JP2016060844A - 蛍光体、発光装置、および蛍光体の製造方法 - Google Patents
蛍光体、発光装置、および蛍光体の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016060844A JP2016060844A JP2014190378A JP2014190378A JP2016060844A JP 2016060844 A JP2016060844 A JP 2016060844A JP 2014190378 A JP2014190378 A JP 2014190378A JP 2014190378 A JP2014190378 A JP 2014190378A JP 2016060844 A JP2016060844 A JP 2016060844A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphor
- light
- light emitting
- firing
- emitting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7715—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing cerium
- C09K11/77218—Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
Abstract
【課題】温度特性が良好であるとともに、発光スペクトル半値幅の広い黄色光を発光できる量子効率の高い蛍光体の提供。【解決手段】250〜500nmの波長範囲内に発光ピークを有する光で励起した際に、黄色光を発光し、Sr2Al3Si7ON13の結晶構造と実質的に同じ結晶構造を有する蛍光体であって、前記蛍光体のCu−Kα線を用いたBragg−Brebdano法によるX線回折において検出される、回折ピーク位置2θが35.2〜35.6の範囲内にあるピークの半値幅が0.10°以下であることを特徴する蛍光体【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、蛍光体、発光装置、および蛍光体の製造方法に関する。
白色発光装置は、例えば青色光での励起により赤色発光する蛍光体、青色光での励起により緑色発光する蛍光体、および青色LEDを組み合わせて構成される。これに対して、青色光での励起によって黄色光を発光する蛍光体を用いれば、より少ない種類の蛍光体を用いて白色発光装置を構成することができる。こうした黄色発光蛍光体としては、例えばEu付活オルソシリケート蛍光体が知られている。このような黄色蛍光体として、より実用性の高いものが望まれており、温度特性、量子効率、または発光スペクトル半値幅などの改良が検討されている。
G.Blasse,W.L.Wanmaher,J.W.terVrugt,and A.Bril,Philips Res.Repts,23,189−200,(1968)
S.H.M.Poort,W.Janssen,G.Blasse,J.Alloys and Compounds,260,93−97,(1997)
International Tables for Crystallography, Volume A: Space−group symmetry, T. Hahn編,Springer(オランダ国)発行
本発明が解決しようとする課題は、温度特性が良好であるとともに、発光スペクトル半値幅の広い黄色光を発光できる、量子効率の高い蛍光体を提供することにある。
本発明の実施形態による蛍光体は、250〜500nmの波長範囲内に発光ピークを有する光で励起した際に、500〜600nmの波長範囲内に発光ピークを示し、下記一般式(1):
((SrpM1−p)1−xCex)2yAlzSi10−zOuNw (1)
(ここで、
Mはアルカリ金属またはアルカリ土類金属の少なくともひとつであり、
0≦p≦1、
0<x≦0.2、
0.8≦y≦1.1、
2≦z≦3.5、
0<u≦1、
1.8≦z−u、
13≦u+w≦15
である)
で表される蛍光体であって、
前記蛍光体のCu−Kα線を用いたBragg−Brendano法によるX線回折において検出される、回折ピーク位置2θが35.0〜35.6°にあるピークの半値幅が0.10°以下であることを特徴とするものである。
((SrpM1−p)1−xCex)2yAlzSi10−zOuNw (1)
(ここで、
Mはアルカリ金属またはアルカリ土類金属の少なくともひとつであり、
0≦p≦1、
0<x≦0.2、
0.8≦y≦1.1、
2≦z≦3.5、
0<u≦1、
1.8≦z−u、
13≦u+w≦15
である)
で表される蛍光体であって、
前記蛍光体のCu−Kα線を用いたBragg−Brendano法によるX線回折において検出される、回折ピーク位置2θが35.0〜35.6°にあるピークの半値幅が0.10°以下であることを特徴とするものである。
以下、実施形態を具体的に説明する。
一実施形態にかかる蛍光体は、250〜500nmの波長範囲内に発光ピークを有する光で励起した際に、500〜600nmの波長範囲内に発光ピークを示すので、黄緑色から橙色にわたる領域の光を発光できる蛍光体である。この蛍光体は主として黄色の領域の光を発することから、以下においては本実施形態にかかる蛍光体を黄色発光蛍光体と称することがある。かかる蛍光体は、Sr2Al3Si7ON13の結晶構造と実質的に同じ結晶構造を有する母体を含み、この母体はCeなどの発光中心元素で付活されている。本実施形態にかかる黄色発光蛍光体の組成は、下記一般式(1)で表わされる。
(SrpM1−p)1−xCex)2yAlzSi10−zOuNw (1)
(ここで、
Mはアルカリ金属またはアルカリ土類金属の少なくともひとつであり、
