了实施例 1-5所制备的无机化合物与硅酸盐荧光粉和 β-sialon荧光粉的热 稳定性的比较数据。 具体实施方式 需要说明的是， 在不冲突的情况下， 本申请中的实施例及实施例中的特征可以相 互组合。 下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。 正如背景技术部分所介绍的， 目前还需要进一歩对绿色荧光粉进行研究， 以为绿 色荧光粉的应用提出更多的备选方案， 进而适应于白光 LED的快速发展。 为此， 本发 明的发明人提出了一种荧光粉。该荧光粉中包含无机化合物， 该无机化合物包含 M元 素、 A元素、 D元素、 E元素和 R元素的组成， 其中 M元素为选自 Eu、 Ce、 Mn、 Tb、 Dy、 Tm中的一种或两种元素， A元素为选自 Mg、 Ca、 Sr、 Ba中的一种或两种元素， D元素为选自 B、 Al、 Ga、 In、 La、 Gd、 Sc、 Lu和 Y中的一种或两种元素， E元素 为选自 Si、 Ge、 Zr和 Hf中一种或两种元素， R元素为选自 N、 0、 F和 C1中的至少 两种元素， 且该无机化合物在 Coka线的粉末 X射线衍射图谱中， 至少在布拉格角度 (2Θ)在 27.3。〜28.3。， 29.7。〜30.7。， 41.9。〜42.9。， 43.5。〜44.5。的范围内存在衍射峰， 且具有这些衍射峰的相为该无机化合物的主要生成相。 本发明所提供的上述荧光粉， 通过激发源辐照能够发射出峰值波长在 510-550nm 范围的绿色可见光。 这种绿色荧光粉的提出， 为绿色荧光粉的应用提供了更多的备选 方案， 进而有利于促进白光 LED的快速发展。 为了进一步提高荧光粉的相对发光亮度， 在本发明的一种优选实施方式中， 上述 无机化合物的组成式为： MaAbD。EdRe (其中 M元素为选自 Eu、 Ce、 Mn、 Tb、 Dy、 Tm 中的一种或两种元素， A元素为选自 Mg、 Ca、 Sr、 Ba中的一种或两种元素， D 元素为选自 B、 Al、 Ga、 In、 La、 Gd、 Sc、 Lu和 Y中的一种或两种元素， E元素为 选自 Si、 Ge、 Zr和 Hf中一种或两种元素， R元素为选自 N、 0、 F和 C1中的至少两 种元素），其中参数 a， b， c， d， e满足以下所有条件： 0.0001≤a≤0.5， 0.5≤b≤1.5， 0.5≤c≤1.5， 3<d<6, 7≤e≤14。 上述无机化合物的组成式中， M元素作为发光中心， 其选自 Eu、 Ce、 Mn、 Tb、 Dy、 Tm中的一种或两种元素。 a表示的是 M元素的含量， 当 a值小于 0.0001时， 发 光中心的数量少， 因而发光亮度低。 当 a值大于 0.5时， 发光中心离子的数量太多， 导致 M离子之间的距离缩短， 出现浓度猝灭导致亮度很低。 优选 0.0001≤a≤0.5， 此时 荧光粉的发光亮度相对较高。其中， 优选 M为 Eu， 且 a值的优选范围是： 0.03≤a≤0.1， 这时荧光粉具有更好的发光亮度。 上述无机化合物的组成式中， A元素为选自 Mg、 Ca、 Sr、 Ba中的一种或两种元 素， A元素与 M元素占据无机化合物中的同一原子位置， b表示的是 A元素的含量， 因此， A元素的取值范围直接受到 M元素的影响， 因此， b的范围优选为： 0.5≤b≤1.5; 更优选为： 0.9≤b≤l.l。 上述无机化合物的组成式中， D 元素为选自 B、 Al、 Ga、 In、 La、 Gd、 Sc、 Lu 和 Y中的一种或两种元素， E元素为选自 Si、 Ge、 Zr和 Hf中一种或两种元素， R元 素为选自 N、 0、 F和 C1中的至少两种元素。 在上述无机化合物中， R元素能够与 E 元素形成共价键， R元素同时还能够与 D元素形成共价键。 这些共价键的存在有利于 提高该无机化合物结构的稳定性。 优选地，在上述无机化合物的组成式中， c表示的是 D元素的含量，优选 0.5≤c≤1.5。 更优选 0.9≤c≤l.l。