JP2015157919A - 蛍光体、発光装置、および蛍光体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】散乱ロスの少ない高効率な白色LEDを実現する、色純度が良好な黄色光を発光できる量子効率の高い蛍光体を提供することである。【解決手段】下記一般式(1):(M1−xCex)2yAlzSi10−zOuNw(1)(ここで、Mは主としてSrからなる金属元素であり、Mの一部はBa、Ca、およびMgからなる群から選ばれる少なくとも一種で置換されていてもよく、0<x≰1、0.8≰y≰1.1、2≰z≰3.5、0<u≰1、1.8≰z−u、13≰u+w≰15である)で表され、励起光の発光ピーク波長を350〜475nmの範囲で変化させたときの、前記蛍光体の発光ピーク波長の変化幅が15nm未満である、黄色発光蛍光体。【選択図】なし
Description
本発明の実施形態は、蛍光体、発光装置、および蛍光体の製造方法に関する。
白色発光装置は、例えば青色光での励起により赤色発光する蛍光体、青色光での励起により緑色発光する蛍光体、および青色LEDを組み合わせて構成される。これに対して、青色光での励起によって黄色光を発光する蛍光体を用いれば、より少ない種類の蛍光体によって白色発光装置を構成することができる。こうした青色励起黄色蛍光体の一つに、Ceで賦活されたSr含有サイアロン蛍光体が有る。
本発明が解決しようとする課題は、散乱ロスの少ない高効率な白色LEDを実現する、色純度が良好な黄色光を発光できる量子効率の高い蛍光体を提供することにある。
実施形態による蛍光体は、250〜500nmの波長範囲内に発光ピークを有する光で励起した際に、500〜600nmの波長範囲内に発光ピークを示し、下記一般式(1):
(M1−xCex)2yAlzSi10−zOuNw (1)
(ここで、
Mは主としてSrからなる金属元素であり、Mの一部はBa、Ca、およびMgからなる群から選ばれる少なくとも一種で置換されていてもよく
0<x≦1、
0.8≦y≦1.1、
2≦z≦3.5、
0<u≦1、
1.8≦z−u、
13≦u+w≦15
である)
で表され、励起光の発光ピーク波長を350〜475nmの範囲で変化させたときの、前記蛍光体の発光ピーク波長の変化幅が15nm未満であることを特徴とするものである。
(M1−xCex)2yAlzSi10−zOuNw (1)
(ここで、
Mは主としてSrからなる金属元素であり、Mの一部はBa、Ca、およびMgからなる群から選ばれる少なくとも一種で置換されていてもよく
0<x≦1、
0.8≦y≦1.1、
2≦z≦3.5、
0<u≦1、
1.8≦z−u、
13≦u+w≦15
である)
で表され、励起光の発光ピーク波長を350〜475nmの範囲で変化させたときの、前記蛍光体の発光ピーク波長の変化幅が15nm未満であることを特徴とするものである。
以下、実施形態を具体的に説明する。
一実施形態にかかる蛍光体は、250〜500nmの波長範囲内に発光ピークを有する光で励起した際に、500〜600nmの波長範囲内に発光ピークを示すので、黄緑色から橙色にわたる領域の光を発光できる蛍光体である。主として黄色の領域の光を発することから、以下においてはこのような蛍光体を黄色発光蛍光体と称する。本実施形態に係る黄色発光蛍光体は、Sr2Al3Si7ON13の結晶構造と実質的に同じ結晶構造を有する母体を含み、この母体はCeで付活されている。本実施形態にかかる黄色発光蛍光体の組成は、下記一般式(1)で表わされる。
(M1−xCex)2yAlzSi10−zOuNw (1)
ここで、
Mは主としてSrからなる金属元素であり、Mの一部はBa、Ca、およびMgからなる群から選ばれる少なくとも一種で置換されていてもよく、
0<x≦1、
0.8≦y≦1.1、
2≦z≦3.5、
0<u≦1、
1.8≦z−u、
13≦u+w≦15
である
(M1−xCex)2yAlzSi10−zOuNw (1)
ここで、
Mは主としてSrからなる金属元素であり、Mの一部はBa、Ca、およびMgからなる群から選ばれる少なくとも一種で置換されていてもよく、
0<x≦1、
0.8≦y≦1.1、
2≦z≦3.5、
0<u≦1、
1.8≦z−u、
13≦u+w≦15
である
上記一般式(1)に示されるように、発光中心元素CeはMの少なくとも一部を置換する。Mは主としてSrからなり、Mの一部は、Ba、CaおよびMgからなる群から選ばれる少なくとも一種で置換されていてもよい。M全体の10at.%以下程度であれば、Ba、CaおよびMgから選ばれる少なくとも一種が含有されていても、異相の生成が促進されることはない。
