JP2005302920A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】一方の蛍光物質からの発光が他方の蛍光物質に吸収される複数の蛍光物質を組み合わせても、発光効率が高く、所望の輝度及び色バランスで発光する発光装置の提供を可能とする。
【解決手段】LEDチップ3から放射された青色光は第1及び第2の蛍光物質層9,10を透過して発光面から出射する。第1の蛍光物質5はLEDチップ3からの青色光で励起され黄色に発光する。第2の蛍光物質6はLEDチップ3からの青色光と第1の蛍光物質5からの黄色光とで励起され赤色に発光する。第1の蛍光物質層9では第1の蛍光物質5の含有率が第2の蛍光物質6の含有率よりも高く、第2の蛍光物質層10では第2の蛍光物質6の含有率が第1の蛍光物質5の含有率よりも高い。発光面へ向かう光の出射方向において、第1の蛍光物質層9は第2の蛍光物質層10よりも発光面側に配置されている。
【選択図】図1
【解決手段】LEDチップ3から放射された青色光は第1及び第2の蛍光物質層9,10を透過して発光面から出射する。第1の蛍光物質5はLEDチップ3からの青色光で励起され黄色に発光する。第2の蛍光物質6はLEDチップ3からの青色光と第1の蛍光物質5からの黄色光とで励起され赤色に発光する。第1の蛍光物質層9では第1の蛍光物質5の含有率が第2の蛍光物質6の含有率よりも高く、第2の蛍光物質層10では第2の蛍光物質6の含有率が第1の蛍光物質5の含有率よりも高い。発光面へ向かう光の出射方向において、第1の蛍光物質層9は第2の蛍光物質層10よりも発光面側に配置されている。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体発光素子から放射される光を蛍光物質により波長変換して出射する発光装置に関する。
青色の波長領域で発光する窒化ガリウム系半導体発光素子と、この発光素子から放射される光を吸収して黄色光を発光(以下、「波長変換」とも言う)する蛍光物質と、を備えた発光装置(以下、「発光ダイオード」とも言う)が知られている。
また、白色光の演色性を向上するために、青色光を発光する発光素子に黄色に発光する蛍光物質と赤色に発光する蛍光物質とを組み合わせた白色発光ダイオードや、紫外線発光素子とRGBにそれぞれ発光する蛍光体とを組み合わせた白色発光ダイオードのように、一つの発光素子に対して複数の蛍光物質を組み合わせたものが知られている。これら複数の蛍光物質は、通常、発光素子を覆う透光性樹脂内に混合状態で分散されている。
ところで、各蛍光物質は、それぞれ特有の励起特性を有しているため、2つの蛍光物質の組み合わせ方によっては、一方の蛍光物質(以下、蛍光物質A)から発光する光が他方の蛍光物質(以下、蛍光物質B)に吸収されてしまい、結果として輝度が低下するという問題が生ずる。即ち、このような関係にある複数の蛍光物質を透光性樹脂内に混合状態で分散すると、本来、発光面から出射されるべき蛍光物質Aからの発光の一部が、蛍光物質Bにより吸収されてしまい、所望する色バランスが得られなくなる。蛍光物質Aの含有量を増加することにより、色バランスを適正化することは可能であるが、蛍光物質の含有量が増加することにより透光性樹脂内の光の透過度が低下するため、発光素子の発光効率が低下する。
この輝度低下を防ぐために、2種以上の蛍光物質の組合せとして、各々、他の蛍光物質からの発光を実質的に吸収しないものを選び、これらを用いて発光装置を形成するといったことも考えられるが、この場合、使用できる蛍光物質が限定され、設計の自由度を大きく阻害する。
そこで、本発明は、一方の蛍光物質から発光する光が他方の蛍光物質に吸収されてしまうような2種以上の蛍光物質を組み合わせた場合であっても、発光装置の発光効率を低下することなく、所望の輝度及び色バランスで発光させることが可能な発光装置の提供を目的としている。
上記目的を達成するため、本発明に係る発光装置は、半導体発光素子と、第1の蛍光物質を主要蛍光体成分として含有する第1の蛍光物質層と、第2の蛍光物質を主要蛍光体成分として含有する第2の蛍光物質層と、を備え、発光面へ向かう光の出射方向において、第1の蛍光物質層は、第2の蛍光物質層よりも発光面側に配置されている。ここで第1の蛍光物質は、半導体発光素子から放射された光により励起され、第2の蛍光物質は、半導体発光素子から放射された光と第1の蛍光物質からの光により励起されるものであり、この構成によれば、半導体発光素子から放射された光の一部は、第1及び第2の蛍光物質層を透過して発光面から出射し、第1の蛍光物質は、半導体発光素子からの光の一部を吸収して第1の波長領域で発光し、第2の蛍光物質は、半導体発光素子からの光の一部と第1の蛍光物質からの光の一部とを吸収して、第2の波長領域で発光し、これらの光の混色によって所望の白色光が得られる。
半導体発光素子からの光の一部は、第2の蛍光物質層内の第2の蛍光物質を励起するのに利用され、また一部は、第2の蛍光物質層を透過して第1の蛍光物質層内の第1の蛍光物質を励起するのに利用される。これにより、第1の蛍光物質は第1の波長領域の光を発光するとともに、第2の蛍光物質は第2の波長領域の光を発光する。
第1の蛍光物質からの発光の内、発光面側へ向かう光は、第2の蛍光物質層を透過することなく、発光面から出射される。このため、第1の蛍光物質からの発光の内、発光面へ向かう光は、第2の蛍光物質層内の第2の蛍光物質に吸収されることがない。
一方、第2の蛍光物質層では、第2の蛍光物質が、半導体発光素子からの光の一部、及び、第1の蛍光物質から放射されて第2の蛍光物質層側へ向かう光の少なくとも一部を吸収し、第2の波長領域の光を発光する。そして第2の波長領域の光は、第1の蛍光体層を透過して、発光装置の発光面から出射される。
すなわち、本発明においては、第1の蛍光物質から発光する光りの内、発光面とは反対側にある第2の蛍光物質層へ向かう光、つまり発光面からの出力に対する寄与が小さい光を、第2の蛍光物質で吸収し、第2の蛍光物質の発光に利用しているので、元来無駄となってしまっていた光を有効活用することができる。従って、発光効率が高く、高輝度で且つ所望の色バランスで発光する発光装置を提供することができる。