当 D元素的含量 c在该范围内， 上述无机化合物能够形成更多利于 提高荧光粉的发光亮度的晶相， 进而有利于提高该无机化合物的发光亮度。 优选地， 上述无机化合物的组成式中， d表示的是 E元素的含量， 优选 3≤d≤6。 更优选地， E元素的含量为 4.7≤d≤4.9。 当 E元素的含量 d在该范围内， 上述无机化合 物能够形成更多利于提高荧光粉的发光亮度的晶相， 进而有利于提高该无机化合物的 发光亮度。 优选地， 上述无机化合物的组成式中， e表示的是 R元素的含量， 优选该值的取 值范围是： 7≤e≤14。 当 R元素取值为 N和 0时， 其更优选的取值范围是： 8≤e≤10。 在该范围内， 上述无机化合物能够形成更多利于提高荧光粉的发光亮度的晶相， 进而 有利于提高该无机化合物的发光亮度。 在上述荧光粉中， 阐述了 a、 b、 c、 d和 e值取不同的范围时， 所获得的荧光粉的 亮度情况。更优选的范围是， a、b、c、d和 e值同时满足 0.03≤a≤0.1，0.9≤b≤l . l，0.9≤c≤l . l， 4.7<d<4.9, 8≤e≤10时， 此时， 荧光粉的发光亮度相对较高。 作为本发明的一种优选实施方式， 上述荧光粉中，无机化合物通过晶体结构解析， 得到该无机化合物为主相为 Pm (国际晶体学表 International Tables for Crystallography 的第 6空间群） 晶系的晶体结构。 在上述荧光粉中， 无机化合物的组成式 MaAbD。EdRe中， 优选参数 a、 b、 c和 d 满足以下条件： ( a+b) ： c:d= ( 0.8-1.2) ： ( 0.8-1.2) ： (4.8-5.2)。 使得参数 a、 b、 c和 d 满足上述条件时， 获得的无机化合物中各元素间形成的网络结构比较稳定， 其具有的 发光亮度较高和稳定性较好。 在上述荧光粉中，无机化合物的组成式 MaAbDcEdRe中，优选 c和 d满足 d/c>4.6， 此时， D元素和 E元素与 R元素形成的晶体结构比较稳定， 且无机化合物具有的发光 亮度较高， 更优选为： 4.7 d/c 4.9。 更优选的是， 上述无机化合物的晶格常数分别为 a '、 b ' 和 c '， 其数值为 a ' =14.74(1)A, b ' =9.036(1) A, c' =7.461(1) A。 具有这种晶格常数的无机化合物作为荧 光粉使用不仅相对亮度较高， 而且还具有结构相对稳定的效果。 具有上述晶格常数的 无机化合物包括但不限于分子式为： Eu Q5SrQ.95AlSi4.8N80 i的无机化合物。 在上述荧光粉的无机化合物的组成中， 优选的 M元素包含 Eu， A元素包含 Sr， D 元素包含 Al， E元素包含 Si， R元素包含 N和 0。 具有上述元素的无机化合物相对容 易形成高亮度的荧光粉。 其中， A元素除了包含 Sr， 同时还包含 Mg、 Ca和 Ba中的 一种或两种元素。 元素 Mg、 Ca和 Ba的添加能够对荧光粉的发射波长进行调节。 优 选， Sr元素的的原子数 m与 A元素的原子数 b之间的比例满足以下条件， 即， 0.8^ m/b l。 在该范围内， 有利于提高荧光粉的发光亮度。 在上述荧光粉的无机化合物的组成中， 优选 M元素是 Eu， A元素是 Sr， D元素 是 Al， E元素是 Si， R元素是 N和 0。 由上述元素组成的无机化合物更容易形成高亮 度的荧光粉。 尤其是， 当 R元素为 N和 0的无机化合物作为基质的荧光体在高温空 气中稳定性优异。 更为优选地， 在上述无机化合物的组成中， N原子数 n与 R元素的 原子数 e之间的比例满足以下条件： 0.5 n/e< l。在无机化合物中同时含有 N和 0的 情况下， 增加 N的原子数， 使其更容易与 A1或 /和 Si原子形成稳定的共价键结构。 这 种共价键结构在高温下不容易破坏， 能够提高荧光粉的稳定性。 尤其特别优选的是， N原子数 n与 R元素的原子数 e之间的比例满足以下条件： 0.9 n/e< l， 此时， 荧光 粉的稳定性更高。 上述荧光粉的无机化合物中， M作元素为激活剂优选是 Eu。 