JP2005268786A - 多数の波長変換機構を使用して合成出力光を放射する装置および方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】より高いカラーレンダリング特性とより均質の色を備えた白色合成光を放射する方法とＬＥＤを提供する。
【解決手段】本発明による合成出力光を放射する装置と方法の１実施例は、多数の波長変換機構を使用して、装置の光源が生成した元の光を波長の長い光に変換し、合成出力光を生成する。装置の波長変換機構のうちの１つは、元の光を第１の変換された光に変換する、光源の蛍光基板である。装置の別の波長変換機構は、光源に光学結合され、元の光を第２の変換された光に変換する波長変換領域である。元の光、第１の変換された光、第２の変換された光は、合成出力光の成分として装置から放射される。
【選択図】図１
【解決手段】本発明による合成出力光を放射する装置と方法の１実施例は、多数の波長変換機構を使用して、装置の光源が生成した元の光を波長の長い光に変換し、合成出力光を生成する。装置の波長変換機構のうちの１つは、元の光を第１の変換された光に変換する、光源の蛍光基板である。装置の別の波長変換機構は、光源に光学結合され、元の光を第２の変換された光に変換する波長変換領域である。元の光、第１の変換された光、第２の変換された光は、合成出力光の成分として装置から放射される。
【選択図】図１
Description
白熱灯、ハロゲン灯、蛍光灯などの従来の光源は、最近２０年間でそれほど改善されていない。しかし、発光ダイオード（「ＬＥＤ」）は動作効率の点で、交通信号や自動車のテールランプなどの従来の単色照明用に、従来の光源にとって代わるほど改善されてきた。これは、ＬＥＤが従来の光源に比べて多くの利点を有するという事実にもよる。これらの利点には、動作寿命が長いこと、電力消費が少ないこと、サイズが小さいことなどが含まれる。
ＬＥＤは典型的には単色の半導体光源で、現在はＵＶ青から緑、黄色、赤まで種々な色が使用可能である。単色のＬＥＤは狭帯域放射という特性があるため、「白色」光の用途に直接使用することはできない。白色の合成光を生成するには、単色のＬＥＤの出力光を１つまたは複数の異なる波長の他の光と混合させなければならない。一部の従来のＬＥＤは、ＬＥＤが生成した元の光の一部を、異なる波長の長い光に変換する波長変換機構を含む。この波長の長い光と元の光を組み合わせて、白色の合成光を生成する。このようなタイプのＬＥＤのうち１つは、波長変換機構として蛍光基板を伴うＬＥＤダイを使用し、ＬＥＤダイの活性層から放射された光を波長の長い光に変換する。たとえば、ＬＥＤダイの活性層は、約４３０ｎｍのピーク波長を有する光を放射するガリウムインジウム窒化物（ＧａＩｎＮ）活性層であってもよく、ＬＥＤダイの蛍光基板は、ＧａＮ活性層から放射された光の一部を、約５５０ｎｍのピーク波長を有する光へ変換する、酸素、炭素、または窒素の空孔でドープされた窒化ガリウム（ＧａＮ）基板であってもよい。
波長変換機構として蛍光基板を使用する従来のＬＥＤに関する問題は、ＬＥＤから結果として得られる白色合成光が、例えば可視スペクトルの赤い波長範囲（〜６２０ｎｍから〜８００ｎｍまで）では不足しうることである。このため、これらのＬＥＤは高いカラーレンダリング特性を有しない。
別の問題は、元の光と変換された光がＬＥＤダイ内の異なる位置から放射されるので、元の光と変換された光がよく混合されず、この結果、均質ではない色を有する合成光が生じ得ることである。たとえば、ＬＥＤの中心部から放射される合成出力光は、ＬＥＤの周囲から放射される光より青く見えることがある。
