JP2014177601A - 黄色発光蛍光体およびそれを用いた発光装置 - Google Patents

黄色発光蛍光体およびそれを用いた発光装置 Download PDF

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Abstract

【課題】発光効率の高い黄色蛍光体の提供。
【解決手段】下記一般式(1):
(M1−xRE2yAlSi10−zClα (1)
(式中、Mは、Ba、Sr、Ca、Mg、Li、Na、およびKからなる群から選択される少なくとも一つの元素であり、<α≦0.0017である。)で表わされる組成を有し、波長250〜500nmの光で励起した際に波長500〜600nmの間にピークを有する発光を示すことを特徴とする黄色発光蛍光体。
【選択図】図1

Description

本発明の実施形態は、発光装置に使用することができる蛍光体およびそれを用いた発光装置、ならびにその蛍光体の製造方法に関するものである。
青色LEDと黄色蛍光体YAl12:Ce3+(YAG)を組み合わせた白色LEDが開発され、その用途として、照明や液晶ディスプレイ用バックライト光源などへの応用が検討されている。
本発明の実施形態は、高効率な白色LED照明を提供することを目的とするものである。
本発明の実施形態による蛍光体は、下記一般式(1):
(M1−xRE2yAlSi10−zClα (1)
(式中、
Mは、Ba、Sr、Ca、Mg、Li、Na、およびKからなる群から選択される少なくとも一つの元素であり、
REは、Ce、Tb、Eu、およびMnからなる群から選択される元素であり、
0<x≦1,
0.8≦y≦1.1、
2≦z≦3.5
u≦1、
1.8≦z−u、
13≦u+w≦15
0<α≦0.0017
である)
で表わされる組成を有し、波長250〜500nmの光で励起した際に波長500〜600nmの間にピークを有する発光を示すことを特徴とするものである。
また、実施形態による蛍光体の製造方法は、前記蛍光体の製造方法であって、
前記Mの窒化物または炭化物、
Alの窒化物、酸化物、または炭化物、Siの窒化物、酸化物、または炭化物、および
前記REの塩化物、酸化物、窒化物、または炭酸塩
を含む原料混合物を1500〜2000℃の範囲の温度で焼成することを含むことを特徴とするものである。
実施形態にかかる蛍光体を用いた発光装置の構成を表わす概略断面図。 実施例1による蛍光体の発光スペクトルを示す図。 実施例1による蛍光体の吸収スペクトルを示す図。 実施例2による蛍光体の発光スペクトルを示す図。 実施例2による蛍光体の吸収スペクトルを示す図。 実施例3による蛍光体の発光スペクトルを示す図。 実施例4による蛍光体の吸収スペクトルを示す図。 比較例2による蛍光体の発光スペクトルを示す図。 蛍光体の塩素含有率と発光スペクトルピーク波長における吸収率との関係を示す図。
黄色発光蛍光体
本発明による黄色発光蛍光体は、特定範囲の組成を有し、波長250〜500nmの光で励起した際に波長500〜600nmの間にピークを有する発光を示すことを特徴とするものである。以下、この蛍光体について説明をする。
本発明の実施形態による、一般式(1):
(M1−xRE2yAlSi10−zClα (1)
(式中、
Mは、Ba、Sr、Ca、Mg、Li、Na、およびKからなる群から選択される少なくとも一つの元素であり、
REは、Ce、Tb、Eu、およびMnからなる群から選択される元素であり、
0<x≦1、
0.8≦y≦1.1、
2≦z≦3.5、
u≦1、
1.8≦z−u、
13≦u+w≦15
0<α≦0.0017
である)
で表される蛍光体は、一般的にサイアロン蛍光体に分類されるものである。この蛍光体は、波長250〜500nmの光で励起した際に波長500〜600nmの間にピークを有する発光を示す、黄色発光蛍光体である。この蛍光体の基本的は結晶構造は、(Sr,Ce)SiAlON13と同一のものである。
また、一般式(1)中、MはBa、Sr、Ca、Mg、Li、Na、およびKからなる群から選択される少なくとも一つの元素である。これらのうちSrが最も好ましい。金属元素Mは、一種類の元素であっても、または2種類以上の元素が組み合わされていてもよい。また、原料として用いられるM含有化合物としては、窒化物、または炭化物が用いられることが好ましい。
金属元素REは、蛍光体の発光中心として機能するものである。すなわち、本発明の実施形態における蛍光体は、前記した元素M、Al、Si、OおよびNを基本とする結晶構造を有するが、Mの一部が発光中心元素REに置換されているものである。REはCe、Tb、Eu、およびMnからなる群から選択される元素である。これらの発光中心元素は、2種類以上を組み合わせて用いることもできる。これらのうち、もっとも好ましいのは、Ceであり、これは発光波長が良好な黄色の発光を示すためである。