当然， M元素中除 了 Eu， 还可以加入共激活剂进行掺杂， 共激活剂离子可以是 Ce、 Mn、 Tb、 Dy禾 P Tm 中的一种。 此时优选 M元素中 Eu的含量的比例大于 80mol%。 因此， 无机化合物通 过激发源辐照而发射出峰值波长在 510-550nm范围的可见光。 在本发明中， 从荧光发射的观点， 理想的状态是： 荧光粉中包含的都是上述无机 化合物的结晶相， 但是， 在实际的荧光粉合成过程中， 不可避免的会出现不同于该无 机化合物的其他结晶相或非结晶相， 从而与无机化合物构成混合物。 在亮度没有明显 衰减的情况下， 所述的其他结晶相和非结晶相占混合物 （无机化合物与其他结晶相和 非结晶相的综合） 总质量的比重小于 20%。 在 X射线衍射图谱中的衍射峰的存在， 与无机化合物中生成相之间存在一定的关 联性， 通过限定射线衍射图谱中的衍射峰及衍射峰之间的峰强度比值， 有利于进一步 限定无机化合物中生成相的种类与数量， 进而优化相应无机化合物的性能。 在上述荧光粉中， 优选无机化合物在 Coka线的粉末 X射线衍射图谱中， 至少在 布拉格角度 (2Θ)在 17.4。〜18.4。， 27.3。〜28.3。， 29.7。〜30.7。， 41.9。〜42.9。， 43.5。〜 44.5°的范围内存在较强的衍射峰强度， 且具有这些衍射峰的相为所述无机化合物的主 要生成相。 优选地， 上述无机化合物在 Coka线的粉末 X射线衍射图谱中， 至少在布拉格角 度 (2Θ) 在 17.4。〜18.4。， 27.3。〜28.3。， 29.7。〜30.7。， 35.6。〜36.6。， 37.0。〜38.0。， 41.9°〜42.9°， 43.5°〜44.5°的范围内存在较强的衍射峰强度， 且具有这些衍射峰的相 为所述无机化合物的主要生成相。 优选地， 上述无机化合物在 Coka线的粉末 X射线衍射图谱中， 布拉格角度（2Θ) 在 35.6°〜36.6°， 37.0°〜38.0°的范围内的衍射峰的强度均高于该衍射图谱中最强衍射 峰的强度的 10%。 优选地， 上述无机化合物在 Coka线的粉末 X射线衍射图谱中， 布拉格角度（2Θ) 在 36.7°~36.8°的范围内的衍射峰强度低于该衍射图谱中最强衍射峰的强度的 3%。 以 上表明， 无机化合物在 35.6°〜36.6°和 37.0°〜38.0°范围内的衍射峰不存在交叉， 从另 一个侧面表明无机化合物的结晶较好。 优选地， 上述无机化合物在 Coka线的粉末 X射线衍射图谱中， 布拉格角度（2Θ) 在 17.4。〜 8.4。， 27.3。〜28.3。， 29.7。〜30.7。， 31.0°~32.0°, 34.0°~35.0°, 35.6。〜36.6。， 37.0°〜38.0°， 41.9°〜42.9°， 43.5°〜44.5°的范围内存在较强的衍射峰强度， 且具有这 些衍射峰的相为所述无机化合物的主要生成相。 优选地， 上述无机化合物在 Coka线的粉末 X射线衍射图谱中， 布拉格角度（2Θ) 在 31.0 ° ~32.0 ° 的范围内的衍射峰的强度高于该衍射图谱中最强衍射峰的强度的 5%。 优选地， 所述无机化合物在 Coka线的粉末 X射线衍射图谱中， 至少在布拉格角 度（2Θ)在 13.4°~14.4°, 17.4。〜18.4。， 27.3。〜28.3。， 29.7。〜30.7。， 31.0°~32.0°, 34.0。〜 35.0°， 35.6°〜36.6°， 37.0°〜38.0°， 39.3 ° ~40.3 ° ， 41.9°〜42.9°， 43.5°〜44.5°， 74.3°〜 75.3°的范围内存在较强的衍射峰强度， 且具有这些衍射峰的相为所述无机化合物的主 要生成相。 优选地， 所述无机化合物在 Coka线的粉末 X射线衍射图谱中， 至少在布拉格角 度（2Θ)在 13.4°~14.4°, 15.1。〜16.1。， 17.4。〜18.4。， 23.7。〜25.7，。27.3。〜28.3。， 29.7。〜 30.7°， 31.0°~32.0°, 34.0°〜35.0°， 35.6°〜36.6°， 37.0°〜38.0°， 39.3 ° ~40.3 ° ， 41.9°〜 42.9。