これらの問題に鑑み、より高いカラーレンダリング特性とより均質の色を備えた白色合成光を放射するＬＥＤと方法とに対するニーズがある。
合成出力光を放射する装置と方法は、多数の波長変換機構を使用して、装置の光源が生成した元の光を波長の長い光に変換し、合成出力光を生成する。装置の波長変換機構のうちの１つは、元の光を第１の変換された光に変換する、光源の蛍光基板である。装置の別の波長変換機構は、光源に光学結合され、元の光を第２の変換された光に変換する波長変換領域である。元の光、第１の変換された光、第２の変換された光は、合成出力光の成分として装置から放射される。
本発明の１実施形態による、合成出力光を放射する装置は、光源と波長変換領域を含む。光源は元の光を放射する。光源は、元の光の一部を第１の変換された光に変換する性質を有する蛍光層を含む。波長変換領域は光源に光学結合され、元の光の一部と第１の変換された光を受光する。波長変換領域は、元の光の一部を第２の変換された光に変換する性質を有する蛍光材を含む。元の光、第１の変換された光、第２の変換された光は、合成出力光の成分である。
合成出力光を放射する方法は、光源内で元の光を生成することと、光源内で元の光の一部を第１の変換された光に変換することと、光源外で元の光の一部を第２の変換された光に変換することと、元の光、第１の変換された光、第２の変換された光を合成出力光の成分として放射することとを含む。
本発明の他の態様および利点は、添付図面と共に次の詳述を読むことによって明らかになるであろう。図面は発明の原理の例として示されるものである。
図１を参照すると、本発明の１実施形態による発光ダイオード（ＬＥＤ）１００が示されている。ＬＥＤ１００は、多数の波長変換機構を使用して、合成出力光を生成するように設計される。たとえば、ＬＥＤ１００が生成する合成出力光は「白色」出力光であってもよい。白色出力光は、ＬＥＤ１００が生成した元の光の一部を、波長変換機構を使用して波長の長い光に変換することによって生成される。多数の波長変換機構を使用することにより、たとえば蛍光基板など単一の波長変換機構だけを使用する従来のＬＥＤより色が均一でおよび／またはカラーレンダリング特性の高い合成出力光を生成することができる。
図１に示すように、ＬＥＤ１００はリードフレームを装着したＬＥＤである。ＬＥＤ１００は、ＬＥＤダイ１０２、リードフレーム１０４と１０６、ワイヤ１０８、ランプ１１０を含む。ＬＥＤダイ１０２は、ＬＥＤ１００の光源として機能する半導体チップである。ＬＥＤダイ１０２は、蛍光基板１１２、および、蛍光基板上に形成されたいくつかの層を含む。この中には活性層１１４が含まれる。活性層１１４は、ＬＥＤダイ１０２の光を生成する層である。本明細書では、この光は、元の光あるいは元の放射された光と呼ぶ場合がある。活性層１１４から放射された元の光の波長は、ＬＥＤダイ１０２を形成するのに使用される材料に主に依存する。たとえば、ＬＥＤダイ１０２は、活性層１１４が青い光（ピーク波長が約４３０ｎｍ）を生成するように構成することができる。この光は蛍光を使用して、より低いエネルギの（より長い波長の）光に変換することができる。蛍光基板１１２上に形成される他の層は、バッファ層、クラッド層、接触層などの、一般のＬＥＤ内にある層である。このため、これらの層についてここに詳述しない。