Mの少なくとも0.1モル%がCeで置換されていれば、十分な発光効率を得ることができる。Ceは、Mの全量を置き換えてもよい(x=1)が、xが0.5未満の場合には、発光確率の低下(濃度消光)を極力抑制することができる。したがって、xは0.001以上0.5以下が好ましい。発光中心元素Ceが含有されることによって、本実施形態の蛍光体は、250〜500nmの波長範囲内にピークを有する光で励起した際、黄緑色から橙色にわたる領域の発光、すなわち500〜600nmの波長範囲内にピークを有する発光を示す。なお、Ceの10at.%以下程度であれば、不可避不純物的な他の元素が含有されていても所望の特性が損なわれることはない。例えば、Tb、Eu、およびMnなどである。
yが0.8未満の場合には、結晶欠陥が多くなって効率の低下を招く。一方、yが1.1を越えると、過剰なアルカリ土類金属が異相として析出するため、発光特性の低下を招く。yは、0.85以上1.06以下が好ましい。
zが2未満の場合には、過剰なSiが異相として析出するため、発光特性の低下を招く。一方、zが3.5を越えると、過剰なAlが異相として析出するため、発光特性の低下を招く。zは2.5以上3.3以下が好ましい。
uが1を越えると、結晶欠陥増加に伴い効率が低下する。uは0.001以上0.8以下が好ましい。
(z−u)が1.8未満の場合には、本実施形態の結晶構造が維持できなくなる。場合によっては、異相が生成して、本実施形態の効果が発揮されない。(u+w)が13未満または15を超える場合にも同様に、本実施形態の結晶構造が維持できなくなる。場合によっては、異相が生成して、本実施形態の効果が発揮されない。(z−u)は2以上が好ましく、(u+w)は13.2以上14.2以下が好ましい。
上述した条件を全て備えているので、本実施形態にかかる蛍光体は、250〜500nmの波長範囲内に発光ピークを有する光で励起した際に、発光スペクトル半値幅の広い黄色光を高い効率で発光することができ、演色性の優れた白色光が得られる。しかも、本実施形態にかかる黄色発光蛍光体は、温度特性も良好である。
本実施形態の黄色発光蛍光体は、Sr2Al3Si7ON13をベースとして、その構成元素であるSr、Si、Al、O、またはNが他の元素で置き換わったり、Ceなどのほかの金属元素が固溶したものであるということもできる。このような置き換え等によって、結晶構造が若干変化することがあるものの、骨格原子間の化学結合が切れるほどに原子位置が大きく変わることは少ない。原子位置は、結晶構造と原子が占めるサイトとその座標によって与えられる。
本実施形態の黄色発光蛍光体の基本的な結晶構造が変化しない範囲において、本実施形態の効果を奏することができる。本実施形態にかかる蛍光体は、格子定数およびM−NおよびM−Oの化学結合の長さ(近接原子間距離)が、Sr2Al3Si7ON13の場合とは異なることがある。その変化量が、Sr2Al3Si7ON13の格子定数、およびSr2Al3Si7ON13における化学結合の長さ(Sr−NおよびSr−O)の±15%以内であれば、結晶構造が変化していないと定義する。格子定数は、X線回折や中性子線回折により求めることができ、M−NおよびM−Oの化学結合の長さ(近接原子間距離)は、原子座標から計算することができる。
Sr2Al3Si7ON13結晶は単斜晶系、特に斜方晶系に属し、格子定数は、a=11.8Å、b=21.6Å、c=5.01Åである。また、空間群Pna21に属する。Sr2Al3Si7ON13における化学結合の長さ(Sr−NおよびSr−O)は、下記表1に示した原子座標から計算することができる。
本実施形態の黄色発光蛍光体は、このような結晶構造を有する。
本実施形態の黄色発光蛍光体は、Sr2Al3Si7ON13と実質的に同一の結晶構造を有する無機化合物を基本とし、その構成元素Mの一部が発光中心イオンCeに置換されたものであり、各元素の組成が所定の範囲内に規定されている。このときに高効率かつ発光スペクトルの半値幅が広く、温度特性に優れるという好ましい特性を示す。
従来、この結晶構造を有する黄色蛍光体は、励起光のピーク波長を変化させるとそれに伴って蛍光体から放射される発光の波長も変化するという特徴を有する。しかし、本実施形態の黄色発光蛍光体は、励起光の波長に変化に対する発光波長の変化が小さいという特徴がある。すなわち、黄色発光蛍光体を励起するのに一般的に用いられる励起光の波長範囲である350nmから470nmの範囲で励起光のピーク波長を変化させると、特許文献の黄色発光蛍光体では、発光のピーク波長が20nm以上変化する。これに対して、実施形態による黄色発光蛍光体では、変化量が15nm未満、好ましくは10nm未満と非常に小さい。この結果、本実施形態による黄色発光蛍光体は、色度にすぐれた光を放射することができる。また本実施形態による黄色蛍光体を用いた白色発光装置では、用いる黄色発光蛍光体の配合量を低減させることができるために、蛍光体による散乱ロスを削減することができ、白色光の輝度を増大させることができる。