， 43.5°〜44.5°， 46.5°〜47.5°， 54.6°~55.6°， 74.3°〜75.3°的范围内存在较强的衍 射峰强度， 且具有这些衍射峰的相为所述无机化合物的主要生成相。 以下将结合实施例 1至 30进一步说明本发明荧光粉及包含其的发光装置的有益效 果。 实施例 1至 27中无机化合物的原料： M源的原料可以为 M元素的氮化物、 氧化 物、 氟化物或氯化物中的一种或者多种； A源为 A元素的氮化物， D元素的氮化物、 氧化物、 氟化物或氯化物中的一种或者多种； E源为 E元素的氮化物或氧化物中的一 种或者多种； R源是通过上述 M元素、 A元素、 D元素和 R元素的氟化物、 氯化物、 氧化物、 氮化物、 焙烧气氛中的氮气等提供. 实施例 1至 27中无机化合物的制备方法：按照一定的化学计量比准确称取所述原 料， 在 1500-1800°C、 氮气和 /或氢气气氛中焙烧 5-20h获得焙烧产物， 焙烧产物经后 处理后得到所需要的无机化合物， 后处理过程包括破碎、 洗涤 （水洗或者弱酸洗等）、 分级等。
无机化合物发射光谱（峰值波长、半高宽、相对发光亮度）的测量：以波长为 460nm 的蓝光分别激发实施例 1-27中所表示无机化合物， 测试结果如表 1所示； Coka线的粉末 X射线衍射图谱的测量： 用 Co靶
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进行 X射线衍 射， 其测试结果如表 2所示。 实施例 1 以 Eu203为 Eu源， Sr3N2为 Sr源， A1N为 A1源， a-Si3N4为 Si源； 根据无机化合 物的化学式 Eu Q5Sr 95AlSi4.8N8O i中各原料的配比准确称取各原料， 将称好的各原料 混合均匀， 将混合好的原料在氮气气氛下， 1750°C下保温 8小时后， 将温度降至常温， 去除后， 进行研磨、 洗涤、 烘干等后处理过程后获得所需要的无机化合物。 通过晶体 结构解析， 该无机化合物具有 Pm晶体结构， 且晶格常数为 a '、 b ' 和 c '， 其数值为： a' =14.74(1)A， b ' =9.036(1) A, c' =7.461(1) A。 将无机化合物粉末在 460nm的蓝光激发下， 其发射光谱和激发光谱见图 1所示， 其峰值波长为 515nm， 半高宽为 66.6nm， 相对发光亮度为 131 (以实施例 7的相对发 光亮度为 100)， 以上数据见表 1所示， XRD 图谱见图 2所示， XRD-衍射强度见表 2 所示， 其 SEM数据见图 3所示。 实施例 2 以 Eu203为 Eu源， Sr3N2为 Sr源， Ca3N2为 Ca源， A1N为 A1源， a-Si3N4为 Si 源；根据无机化合物的化学式 Eu 05Sr 8Caiu5AluSi4.7N7.9O。.2中各原料的配比准确称取 各原料， 将称好的各原料混合均匀， 将混合好的原料在氮气气氛下， 1750°C下保温 8 小时后， 将温度降至常温， 取出后， 进行研磨、 洗涤、 烘干等后处理过程后获得所需 要的无机化合物， 该无机化合物具有 Pm晶体结构。 将无机化合物粉末在 460nm的蓝光激发下， 其激发光谱和发射光谱见图 4所示， 其峰值波长为 511nm， 半高宽为 67.0nm， 相对发光亮度为 108， 以上数据见表 1所示， XRD-衍射强度见表 2所示。 实施例 3-26 实施例 3-26无机化合物的制备方法和实施例 1的基本相似，只是所选择的原料和 原料的配比有所不同， 所获得的实施例 3-26的无机化合物都具有 Pm的晶体结构， 获 得的无机化合物的光色性能参数见表 1所示， XRD衍射峰的强度见表 2所示。 实施例 27 实施例 27无机化合物的制备方法和实施例 1的基本相似，只是所选择的原料和原 料的配比有所不同，所获得的实施例 27的无机化合物具有 P222的晶体结构， 获得的无 机化合物的光色性能参数见表 1所示， XRD衍射峰的强度见表 2所示。 表 1 实施例 1-27所表示的无机化合物的发光性能参数