0≦p≦1、
0<x≦0.2、
0.8≦y≦1.1、
2≦z≦3.5、
0<u≦1、
1.8≦z−u、
13≦u+w≦15
である)
(SrpM1−p)1−xCex)2yAlzSi10−zOuNw (1)
(ここで、
Mはアルカリ金属またはアルカリ土類金属の少なくともひとつであり、
0≦p≦1、
0<x≦0.2、
0.8≦y≦1.1、
2≦z≦3.5、
0<u≦1、
1.8≦z−u、
13≦u+w≦15
である)
上記一般式(1)に示されるように、発光中心元素Ceは蛍光体結晶を構成する金属元素の一部を置換する。Mはアルカリ金属またはアルカリ土類金属の少なくとも一つであり、好ましくは、Ba、Sr、Ca、Mg、Li、Na、およびKからなる群から選択される少なくとも一種であり、より好ましくはBa、Ca、およびMgから選ばれる少なくとも一種である。なお、蛍光体の発光特性の最適化のために、pが1であることが望ましい場合もあるが、そのような場合であっても不可避不純物として、SrまたはCe以外の金属が含まれる場合がある。このような場合には、一般に本発明の効果が十分に発揮される。 Ceは発光中心元素として機能するものである。発光中心元素としては、Ceに加えて、Tb、Eu、およびMnからなる群から選択される元素を併用することもできる。
Sr、MおよびCeの合計の0.1モル%以上がCeであれば、十分な発光効率を得ることができる。SrおよびMを含まなくてもよい(x=1)が、xが0.5未満の場合には、発光確率の低下(濃度消光)を極力抑制することができる。したがって、xは0.001以上0.5以下が好ましい。発光中心元素Ceが含有されることによって、本実施形態にかかる蛍光体は、250〜500nmの波長範囲内にピークを有する光で励起した際、黄色領域の発光、すなわち500〜600nmの波長範囲内にピークを有する発光を示す。なお、Ceの一部が、不可避不純物的な他の金属元素に置換されていても所望の特性が損なわれることはない。このような不可避不純物としては、例えば、Tb、Eu、およびMnなどが挙げられる。具体的には、Ceと不可避不純物の合計に対する不可避不純物の割合が15モル%以下であることが好ましく、10モル%以下であることがより好ましい。
yは、結晶欠陥を抑制し、効率の低下を防止するために0.8以上であり、0.85以上であることが好ましい。一方、過剰なアルカリ土類金属が異相として析出して発光効率が低下することを防ぐために1.1以下であることが必須であり、1.06以上であることが好ましい。したがって、0.8≦y≦1.1であることが必要であり、0.85≦y≦1.06であることが好ましい。
過剰なSiが異相として析出することによる発光特性の低下を防ぐために、zは2以上であることが必要であり、2.5以上であることが好ましい。一方、zが3.5を越えると、過剰なAlが異相として析出することによる発光特性の低下を防ぐために、zは3.5以下であることが必要であり、3.3以下であることが好ましい。したがって、2.0≦z≦3.5であることが必要であり、2.2≦z≦3.0であることが好ましい。
Oが過剰となると結晶中の共有結合性が低下して結晶欠陥が増加し、それによって発光の短波長化、効率低下、または温度特性の劣化が起こることがある、このため、結晶欠陥増加に伴う発光効率の低下および発光波長の短波長化を抑制するために、uは1以下であることが必要であり、0.8以下であることが好ましい。一方、所望の結晶構造を維持し、発光スペクトルの波長を適切に維持するためには0.001以上であることが好ましい。したがって、u≦1であることが必要であり、0.001≦u≦0.8であることが好ましい。
u+wは結晶中の陰イオンの比率に対応するので、結晶中の電荷バランスを適切に維持し、結晶構造が所望の構造を有するものとするためには特定の範囲にある必要がある。実施形態による蛍光体が、所望の結晶構造を維持するため、また蛍光体の製造時における異相の発生を抑制するために、z−uは1.8以上であることが必要であり、1.9以上であることが好ましい。また、同様の理由により13≦u+w≦15であることが必要であり、13.2≦u+w≦14.2であることが好ましい。
本実施形態にかかる蛍光体は、上述した好ましい条件を全て備えているので、250〜500nmの波長範囲内に発光ピークを有する光で励起した際に、発光スペクトル半値幅の広い黄色光を高い効率で発光することができ、それを用いた発光素子は演色性の優れた白色光を実現できる。しかも、本実施形態にかかる黄色発光蛍光体は、温度特性も良好であるという特徴を有する。
本実施形態の黄色発光蛍光体は、Sr2Al3Si7ON13と実質的に同一の結晶構造を有する無機化合物を基本とし、その構成元素Srの一部が発光中心イオンCeに置換されたものである。そして、その蛍光体は、Sr2Al3Si7ON13をベースとして、その構成元素であるSiとAlとが、またはOとNとが相互に置き換わったり、Ceなどのほかの金属元素が固溶したものであるということもできる。本発明において、このような結晶をSr2Al3Si7ON13属結晶とよぶ。このような原子の置き換え等によって、結晶構造が若干変化することがあるものの、骨格原子間の化学結合が切れるほどに原子位置が大きく変わることは少ない。原子位置は、結晶構造と原子が占めるサイトとその座標によって与えられる。
本実施形態の黄色発光蛍光体の基本的な結晶構造が変化しない範囲において、本実施形態の効果を奏することができる。本実施形態にかかる蛍光体は、格子定数およびSr(またはMまたはCe)−NおよびSr(またはMまたはCe)−Oの化学結合の長さ(以下、簡単のためにM−NまたはM−Oという)近接原子間距離)が、Sr2Al3Si7ON13の場合とは異なることがある。その変化量が、Sr2Al3Si7ON13の格子定数、およびSr2Al3Si7ON13における化学結合の長さ(Sr−NおよびSr−O)の±15%以内であれば、結晶構造が変化していないと定義する。格子定数は、X線回折や中性子線回折により求めることができ、M−NおよびM−Oの化学結合の長さ(近接原子間距離)は、原子座標から計算することができる。