ＬＥＤダイ１０２の蛍光基板１１２は、ＬＥＤ１０２に含まれる第１の波長変換機構である。蛍光基板１１２は、ＬＥＤダイ１０２の活性層１１４から放射された元の光の一部を波長の長い光に変換する。蛍光基板１１２は、１つまたは複数の不純物でドープされた半導体か絶縁基板であってよい。たとえば、蛍光基板１１２は、酸素、炭素、または窒素の空孔でドープされた窒化ガリウム（ＧａＮ）基板であってもよい。しかし、蛍光基板１１２は、活性層１１４から放射された元の光を波長の長い光へ変換する蛍光性を有する任意の基板であってよい。
ＬＥＤダイ１０２はリードフレーム１０４上に位置する。図示された実施形態では、ＬＥＤダイ１０２が上に位置するリードフレーム１０４の上面は、平面である。しかし別の実施形態では、リードフレーム１０４の上面は、ＬＥＤダイ１０２が中に位置するリフレクタカップ（reflector cup、図示せず）、あるいは反射性のくぼんだ領域を含む。ＬＥＤダイ１０２はワイヤ１０８を介して他のリードフレーム１０６に電気接続される。図示された本実施形態では、ＬＥＤダイ１０２の蛍光基板１１２はリードフレーム１０４に電気接続される。別の実施形態では、ＬＥＤダイ１０２は第２のワイヤ（図示せず）を介してリードフレーム１０４に電気接続される。第２のワイヤの使用はＬＥＤダイ１０２のタイプに依存する。リードフレーム１０４と１０６は、ＬＥＤダイ１０２を駆動するために必要な電力を提供する。ＬＥＤダイ１０２はランプ１１０の中に封入される。ランプ１１０は、ＬＥＤダイ１０２から伝播する光の媒体である。ランプ１１０はメインセクション１１６と出力セクション１１８を含む。本実施形態では、ランプ１１０の出力セクション１１８はドーム型で、レンズとして機能する。したがって、ＬＥＤ１００から出力光として放射された光は、ランプ１１０のドーム型の出力セクション１１８によって集光される。しかし他の実施形態では、ランプ１００の出力セクション１１８は水平方向に平面であってもよい。
ＬＥＤダイ１０２からの光がランプを介して移動し、ランプの出力セクション１１８から放射されるように、ＬＥＤ１００のランプ１１０は透明な基板で作成される。この基板は透明エポキシなどの任意の透明な材料であってよい。図１に示すように、ランプ１１０は波長変換領域１２０を含む。これも光が伝播する媒体である。すなわち、ＬＥＤダイ１０２からの光は波長変換領域１２０を介して移動することができる。波長変換領域１２０は蛍光材１２２を含む。蛍光材１２２は、ＬＥＤダイ１０２が放射した元の光の一部をより低いエネルギ（より長い波長）の光に変換する性質を有する。領域１２０の蛍光材１２２は、ＬＥＤダイ１０２からの元の光の一部を吸収する。これにより蛍光材の原子が励起し、波長の長い光を放射する。波長変換領域１２０はＬＥＤ１００に含まれる第２の波長変換機構である。
図１に示すように、波長変換領域１２０はＬＥＤダイ１０２を囲む。従って、波長変換領域１２０は、リードフレーム１０４の上面上でＬＥＤダイ１０２を囲む。したがって、本実施形態では、ＬＥＤダイ１０２からの光は、ＬＥＤダイの活性層１１４からの元の光であっても、蛍光基板１１２からの変換された光であっても、波長変換領域１２０を介して伝播し、出力光としてＬＥＤ１００から放射される。図１では波長変換領域１２０は均一な厚さを有するものとして示されるが、波長変換領域は不規則な厚さまたは可変的な厚さを有していてもよい。