なお、蛍光体を励起する励起光のピーク波長を変化させて、発光のピーク波長を測定する場合、励起光の発光スペクトルはよりシャープであることが好ましい。すなわち励起光の発光スペクトルの半値幅が大きく変化すると、そのピーク波長が同じであっても、蛍光体から放射される発光スペクトルのピーク波長が変動する可能性がある。したがって、励起光の発光スペクトルの半値幅は20nm以下とすることが好ましい。
上記表1に示した原子座標に基づくと、Sr2Al3Si7ON13の結晶構造は、図1に示すとおりとなる。図1(a)はc軸方向への投影図であり、図1(b)はb軸方向への投影図であり、図1(c)はa軸方向への投影図である。図中、301はSr原子を表わし、その周囲は、Si原子またはAl原子302、およびO原子またはN原子303で囲まれている。Sr2Al3Si7ON13の結晶は、XRDや中性子線回折により同定することができる。
本実施形態の蛍光体は、上記一般式(1)で表わされる組成を有する。かかる蛍光体は、Cu−Kα線を用いたBragg−Brendano法によるX線回折パターンにおいて、特定の回折角度(2θ)にピークを有する。すなわち、8.45〜8.75°、11.1〜11.4°、18.2〜18.5°、19.7〜20.0°、23.0〜23.3°、24.8〜25.1°、25.65〜25.95°、26.55〜26.85°、29.3〜29.6°、29.8〜30.1°、30.2〜30.5°、30.9〜31.2°、31.55〜31.85°、33.55〜33.85°、33.9〜34.2°、34.35〜34.65°、35.2〜35.5°、36.0〜36.3°、36.5〜36.8°、48.3〜48.6°、および48.7〜49.0°の回折角度(2θ)に、少なくとも10本のピークを有する。
本実施形態にかかる黄色発光蛍光体は、各元素を含む原料粉体を混合し、焼成することによって製造することができる。
M原料は、Mの珪化物、窒化物および炭化物から選択することができ、これらのうち珪化物が好ましい。Al原料は、Alの窒化物、酸化物および炭化物から選択することができ、Si原料は、Siの窒化物、酸化物および炭化物から選択することができる。発光中心元素Ceの原料は、Ceの酸化物、窒化物および炭酸塩から選択することができる。
なお、窒素は、窒化物原料もしくは窒素を含む雰囲気中における焼成から与えることができ、酸素は、酸化物原料および窒化物原料の表面酸化皮膜から与えることができる。
例えば、SrSi2、AlN、Si3N4、Al2O3およびAlN、ならびにCeO2を、目的の組成となるような仕込み組成で混合する。SrSi2の代わりに、Sr3N2、Sr2NあるいはSrN等、もしくはこれらの混合物を用いてもよい。しかしながら、SrSi2の配合量が多いほど、蛍光体の発光特性が改良される傾向にある。これはSrSi2の配合量が多いほど、形成される蛍光体の粒子が均一になるためと考えられる。また、蛍光体の均一性を高めるためには原料混合物の均一性を高めることも有効である。均一な混合粉体を得るために、質量の少ない原料粉体から順に乾式混合することが望まれる。
原料は、例えば大気中で乳鉢を用いて混合することができる。混合粉体をるつぼ内に収容し、所定の条件で焼成することによって、本実施形態にかかる蛍光体が得られる。るつぼの材質は特に限定されず、窒化ホウ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、カーボン、窒化アルミニウム、サイアロン、酸化アルミニウム、モリブデン、およびタングステン等から選択することができる。
混合粉体の焼成は、大気圧以上の圧力で行なうことが望ましい。大気圧以上の圧力で焼成が行なわれると、窒化ケイ素が分解しにくい点で有利となる。窒化ケイ素の高温での分解を抑制するためには、圧力は5気圧以上であることがより好ましく、焼成温度は1500〜2000℃の範囲が好ましい。こうした条件であれば、材料または生成物の昇華といった不都合を引き起こさずに、目的の焼結体が得られる。焼成温度は、1800〜2000℃がより好ましい。
AlNの酸化を避けるためには、窒素雰囲気中で焼成を行なうことが望まれる。雰囲気中には、90at.%程度までの水素が含まれていてもよい。
上述した温度で0.5〜10時間、好ましくは1〜4時間焼成した後、焼成物をるつぼから取り出して解砕し、再度、同様の条件で焼成することが好ましい。こうした取り出し・解砕・焼成の一連の工程を0〜10回程度繰り返すことによって、結晶粒子同士の融着が少なく、組成および結晶構造が均一な粉体が生成しやすいという利点が得られる。