Sr2Al3Si7ON13結晶は単斜晶系、特に斜方晶系であり、格子定数は、a=11.7Å、b=21.4Å、c=4.96Åである。また、空間群Pna21に属する(非特許文献3に示された空間群のうちの33番目)。Sr2Al3Si7ON13における化学結合の長さ(Sr−NおよびSr−O)は、下記表1に示した原子座標から計算することができる。
本実施形態の黄色発光蛍光体は、このような結晶構造を有することを必須とする。この範囲を超えて化学結合の長さが変化すると、その化学結合が切れて別の結晶となり、本発明による効果を得ることができなくなる。
本実施形態の黄色発光蛍光体は、Sr2Al3Si7ON13と実質的に同一の結晶構造を有する無機化合物を基本とし、その構成元素Mの一部が発光中心イオンCeに置換されたものであり、各元素の組成が所定の範囲内に規定され、特定のX線回折ピークの半値幅が狭いものである。このときに高効率かつ温度特性に優れるという好ましい特性を示す。
上記表1に示した原子座標に基づくと、Sr2Al3Si7ON13の結晶構造は、図1に示すとおりとなる。図1(a)はc軸方向への投影図であり、図1(b)はb軸方向への投影図であり、図1(c)はa軸方向への投影図である。図中、301はSr原子を表わし、その周囲は、Si原子またはAl原子302、およびO原子またはN原子303で囲まれている。Sr2Al3Si7ON13の結晶はX線回折(XRD)や中性子回折により同定することができる。
本実施形態の蛍光体は、Cu−Kα線を用いたBragg−Brendano法によるX線回折パターンにおいて、特定の回折角度(2θ)にピークを有する。すなわち、15.05〜15.25°、23.03〜23.23°、24.87〜25.07°、25.70〜25.90°、25.97〜26.17°、29.33〜29.53°、30.92〜31.12°、31.65〜31.85°、33.02〜33.22°、33.59〜33.79°、34.35〜34.55°、35.20〜35.60°、36.02〜36.22°、36.55〜36.75°、37.20〜37.40°、および56.50〜56.70°の回折角度(2θ)に、少なくとも10本のピークを有する。
本実施形態にかかる黄色発光蛍光体は、任意の方法で製造することができる。具体的には、本発明の実施形態による蛍光体は、各元素を含む原料粉体を混合し、焼成することによって製造することができる。その際に、特定の原料を用いたり、焼成雰囲気を制御することが好ましい。
Sr含有原料は、Srの窒化物、珪化物、炭化物、炭酸塩、水酸化物、および酸化物から選択することができる。M含有原料は、Mの窒化物、珪化物、炭化物、探査年、水酸化物、および酸化物から選択することができる。Al含有原料は、Alの窒化物、酸化物および炭化物から選択することができ、Si含有原料は、Siの窒化物、酸化物、および炭化物から選択することができる。Ce含有原料は、Ceの塩化物、酸化物、窒化物、および炭酸塩から選択することができる。
なお、窒素は、窒化物原料から、または窒素を含む雰囲気中で焼成することによって雰囲気から与えることができ、酸素は、酸化物原料から、または窒化物原料の表面酸化皮膜から与えることができる。
例えば、Sr3N2、AlN、Si3N4、Al2O3およびAlN,ならびにCeO2またはCeCl3を、目的の組成となるような仕込み組成で混合する。Sr3N2の代わりにSr2NあるいはSrN、SrSi2等、もしくはこれらの混合物を用いてもよい。均一な混合粉体を得るために、質量の少ない原料粉体から順に乾式混合することが望まれる。
原料は、例えばグローブボックス中で乳鉢を用いて混合することができる。混合粉体をるつぼ内に収容し、所定の条件で焼成することによって、本実施形態にかかる蛍光体が得られる。るつぼの材質は特に限定されず、窒化ホウ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、カーボン、窒化アルミニウム、サイアロン、酸化アルミニウム、モリブデン、およびタングステン等から選択することができる。
混合粉体の焼成は、大気圧以上の圧力で行なうことが望ましい。大気圧以上の圧力で焼成が行なわれると、窒化ケイ素が分解しにくい点で有利となる。窒化ケイ素の高温での分解を抑制するためには、圧力(絶対圧)は5気圧以上であることがより好ましく、焼成温度は1500〜2000℃の範囲が好ましい。こうした条件であれば、材料または生成物の昇華といった不都合を引き起こさずに、目的の焼結体が得られる。後述するように焼成工程が複数ある場合には、その焼成工程のすべてを加圧条件下に行うことが好ましい。焼成温度は、1800〜2000℃がより好ましい。
なお、本発明による蛍光体を製造する場合には、焼成後に焼成物を冷却するとき、徐冷することが好ましい。特に焼成の最高温度から好ましくは300℃低下するまで、より好ましくは600℃低下するまでの冷却速度を制御することにより、優れた特性を有する蛍光体を製造することができる。より具体的には、焼成温度から1300℃まで冷却されるまで、より好ましくは焼成温度から1200℃まで冷却されるまで、の冷却速度を制御することが好ましい。また冷却速度は10℃/分以下であることが好ましく、5℃/分以下であることがより好ましい。、一方で、冷却速度を低くすると、製造効率が低下することもあり、1℃/分以上であることが好ましく、2℃/分以上であることがより好ましい。なお、後述するように焼成工程が複数ある場合には、その焼成工程のすべてにおいて冷却速度を制御することが好ましい。