本発明による蛍光体は、さらにAlおよびSiを含む。ここで、AlおよびSiは本発明による効果を損なわない範囲で、類似した元素によって置換されていてもよい。具体的にはSiの一部が、Ge、Sn、Ti、Zr、およびHf等に置換されていてもよく、Alの一部がB、Ga、In、Sc、Y、La、Gd、およびLu等によって置換されていてもよい。
また、本発明の実施形態による蛍光体は、その特定された組成比を有する。式(1)において、各元素の組成比を表すx、y、z、u、およびwは特定の条件を満たすことが必要である。
0<x≦1、好ましくは0.001≦x≦0.5、
0.8≦y≦1.1、好ましくは0.85≦y≦1.06、
2≦z≦3.5、好ましくは2.5≦z≦3.3
u≦1、好ましくは0.001≦u≦0.8、
1.8≦z−u、好ましくは2.0≦z−u、
13≦u+w≦15、好ましくは13.2≦u+w≦14.2、
0<α≦0.0017、好ましくは0.0002≦α≦0.0012。
このとき金属元素Mの少なくとも一部が発光中心元素REで置換されていれば蛍光体として機能するが、金属元素Mのうち0.1モル%(x=0.001)が発光中心元素REで置換されていれば、良好な発光効率を得ることができる。一方、金属元素Mの全量が発光中心元素REで置き換えられてもよい(x=1)。しかし、発光確率の低下(濃度消光とも呼ばれる)抑制するために、発光中心元素Ceによる置換率を50モル%(x=0.5)以下とすることが好ましい。したがって、0<x≦1であることが好ましく、0.001≦x≦0.5であることが更に好ましい。
yは、結晶欠陥を抑制し、効率の低下を防止するために、0.8以上であることが好ましく、更に0.85以上であることがより好ましい。一方、過剰なアルカリ土類金属が異相として析出して発光効率が低下することを防ぐために、1.1以下であることが好ましく、1.06以下であることが更に好ましい。したがって、0.8≦y≦1.1であることが好ましく、0.85≦y≦1.06があることが更に好ましい。
過剰なSiが異相として析出することによる発光特性の低下を防ぐために、zは2以上であることが好ましく、2.5以上であることが更に好ましい。一方、zが3.5を越えると、過剰なAlが異相として析出することによる発光特性の低下を防ぐために、zは3.5以下であることが好ましく、3.3以下であることが更に好ましい。したがって、2≦z≦3.5であることが好ましく、2.5≦z≦3.3であることが更に好ましい。
結晶欠陥増加に伴う発光効率の低下を抑制するために、uは1以下であることが好ましく、0.8以下であることが更に好ましい。青色光で励起した際に高い発光効率を得るためには、蛍光体の青色光の吸収率が高いことが好ましい。そのためには、蛍光体の吸収スペクトルを長波長化することが必要であり、uを0.5以下にすることが好ましい。uの値が小さくなるに伴い、吸収スペクトル・発光スペクトルともに長波長化する。Ceの励起準位である5d軌道は、孤立したイオンの場合は5重に縮退している。しかし、結晶中においてはCeイオンは結晶場の影響を受けているため、縮退がとけている。結晶場が大きいほうが、5d準位の分裂が大きくなり、5dの最低エネルギーレベルが低くなり、励起エネルギーが小さくなるので、青色光の吸収率が高くなる傾向にある。一般式(1)においてuが小さいほうが、Ceに結合する窒素の割合がたかくなるので、結晶場は大きくなり、より低いエネルギーの光、すなわち青色光でも励起できるようになる。このため、uの値が小さいほうが好ましい。一方、所望の結晶構造を維持し、発光スペクトルの波長を適切に維持するためには0.001以上であることが好ましい。したがって、u≦1であることが好ましく、0.001≦u≦0.8であることが更に好ましい。
実施形態による蛍光体が、所望の結晶構造を維持するため、また蛍光体の製造時における異相の発生を抑制するために、z−uは1.8以上であることが好ましく、2.0以上であることが更に好ましい。また、同様の理由により13≦u+w≦15であることが好ましく、13.2≦u+w≦14.2であることが更に好ましい。