上述した温度で0.5〜10時間、好ましくは1〜4時間焼成した後、焼成物をるつぼから取り出して解砕し、再度、同様の条件で焼成することが好ましい。こうした取り出し・解砕・焼成の一連の工程を0〜10回程度繰り返すことによって、結晶粒子同士の融着が少なく、組成および結晶構造が均一な粉体が生成しやすいという利点が得られる。
また、焼成は、単一の焼成条件による一段階で行うこともできるが、異なった焼成条件を2つ以上組み合わせて、多段階で焼成することもできる。具体的には、水素および窒素の混合雰囲気下に大気圧下で焼成し、引き続き窒素雰囲気下、加圧条件下で焼成すること方法などが挙げられる。より具体的には、下記のような焼成条件により蛍光体を形成させると、優れた発光特性を有する蛍光体を形成することができる。
(1)第一段階
雰囲気: 水素10〜90モル%、窒素10〜90モル%の混合雰囲気
圧力: 0.9〜2気圧
温度: 1000〜2000℃
焼成時間:1〜20時間
(2)第二段階
雰囲気: 水素0〜50モル%、窒素50〜100モル%の混合雰囲気
圧力: 0.9〜10気圧
温度: 1400〜2000℃
焼成時間:0.5〜10時間
また、この2段階以上の焼成過程を複数回繰り返すこともできる。
(1)第一段階
雰囲気: 水素10〜90モル%、窒素10〜90モル%の混合雰囲気
圧力: 0.9〜2気圧
温度: 1000〜2000℃
焼成時間:1〜20時間
(2)第二段階
雰囲気: 水素0〜50モル%、窒素50〜100モル%の混合雰囲気
圧力: 0.9〜10気圧
温度: 1400〜2000℃
焼成時間:0.5〜10時間
また、この2段階以上の焼成過程を複数回繰り返すこともできる。
焼成後には、必要に応じて洗浄等の後処理を施して、一実施形態にかかる蛍光体が得られる。洗浄としては、例えば純水洗浄、酸洗浄などを採用することができる。酸としては、例えば、硫酸、硝酸、塩酸、フッ化水素酸などの無機酸、ギ酸、酢酸、シュウ酸などの有機酸、またはこれらの混合酸等を用いることができる。
酸洗浄後には、必要に応じてポストアニール処理を施してもよい。ポストアニール処理は、例えば窒素と水素とを含む還元雰囲気中で行なうことができ、こうしたポストアニール処理を施すことによって結晶性および発光効率が向上する。
一実施形態にかかる発光装置は、前述の蛍光体を含む蛍光発光層と、前述の蛍光体を励起する発光素子とを具備する。図2は、一実施形態にかかる発光装置の構成を表わす概略図である。
図2に示す発光装置においては、基材200の上に、リード201、202およびパッケージカップ203が配置されている。基材200およびパッケージカップ203は樹脂性である。パッケージカップ203は、上部が底部より広い凹部205を有しており、この凹部の側面は反射面204として作用する。
凹部205の略円形底面中央部には、発光素子206がAgペースト等によりマウントされている。用い得る発光素子206は、400〜500nmの波長範囲内に発光ピークを有する光を発するものである。例えば、発光ダイオード、およびレーザダイオード等が挙げられる。具体的には、GaN系等の半導体発光素子などが挙げられるが、特に限定されない。
発光素子206のp電極およびn電極(図示せず)は、Auなどからなるボンディングワイヤー207および208によって、リード201およびリード202にそれぞれ接続されている。リード201および202の配置は、適宜変更することができる。
発光素子206としては、n電極とp電極とを同一面上に有するフリップチップ型のものを用いることもできる。この場合には、ワイヤーの断線や剥離、ワイヤーによる光吸収等のワイヤーに起因した問題を解消して、信頼性の高い高輝度な半導体発光装置が得られる。また、n型基板を有する発光素子を用いて、次のような構成とすることもできる。発光素子のn型基板の裏面にn電極を形成し、基板上に積層されたp型半導体層の上面にはp電極を形成する。n電極はリード上にマウントし、p電極はワイヤーにより他方のリードに接続する。
発光素子206としては、n電極とp電極とを同一面上に有するフリップチップ型のものを用いることもできる。この場合には、ワイヤーの断線や剥離、ワイヤーによる光吸収等のワイヤーに起因した問題を解消して、信頼性の高い高輝度な半導体発光装置が得られる。また、n型基板を有する発光素子を用いて、次のような構成とすることもできる。発光素子のn型基板の裏面にn電極を形成し、基板上に積層されたp型半導体層の上面にはp電極を形成する。n電極はリード上にマウントし、p電極はワイヤーにより他方のリードに接続する。