また、焼成の雰囲気は、いずれの焼成工程においても、酸素含有率が低いことが好ましい。これは、AlNなどの原料の酸化を避けるためであり、具体的には、窒素雰囲気、高圧窒素雰囲気、脱酸素雰囲気中で焼成を行なうことが望まれる。雰囲気中には、50vol%程度までの水素分子が含まれていてもよい。
上述した温度で0.5〜10時間焼成した後、焼成物をるつぼから取り出して解砕し、再度、同様の条件で焼成することが好ましい。こうした取り出し・解砕・焼成の一連の工程を0〜10回程度繰り返すことによって、結晶粒子同士の融着が少なく、組成および結晶構造が均一な粉体が生成しやすいという利点が得られる。
焼成後には、必要に応じて洗浄等の後処理を施して、一実施形態にかかる蛍光体が得られる。洗浄には、例えば純水、酸などを用いることができる。酸としては、例えば、硫酸、硝酸、塩酸、フッ化水素酸などの無機酸、ギ酸、酢酸、シュウ酸などの有機酸、またはこれらの混合酸等を用いることができる。
酸洗浄の前または後には、必要に応じてポストアニール処理を施してもよい。ポストアニール処理と酸洗浄の順番は目的に応じて適宜変更可能である。ポストアニール処理は、例えば窒素と水素とを含む還元雰囲気中で行なうことができ、こうしたポストアニール処理を施すことによって結晶性および発光効率が向上する。
一実施形態にかかる発光装置は、前述の蛍光体を含む蛍光発光層と、前述の蛍光体を励起する発光素子とを具備する。図2は、一実施形態にかかる発光装置の構成を表わす概略図である。
図2に示す発光装置においては、基材200の上に、リード201、202およびパッケージカップ203が配置されている。基材200およびパッケージカップ203は樹脂性である。パッケージカップ203は、上部が底部より広い凹部205を有しており、この凹部の側面は反射面204として作用する。
凹部205の略円形底面中央部には、発光素子206がAgペースト等によりマウントされている。用い得る発光素子106は、400〜500nmの波長範囲内に発光ピークを有する光を発するものである。例えば、発光ダイオード、およびレーザダイオード等が挙げられる。具体的には、GaN系等の半導体発光素子などが挙げられるが、特に限定されない。
発光素子206のp電極およびn電極(図示せず)は、Auなどからなるボンディングワイヤー207および108によって、リード201およびリード202にそれぞれ接続されている。リード201および202の配置は、適宜変更することができる。
発光素子206としては、n電極とp電極とを同一面上に有するフリップチップ型のものを用いることもできる。この場合には、ワイヤーの断線や剥離、ワイヤーによる光吸収等のワイヤーに起因した問題を解消して、信頼性の高い高輝度な半導体発光装置が得られる。また、n型基板を有する発光素子を用いて、次のような構成とすることもできる。発光素子のn型基板の裏面にn電極を形成し、基板上に積層されたp型半導体層の上面にはp電極を形成する。n電極はリード上にマウントし、p電極はワイヤーにより他方のリードに接続する。
パッケージカップ203の凹部205内には、一実施形態にかかる蛍光体210を含有する蛍光発光層209が配置される。蛍光発光層209においては、例えばシリコーン樹脂からなる樹脂層211中に、5〜60質量%の量で蛍光体110が含有される。上述したように、本実施形態にかかる蛍光体はSr2Al3Si7ON13を母材としており、こうした酸窒化物は共有結合性が高い。このため、本実施形態にかかる蛍光体は疎水性であり、樹脂との相容性が極めて良好である。したがって、樹脂層と蛍光体との界面での散乱が著しく抑制されて、光取出し効率が向上する。
本実施形態にかかる黄色発光蛍光体は、温度特性が良好であるとともに、発光スペクトル半値幅の広い黄色光を高い効率で発光できる。400〜500nmの波長範囲内に発光ピークを有する光を発する発光素子と組み合わせることによって、発光特性の優れた白色発光装置が得られる。
発光素子206のサイズや種類、凹部205の寸法および形状は、適宜変更することができる。
一実施形態にかかる発光装置は、図2に示したようなパッケージカップ型に限定されず、適宜変更することができる。具体的には、砲弾型LEDや表面実装型LEDの場合も、実施形態の蛍光体を適用して同様の効果を得ることができる。
図3は、他の実施形態にかかる発光装置の構成を表わす概略図を示す。図示する発光装置においては、放熱性の絶縁基板301の所定の領域にはp電極およびn電極(図示せず)が形成され、この上に発光素子302が配置されている。放熱性の絶縁基板の材質は、例えばAlNとすることができる。
発光素子302における一方の電極は、その底面に設けられており、放熱性の絶縁基板301のn電極に電気的に接続される。発光素子302における他方の電極は、金ワイヤー303により放熱性の絶縁基板301上のp電極(図示せず)に接続される。発光素子302としては、400〜500nmの波長範囲内に発光ピークを有する光を発する発光ダイオードを用いる。
発光素子302上には、ドーム状の内側透明樹脂層304、蛍光発光層305、および外側透明樹脂層306が順次形成される。内側透明樹脂層304および外側透明樹脂層306は、例えばシリコーン等を用いて形成することができる。蛍光発光層305においては、例えばシリコーン樹脂からなる樹脂層308中に、本実施形態の黄色発光蛍光体207が含有される。
図3に示した発光装置においては、本実施形態にかかる黄色発光蛍光体を含む蛍光発光層305は、真空印刷もしくはディスペンサによる滴下塗布といった手法を採用して、簡便に作製することができる。しかも、かかる蛍光発光層305は、内側透明樹脂層304と外側透明樹脂層306とによって挟まれているので、取り出し効率が向上するという効果が得られる。