実施形態による蛍光体は、結晶を構成する元素として塩素を含有することを一つの特徴としている。塩素を含まない蛍光体に対して、塩素含有量が増大していくと、蛍光体の発光波長ピークにおける蛍光体の吸収率が減少していく。しかし、塩素含有率がさらに多くなって一定量より多くなると、再びその吸収率が増大していく傾向にある。すなわち、塩素の含有量が一定範囲にあるときに、蛍光体の発光効率の低下要因である母体吸収が抑制される。すなわち、蛍光体を一般式(1)により表した場合、0<α≦0.0017であることが好ましく、0.0002≦α≦0.0012であることが更に好ましい。この結果、実施形態による蛍光体は優れた発光特性を示す。
なお、実施形態による蛍光体において、塩素が結晶構造に完全に取り込まれているか否かは明確ではないが、塩素は1価のイオンとして 酸素、窒素などの陰イオンの代わりに蛍光体中に組み込まれている可能性が考えられる。一方で、結晶構造とは独立に元素や化合物の形態で結晶に付着等している可能性もある。すなわち、一般式(1)は、元素分析によって測定される元素組成に対応するものであるといえる。
実施形態による蛍光体の元素分析は、従来知られている任意の方法により測定することができるが、例えば以下の方法を用いることができる。
M、Si、AlおよびREは、例えば誘導結合プラズマ発光分光分析(ICP発光分光分析といわれることもある)により測定することができる。具体的には、酸窒化物蛍光体の試料を白金ルツボに計量し、アルカリ融解によって分解し、内標準元素Yを添加して測定溶液を調製し、ICP発光分光分析により測定する。測定装置には、M、Si、およびREに関しては、例えばSPS−3520UV4000型ICP発光分光分析装置(商品名、エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製)、を用いることができる。
OおよびNは、例えば不活性ガス融解法により測定することができる。具体的には、酸窒化物蛍光体の試料を黒鉛ルツボ中で加熱融解し、試料に含まれるOを不活性ガス搬送法によりCOとし、さらにそれをCOに酸化した後、赤外線吸収法で酸素の含有量を測定し、さらにCOを除去した後に熱伝導法でNの含有量を測定する。測定装置には、例えばTC−600型酸素・窒素・水素分析装置(商品名、LECOコーポーレーション(米国)製)を用いることができる。
また、Clはイオンクロマトグラフィーにより測定することができる。具体的には、まず、酸窒化物蛍光体の試料を磁性ボートにはかり取り、酸素及び水蒸気気流中で加熱分解し、発生ガスを水溶液に捕集して測定溶液とする。この測定用液を、イオンクロマトグラフ装置、例えば日本ダイオネクス株式会社製DX−120にて測定することで測定することができる。
黄色蛍光体の製造方法
本発明の実施形態による蛍光体の製造方法は、原料混合物の粒子径を制御する点にひとつの特徴を有するものであるが、そのほかは特別な装置や操作を必要としないものであり、製造コストの上昇を伴わないものである。本発明の実施形態による蛍光体の製造方法について説明すると以下の通りである。
本発明の実施形態にかかる蛍光体は、例えば、元素Mの窒化物または炭化物、AlやSiなどの窒化物、酸化物、または炭化物、および発光中心元素REの塩化物、酸化物、窒化物、または炭酸塩を出発原料として用いて、合成することができる。より具体的には、元素MとしてSrを含有し、発光中心元素REとしてCeを含有する蛍光体を目的とする場合には、Sr、AlN、Si、およびCeClを出発原料として用いることができる。Srの代わりにCa、Ba、SrNあるいはSrN等、もしくはこれらの混合物を用いてもよい。また、実施形態による蛍光体は、塩素を含有することを一つの特徴としているが、塩素は、前記した各金属元素と結合した塩化物や塩素酸などの塩素含有化合物の形態で導入したり、焼成雰囲気に塩素ガス、塩化水素ガスなどを導入することで導入したりすることができる。塩素含有化合物の形態で塩素を導入する場合には、原料の配合比によって蛍光体の塩素含有率を制御することができる。また、蛍光体の製造過程において、原料粉末の混合物を焼成する際に、混合物から揮発する塩素ガス等を制御することで、蛍光体の塩素含有率を制御することもできる。これらのうち、REの塩化物として塩素を導入することが簡便である。これらを所望の組成になるように秤量混合し、必要に応じて粉砕などをした後、得られた混合粉末を焼成することによって、目的の蛍光体を製造することができる。
なお、焼成に際して、一般的には坩堝などの容器に原料粉末混合物を充填して、加熱炉中などで焼成を行う。このとき、るつぼの容量に対して十分量、具体的には坩堝容量の8〜9割の容積の原料混合物を充填することが好ましい。また、充填後の坩堝に対してタッピングなどを行って緻密に充填すること、また原料を充填した坩堝に蓋をすること、また坩堝をさらに他の坩堝などの容器に入れることが好ましい。このようにすることで、焼成中に塩素が容器外に揮散して、塩素含有量が下がることを防止することができる。また、坩堝を二重とすることで、容器の熱容量が大きくなり、均熱性が高まり、良好な発光特性の試料が得られる効果も期待される。