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续上表
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热稳定性测试： 通过量子效率设备进行测试的， 其通过测试 460nm激发时不同温 度的量子效率。 本发明上述实施例 1-27所制备的荧光粉在一定的程度上都具有较好的热稳定性， 以下将结合实施例 1-5所制备的无机化合物与硅酸盐荧光粉和 β-sialon荧光粉的测试结 果说明本发明所制备的无机化合物的热稳定性。 如图 5所示， 在图 5中给出了实施例 1-5所制备的无机化合物与硅酸盐荧光粉和 β-sialon荧光粉的热稳定性的比较数据，其中发明上述实施例 1-5所制备的无机化合物 的热稳定性均优于硅酸盐荧光粉的热稳定性。 在这 5个实施例中， 热稳定性效果为实 施例 1 >实施例 3 >实施例 2 >实施例 4 >实施例 5。 以下将结合实施例 28-30，进一步说明利用上述本发明制备的无机化合物作为绿光 荧光粉用于蓝光 LED芯片时的有益效果。 本发明所提供的上述无机化合物均可以作为绿光荧光粉用于蓝光 LED芯片，为了 节省文字篇幅， 以下将以实施例 1为例进行说明。 实施例 28 一种发光装置， 采用蓝光 LED芯片、实施例 1中的氮氧化物绿色无机化合物和红 色荧光物质 CaAlSiN3:Eu， 前后两种荧光物质的重量比为： 绿： 红 =80: 20， 将荧光物 质均匀分散在折射率 1.41， 透射率 99%的硅胶中， 将芯片与光转换膜组合在一起， 焊 接好电路、 封结后得到液晶背光源模组， 其光效为 105， 显示色域为 100%。 实施例 29 一种发光装置， 采用采用蓝光 LED芯片、实施例 2中的氮氧化物绿色无机化合物 和红色荧光物质 CaAlSiN3:Eu， 前后两种荧光物质的重量比为： 绿： 红 =85 : 15， 将荧 光物质均匀分散在折射率 1.41，透射率 99%的硅胶中，将芯片与光转换膜组合在一起， 焊接好电路、 封结后得到液晶背光源模组， 其光效为 103， 显示色域为 98%。 实施例 30 一种发光装置， 采用采用蓝光 LED芯片、实施例 5中的氮氧化物绿色无机化合物 和红色荧光物质 CaAlSiN3:Eu， 前后两种荧光物质的重量比为： 绿： 红 =75 : 25， 将荧 光物质均匀分散在折射率 1.41，透射率 99%的硅胶中，将芯片与光转换膜组合在一起， 焊接好电路、 封结后得到液晶背光源模组， 其光效为 109， 显示色域为 102%。 以上所述仅为本发明的优选实施例而已， 并不用于限制本发明， 对于本领域的技 术人员来说， 本发明可以有各种更改和变化。 凡在本发明的精神和原则之内， 所作的 任何修改、 等同替换、 改进等， 均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims

权 利 要 求 书
1. 一种荧光粉，其包含无机化合物，其特征在于，该无机化合物具有包含 M元素、 A元素、 D元素、 E元素和 R元素的组成， 其中 M元素为选自 Eu、 Ce、 Mn、 Tb、 Dy、 Tm中的一种或两种元素， A元素为选自 Mg、 Ca、 Sr和 Ba中的一种 或两种元素， D元素为选自 B、 Al、 Ga、 In、 La、 Gd、 Sc、 Lu和 Y中的一种 或两种元素， E元素为选自 Si、 Ge、 Zr和 Hf中一种或两种元素， R元素为选 自 N、 0、 F和 C1中的至少两种元素， 且该无机化合物在 Coka线的粉末 X射 线衍射图谱中， 至少在布拉格角度（2Θ)在 27.3°〜28.3°， 29.7°〜30.7°， 41.9°〜 42.9°， 43.5°〜44.5°的范围内存在衍射峰， 且具有这些衍射峰的相为所述无机化 合物的主要生成相。