なお、本実施形態にかかる発光装置の蛍光発光層中には、本実施形態の黄色発光蛍光体とともに、青色光での励起により緑色発光する蛍光体、および青色光での励起により赤色発光する蛍光体が含有されていてもよい。この場合には、演色性がより優れた白色発光装置が得られる。
本実施形態にかかる黄色発光蛍光体を250〜400nmという紫外領域の光で励起した場合にも、黄色発光が得られる。したがって、本実施形態にかかる蛍光体と、例えば紫外光での励起により青色発光する蛍光体、および紫外発光ダイオード等の発光素子とを組み合わせて、白色発光装置を構成することもできる。こうした白色発光装置における蛍光発光層中には、本実施形態の黄色発光蛍光体とともに、紫外光での励起により他の波長範囲内にピークを有する光を発する蛍光体が含有されてもよい。例えば、紫外光での励起により赤色発光する蛍光体、および紫外光での励起により緑色発光する蛍光体などが挙げられる。
上述したように、本実施形態の蛍光体は、温度特性が良好であるとともに、発光スペクトル半値幅の広い黄色光を高い効率で発光できる。こうした本実施形態の黄色発光蛍光体を、250〜500nmの波長範囲内に発光ピークを有する光を発する発光素子と組み合わせることによって、少ない種類の蛍光体を用いて、発光特性の優れた白色発光装置を得ることができる。
以下、蛍光体および発光装置の具体例を示すと以下の通りである。
[実施例1]
まず、Sr含有原料、Ce含有原料、Si含有原料、およびAl含有原料として、Sr3N2、CeO2、Si3N4、およびAlNを用意し、バキュームグローブボックス中でそれぞれ秤量した。Sr3N2、CeO2、Si3N4およびAlNの配合質量は、それぞれ2.889g、0.155g、5.262g、および1.537gとした。配合された原料粉体は、めのう乳鉢内で乾式混合した。
まず、Sr含有原料、Ce含有原料、Si含有原料、およびAl含有原料として、Sr3N2、CeO2、Si3N4、およびAlNを用意し、バキュームグローブボックス中でそれぞれ秤量した。Sr3N2、CeO2、Si3N4およびAlNの配合質量は、それぞれ2.889g、0.155g、5.262g、および1.537gとした。配合された原料粉体は、めのう乳鉢内で乾式混合した。
得られた混合物を窒化ホウ素(BN)るつぼに収容し、7.5気圧の窒素雰囲気中、1800℃で2時間焼成した。焼成物をるつぼから取り出し、めのう乳鉢で解砕した。解砕された焼成物を再びるつぼに収容して、1800℃で4時間焼成した後、1200℃までは10℃/minの冷却速度によって徐冷し、1200℃以下では炉冷した。この取り出し・解砕・焼成といった一連の工程をさらに二回繰り返すことによって、実施例1の蛍光体が得られた。
得られた蛍光体は、体色が黄色の粉体であり、ブラックライトで励起したところ黄色発光が確認された。
この蛍光体のXRDプロファイルは図4に示す通りであった。ここでのXRDプロファイルは、Cu−Kα線を用いたBragg−Brendano法によるX線回折により求めた。図4に示されるように、15.05〜15.25°、23.03〜23.23°、24.87〜25.07°、25.70〜25.90°、25.97〜26.17、29.33〜29.53°、30.92〜31.12°、31.65〜31.85°、33.02〜33.22°、33.59〜33.79°、34.35〜34.55°、35.20〜35.60°、36.02〜36.22°、36.55〜36.75°、37.20〜37.40°、および56.50−56.70°の回折角度(2θ)にピークが現れている。
この蛍光体を波長450nmに分光したキセノンランプで励起した場合の発光スペクトルは図5に示す通りであった。図5中、450nm近傍の半値幅の狭い発光は、励起光の反射であり、蛍光体の発光ではない。551nmをピーク波長として高い発光強度が確認された。また、瞬間マルチチャンネル分光計により求めた半値幅は122nmであった。半値幅は発光装置から発せられる白色光の演色性の指標のひとつとなり、一般的に半値幅が広いほど演色性の高い白色光が得られやすい。半値幅が広いので、実施例1の蛍光体を用いることで演色性に優れた白色光が得られやすいことが示される。
この蛍光体の温度特性は図6に示す通りであった。温度特性は、次のようにして求めた。蛍光体をヒーターにより加熱して、所定の温度T℃における発光強度(IT)を得た。発光強度の測定には、瞬間マルチチャンネル分光計を用いた。25℃における発光強度(I25)を用いて、(IT/I25)×100から算出した。図6に示されるように、150℃においても0.88以上の強度維持率が得られており、温度が上昇しても発光強度の低下が小さいことがわかる。
各実施例および比較例において合成した黄色蛍光体のX線回折パターンの半値幅と発光効率の関係をまとめると、図7に示す通りであった。
本実施例の蛍光体を用いて、図3に示した構成の発光装置を作製した。
放熱性の絶縁基板301として、所定の領域にp電極およびn電極(図示せず)が形成された8mm角のAlN基板を用意した。この上に発光素子302として、発光ピーク波長が460nmの発光ダイオードを半田により接合した。発光素子302における一方の電極は、その底面に設けられており、AlN基板301のn電極に電気的に接続した。発光素子302における他方の電極は、金ワイヤー303によりAlN基板301上のp電極(図示せず)に接続した。
発光素子302上には、内側透明樹脂層304、蛍光発光層305、および外側透明樹脂層306を順次ドーム状に形成して、本実施例の発光装置を作製した。内側透明樹脂層304の材質としてはシリコーン樹脂を用い、ディスペンサにより形成した。蛍光発光層305の形成には、本実施例の蛍光体を50質量%含有する透明樹脂を用いた。用いた透明樹脂は、シリコーン樹脂である。さらに、蛍光発光層305の上の外側透明樹脂層306の形成には、内側透明樹脂層304の場合と同様のシリコーン樹脂を用いた。