図示された実施形態では、波長変換領域１２０に含まれる蛍光材１２２は、１つまたは複数の無機燐光材またはナノ燐光材を微粒子の形で含む。無機燐光材微粒子の典型的なサイズは１マイクロメートルから５０マイクロメートルの範囲であり、ナノ燐光材微粒子の典型的なサイズは１ナノメートルから１００ナノメートルの範囲である。たとえば、波長変換領域１２０の中で使用される蛍光材１２２は、たとえば青い光などの元の光を赤い光、すなわちピーク波長が光学スペクトルの赤い領域にある光に変換する、ユウロピウムで活性化された硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）であってもよいし、元の光を緑の光、すなわちピーク波長が光学スペクトルの緑の領域にある光に変換する、ユウロピウムで活性化されたストロンチウムチオガレート（ＳｒＴＧ：Ｅｕ）であってもよいし、および／または元の光を黄色い光、すなわちピーク波長が光学スペクトルの黄色の領域にある光に変換する、セリウムで活性化されたイットリウムアルミニウムガーネット（ＹＡＧ：Ｃｅ）であってもよい。しかし、燐光体がＬＥＤダイ１０２の活性層１１４から放射された元の光によって活性化される限り、ナノ燐光材を含む任意の燐光材または燐光材の組合せを使用することができる。
代替の実施形態では、波長変換領域１２０の蛍光材１２２は、１つまたは複数の蛍光性の有機色素、または、蛍光性の有機色素、無機燐光材、ナノ燐光材の任意の組合せを含む。波長変換領域１２０に含まれる蛍光材１２２のタイプを選択し、ＬＥＤ１００の合成出力光の色成分を強化または補足することができる。したがって、波長変換領域１２０の蛍光材１２２は、ＬＥＤダイ１０２の活性層１１４から放射された元の光を、蛍光基板１１２によって変換された光のピーク波長とは異なるピーク波長を有する光に変換することができる。言いかえれば、ＬＥＤダイ１０２の活性層１１４から放射される元の光を、元の光とＬＥＤダイ１０２の蛍光基板１１２で変換された光とを組み合わせて合成光を生成した場合には不十分である、可視光スペクトルの領域近くのピーク波長を有する光に変換するように、波長変換領域１２０の蛍光材１２２を選択することができる。しかし、ＬＥＤダイ１０２の活性層１１４から放射される元の光を、蛍光基板１１２で変換された光と同じピーク波長または実質的に同じピーク波長を有する光に変換するように、波長変換領域１２０の蛍光材１２２を選択することもできる。
波長変換領域１２０を備えたランプ１１０は、種々の方法を使用して作成することができる。１実施形態では、蛍光材１２２とエポキシを混合し、ついで、ＬＥＤダイ１０２上に載せて波長変換領域１２０を形成する。別の実施形態では、蛍光材１２２と、たとえば透明なプラスチック化合物などの成形化合物と混合し、ＬＥＤダイ１０２上にトランスファ成形して波長変換領域１２０を形成する。いずれの実施形態でも、トランスファ成形または鋳造などの従来の方法を使用して、ランプ１１０の残りをＬＥＤダイ１０２と波長変換領域１２０の上に形成することができる。
動作においては、ＬＥＤ１０２は、ＬＥＤダイ１０２の蛍光基板１１２と、ランプ１１０の波長変換領域１２０とを、２つの異なる波長変換機構として使用して、合成出力光を生成する。ＬＥＤ１００が活性化される、すなわち、リードフレーム１０４と１０６を介して電流がＬＥＤダイ１０２に注入されると、元の光はＬＥＤダイの活性層１１４からすべての方向に放射される。これを、図２の経路２３０、２３２、２３４、２３６、２３８、２４０、２４２の光によって示す。元の光は、たとえば４３０ｎｍなどの第１の波長でスペクトルピークを有する。蛍光基板１１２に向かって下方へ放射された元の光の一部が蛍光基板によって波長の長い光に変換される。これを経路２４４上の光によって示す。この変換された光は、たとえば５５０ｎｍの第２の波長でスペクトルピークを有する。しかし、蛍光基板１１２に放射された元の光の一部は、波長の長い光に変換されずに、蛍光基板を介して伝播する。これを経路２３４と２３８上の光によって示す。したがって、蛍光基板１１２から放射された光の一部は、ＬＥＤダイ１０２の活性層１１４からの元の光である。