また、第1蛍光物質層における第1の蛍光物質の含有量やその分布状態と、第2の蛍光物質層における第2の蛍光物質の含有量やその分布状態とを、要求される発光スペクトルに応じて調整することが容易となり、種々の用途に適合可能な発光装置を提供することができる。
本発明においては、第1の蛍光物質としては、黄緑色〜黄色に発光する蛍光体、例えば、セリウム(Ce)で付活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(以下「YAG系蛍光体」という)を使用することができる。
また、第2の蛍光物質としては、特開2002−363554号に開示されているα−サイアロン系(主としてSi、Al、O、Nからなるセラミックス)の蛍光体や、特表2003−515655号や特表2003−515665号に開示されている窒化物系の蛍光体、更には特開2003−206481号に開示されている窒化物系並びに酸窒化物系の蛍光体、更には、特願2004−36873で本出願人が開示する下記一般式(1)式で表される化学組成を有する窒化物蛍光体を使用することができる。
Cam-xEuxSi9AlyN(12+2/3m+y)・・・(1)
(但し、0.5≦m≦5.0、0.1<x/m≦1.0、0≦y≦3.0である。)
サイアロン系を含むこれらの窒化物系並びに酸窒化物系の蛍光体は、一般的に、広範囲の光を吸収して黄赤色〜赤色領域で発光する性質があるため、本発明の発光装置において第2の蛍光物質として好ましく用いることができる。
(但し、0.5≦m≦5.0、0.1<x/m≦1.0、0≦y≦3.0である。)
サイアロン系を含むこれらの窒化物系並びに酸窒化物系の蛍光体は、一般的に、広範囲の光を吸収して黄赤色〜赤色領域で発光する性質があるため、本発明の発光装置において第2の蛍光物質として好ましく用いることができる。
本発明において、半導体発光素子は、青色光を放射してもよく、第1の蛍光物質の発光ピーク波長は、緑色〜黄色の波長領域に含まれてもよく、第2の蛍光物質の発光ピーク波長は、赤色の波長領域に含まれてもよい。
また、半導体発光素子は、紫外線〜青紫色の領域の光を放射してもよく、第1の蛍光物質の発光ピーク波長は、青色〜緑色の波長領域に含まれてもよく、第2の蛍光物質の発光ピーク波長は、赤色の波長領域に含まれてもよい。
本発明によれば、一方の蛍光物質から発光する光が他方の蛍光物質に吸収されてしまうような2種以上の蛍光物質を組み合わせた場合であっても、発光効率が高く、所望の輝度及び色バランスで発光させることが可能な発光装置を得ることができる。
以下、本発明の第1実施形態に係る発光装置としてのチップタイプの発光ダイオード1について、図1及び図2に基づいて説明する。図1は本実施形態のチップタイプの発光ダイオード1の模式断面図、図2は図1の要部拡大図である。
発光ダイオード1は、凹部を有する筺体2と、窒化ガリウム系(GaN系やInGaN系など)半導体を用いた半導体発光素子(LEDチップ)3と、エポキシ樹脂等の透光性樹脂材料等からなる透光性樹脂層4と、第1の蛍光物質5及び第2の蛍光物質6と、導電性ワイヤー7と、電極8と、を備えている。
発光ダイオード1は、凹部を有する筺体2と、窒化ガリウム系(GaN系やInGaN系など)半導体を用いた半導体発光素子(LEDチップ)3と、エポキシ樹脂等の透光性樹脂材料等からなる透光性樹脂層4と、第1の蛍光物質5及び第2の蛍光物質6と、導電性ワイヤー7と、電極8と、を備えている。
LEDチップ3は、筐体2の凹部に設けられ、発光ピーク波長が400nm〜460nmである青色光を放射する。導電性ワイヤー7は、LEDチップ3の各電極と筐体2に設けられた各電極8とをそれぞれ電気的に接続している。透光性樹脂層4は、筐体2の凹部に充填され、LEDチップ3を覆う。
透光性樹脂層4は、第1の蛍光物質5のみを含有する第1の蛍光物質層9と、第2の蛍光物質6のみを含有する第2の蛍光物質層10と、からなる。第1の蛍光物質5は第1の蛍光物質層9にほぼ均一に分散され、第2の蛍光物質6は第2の蛍光物質層10にほぼ均一に分散されている。
第1の蛍光物質5としては、YAG系蛍光体を用いることができる。YAG系蛍光体を用いた場合には、LEDチップ3からの青色光で励起されて黄緑色〜黄色に発光する。ここでは、励起スペクトルのピークが450nm付近、発光ピーク波長が580nm付近にある、公知のYAG系蛍光体を用いた例で説明する。なお、以下において、便宜上その発光色を黄色として説明する。
また、第2の蛍光物質6としては、上述した特願2004−36873に記されている下記一般式(1)式で表される化学組成を有する窒化物蛍光体を用いることができる。
Cam-xEuxSi9AlyN(12+2/3m+y)・・・(1)
(但し、0.5≦m≦5.0、0.1<x/m≦1.0、0≦y≦3.0である。)
この一般式(1)で表される窒化物蛍光体は、紫外線〜黄緑色光領域の光、電子線、電場による励起により、600nm以上、特に650〜690nmの範囲に発光ピーク波長を有する蛍光を発光する新規な長波長赤色発光蛍光体であり、発光強度が非常に高いという特性を有する。それ故、この赤色発光窒化物蛍光体は、例えば、発光ピーク波長が400nm〜460nmであるGaN系やInGaN系などの青色LEDと、青色光により励起されて黄緑〜黄色に発光するYAG系蛍光体とを備えた白色発光素子に、発光色の赤色成分の補強用として添加して、演色性、色感度を向上させるのに好適に用いることが出来る。また、青色LEDと、その青色光により緑色に発光する第1の蛍光体と、上記赤色発光窒化物蛍光体とを組み合わせることにより、青、緑、赤の光の三原色の混色による白色発光素子を得るのにも好適に用いることができる。更には、青色LEDの代わりに、例えばピーク波長が360nm〜400nmの紫外〜青紫色の領域の光を発光する半導体素子(紫外線LED)を用い、その発光を吸収して赤、緑、又は青の蛍光を発するフォトルミネセンス蛍光体を組み合わせて、これら三原色の混色により白色系の光を発する発光素子も知られているが、上記赤色発光窒化物蛍光体はこのような白色発光素子の赤色成分としても好適に用いることもできる。