焼成は、大気圧以上の圧力で行なうことが望ましい。原料として窒化ケイ素を用いる場合には、その高温での分解を抑制するためには、5気圧以上がより好ましい。焼成温度は1500〜2000℃の範囲が好ましく、より好ましくは1700〜2000℃である。焼成温度が1500℃未満の場合には、目的とする蛍光体の形成が困難となることがある。一方、2000℃を越えると、材料あるいは生成物の昇華のおそれがある。また、原料として窒化物を用いる場合は、それが酸化されやすいことから、N雰囲気中で焼成することが望まれるが、窒素および水素の混合雰囲気でもよい。なお、前記したように雰囲気中の酸素含有率は厳密に制御するべきである。
焼成後の粉体に洗浄等の後処理を必要に応じて施して、実施形態の蛍光体が得られる。洗浄を行う場合には、例えば純水洗浄、酸洗浄により行なうことができる。
発光装置
本発明の実施形態による蛍光体は、それを励起することができる発光素子と組み合わせることによって発光素子とすることができる。
本発明の実施形態による発光装置は、励起源である発光素子と、その発光素子から照射される光によって励起されて蛍光を発する、前記の黄色発光蛍光体(Y)との組み合わせを具備する。このとき、この発光装置は、発光素子から照射される光と、黄色発光蛍光体からの発光とが合成された光を放射するものである。
発光装置に用いられる発光素子、たとえばLED素子は、用いる蛍光体の組み合わせによって適当なものが選択される。すなわち、発光素子から放射される光が、用いられる蛍光体を励起することができるものであることが必要である。さらには、発光装置が白色光を放射することが好ましい場合には、蛍光体から放射される光を補うような波長の光を放射する発光素子が好ましい。
このような観点から、蛍光体として黄色発光蛍光体とを用いた蛍光装置においては、発光素子は、250〜500nmの波長の光を放射するものが選択される。
本発明の実施形態による発光装置は、従来知られている任意の発光装置の形態とすることができる。図1は、本発明の一実施形態にかかる発光装置の断面を示すものである。
図1に示された発光装置においては、発光素子100はリードフレームを成形してなるリード101およびリード102と、これに一体成形されてなる樹脂部103とを有する。樹脂部103は、上部開口部が底面部より広い凹部105を有しており、この凹部の側面には反射面104が設けられる。
凹部105の略円形底面中央部には、発光素子106がAgペースト等によりマウントされている。発光素子106としては、例えば発光ダイオード、レーザダイオード等を用いることができる。この発光素子は、用いられる蛍光体の組み合わせに応じて、適当な波長の光を放射するものから選択される。例えば、GaN系等の半導体発光素子等を用いることができる。発光素子106の電極(図示せず)は、Auなどからなるボンディングワイヤー107および108によって、リード101およびリード102にそれぞれ接続されている。なお、リード101および102の配置は、適宜変更することができる。
蛍光層109は、本発明の実施形態にかかる蛍光体を、例えばシリコーン樹脂からなる樹脂層111中に5〜50重量%の割合で分散、もしくは沈降させることによって形成することができる。実施形態にかかる蛍光体には、共有結合性の高い酸窒化物が母体として用いられている。このため、本発明の実施形態による蛍光体は一般に疎水性であり、樹脂との相容性が極めて良好である。したがって、樹脂と蛍光体との界面での散乱が著しく抑制されて、光取出し効率が向上する。
発光素子106としては、n型電極とp型電極とを同一面上に有するフリップチップ型のものを用いることも可能である。この場合には、ワイヤーの断線や剥離、ワイヤーによる光吸収等のワイヤーに起因した問題を解消して、信頼性の高い高輝度な半導体発光装置が得られる。また、発光素子106にn型基板を用いて、次のような構成とすることもできる。具体的には、n型基板の裏面にn型電極を形成し、基板上の半導体層上面にはp型電極を形成して、n型電極またはp型電極をリードにマウントする。p型電極またはn型電極は、ワイヤーにより他方のリードに接続することができる。発光素子106のサイズ、凹部105の寸法および形状は、適宜変更することができる。
本発明の実施形態にかかる発光装置は、図1に示したようなパッケージカップ型に限定されず、適宜変更することができる。具体的には、砲弾型発光装置や表面実装型発光装置の場合も、実施形態の蛍光体を適用して同様の効果を得ることができる。