この発光装置を積分球内に設置し、20mA、3.3Vで駆動させたところ、色温度6300K、光束効率180 lm/W、Ra=76であった。色温度、光束効率およびRaは、瞬間マルチチャンネル分光計瞬間マルチチャンネル分光計から得られた。
本実施例の蛍光体を、発光ピーク波長が460nmの青色LEDと組み合わせることによって、本実施形態の白色発光装置が得られた。かかる白色発光装置は、発光効率がおよび演色性が高いハイパワー用白色LEDを得ることができる。
[実施例2〜3および比較例1〜5]
下記表2に示すように組成を変更し、焼成温度から1200℃まで冷却する際の冷却速度を変更した以外は実施例1と同様の手法により、実施例2〜3、および比較例1〜5の蛍光体を得た。組成は、誘導結合プラズマ(ICP)により分析した。
下記表2に示すように組成を変更し、焼成温度から1200℃まで冷却する際の冷却速度を変更した以外は実施例1と同様の手法により、実施例2〜3、および比較例1〜5の蛍光体を得た。組成は、誘導結合プラズマ(ICP)により分析した。
実施例2〜3の蛍光体は、いずれも体色が黄色の粉体であり、ブラックライトで励起したところ、黄色発光が確認された。また、これらの蛍光体のXRDパターンについて、
いずれの実施例の蛍光体においても、最強ピーク10本は、15.05〜15.25°、23.03〜23.23°、24.87〜25.07°、25.97〜25.90°、29.33〜29.53°、30.92〜31.12°、31.65〜31.85°、33.02〜33.22°、33.59〜33.79°、34.35〜34.55°、35.20〜35.60°、36.02〜36.22°、36.55−36.75°、37.20〜37.40°、および56.50〜56.70°の回折角度(2θ)のいずれかに属した。
いずれの実施例の蛍光体においても、最強ピーク10本は、15.05〜15.25°、23.03〜23.23°、24.87〜25.07°、25.97〜25.90°、29.33〜29.53°、30.92〜31.12°、31.65〜31.85°、33.02〜33.22°、33.59〜33.79°、34.35〜34.55°、35.20〜35.60°、36.02〜36.22°、36.55−36.75°、37.20〜37.40°、および56.50〜56.70°の回折角度(2θ)のいずれかに属した。
実施例2〜3の蛍光体および比較例1〜5の蛍光体についても、回折ピーク位置2θが35.2〜35.6の範囲内にあるピークの半値幅および発光特性を調べた。その結果を、実施例1の蛍光体の半値幅および発光特性とともにまとめると表3に示す通りであった。表2における相対発光効率は、実施例2の発光強度を1としたときの相対発光効率を示している。
実施例1〜3の蛍光体は、いずれも544〜555nmの波長範囲内に発光ピークを有するものであるが、上記表3に示されるように、いずれも0.90以上の高い発光強効率が得られている。一方、比較例1〜5の蛍光体は発光効率が0.64〜0.83であり、実施例の蛍光体に比較すると十分な明るさが得られない。
また、実施例2〜3の蛍光体についても、前述と同様の手法におり温度特性を調べた。実施例1〜3の蛍光体は、いずれも150℃における強度維持率が0.81以上であり、実施例1と同様に良好な温度特性を有することが確認された。
上記表2に示されるように、実施例1〜3の蛍光体は、いずれにおいても、x、y、z、u、およびwは、特定された範囲内にあり、所定の組成を有しており、発光スペクトル半値幅の広い黄色光を高い効率で発光することができ、しかも温度特性も良好であった。一方、冷却温度が10℃/分を超えている比較例1〜5の蛍光体は発光効率が低かった。
また比較例1〜5の蛍光体のX線回折測定を行った。その結果、これら比較例の蛍光体においては、15.05〜15.25°、23.03〜23.23°、24.87〜25.07°、25.70〜25.90°、25.97〜26.17°、29.33〜29.53°、30.92〜31.12°、31.65〜31.85°、33.02〜33.22°、33.59〜33.79°、34.35〜34.55°、35.20〜35.60°、36.02〜36.22°、36.55〜36.75°、37.20〜37.40°、および56.50〜56.70°の各回折角度(2θ)n範囲には、ピークは存在したが、表3に示す通り、半値幅は0.10°を超える値であった。
具体的には、比較例2は、XRD回折半値幅が0.14°程度と大きいものであったが、その発光効率が低く、青色発光ダイオードと組み合わせても発光効率の良好な発光装置が得られない。
本発明の実施形態によれば、発光効率が良好であるとともに、発光スペクトル半値幅の広い黄色光を高い効率で発光できる蛍光体が提供される。本実施形態の黄色発光蛍光体を青色LEDと組み合わせた際には、演色性が優れ発光特性の良好な白色発光装置を得ることができる。また、490~550nmの波長範囲で発光する緑色蛍光体および600nm~660nmの波長範囲で発光する赤色蛍光体と組み合わせることでさらに演色性が優れた白色発光装置を得ることができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行なうことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
101…Sr原子; 102…Si原子またはAl原子
103…O原子またはN原子; 200…基材; 201…リード; 202…リード
203…パッケージカップ; 204…反射面; 205…凹部
206…発光チップ; 207…ボンディングワイヤー
208…ボンディングワイヤー; 209…蛍光発光層; 210…蛍光体
211…樹脂層; 301…絶縁基板; 302…発光素子
303…ボンディングワイヤー; 304…内側透明樹脂層
305…蛍光発光層; 206…外側透明樹脂層; 307…蛍光体