(但し、0.5≦m≦5.0、0.1<x/m≦1.0、0≦y≦3.0である。)
この一般式(1)で表される窒化物蛍光体は、紫外線〜黄緑色光領域の光、電子線、電場による励起により、600nm以上、特に650〜690nmの範囲に発光ピーク波長を有する蛍光を発光する新規な長波長赤色発光蛍光体であり、発光強度が非常に高いという特性を有する。それ故、この赤色発光窒化物蛍光体は、例えば、発光ピーク波長が400nm〜460nmであるGaN系やInGaN系などの青色LEDと、青色光により励起されて黄緑〜黄色に発光するYAG系蛍光体とを備えた白色発光素子に、発光色の赤色成分の補強用として添加して、演色性、色感度を向上させるのに好適に用いることが出来る。また、青色LEDと、その青色光により緑色に発光する第1の蛍光体と、上記赤色発光窒化物蛍光体とを組み合わせることにより、青、緑、赤の光の三原色の混色による白色発光素子を得るのにも好適に用いることができる。更には、青色LEDの代わりに、例えばピーク波長が360nm〜400nmの紫外〜青紫色の領域の光を発光する半導体素子(紫外線LED)を用い、その発光を吸収して赤、緑、又は青の蛍光を発するフォトルミネセンス蛍光体を組み合わせて、これら三原色の混色により白色系の光を発する発光素子も知られているが、上記赤色発光窒化物蛍光体はこのような白色発光素子の赤色成分としても好適に用いることもできる。
ここでは、第2の蛍光物質6として、Ca1.5Eu1.5Si9Al0.5N13.5を用いた例で説明する。なお、この窒化物蛍光体の励起スペクトル並びに発光スペクトルを図4,図5に示す。図4に示されるように、この窒化物蛍光体は、紫外線〜黄緑色光領域の比較的広い範囲の光によって励起される。それ故、第2の蛍光物質6は、LEDチップ3からの青色光のみならず、第1の蛍光物質5からの黄色の発光によっても励起され、ピーク波長が676nm付近の赤色発光を効率よく行うことができる。
第1の蛍光物質層9と第2の蛍光物質層10とは、発光ダイオード1の発光面から放射される光の主軸となる出射方向A(以下、出射主軸方向Aと言う)において、第1の蛍光物質層9が第2の蛍光物質層10よりも発光面側に位置するように配置されている。すなわち、第2の蛍光物質層10がLEDチップ3を封止し、その外側を第1の蛍光物質層9が覆っている。
このように構成された発光ダイオード1によれば、図2に示すように、第1の蛍光物質5は、LEDチップ3から青色光により励起されて黄色に発光する。第2の蛍光物質6は、LEDチップ3からの青色光及び第1の蛍光物質5からの黄色光とにより励起されて赤色に発光する。従って、LEDチップ3からの青色光と、第1の蛍光物質5からの黄色光と、第2の蛍光物質6からの赤色光との混色により、発光ダイオード1の発光面から白色光が放射される。
また、第1の蛍光物質層9は第2の蛍光物質層10よりも発光面側(図2中においては右側)に配置されており、第1の蛍光物質5から発光して発光面へ向かう光は、第2の蛍光物質層10を透過せずに発光面へ向かう。このため、第1の蛍光物質5から発光して発光面へ向かう光は第2の蛍光物質6に吸収されることがない。
一方、第2の蛍光物質6は、LEDチップ3からの青色光に加えて第1の蛍光物質5からの黄色光によっても励起されて発光する。それ故、第1の蛍光物質5で発光して、発光面側には向かわずに第2の蛍光物質層10へ向かう光は、元来、ダイオード発光面における発光に対する寄与は小さかったが、本発明においては上述したように蛍光体層を構成するため、第2の蛍光物質6の励起に用いられ、有効活用することができる。
このように構成された発光ダイオード1によれば、発光効率が高く、高輝度で色バランスが良く演色性の高い白色発光を行うことができる。
なお、本実施形態では、第1の蛍光物質層9と第2の蛍光物質層10とを隣接させ、第1の蛍光物質層9には第2の蛍光物質6を含有させず、第2の蛍光物質層10には第1の蛍光物質5を含有させない構成としている。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、第1の蛍光物質層及び第2の蛍光物質層は、様々な態様で構成することができる。
図3(a)〜(d)は、第1の蛍光物質層9及び第2の蛍光物質層10の各種態様例を概念的に説明する模式図であり、図中縦軸は各蛍光物質5,6の含有率(透光性樹脂層4に対する重量%又は体積%)を示し、実線は第1の蛍光物質5の含有率を示し、破線は第2の蛍光物質6の含有率を示している。また、横軸はLEDチップ3から発光面へ向かう発光ダイオード1の出射主軸方向を示しており、LEDチップ3は出射主軸方向における適宜の位置に配される。
図3(a)に示す態様では、第1の蛍光物質層9中に第1の蛍光物質5が含有され、第2の蛍光物質層10中に第2の蛍光物質6が含有される。第1の蛍光物質5は、第1の蛍光物質層9中にほぼ均等に分散され、第2の蛍光物質6は第2の蛍光物質層10中にほぼ均等に分散されている。
図3(b)に示す態様では、第2の蛍光物質6の含有率は、出射主軸方向に向かって最大値から徐々に減少するように分布し、また、第1の蛍光物質5の含有率は、第2の蛍光物質6が0となっている領域で最大値となり、そして出射主軸方向に向かって徐々に減少するように分布している。
図3(c)に示す態様では、第2の蛍光物質6の含有率は、出射主軸方向に向かって徐々に増加して最大値に達した後、徐々に減少するように分布している。第1の蛍光物質5は、第2の蛍光物質6の含有量が所定値まで減少した位置から、出射主軸方向に向かって徐々に増加して最大値に達した後、徐々に減少するように分布している。この場合、第1の蛍光物質5と第2の蛍光物質6の各含有率が等しくなる位置を境として、出射主軸後方側(図3中においては左側)が第2の蛍光物質層10を構成し、出射主軸前方側(図3中においては右側)が第1の蛍光物質層9を構成する。従って、第1の蛍光物質層9では、出射主軸方向において第1の蛍光物質5の濃度分布が生じ、第2の蛍光物質層10では、出射主軸方向において第2の蛍光物質6の濃度分布が生じている。また、両蛍光物質層9,10の境界付近では、第1の蛍光物質層9には第2の蛍光物質6が混在し、第2の蛍光物質層10には第1の蛍光物質5が混在している。