ＬＥＤダイ１０２の活性層１１４からの元の光のうち残りの光は、蛍光基板１１２を介して伝播せずにＬＥＤダイから放射される。これを経路２３０、２３２、２４０、２４２の光によって示す。この実施形態では、ＬＥＤダイ１０２はリードフレーム１０４上のランプ１１０の波長変換領域１２０によってカバーされるので、ＬＥＤダイから放射された元の光は、蛍光基板１１２を介して伝播した光も介さずに伝播した光も、波長変換領域の中を移動する。ついで、この元の光の一部は波長変換領域１２０の蛍光材１２２によって波長の長い光に変換される。これを経路２４６、２４８、２５０上の光によって示す。この変換された光は、たとえば６５０ｎｍなどの第３の波長でスペクトルピークを有する。したがって、波長変換領域１２０から放射された光は経路２３０と２３８上の光が示す元の光、および、経路２４６、２４８、２５０上の光が示す波長変換領域１２０からの変換された光、経路２４４上の光が示すＬＥＤダイ１０２の蛍光基板１１２から変換された光を含む。従って、活性層１１４からの元の光、ＬＥＤダイの蛍光基板１１２からの変換された光、ランプ１１０の波長変換領域１２０からの変換された光が、ＬＥＤ１００の合成出力光の成分として放射される。
１実施形態では、波長変換領域１２０からの変換された光のピーク波長は、ＬＥＤダイ１０２の活性層１１４から放射された元の光のピーク波長とは異なり、また、ＬＥＤダイの蛍光基板１１２からの変換された光のピーク波長とも異なるため、ＬＥＤ１００の合成出力光は、単一の波長変換機構として蛍光基板を使用する従来のＬＥＤの合成出力光より広いスペクトルを有することができる。さらに、波長変換領域１２０内で蛍光材１２２として燐光微粒子を使用する場合、燐光粒子は元の光と、蛍光基板１１２からの変換された光を散乱させ、元の光と変換された光をよりよく混合させるように機能するので、ＬＥＤ１００の合成出力光はより均一な色を有する。
次に図３Ａと図３Ｂを参照すると、本発明の１実施形態による、代替の波長変換領域構成を備えたＬＥＤ３００Ａと３００Ｂが示されている。これらの図の中で図１と同じ参照数字は、同様な要素を示すものとして使用される。図３ＡのＬＥＤ３００Ａはランプ３１０Ａを含む。ランプ３１０Ａの中では、波長変換領域３２０ＡはＬＥＤダイ１０２とランプの外面の間に位置する。波長変換領域３２０Ａは、ＬＥＤダイ１０２上のリードフレーム１０４の上面に位置する正方形または四角の箱の構成を有する。したがって、波長変換領域３２０Ａは、リードフレーム１０４上のＬＥＤダイ１０２を実質的に囲むように構成される。図３ＢのＬＥＤ３００Ｂはランプ３１０Ｂを含む。ランプ３１０Ｂの中でも、波長変換領域３２０ＢはＬＥＤダイ１０２とランプの外面の間に位置する。しかし、ＬＥＤ３００Ｂの波長変換領域３２０Ｂは、ＬＥＤダイ１０２上のリードフレーム１０４の上面上に位置する半球状のシェルの構成を有する。したがって、波長変換領域３２０Ｂもリードフレーム１０４上のＬＥＤダイ１０２を実質的に囲むように構成される。波長変換領域３２０Ａを伴うランプ３１０Ａと波長変換領域３２０Ｂを伴うランプ３１０Ｂは、ＬＥＤダイ１０２上で蛍光材１２２があってもなくてもよいエポキシ蒸着と、ＬＥＤダイ上で蛍光材１２２があってもなくてもよい成形化合物のトランスファ成形またはエポキシ鋳造との、任意の現実的な組み合わせで製造できる。