パッケージカップ203の凹部205内には、一実施形態にかかる蛍光体110を含有する蛍光発光層209が配置される。蛍光発光層209においては、例えばシリコーン樹脂からなる樹脂層211中に、5〜60質量%の量で蛍光体210が含有される。上述したように、本実施形態にかかる蛍光体はSr2Al3Si7ON13を母材としており、こうした酸窒化物は共有結合性が高い。このため、本実施形態にかかる蛍光体は疎水性であり、樹脂との相容性が極めて良好である。したがって、樹脂層と蛍光体との界面での散乱が著しく抑制されて、光取出し効率が向上する
本実施形態にかかる黄色発光蛍光体は、温度特性が良好であるとともに、発光スペクトル半値幅の広い黄色光を高い効率で発光できる。400〜500nmの波長範囲内に発光ピークを有する光を発する発光素子と組み合わせることによって、発光特性の優れた白色発光装置が得られる。
発光素子206のサイズや種類、凹部205の寸法および形状は、適宜変更することができる。
発光素子206のサイズや種類、凹部205の寸法および形状は、適宜変更することができる。
一実施形態にかかる発光装置は、図2に示したようなパッケージカップ型に限定されず、適宜変更することができる。具体的には、砲弾型LEDや表面実装型LEDの場合も、実施形態の蛍光体を適用して同様の効果を得ることができる。
図3は、他の実施形態にかかる発光装置の構成を表わす概略図を示す。図示する発光装置においては、放熱性の絶縁基板300の所定の領域にはp電極およびn電極(図示せず)が形成され、この上に発光素子301が配置されている。放熱性の絶縁基板の材質は、例えばAlNとすることができる。
発光素子301における一方の電極は、その底面に設けられており、放熱性の絶縁基板300のn電極に電気的に接続される。発光素子301における他方の電極は、金ワイヤー303により放熱性の絶縁基板300上のp電極(図示せず)に接続される。発光素子301としては、400〜500nmの波長範囲内に発光ピークを有する光を発する発光ダイオードを用いる。
発光素子301上には、ドーム状の内側透明樹脂層304、蛍光発光層305、および外側透明樹脂層306が順次形成される。内側透明樹脂層304および外側透明樹脂層306は、例えばシリコーン等を用いて形成することができる。蛍光発光層305においては、例えばシリコーン樹脂からなる樹脂層308中に、本実施形態の黄色発光蛍光体307が含有される。
図3に示した発光装置においては、本実施形態にかかる黄色発光蛍光体を含む蛍光発光層305は、真空印刷もしくはディスペンサによる滴下塗布といった手法を採用して、簡便に作製することができる。しかも、かかる蛍光発光層305は、内側透明樹脂層304と外側透明樹脂層306とによって挟まれているので、取り出し効率が向上するという効果が得られる。
なお、本実施形態にかかる発光装置の蛍光発光層中には、本実施形態の黄色発光蛍光体とともに、青色光での励起により緑色発光する蛍光体、および青色光での励起により赤色発光する蛍光体が含有されていてもよい。この場合には、演色性がより優れた白色発光装置が得られる。
本実施形態にかかる黄色発光蛍光体を250〜400nmの波長範囲内にピークを有する紫外領域の光で励起した場合にも、黄色発光が得られる。したがって、本実施形態にかかる蛍光体と、例えば紫外光での励起により青色発光する蛍光体、および紫外発光ダイオード等の発光素子とを組み合わせて、白色発光装置を構成することもできる。こうした白色発光装置における蛍光発光層中には、本実施形態の黄色発光蛍光体とともに、紫外光での励起により他の波長範囲内にピークを有する光を発する蛍光体が含有されてもよい。例えば、紫外光での励起により赤色発光する蛍光体、および紫外光での励起により緑色発光する蛍光体などが挙げられる。
上述したように、本実施形態の蛍光体は、温度特性が良好であるとともに、発光スペクトル半値幅の広い黄色光を高い効率で発光できる。こうした本実施形態の黄色発光蛍光体を、250〜500nmの波長範囲内に発光ピークを有する光を発する発光素子と組み合わせることによって、少ない種類の蛍光体を用いて、発光特性の優れた白色発光装置を得ることができる。
以下、蛍光体および発光装置の具体例を示す。
[実施例1]
まず、Sr原料、Ce原料、Si原料、およびAl原料として、SrSi2、CeCl3、Si3N4、およびAlNを用意し、それぞれ秤量した。SrSi2、CeCl3、Si3N4およびAlNの配合質量は、それぞれ4.416g、0.185g、2.474g、および1.414gとした。配合された原料粉体は、遊星ボールミルで乾式混合した。
[実施例1]