図3(d)に示す態様では、第2の蛍光物質6の含有率は、最大値から出射主軸方向に向かって徐々に減少するように分布している。第1の蛍光物質5は、第2の蛍光物質6の含有量が所定値まで減少した位置から、出射主軸方向に向かって徐々に増加して最大値となるように分布している。この場合、第1の蛍光物質5と第2の蛍光物質6の各含有率が等しくなる位置を境として、出射主軸後方側が第2の蛍光物質層10を構成し、出射主軸前方側が第1の蛍光物質層9を構成する。従って、第1の蛍光物質層9では、出射主軸方向において第1の蛍光物質5の濃度分布が生じ、第2の蛍光物質層10では、出射主軸方向において第2の蛍光物質6の濃度分布が生じている。また、両蛍光物質層9,10の境界付近では、第1の蛍光物質層9には第2の蛍光物質6が混在し、第2の蛍光物質層10には第1の蛍光物質5が混在している。
このように、本発明においては、図3(a)(b)のように、第1の蛍光物質層9に第1の蛍光物質5のみを含有させ、且つ、第2の蛍光物質層10に第2の蛍光物質6のみを含有させるようにしても良く、また図3(c)(d)のように、第1の蛍光物質層9中における第1の蛍光物質5の含有率を第2の蛍光物質6の含有率よりも高くし、且つ第2の蛍光物質層10は、第2の蛍光物質6の含有率を第1の蛍光物質5の含有率よりも高くするようにしても良い。
また、第1蛍光物質層9における第1及び第2の蛍光物質5,6の含有量やその分布状態と、第2の蛍光物質層10における第1及び第2の蛍光物質5,6の含有量やその分布状態とを、要求される発光スペクトルに応じて調整することにより、種々の用途に適合可能な発光ダイオード1を提供することができる。
第1の蛍光物質層9と第2の蛍光物質層10とは、以下の方法によって形成することができる。
まず、第2の蛍光物質6を透光性樹脂液中に混入し、攪拌脱泡後、ディスペンサーで筐体2の凹部へ充填し、第2の蛍光物質層10を形成する。次に、同様に第1の蛍光物質5を透光性樹脂液中に混入し、攪拌脱泡後、ディスペンサーで筐体2の凹部へ充填し、第1の蛍光物質層9を形成する。第1の蛍光物質5を含有する透光性樹脂液中の充填は、第2の蛍光物質層10の硬化前又は硬化後の何れであってもよい。これにより、図1に示すような第1及び第2の蛍光物質層9,10が形成される。
なお、本発明に係る第1及び第2の蛍光物質層9,10の形成方法は、上記に限定されるものではなく、様々な方法によって形成することができる。例えば、第1及び第2の蛍光物質5,6として、第2の蛍光物質6の比重が第1の蛍光物質5の比重よりも大きい(沈降し易い)組合わせを選定し、両者を同じ透光性樹脂液中に混入し、攪拌脱泡後、ディスペンサーから筐体2の凹部へ充填し、その後の自然沈降によって、下方(出射主軸後方)に第2の蛍光物質6の濃度が高い(第1の蛍光物質5よりも第2の蛍光物質6の含有率が高い)第2の蛍光物質層10を形成すると共に、上方(出射主軸前方)に第1の蛍光物質5の濃度が高い(第2の蛍光物質6よりも第1の蛍光物質5の含有率が高い)第1の蛍光物質層9を形成することもできる。
なお、本発明においては、「第1の蛍光物質を主要蛍光体成分として含有する第1の蛍光物質層」「第2の蛍光物質を主要蛍光体成分として含有する第2の蛍光物質層」とは、上述した蛍光体層の各種態様を全て包む概念(または用語)として用いる。
次に、本実施形態の変形例について、図6に基づいて説明する。
この変形例は、本発明をリードタイプの発光ダイオード21に適用した例である。マウント・リード23の端部に形成されたカップ部22上にLEDチップ3が設けられ、カップ部22内に、LEDチップ3を覆うように透光性樹脂層4が設けられている。LEDチップ3のn側電極及びp側電極は、それぞれマウント・リード23とインナ・リード24とに導電性ワイヤー25によって電気的に接続されている。そして、マウント・リード23及びインナ・リード24の上部全体が、透光性樹脂材料からなるモールド部材26によってモールドされ保護されている。
透光性樹脂層4は、第1の蛍光物質5を含有し且つ第2の蛍光物質6を含有しない第1の蛍光物質層9と、第2の蛍光物質6を含有し且つ第1の蛍光物質5を含有しない第2の蛍光物質層10と、を有する。第1の蛍光物質層9と第2の蛍光物質層10とは、発光ダイオード21の出射主軸方向Aにおいて、第1の蛍光物質層9が第2の蛍光物質層10よりも発光面側に位置するように配置されている。LEDチップ3から放射された光は、透光性樹脂層4及びモールド部材26を透過すると共に、その一部が第1の蛍光物質5や第2の蛍光物質6を励起して発光させる。
このように構成された発光ダイオード21によれば、上記チップタイプの発光ダイオード1と同様に、発光効率が高く、高輝度で色バランスが良く演色性の高い白色発光を行うことができる。
次に、本実施形態の他の変形例について、図7に基づいて説明する。
この変形例は、本発明を反射タイプの発光ダイオード31に適用した例である。ケース底面(基面)32上にLEDチップ3及び電極33が設けられ、LEDチップ3の電極とケース底面32上の電極33とは導電性ワイヤー34によって電気的に接続されている。ケース底面32上には、蛍光部材として機能するリフレクター部35がLEDチップ3の周囲を囲んで形成されている。このリフレクター部35は透光性樹脂材料を用いて形成され、リフレクター部35の内面は高さ方向の全体がケース底面32の高さから斜め外上方に向けて延びる断面ほぼ円弧凹状を平面円形状、平面楕円形状又は平面長円形状のほぼ全周にわたって連続させた形状に形成されている。