2. 根据权利要求 1 所述的荧光粉， 其特征在于， 所述无机化合物的组成式为： MaAbDcEdRe， 其中参数 a， b， c， d， e满足以下条件： 0.0001≤a≤0.5， 0.5≤b≤1.5， 0.5≤c≤1.5， 3<d<6, 7≤e≤14， 优选所述参数 a、 b、 c、 d 和 e满足以下条件： 0.03≤a<0.1 , 0.9<b≤l . l , 0.9≤c≤l . l， 4.7<d<4.9, 8≤e≤10。
3. 根据权利要求 1或 2所述的荧光粉，其特征在于，所述无机化合物为以 Pm晶系 为主相的晶体结构。
4. 根据权利要求 2所述的荧光粉， 其特征在于， 所述参数&、 b、 c和 d满足以下 条件： ( a+b ) ： c:d= ( 0.8-1.2) ： ( 0.8-1.2) ： (4.8-5.2)。
5. 根据权利要求 2所述的荧光粉，其特征在于，所述参数满足以下条件： d/c>4.6, 优选 4.7 d/c 4.9。
6. 根据权利要求 5所述的荧光粉， 其特征在于， 所述无机化合物的晶格常数分别 为 a'、 b ' 禾 P c '， 其数值为： a' =14.74(1)A， b ' =9.036(1) A, c ' =7.461(1) A。
7. 根据权利要求 2所述的荧光粉， 其特征在于， 所述 M元素包含 Eu， 所述 A元 素包含 Sr，所述 D元素包含 Al，所述 E元素包含 Si，所述 R元素包含 N和 0。
8. 根据权利要求 7所述的荧光粉，其特征在于，所述 Sr元素的原子数 m与所述 A 元素的原子数 b之间的比例满足以下条件： 0.8 m/b l。
9. 根据权利要求 7所述的荧光粉， 其特征在于， 所述 M元素为 Eu， 所述 A元素 为 Sr， 所述 D元素为 Al， 所述 E元素为 Si， 所述 R元素为 N和 0。
10. 根据权利要求 9所述的荧光粉， 其特征在于， 所述 N原子数 n与所述 R元素的 原子数 e之间的比例满足以下条件： 0.5 n/e< l， 优选 0.9 n/e< l。
11. 根据权利要求 1或 2所述的荧光粉， 其特征在于， 所述无机化合物通过激发源 辐照而发射出峰值波长在 510-550nm范围的可见光。
12. 根据权利要求 1或 2所述的荧光粉， 其特征在于， 该荧光粉是由所述无机化合 物和其他结晶相或非结晶相组成的混合物， 以及所述的其他结晶相和非结晶相 占混合物总质量的比重小于 20%。
13. 根据权利要求 1或 2所述的荧光粉， 其特征在于， 所述无机化合物在 Coka线 的粉末 X射线衍射图谱中， 至少在布拉格角度 （2Θ) 在 17.4°〜18.4°， 27.3°〜 28.3。， 29.7°〜30.7°， 41.9°〜42.9°， 43.5°〜44.5°的范围内存在衍射峰， 且具有 这些衍射峰的相为所述无机化合物的主要生成相。
14. 根据权利要 13所述的荧光粉， 其特征在于， 所述无机化合物在 Coka线的粉末 X射线衍射图谱中， 至少在布拉格角度 （2Θ) 在 17.4°〜18.4°， 27.3°〜28.3°， 29.7。〜30.7。， 35.6。〜36.6。， 37.0。〜38.0。， 41.9。〜42.9。， 43.5。〜44.5。的范围内 存在衍射峰， 且具有这些衍射峰的相为所述无机化合物的主要生成相，
优选所述无机化合物在 Coka线的粉末 X射线衍射图谱中，布拉格角度 (2Θ) 在 35.6°〜36.6°， 37.0°〜38.0°的范围内的衍射峰的强度均高于该衍射图谱中最 强衍射峰的强度的 10%， 优选为该衍射图谱中最强衍射峰的强度的 10%〜 30%。，
优选所述无机化合物在 Coka线的粉末 X射线衍射图谱中，布拉格角度 (2Θ) 在 36.7°~36.8°的范围内的衍射峰强度不高于该衍射图谱中最强衍射峰的强度的 3%。
15. 根据权利要求 14所述的荧光粉， 其特征在于， 所述无机化合物在 Coka线的粉 末 X射线衍射图谱中，布拉格角度（2Θ)在 17.4°〜18.4°， 27.3°〜28.3°， 29.7°〜 30.7° , 31.0°~32.0°, 34.0°~35.0° , 35.60〜36.6。， 37.0ο〜38.0ο， 41.90〜42.9。， 43.5°〜44.5°的范围内存在衍射峰，且具有这些衍射峰的相为所述无机化合物的 主要生成相， 优选所述无机化合物在 Coka线的粉末 X射线衍射图谱中，布拉格角度 (2Θ) 在 31.0 ° ~32.0 ° 的范围内的衍射峰的强度不高于该衍射图谱中最强衍射峰的 强度的 5%。