以下、諸例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例のみに限定されるものではない。
実施例1〜5および比較例1〜2
出発原料としてSr、CeCl、Si、AlNを用意した。これらを表1に示す通り各々秤量した。この原料混合物をBN坩堝に充填し、7.5気圧のN雰囲気中、1800℃で15時間焼成して、蛍光体を得た。
なお、比較例1では、坩堝を一重(蓋あり)とし、実施例1乃至3では坩堝を二重(蓋あり)とした。実施例1乃至3の方が二重の密閉構造となっており、塩素や塩化物等の揮発しやすい元素がより揮発しにくい条件を形成できる。また、比較例1では混合粉末を坩堝中に投入後、そのまま焼成したが、実施例では坩堝に原料を投入後100回タッピングした。その結果、実施例においては原料混合物が坩堝の内壁の8〜9割程度まで充填されていた。タッピング操作によって充填密度が高まり、塩素や塩化物等の揮発しやすい元素がより揮発しにくい条件を形成できる。また、実施例1および2は設計組成は同じであるが、Srの粒径を変更した。すなわち、実施例1の方が実施例2よりもSrの粒径よりも大きくした。これにより、原料のうち、CeCl3は融点が低く、最初に原料が状態変化を始め、その後、残りの窒化物が状態変化し始める。大粒径と小粒径では、小粒径のほうが反応性が高いため、反応が速く進み、結晶中に塩素が取り込まれやすい。
一方、大粒径では、反応が進むのが遅いので、その間に塩素が揮発してしまい、塩素の取り込み量が少ないと考えられる。
得られた蛍光体の組成はICPにより分析した。また、各蛍光体の発光スペクトルおよび吸収スペクトルを蛍光分光光度計(絶対量子収率測定システムC9920−02G(商品名)、浜松ホトニクス株式会社製)により測定した。実施例1による蛍光体の発光スペクトルおよび吸収スペクトルは図2および3に、実施例2による蛍光体の発光スペクトルおよび吸収スペクトルは図4および5にそれぞれ示される通りであった。測定された蛍光体の組成と、発光スペクトルのピーク波長における吸収率との関係は表2および図6に示す通りであった。
100 発光素子
101、102 リード
103 樹脂部
104 反射面
105 凹部
106 発光チップ
107、108 ボンディングワイヤー
109 蛍光層
110 蛍光体
111 樹脂層

Claims (9)

  1. 下記一般式(1):
    (M1−xRE2yAlSi10−zClα (1)
    (式中、
    前記Mは、Ba、Sr、Ca、Mg、Li、Na、およびKからなる群から選択される少なくとも一つの元素であり、
    前記REは、Ce、Tb、Eu、およびMnからなる群から選択される元素であり、
    0<x≦1,
    0.8≦y≦1.1、
    2≦z≦3.5、
    u≦1、
    1.8≦z−u、
    13≦u+w≦15
    0<α≦0.0017
    である)
    で表わされる組成を有し、波長250〜500nmの光で励起した際に波長500〜600nmの間にピークを有する発光を示すことを特徴とする蛍光体。
  2. 前記REがCeである、請求項1に記載の蛍光体。
  3. 前記MがSrである、請求項1または2に記載の蛍光体。
  4. 請求項1〜3のいずれか1項に記載の蛍光体の製造方法であって、
    前記Mの窒化物または炭化物、
    Alの窒化物、酸化物、または炭化物、Siの窒化物、酸化物、または炭化物、および
    前記REの塩化物、酸化物、窒化物、または炭酸塩
    を含む原料混合物を1500〜2000℃の範囲の温度で焼成することを含むことを特徴とする方法。
  5. 前記焼成を大気圧以上の条件下に行う、請求項4に記載の方法。
  6. 前記焼成後に、得られた粉体を洗浄することをさらに含む、請求項4または5に記載の方法。
  7. 前記原料混合物がREの塩化物を含む、請求項7に記載の方法。
  8. 250nm〜500nmの波長の光を発光する発光素子(S1)と、
    請求項1〜3のいずれか1項に記載の蛍光体(Y)と、
    を具備することを特徴とする発光装置。
  9. 250nm〜430nmの波長の光を発光する発光素子(S2)と、
    請求項1〜3のいずれか1項に記載の蛍光体(Y)と、
    前記発光素子(S2)からの放射光で励起した際に波長400〜490nmの間にピークを有する発光を示す蛍光体(B)と、
    を具備することを特徴とする発光装置。
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