リフレクター部35は、第1の蛍光物質5のみを含有する第1の蛍光物質層9と、第2の蛍光物質6のみを含有する第2の蛍光物質層10と、を有する。第1の蛍光物質層9と第2の蛍光物質層10とは、発光ダイオード31の出射主軸方向Aにおいて、第1の蛍光物質層9が第2の蛍光物質層10よりも発光面側に位置するように配置されている。この変形例の場合、第1及び第2の蛍光物質層9,10とLEDチップ3との位置関係は、第1の蛍光物質層9の方が第2の蛍光物質層10よりもLEDチップ3に近接している。LEDチップ3から放射された光の一部は発光面へ向かって出射され、他の一部は透光性樹脂層4へ入射して第1の蛍光物質5や第2の蛍光物質6を励起して発光させる。
このように構成された発光ダイオード31によれば、上記チップタイプの発光ダイオード1やリードタイプの発光ダイオード21と同様に、発光効率が高く、高輝度で色バランスが良く演色性の高い白色発光を行うことができる。
なお、上記実施形態及びその変形例では、LEDチップ3に窒化ガリウム系半導体発光素子を、第1の蛍光物質5にYAG系蛍光体を、第2の蛍光物質6に窒化物蛍光体をそれぞれ使用したが、本発明はこれに限定されるものではない。
次に、本発明の第2実施形態について、図8に基づいて説明する。
本実施形態は、本発明をチップタイプの紫外線発光ダイオード41に適用したものである。すなわち、LEDチップ42は紫外線を放射し、透過性樹脂4は、紫外線で励起されて青色に発光する蛍光体(以下、B蛍光体という)のみを含有する第1発光層43と、紫外線で励起されて緑色に発光する蛍光体(以下、G蛍光体という)のみを含有する第2発光層44と、紫外線で励起されて赤色に発光する蛍光体(以下、R蛍光体という)のみを含有する第3発光層45と、を有する。R蛍光体としては、第1実施形態と同様の窒化物蛍光体を使用することができ、R蛍光体は、LEDチップ42からの紫外線に加えて、B蛍光体からの青色光及びG蛍光体からの緑色光で励起されて赤色に発光する。
なお、この実施形態においては、B蛍光体並びにG蛍光体が本発明の第1の蛍光物質に、R蛍光体が本発明の第2の蛍光物質にそれぞれ対応し、また、第1発光層43並びに第2発光層44が本発明の第1の蛍光物質層に、第3発光層45が本発明の第2の蛍光物質層にそれぞれ対応する。
第1発光層43、第2発光層44、及び第3発光層45は、発光ダイオード41の出射主軸方向Aにおいて、第2発光層44が第3発光層45よりも発光面側に位置し、且つ第1発光層43が第2発光層44よりも発光面側に位置するように配置されている。すなわち、第3発光層45がLEDチップ42を封止し、その外側を第2発光層44が覆い、さらにその外側を第1発光層43が覆っている。
なお、第1発光層43と第2発光層44とを、B蛍光体とG蛍光体とが混在する一つの発光層として構成してもよく、また、第1発光層43と第2発光層44の積層順を逆にしても良い。更にまた、第1発光層43(透光性樹脂層4)の外面等に、紫外線反射膜を設けてもよい。
本実施形態によれば、B蛍光体は、LEDチップ42からの紫外線により励起されて青色に発光し、G蛍光体は、LEDチップ42からの紫外線により励起されて緑色に発光する。R蛍光体は、LEDチップ42からの紫外線と、B蛍光体からの青色光と、G蛍光体からの緑色光とにより励起されて、赤色に発光する。従って、B発光体からの青色光と、G発光体からの緑色光と、R発光体からの赤色光との混色により、発光ダイオード41の発光面から白色光が発光される。
このように構成された発光ダイオード41によれば、発光効率が高く、高輝度で色バランスが良く演色性の高い白色発光を行うことができる。
次に、本第2実施形態の変形例について、図9及び図10に基づいて説明する。
図9に示す変形例は、本発明をリードタイプの紫外線発光ダイオード51に適用した例であり、マウント・リード23の端部に形成されたカップ部22上に紫外線を放射するLEDチップ42が設けられ、LEDチップ42の電極とマウント・リード23及びインナ・リード24とは導電性ワイヤー25によって電気的に接続されている。第1発光層43は、マウント・リード23及びインナ・リード24の上部を覆い、第1発光層43は第2発光層44の外側を、第2発光層44は第3発光層45の外側をそれぞれ覆っている。LEDチップ42から放射された光は、透光性樹脂層4に入射してB蛍光体やG蛍光体やR蛍光体を励起して発光させる。
なお、第1発光層43と第2発光層44とを、B蛍光体とG蛍光体とが混在する一つの発光層として構成してもよい。また、第1発光層43(透光性樹脂層4)の外面等に、紫外線反射膜を設けてもよい。
図10に示す変形例は、本発明を反射タイプの紫外線発光ダイオード61に適用した例であり、電極パターンが形成された基板63の裏面(図中下面)上にLEDチップ42及び電極64が設けられ、電極64とLEDチップ42の電極とは導電性ワイヤー65によって電気的に接続されている。基板63の外面(図中上面)上には、これを覆うガラス基板62が設けられている。第1発光層43は、LEDチップ42の図中下方側を覆い、第2発光層44は第1発光層43の外側(図中下側)を、第3発光層45は第2発光層44の外側(図中下側)をそれぞれ覆っている。この変形例の場合、第1〜第3発光層43,44,45とLEDチップ42との位置関係は、第1発光層43が最もLEDチップ42に近接している。LEDチップ42から放射され透光性樹脂層4に入射した紫外線により、B蛍光体やG蛍光体やR蛍光体が励起されて発光し、それらの光がガラス基板62を透過して出射する。
なお、第1発光層43と第2発光層44とを、B蛍光体とG蛍光体とが混在する一つの発光層として構成してもよい。また、ガラス基板62と基板63との間等に、紫外線反射膜を設けてもよい。
このように構成された発光ダイオード51,61によれば、上記チップタイプの発光ダイオード41と同様に、発光効率が高く、高輝度で色バランスが良く演色性の高い白色発光を行うことができる。
本発明は上述した実施形態及びその変形例に限定されるものではなく、例えば、第1又は第2の蛍光物質として、それぞれ複数種の蛍光体を組み合わせて用いても良い。