308…樹脂層
103…O原子またはN原子; 200…基材; 201…リード; 202…リード
203…パッケージカップ; 204…反射面; 205…凹部
206…発光チップ; 207…ボンディングワイヤー
208…ボンディングワイヤー; 209…蛍光発光層; 210…蛍光体
211…樹脂層; 301…絶縁基板; 302…発光素子
303…ボンディングワイヤー; 304…内側透明樹脂層
305…蛍光発光層; 206…外側透明樹脂層; 307…蛍光体
308…樹脂層
Claims (11)
- 250〜500nmの波長範囲内に発光ピークを有する光で励起した際に、500〜600nmの波長範囲内に発光ピークを示し、下記一般式(1):
((SrpM1−p)1−xCex)2yAlzSi10−zOuNw (1)
(ここで、
Mはアルカリ金属またはアルカリ土類金属の少なくともひとつであり、
0≦p≦1、
0<x≦0.2、
0.8≦y≦1.1、
2≦z≦3.5、
0<u≦1、
1.8≦z−u、
13≦u+w≦15
である)
で表される蛍光体であって、
前記蛍光体のCu−Kα線を用いたBragg−Brebdano法によるX線回折において検出される、回折ピーク位置2θが35.2〜35.6の範囲内にあるピークの半値幅が0.10°以下であることを特徴する蛍光体 - MがBa、Ca、およびMgから選ばれる少なくとも一種である、請求項1に記載の蛍光体。
- Cu−Kα線を用いたBragg−Brendano法によるX線回折において、15.05〜15.25°、23.03〜23.23°、24.87〜25.07°、25.70〜25.90°、25.97〜26.17°、29.33〜29.53°、30.92〜31.12°、31.65〜31.85°、33.02〜33.22°、33.59〜33.79°、34.35〜34.55°、35.20〜35.60°、36.02〜36.22°、36.55〜36.75°、37.20〜37.40°、および56.50〜56.70°の回折角度(2θ)に、少なくとも10本のピークを有する、請求項1または2に記載の蛍光体。
- 250〜500nmの波長範囲内に発光ピークを有する光を発する発光素子と、
前記発光素子からの光を受けて黄色発光する蛍光体を含有する蛍光発光層と
を具備し、前記黄色発光蛍光体は、請求項1〜3のいずれか1項に記載の蛍光体を含むことを特徴とする発光装置。 - 前記蛍光発光層が、緑色発光する蛍光体および赤色発光する蛍光体をさらに含有する、請求項4に記載の発光装置。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の蛍光体の製造方法であって、
Srの窒化物、珪化物、炭化物、炭酸塩、水酸化物、および酸化物から選択されるSr含有原料と、Mの窒化物、炭化物、炭酸塩、水酸化物、および酸化物から選択されるM含有原料と、Alの窒化物、酸化物、および炭化物から選択されるAl含有原料、Siの窒化物、酸化物、および炭化物から選択されるSi含有原料と、Ceの塩化物、酸化物、窒化物、および炭酸塩から選択されるCe含有原料とを混合して、混合物を得る工程と、
前記混合物を焼成する工程と、
焼成後の焼成物を冷却速度10℃/分以下で冷却する工程と
を具備することを特徴とする、蛍光体の製造方法。 - 前記混合物の焼成は、5気圧以上の圧力下、1500〜2000℃で行なわれることを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 前記混合物の焼成は、窒素雰囲気中で行なわれることを特徴とする請求項6または7に記載の方法。
- 前記焼成後、焼成物を冷却する際、雰囲気の温度が1300℃になるまでの冷却速度が10℃/分未満である、請求項6〜8のいずれか1項に記載の方法。
- 焼成後に焼成物を洗浄する工程をさらに具備する、請求項6〜9のいずれか1項に記載の方法。
- 請求項6〜11に記載の方法により製造されたことを特徴とする、蛍光体。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014190378A JP2016060844A (ja) | 2014-09-18 | 2014-09-18 | 蛍光体、発光装置、および蛍光体の製造方法 |
EP15182329.1A EP2999015A1 (en) | 2014-09-18 | 2015-08-25 | Phosphor, light-emitting device, and method for producing phosphor |
CN201510589653.2A CN105441072A (zh) | 2014-09-18 | 2015-09-16 | 荧光体、发光装置和用于生产荧光体的方法 |
US14/855,730 US20160083649A1 (en) | 2014-09-18 | 2015-09-16 | Phosphor, light-emitting device, and method for producing phosphor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014190378A JP2016060844A (ja) | 2014-09-18 | 2014-09-18 | 蛍光体、発光装置、および蛍光体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016060844A true JP2016060844A (ja) | 2016-04-25 |
Family
ID=54007595