次に図４Ａ、図４Ｂを参照すると、本発明の代替の実施形態による平面波長変換領域を伴うＬＥＤ４００Ａと４００Ｂが示されている。図４ＡのＬＥＤ４００Ａはランプ４１０Ａを含む。ランプ４１０Ａの中には、ＬＥＤダイ１０２の上に位置する平面層である波長変換領域４２０Ａがある。蛍光層４２０Ａのサイズは、ＬＥＤダイ１０２と同じであってもよいしまたは、図４Ａに示すようにＬＥＤダイ１０２より大きくてもよい。図４ＢのＬＥＤ４００Ｂはランプ４１０Ｂを含む。ランプ４１０Ｂの中には、ＬＥＤダイ上ではなくＬＥＤダイ１０２上方に位置する平面層である波長変換領域４２０Ｂがある。したがって、ＬＥＤダイ１０２と蛍光層４２０Ｂの間には、透明材の領域がある。ＬＥＤ４００Ａの蛍光層４２０Ａと同様に、蛍光層４２０ＢのサイズはＬＥＤダイと同じであってもよいし、または大きくてもよい。波長変換領域４２０Ａを伴うランプ４１０Ａと波長変換領域４２０Ｂを伴うランプ４１０Ｂも、ＬＥＤダイ１０２上で蛍光材１２２があってもなくてもよいエポキシ蒸着と、ＬＥＤダイ上で蛍光材１２２があってもなくてもよい成形化合物のトランスファ成形またはエポキシ鋳造の任意の現実的な組み合わせによって製造できる。
本発明にしたがって、上記の異なる波長変換領域構成を表面装着ＬＥＤ装置などの他のタイプのＬＥＤ装置に適用し、多数の波長変換機構を伴う他のタイプのＬＥＤ装置を製造することができる。さらに、本発明にしたがって、これらの異なる波長変換領域構成を、半導体レーザ装置などの他のタイプの発光装置に適用し、他のタイプの発光装置を製造することもできる。
次に、本発明の１実施形態によって合成出力光を放射する方法について、図５のフロー図を参照して記述する。ブロック５０２では、光源内で元の光を生成する。光源はＬＥＤダイであってもよい。次にブロック５０４では、元の光の一部をたとえば光源の蛍光基板によって、光源内で第１の変換された光に変換する。次にブロック５０６では、元の光の一部をたとえば光源に光学結合された蛍光領域によって、光源外で第２の変換された光に変換する。次にブロック５０８では、元の光、第１の変換された光、第２の変換された光を、合成出力光のコンポーネントとして放射する。
本発明の特定の実施形態について記述し示したが、本発明は記述および図示された特定の形態または構成に限定されるものではない。本発明の範囲は、付随する請求項およびその等価物によって定義されるものである。
本発明の実施態様の一部を、以下に要約する。
（実施態様１）：元の光を放射する光源（１０２）であって、前記元の光の一部を第１の変換された光に変換する性質を有する蛍光層（１１２）を含む光源（１０２）と、
前記光源に光学結合され、前記元の光の一部と前記第１の変換された光を受光する波長変換領域（１２０、３２０Ａ、３２０Ｂ、４２０Ａ、４２０Ｂ）であって、前記元の光の一部を第２の変換された光に変換する性質を有する蛍光材（１１２）を含み、前記元の光、前記第１の光、前記第２の変換された光は前記合成出力光の成分である、波長変換領域（１２０、３２０Ａ、３２０Ｂ、４２０Ａ、４２０Ｂ）とを備える合成出力光を放射する装置。
前記光源に光学結合され、前記元の光の一部と前記第１の変換された光を受光する波長変換領域（１２０、３２０Ａ、３２０Ｂ、４２０Ａ、４２０Ｂ）であって、前記元の光の一部を第２の変換された光に変換する性質を有する蛍光材（１１２）を含み、前記元の光、前記第１の光、前記第２の変換された光は前記合成出力光の成分である、波長変換領域（１２０、３２０Ａ、３２０Ｂ、４２０Ａ、４２０Ｂ）とを備える合成出力光を放射する装置。