また、上記第2実施形態及びその変形例に、第1実施形態の製造方法を適用してもよく、各発光層43,44,45において各蛍光体に濃度分布をもたせてもよい。また、第1及び第2発光層43,44に、その含有率がB蛍光体及びG蛍光体よりも低くなる範囲内でR蛍光体を混在させてもよく、同様に、第3発光層45に、その含有率がR蛍光体よりも低くなる範囲内でR蛍光体やG蛍光体を混在させてもよい。
本発明は、第2の蛍光物質が第1の蛍光物質の発光により励起されるという関係を有する少なくとも2種類の蛍光物質を組み合わせる場合に有用である。例えば、窒化物系や酸窒化物系などに分類される蛍光物質には、比較的広範囲の波長領域で励起するものが存在し、これらを第2の蛍光物質として使用する場合には、上述のように第1の蛍光物質層と第2の蛍光物質層とを設けることにより、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。
すなわち、本発明は、一例として説明した上述の実施形態、及びその変形例に限定されることはなく、上述の実施形態等以外であっても、本発明に係る技術的思想を逸脱しない範囲であれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。
1…発光ダイオード、3…LEDチップ(半導体発光素子)、5…第1の蛍光物質、6…第2の蛍光物質、9…第1の蛍光物質層、10…第2の蛍光物質層、21…発光ダイオード、31…発光ダイオード、41…紫外線発光ダイオード、43…第1発光層(第1の蛍光物質層)、44…第2発光層(第1の蛍光物質層)、45…第3発光層(第2の蛍光物質層)、51…紫外線発光ダイオード、61…紫外線発光ダイオード、A…発光ダイオードの出射主軸方向
Claims (6)
- 半導体発光素子と、第1の蛍光物質を主要蛍光体成分として含有する第1の蛍光物質層と、第2の蛍光物質を主要蛍光体成分として含有する第2の蛍光物質層と、を備え、前記半導体発光素子から放射された光に基づく前記第1及び第2の蛍光物質からの光を発光面から出射する発光装置であって、
前記第1の蛍光物質は、前記半導体発光素子から放射された光により励起され、
前記第2の蛍光物質は、前記半導体発光素子から放射された光と前記第1の蛍光物質からの光により励起されるものであり、
前記発光面へ向かう光の出射方向において、前記第1の蛍光物質層は、前記第2の蛍光物質層よりも前記発光面側に配置されている
ことを特徴とする発光装置。 - 請求項1に記載の発光装置であって、
前記第2の蛍光物質が窒化物系蛍光体、若しくは酸窒化物系蛍光体である
ことを特徴とする発光装置。 - 請求項2に記載の発光装置であって、
前記第2の蛍光物質が下記一般式(1)で表される化学組成を有する窒化物蛍光体である
ことを特徴とする発光装置。
Cam-xEuxSi9AlyN(12+2/3m+y) ・・・(1)
(但し、0.5≦m≦5.0、0.1<x/m≦1.0、0≦y≦3.0である。) - 請求項1〜請求項3の何れか1項に記載の発光装置であって、
前記第1の蛍光物質は、セリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体である
ことを特徴とする発光装置。 - 請求項1〜請求項4の何れか1項に記載の発光装置であって、
前記半導体発光素子は、青色の波長領域の光を放射し、
前記第1の蛍光物質の発光ピーク波長は、緑色〜黄色の波長領域に含まれ、
前記第2の蛍光物質の発光ピーク波長は、黄赤色〜赤色の波長領域に含まれる
ことを特徴とする発光装置。 - 請求項1〜請求項4の何れか1項に記載の発光装置であって、
前記半導体発光素子は、紫外線〜青紫色の波長領域の光を放射し、
前記第1の蛍光物質の発光ピーク波長は、青色〜緑色の波長領域に含まれ、
前記第2の蛍光物質の発光ピーク波長は、黄赤色〜赤色の波長領域に含まれる
ことを特徴とする発光装置。
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Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007201301A (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 白色ledの発光装置 |
JP2008053691A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 白色ledモジュール |
JP2008198698A (ja) * | 2007-02-09 | 2008-08-28 | Taiwan Oasis Technology Co Ltd | 白色発光ダイオード構造及びその製造工程 |
JP2009094351A (ja) * | 2007-10-10 | 2009-04-30 | Nichia Corp | 発光装置およびその製造方法 |
US20090140630A1 (en) | 2005-03-18 | 2009-06-04 | Mitsubishi Chemical Corporation | Light-emitting device, white light-emitting device, illuminator, and image display |
JP2009170825A (ja) * | 2008-01-19 | 2009-07-30 | Nichia Corp | 発光装置及びその製造方法 |
WO2009144922A1 (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-03 | 株式会社 東芝 | 白色ledおよびそれを用いたバックライトならびに液晶表示装置 |
JP2010118620A (ja) * | 2008-11-14 | 2010-05-27 | Showa Denko Kk | 発光装置 |
WO2010098141A1 (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-02 | 日亜化学工業株式会社 | 蛍光体及びその製造方法並びにこれを用いた発光装置 |