16. 根据权利要求 15所述的荧光粉， 其特征在于， 所述无机化合物在 Coka线的粉 末 X射线衍射图谱中， 至少在布拉格角度 （2Θ) 在 13.4°~14.4°， 17.4°〜18.4°， 27.30〜28.3。， 29.7°~30.7° , 31.0°~32.0°, 34.0ο〜35.0ο， 35.60〜36.6。， 37.0ο〜 38.0。， 39.3 ° -40.3 ° ， 41.9。〜42.9。， 43.5。〜44.5。， 74.3°〜75.3°的范围内存在 衍射峰， 且具有这些衍射峰的相为所述无机化合物的主要生成相。
17. 根据权利要求 16所述的荧光粉， 其特征在于， 所述无机化合物在 Coka线的粉 末 X射线衍射图谱中， 至少在布拉格角度 （2Θ) 在 13.4°~14.4°， 15.1°〜16.1°， 17.4°〜18.4°， 23.7°〜25.7， °27.3°〜28.3°， 29.7°〜30.7°， 31.0°~32.0°, 34.0°〜 35.0。， 35.6。〜36.6。， 37.0。〜38.0。， 39.3 ° -40.3 ° ， 41.9°〜42.9°， 43.5°〜44.5°， 46.5°〜47.5°， 54.6°~55.6°， 74.3°〜75.3°的范围内存在衍射峰， 且具有这些衍射 峰的相为所述无机化合物的主要生成相。
18. 一种发光装置， 包括激发源和发光体， 其特征在于， 该发光体至少包含权利要 求 1至 17中任一项所述的荧光粉。
19. 根据权利要求 18所述的发光装置， 其特征在于， 所述激发光源为紫外、 紫光、 或蓝光发射源。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110041920A (zh) * 2019-05-07 2019-07-23 甘肃稀土新材料股份有限公司 一种植物生长led灯用红色荧光粉及其制备方法
CN110387236B (zh) * 2019-07-22 2020-04-21 旭宇光电（深圳）股份有限公司 荧光红粉材料及其制备方法、含有荧光红粉材料的发光装置
CN112882284B (zh) * 2019-11-29 2023-03-24 隆达电子股份有限公司 光转换材料、其制造方法、包含其的发光装置及背光模组
CN113388401B (zh) * 2020-03-11 2023-08-18 隆达电子股份有限公司 波长转换物质及其制造方法与发光装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120043569A1 (en) * 2010-08-23 2012-02-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device and manufacturing method thereof
US20120043573A1 (en) * 2010-08-23 2012-02-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device and manufacturing method thereof
CN102763232A (zh) * 2010-02-16 2012-10-31 株式会社东芝 全彩液晶显示装置的背光源用的白色led、全彩液晶显示装置用的背光源及全彩液晶显示装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005048105A (ja) * 2003-07-30 2005-02-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 蛍光体組成物およびそれを用いた発光装置