まず、Sr原料、Ce原料、Si原料、およびAl原料として、SrSi2、CeCl3、Si3N4、およびAlNを用意し、それぞれ秤量した。SrSi2、CeCl3、Si3N4およびAlNの配合質量は、それぞれ4.416g、0.185g、2.474g、および1.414gとした。配合された原料粉体は、遊星ボールミルで乾式混合した。
得られた混合物を窒化ホウ素(BN)るつぼに収容し、1気圧の水素/窒素雰囲気中、1600℃で4時間焼成した。焼成物をるつぼから取り出し、めのう乳鉢で解砕した。解砕された焼成物を再びるつぼに収容して、1600℃で4時間焼成した。この取り出し・解砕・焼成からなる一連の工程をさらに一回繰り返した。
得られた混合物を窒化ホウ素(BN)るつぼに収容し、7.5気圧の窒素雰囲気中、1850℃で4時間焼成した。焼成物をるつぼから取り出し、めのう乳鉢で解砕した。解砕された焼成物を再びるつぼに収容して、1850℃で4時間焼成した。この取り出し・解砕・焼成からなる一連の工程をさらに二回繰り返すことによって、実施例1の蛍光体が得られた。得られた蛍光体は、体色が黄色の粉体であり、ブラックライトで励起したところ黄色発光が確認された。
この蛍光体のXRDパターンは図4に示す通りであった。ここでのXRDパターンは、Cu−Kα線を用いたBragg−Brendano法によるX線回折により求めた。図4に示されるように、8.45〜8.75°、11.1〜11.4°、18.2〜18.5°、19.7〜20.0°、23.0〜23.3°、24.8〜25.1°、25.65〜25.95°、26.55〜26.85°、29.3〜29.6°、29.8〜30.1°、30.2〜30.5°、30.9〜31.2°、31.55〜31.85°、33.55〜33.85°、33.9〜34.2°、34.35〜34.65°、35.2〜35.5°、36.0〜36.3°、36.5〜36.8°、48.3〜48.6°、および48.7〜49.0°の回折角度(2θ)にピークが現れていた。
実施例1の蛍光体を発光波長450nmに分光したキセノンランプで励起した場合の発光スペクトルは図5に示す通りであった。図5中、450nm近傍の半値幅の狭い発光は、励起光の反射であり、蛍光体の発光ではない。551nmをピーク波長とする高い発光強度が確認された。また、瞬間マルチチャンネル分光計により求めた半値幅は117nmであった。半値幅は発光装置から発せられる白色光の演色性の指標のひとつとなり、一般的に半値幅が広いほど演色性の高い白色光が得られやすい。半値幅が117nmであるので、実施例1の蛍光体を用いることで演色性に優れた白色光が得られやすいことがわかった。
[実施例2]
SrSi2、およびCeCl3の配合質量をそれぞれ4.348g、および0.296gに変更する以外は実施例1と同様の手法により、実施例2の蛍光体を得た。
SrSi2、およびCeCl3の配合質量をそれぞれ4.348g、および0.296gに変更する以外は実施例1と同様の手法により、実施例2の蛍光体を得た。
実施例2の蛍光体は、いずれも体色が黄色の粉体であり、ブラックライトで励起したところ、黄色発光が確認された。また、これらの蛍光体のXRDパターンは図6に示す通りであった。図6に示されるように、8.45〜8.75°、11.1〜11.4°、18.2〜18.5°、19.7〜20.0°、23.0〜23.3°、24.8〜25.1°、25.65〜25.95°、26.55〜26.85°、29.3〜29.6°、29.8〜30.1°、30.2〜30.5°、30.9〜31.2°、31.55〜31.85°、33.55〜33.85°、33.9〜34.2°、34.35〜34.65°、35.2〜35.5°、36.0〜36.3°、36.5〜36.8°、48.3〜48.6°、および48.7〜49.0°の回折角度(2θ)にピークが現れていた。
実施例2の蛍光体を発光波長450nmに分光したキセノンランプで励起した場合の発光スペクトルは図7に示す通りであった。
[比較例1〜3]
以下のようにして比較例1〜3の蛍光体を作製した。Sr原料、Ce原料、Si原料、およびAl原料として、Sr3N2、CeCl3、Si3N4、およびAlNを用意し、それぞれ表4に示す配合質量で秤量した。配合された原料粉体は、遊星ボールミルで乾式混合した。
以下のようにして比較例1〜3の蛍光体を作製した。Sr原料、Ce原料、Si原料、およびAl原料として、Sr3N2、CeCl3、Si3N4、およびAlNを用意し、それぞれ表4に示す配合質量で秤量した。配合された原料粉体は、遊星ボールミルで乾式混合した。
得られた混合物を窒化ホウ素(BN)るつぼに収容し、1気圧の水素/窒素雰囲気中、1600℃で4時間焼成した。焼成物をるつぼから取り出し、めのう乳鉢で解砕した。解砕された焼成物を再びるつぼに収容して、1600℃で4時間焼成した。この取り出し・解砕・焼成からなる一連の工程をさらに一回繰り返した。