CN101877375A (zh) * | 2009-04-28 | 2010-11-03 | 上海亮硕光电子科技有限公司 | 一种高显色性白光led |
JP2010538453A (ja) * | 2007-08-31 | 2010-12-09 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 発光デバイスパッケージ |
WO2011021402A1 (ja) * | 2009-08-21 | 2011-02-24 | パナソニック株式会社 | 発光装置 |
US8206611B2 (en) | 2005-05-24 | 2012-06-26 | Mitsubishi Chemical Corporation | Phosphor and use thereof |
CN102760820A (zh) * | 2012-07-10 | 2012-10-31 | 江苏博睿光电有限公司 | 一种白光led光源 |
WO2013038649A1 (ja) * | 2011-09-13 | 2013-03-21 | 株式会社小糸製作所 | 発光モジュール |
US8409470B2 (en) | 2003-11-26 | 2013-04-02 | Independent Administrative Institution National Institute For Materials Science | Phosphor and light-emitting equipment using phosphor |
KR20130088998A (ko) * | 2012-02-01 | 2013-08-09 | 삼성전자주식회사 | 발광 장치 |
JP2016072379A (ja) * | 2014-09-29 | 2016-05-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
US9401462B2 (en) | 2013-12-27 | 2016-07-26 | Nichia Corporation | Light emitting device exhibiting excellent heat resistance and good color reproducibility through fluorescent material arrangement |
-
2004
- 2004-04-09 JP JP2004115113A patent/JP2005302920A/ja active Pending
Cited By (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9738829B2 (en) | 2003-11-26 | 2017-08-22 | Mitsubishi Chemical Corporation | Phosphor and light-emitting equipment using phosphor |
US10072207B2 (en) | 2003-11-26 | 2018-09-11 | Mitsubishi Chemical Corporation | Phosphor and light-emitting equipment using phosphor |
US8409470B2 (en) | 2003-11-26 | 2013-04-02 | Independent Administrative Institution National Institute For Materials Science | Phosphor and light-emitting equipment using phosphor |
US11084980B2 (en) | 2003-11-26 | 2021-08-10 | Mitsubishi Chemical Corporation | Phosphor and light-emitting equipment using phosphor |
US11697765B2 (en) | 2003-11-26 | 2023-07-11 | Mitsubishi Chemical Corporation | Phosphor and light-emitting equipment using phosphor |
US8269410B2 (en) | 2005-03-18 | 2012-09-18 | Mitsubishi Chemical Corporation | Light-emitting device, white light-emitting device, illuminator, and image display |
US9028718B2 (en) | 2005-03-18 | 2015-05-12 | Mitsubishi Chemical Corporation | Light-emitting device, white light-emitting device, illuminator, and image display |
US20090140630A1 (en) | 2005-03-18 | 2009-06-04 | Mitsubishi Chemical Corporation | Light-emitting device, white light-emitting device, illuminator, and image display |
US8206611B2 (en) | 2005-05-24 | 2012-06-26 | Mitsubishi Chemical Corporation | Phosphor and use thereof |
US8703019B2 (en) | 2005-05-24 | 2014-04-22 | Mitsubishi Chemical Corporation | Phosphor and use thereof |
JP2007201301A (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 白色ledの発光装置 |