JP2005272213A (ja) 2004-03-25 2005-10-06 Sumitomo Metal Mining Co Ltd リチウムコバルト酸化物の製造方法
US7443094B2 (en) * 2005-03-31 2008-10-28 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method of the same, and light emitting device using the phosphor
KR101153755B1 (ko) 2005-09-27 2012-06-13 에이지씨 세이미 케미칼 가부시키가이샤 리튬 2 차 전지 양극용의 리튬 함유 복합 산화물의 제조방법
DE102005059521A1 (de) * 2005-12-13 2007-06-14 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Rot emittierender Leuchtstoff und Lichtquelle mit einem derartigen Leuchtstoff
WO2007105631A1 (ja) * 2006-03-10 2007-09-20 Kabushiki Kaisha Toshiba 蛍光体および発光装置
KR20100084621A (ko) 2007-11-01 2010-07-27 에이지씨 세이미 케미칼 가부시키가이샤 리튬 2 차 전지 정극 활물질의 원료용 천이 금속 화합물의 조립체 분말 및 그 제조 방법
KR101417566B1 (ko) * 2010-09-16 2014-07-08 덴키 가가쿠 고교 가부시기가이샤 β형 사이알론 및 그 제조방법 및 발광 장치
KR101214234B1 (ko) * 2011-02-14 2012-12-20 삼성전자주식회사 형광체 및 이의 제조방법
JP2012201759A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Mitsubishi Chemicals Corp 窒化物系蛍光体、およびこれを用いた発光装置、並びに窒化物系蛍光体の製造方法
TW201341503A (zh) * 2012-04-02 2013-10-16 Coremax Taiwan Corp 螢光材料、含其之螢光材料組合物、及以其製得之發光裝置
CN102888218A (zh) * 2012-09-20 2013-01-23 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种M3Si6O12N2:xRe体系绿色荧光粉的制备方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102763232A (zh) * 2010-02-16 2012-10-31 株式会社东芝 全彩液晶显示装置的背光源用的白色led、全彩液晶显示装置用的背光源及全彩液晶显示装置
US20120043569A1 (en) * 2010-08-23 2012-02-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device and manufacturing method thereof
US20120043573A1 (en) * 2010-08-23 2012-02-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device and manufacturing method thereof

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
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