得られた混合物を窒化ホウ素(BN)るつぼに収容し、7.5気圧の窒素雰囲気中、1850℃で4時間焼成した。焼成物をるつぼから取り出し、めのう乳鉢で解砕した。解砕された焼成物を再びるつぼに収容して、1850℃で4時間焼成した。この取り出し・解砕・焼成からなる一連の工程をさらに二回繰り返すことによって、各例の蛍光体が得られた。得られた蛍光体は、体色が黄色の粉体であり、ブラックライトで励起したところ黄色発光が確認された。
これらの蛍光体を発光波長450nmに分光したキセノンランプで励起した場合の発光波長と発光効率は表6および図8に示す通りであった。本発明による蛍光体の方が比較例の蛍光体よりも高効率化していることが判った。
また、実施例1および比較例1の蛍光体に対して、励起波長を350〜475nmの範囲で変化させながら発光スペクトルのピーク波長とその変化幅を測定した。得られた結果は図9に示すとおりであった。
励起波長を350〜475nmの範囲で変えた場合に、比較例1は発光波長が543〜560nmの範囲で変化し、変化幅は20nm弱であった。この現象は蛍光体の粒子間および粒子内での組成または構造の不均一性に起因すると考えられる。一方、実施例1の蛍光体の場合は同じ励起波長範囲における発光波長は548〜559nmの範囲で変化し、変化幅は10nm程度であって、比較例1に比べて小さかった。これは、本発明における蛍光体は、粒子間および粒子内の均一性が高いことに起因すると考えられる。
次に、これらの蛍光体の450nm励起における色度は図10に示す通りであった。本発明による蛍光体は、組成または構造の均一性が向上したことにより蛍光体が高効率化したばかりでなく、色度も図10に示すように向上することがわかった。蛍光体の高効率化により白色LEDが高効率化するばかりでなく、蛍光体の色度の向上により白色LEDにする際の蛍光体濃度を低く抑えることができるため、蛍光体の散乱による白色LEDの効率低下を抑制することができ、白色LEDを高効率化することができる。
[応用例]
次に本実施例1の蛍光体を用いて、図3に示した構成の発光装置を作製した。
放熱性の絶縁基板300として、所定の領域にp電極およびn電極(図示せず)が形成された8mm角のAlN基板を用意した。この上に発光素子301として、発光ピーク波長が460nmの発光ダイオードを半田により接合した。発光素子301における一方の電極は、その底面に設けられており、AlN基板300のn電極に電気的に接続した。発光素子301における他方の電極は、金ワイヤー303によりAlN基板300上のp電極(図示せず)に接続した。
次に本実施例1の蛍光体を用いて、図3に示した構成の発光装置を作製した。
放熱性の絶縁基板300として、所定の領域にp電極およびn電極(図示せず)が形成された8mm角のAlN基板を用意した。この上に発光素子301として、発光ピーク波長が460nmの発光ダイオードを半田により接合した。発光素子301における一方の電極は、その底面に設けられており、AlN基板300のn電極に電気的に接続した。発光素子301における他方の電極は、金ワイヤー303によりAlN基板300上のp電極(図示せず)に接続した。
発光素子301上には、内側透明樹脂層304、蛍光発光層305、および外側透明樹脂層306を順次ドーム状に形成して、本実施例の発光装置を作製した。内側透明樹脂層304の材質としてはシリコーン樹脂を用い、ディスペンサにより形成した。蛍光発光層305の形成には、本実施例の蛍光体を50質量%含有する透明樹脂を用いた。用いた透明樹脂は、シリコーン樹脂である。さらに、蛍光発光層305の上の外側透明樹脂層306の形成には、内側透明樹脂層304の場合と同様のシリコーン樹脂を用いた。
この発光装置を積分球内に設置し、20mA、3.3Vで駆動させたところ、色温度6300K、光束効率180 lm/W、Ra=76であった。色温度、光束効率およびRaは、瞬間マルチチャンネル分光計瞬間マルチチャンネル分光計から得られた。
本実施例の蛍光体を、発光ピーク波長が460nmの青色LEDと組み合わせることによって、本実施形態の白色発光装置が得られた。かかる白色発光装置は、発光効率がおよび演色性が高いハイパワー用白色LEDを得ることができる。
本実施例の蛍光体を、発光ピーク波長が460nmの青色LEDと組み合わせることによって、本実施形態の白色発光装置が得られた。かかる白色発光装置は、発光効率がおよび演色性が高いハイパワー用白色LEDを得ることができる。