JP2008053691A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 白色ledモジュール |
JP2008235921A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-10-02 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 白色ledモジュール |
JP2008198698A (ja) * | 2007-02-09 | 2008-08-28 | Taiwan Oasis Technology Co Ltd | 白色発光ダイオード構造及びその製造工程 |
JP2010538453A (ja) * | 2007-08-31 | 2010-12-09 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 発光デバイスパッケージ |
JP2009094351A (ja) * | 2007-10-10 | 2009-04-30 | Nichia Corp | 発光装置およびその製造方法 |
JP2009170825A (ja) * | 2008-01-19 | 2009-07-30 | Nichia Corp | 発光装置及びその製造方法 |
JPWO2009144922A1 (ja) * | 2008-05-30 | 2011-10-06 | 株式会社東芝 | 白色ledおよびそれを用いたバックライトならびに液晶表示装置 |
WO2009144922A1 (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-03 | 株式会社 東芝 | 白色ledおよびそれを用いたバックライトならびに液晶表示装置 |
US8288937B2 (en) | 2008-05-30 | 2012-10-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | White LED, and backlight and liquid crystal display device using the same |
KR101180134B1 (ko) * | 2008-05-30 | 2012-09-05 | 도시바 마테리알 가부시키가이샤 | 백색 led 및 그를 사용한 백라이트 및 액정 표시 장치 |
TWI407589B (zh) * | 2008-05-30 | 2013-09-01 | Toshiba Kk | White light emitting diodes and the use of its backlight and liquid crystal display device |
JP2010118620A (ja) * | 2008-11-14 | 2010-05-27 | Showa Denko Kk | 発光装置 |
US9708531B2 (en) | 2009-02-26 | 2017-07-18 | Nichia Corporation | Fluorescent substance, method of manufacturing the fluorescent substance, and light emitting device using the fluorescent substance |
WO2010098141A1 (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-02 | 日亜化学工業株式会社 | 蛍光体及びその製造方法並びにこれを用いた発光装置 |
CN101877375A (zh) * | 2009-04-28 | 2010-11-03 | 上海亮硕光电子科技有限公司 | 一种高显色性白光led |
JPWO2011021402A1 (ja) * | 2009-08-21 | 2013-01-17 | パナソニック株式会社 | 発光装置 |
WO2011021402A1 (ja) * | 2009-08-21 | 2011-02-24 | パナソニック株式会社 | 発光装置 |
US9054280B2 (en) | 2011-09-13 | 2015-06-09 | Koito Manufacturing Co., Ltd. | Light emitting module |
CN103797596A (zh) * | 2011-09-13 | 2014-05-14 | 株式会社小糸制作所 | 发光模块 |
WO2013038649A1 (ja) * | 2011-09-13 | 2013-03-21 | 株式会社小糸製作所 | 発光モジュール |
KR20130088998A (ko) * | 2012-02-01 | 2013-08-09 | 삼성전자주식회사 | 발광 장치 |
KR101957700B1 (ko) * | 2012-02-01 | 2019-03-14 | 삼성전자주식회사 | 발광 장치 |
CN102760820A (zh) * | 2012-07-10 | 2012-10-31 | 江苏博睿光电有限公司 | 一种白光led光源 |
US9401462B2 (en) | 2013-12-27 | 2016-07-26 | Nichia Corporation | Light emitting device exhibiting excellent heat resistance and good color reproducibility through fluorescent material arrangement |
JP2016072379A (ja) * | 2014-09-29 | 2016-05-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
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