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014190378A Pending JP2016060844A (ja) | 2014-09-18 | 2014-09-18 | 蛍光体、発光装置、および蛍光体の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20160083649A1 (ja) |
EP (1) | EP2999015A1 (ja) |
JP (1) | JP2016060844A (ja) |
CN (1) | CN105441072A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111057548A (zh) * | 2019-12-30 | 2020-04-24 | 五邑大学 | 一种氮氧化物绿色荧光粉及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7591894B2 (en) * | 2006-11-27 | 2009-09-22 | Schlumberger Technology Corporation | LuAP scintillator |
JP4869317B2 (ja) * | 2008-10-29 | 2012-02-08 | 株式会社東芝 | 赤色蛍光体およびそれを用いた発光装置 |
JP5762929B2 (ja) * | 2011-11-16 | 2015-08-12 | 株式会社東芝 | 蛍光体、発光装置、および蛍光体の製造方法 |
US9487696B2 (en) * | 2012-03-16 | 2016-11-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Phosphor of SiAlON crystal, method for producing phosphor and light emitting device |
JP5746672B2 (ja) * | 2012-09-25 | 2015-07-08 | 株式会社東芝 | 蛍光体、発光装置、および蛍光体の製造方法 |
JP6081235B2 (ja) * | 2013-03-07 | 2017-02-15 | 株式会社東芝 | 白色発光装置 |
JP2014177592A (ja) * | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Toshiba Corp | 蛍光体およびそれを用いた発光装置 |
-
2014
- 2014-09-18 JP JP2014190378A patent/JP2016060844A/ja active Pending
-
2015
- 2015-08-25 EP EP15182329.1A patent/EP2999015A1/en not_active Withdrawn
- 2015-09-16 CN CN201510589653.2A patent/CN105441072A/zh active Pending
- 2015-09-16 US US14/855,730 patent/US20160083649A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2999015A1 (en) | 2016-03-23 |
US20160083649A1 (en) | 2016-03-24 |
CN105441072A (zh) | 2016-03-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5762929B2 (ja) | 蛍光体、発光装置、および蛍光体の製造方法 | |
JP5190475B2 (ja) | 蛍光体およびそれを用いた発光装置 | |
JP5634352B2 (ja) | 蛍光体、発光装置および蛍光体の製造方法 | |
JP2015166416A (ja) | 蛍光体、蛍光体の製造方法およびそれを用いた発光装置 | |
JP2015157919A (ja) | 蛍光体、発光装置、および蛍光体の製造方法 | |
KR20140113350A (ko) | 형광체 및 그것을 사용한 발광 장치 | |
KR101603007B1 (ko) | 형광체 | |
JP6285100B2 (ja) | 蛍光体および発光装置 | |
JP2016060845A (ja) | 蛍光体、蛍光体の製造方法、およびそれを用いた発光装置 | |
JP6546304B2 (ja) | 蛍光体および発光装置 | |
EP2803716A1 (en) | SiAlON phosphor | |
JP2016056241A (ja) | 蛍光体、その製造方法、およびその蛍光体を用いた発光装置 | |
JP2014181260A (ja) | 蛍光体、発光装置、および蛍光体の製造方法 | |
JP2016060844A (ja) | 蛍光体、発光装置、および蛍光体の製造方法 | |
JP2017036392A (ja) | 蛍光体、発光装置、および蛍光体の製造方法 | |
US20160083648A1 (en) | Phosphor, method for producing the same, and light-emitting device using the same | |
JP5398778B2 (ja) | 蛍光体の製造方法 | |
JP2015187250A (ja) | 蛍光体、その製造方法、およびその蛍光体を用いた発光装置 | |
JP2014127500A (ja) | 白色発光装置 | |
JP6681142B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5646567B2 (ja) | 蛍光体の製造方法 | |
JP2017052849A (ja) | 蛍光体、蛍光体の製造方法、およびそれを用いた発光装置 |