本発明の実施形態によれば、色度が良好な黄色光を高い効率で発光できる蛍光体が提供される。本実施形態の黄色発光蛍光体を青色LEDと組み合わせた際には、演色性が優れ発光特性の良好な白色発光装置を得ることができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行なうことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
101…Sr原子; 102…Si原子またはAl原子
103…O原子またはN原子; 200…基材; 201…リード; 202…リード
203…パッケージカップ; 204…反射面; 205…凹部
206…発光チップ; 207…ボンディングワイヤー
208…ボンディングワイヤー; 209…蛍光発光層; 210…蛍光体
211…樹脂層; 301…絶縁基板; 301…発光素子
303…ボンディングワイヤー; 304…内側透明樹脂層
305…蛍光発光層; 306…外側透明樹脂層; 307…蛍光体
3,408…樹脂層。
103…O原子またはN原子; 200…基材; 201…リード; 202…リード
203…パッケージカップ; 204…反射面; 205…凹部
206…発光チップ; 207…ボンディングワイヤー
208…ボンディングワイヤー; 209…蛍光発光層; 210…蛍光体
211…樹脂層; 301…絶縁基板; 301…発光素子
303…ボンディングワイヤー; 304…内側透明樹脂層
305…蛍光発光層; 306…外側透明樹脂層; 307…蛍光体
3,408…樹脂層。
Claims (10)
- 250〜500nmの波長範囲内に発光ピークを有する光で励起した際に、500〜600nmの波長範囲内に発光ピークを示し、下記一般式(1):
(M1−xCex)2yAlzSi10−zOuNw (1)
(ここで、
Mは主としてSrからなる金属元素であり、Mの一部はBa、Ca、およびMgからなる群から選ばれる少なくとも一種で置換されていてもよく、
0<x≦1、
0.8≦y≦1.1、
2≦z≦3.5、
0<u≦1、
1.8≦z−u、
13≦u+w≦15
である)
で表され、励起光の発光ピーク波長を350〜475nmの範囲で変化させたときの、前記蛍光体の発光ピーク波長の変化幅が15nm未満であることを特徴とする蛍光体。 - 前記M全体に対して、Ba、CaおよびMgのそれぞれの含有量が10at.%以下である、請求項1に記載の蛍光体。
- Cu−Kα線を用いたBragg−Brendano法によるX線回折において、8.45〜8.75°、11.1〜11.4°、18.2〜18.5°、19.7〜20.0°、23.0〜23.3°、24.8〜25.1°、25.65〜25.95°、26.55〜26.85°、29.3〜29.6°、29.8〜30.1°、30.2〜30.5°、30.9〜31.2°、31.55〜31.85°、33.55〜33.85°、33.9〜34.2°、34.35〜34.65°、35.2〜35.5°、36.0〜36.3°、36.5〜36.8°、48.3〜48.6°、および48.7〜49.0°の回折角度(2θ)に、少なくとも10本のピークを有する、請求項1または2に記載の蛍光体。
- 250〜500nmの波長範囲内に発光ピークを有する光を発する発光素子と、
請求項1〜3のいずれか1項に記載の蛍光体を含有する蛍光発光層と、
を具備してなることを特徴とする発光装置。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の蛍光体の製造方法であって、
Mの珪化物から選択されるM原料と、Alの窒化物、酸化物および炭化物から選択されるAl原料と、Siの窒化物、酸化物および炭化物から選択されるSi原料と、Ceの酸化物、窒化物および炭酸塩から選択されるCe原料とを混合して混合物を得る混合工程と、
前記混合物を焼成する焼成工程と
を具備することを特徴とする方法。 - 前記混合物が、質量の少ない原料粉体から順に乾式混合されたものである、請求項5に記載の方法。
- 前記焼成工程が、異なった焼成条件を2つ以上組み合わせた多段階焼成工程である、請求項5または6に記載の方法。
- 前記混合物を、水素および窒素の混合雰囲気下に大気圧下で焼成し、引き続き窒素雰囲気下で加圧条件下で焼成する、請求項5〜7のいずれか1項に記載の方法。
- 前記加圧条件下の焼成工程が、5気圧以上の圧力下、1500〜2000℃の1段階焼成で行なわれることを特徴とする請求項8に記載の製造方法。
- 前記加圧条件下の焼成工程が、窒素雰囲気中で行なわれることを特徴とする請求項8または9に記載の製造方法。
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