（実施態様２）：前記光源（１０２）は発光ダイオードダイであり、前記蛍光層（１１２）は前記発光ダイオードダイの基板である第１項に記載の装置。
（実施態様３）：前記波長変換領域（１２０、３２０Ａ、３２０Ｂ、４２０Ａ、４２０Ｂ）の蛍光材（１１２）は、蛍光有機色素、無機燐光材、ナノ燐光材のうち少なくとも１つを含む第１または２項に記載の装置。
（実施態様４）：前記波長変換領域（１２０、３２０Ａ、３２０Ｂ、４２０Ａ、４２０Ｂ）の蛍光材（１１２）は、前記波長変換領域を介して伝播する前記元の光と前記第１の変換された光を散乱させるための蛍光微粒子を含む請求項１から３のいずれか一項に記載の装置。
（実施態様５）：前記波長変換領域（１２０、３２０Ａ、３２０Ｂ、４２０Ａ、４２０Ｂ）は、前記光源が上に位置する面上で前記光源（１０２）を実質的に囲むように構成される第１項から４項のいずれか一項に記載の装置。
（実施態様６）：光源（１０２）内で元の光を生成するステップ（５０２）と、
前記元の光の一部を前記光源内で第１の変換された光に変換するステップ（５０４）と、
前記元の光の一部を前記光源の外側で第２の変換された光に変換するステップ（５０６）と、
前記元の光、前記第１の変換された光、前記第２の変換された光を前記合成出力光の成分として放射するステップ（５０８）とを含む合成出力光を放射する方法。
前記元の光の一部を前記光源内で第１の変換された光に変換するステップ（５０４）と、
前記元の光の一部を前記光源の外側で第２の変換された光に変換するステップ（５０６）と、
前記元の光、前記第１の変換された光、前記第２の変換された光を前記合成出力光の成分として放射するステップ（５０８）とを含む合成出力光を放射する方法。
（実施態様７）：前記元の光を生成するステップ（５０２）は、発光ダイオードダイ（１０２）の活性層（１１４）の中で前記元の光を生成するステップを含む第６項に記載の方法。
（実施態様８）：前記元の光を前記第１の変換された光に変換するステップ（５０４）は、前記元の光を前記発光ダイオードダイ（１０２）の蛍光基板（１１２）で前記第１の変換された光に変換するステップを含む第７項に記載の方法。
（実施態様９）：前記元の光を前記第２の変換された光に変換するステップ（５０６）は、前記元の光を、前記光源（１０２）に光学結合された波長変換領域（１２０、３２０Ａ、３２０Ｂ、４２０Ａ、４２０Ｂ）で前記第２の変換された光に変換するステップを含む第６項から８項のいずれか一項に記載の方法。
（実施態様１０）：前記元の光を前記第２の変換された光に変換するステップ（５０６）は、蛍光を使用して前記元の光を前記第２の変換された光に変換するステップを含む第９項に記載の方法。
１００ 発光ダイオード
１０２ ＬＥＤダイ
１０４ リードフレーム
１０６ リードフレーム
１０８ ワイヤ
１１０ ランプ
１１２ 蛍光基板
１１４ 活性層
１１６ メインセクション
１１８ 出力セクション
１２０ 波長変換領域
１２２ 蛍光材
３００Ａ ＬＥＤ
３００Ｂ ＬＥＤ
３１０Ａ ランプ
３１０Ｂ ランプ
３２０Ａ 波長変換領域
３２０Ｂ 波長変換領域
４００Ａ ＬＥＤ
４００Ｂ ＬＥＤ
４１０Ａ ランプ
４１０Ｂ ランプ
４２０Ａ 波長変換領域
４２０Ｂ 波長変換領域
１０２ ＬＥＤダイ
１０４ リードフレーム
１０６ リードフレーム
１０８ ワイヤ
１１０ ランプ
１１２ 蛍光基板
１１４ 活性層
１１６ メインセクション
１１８ 出力セクション
１２０ 波長変換領域
１２２ 蛍光材
３００Ａ ＬＥＤ
３００Ｂ ＬＥＤ
３１０Ａ ランプ
３１０Ｂ ランプ
３２０Ａ 波長変換領域
３２０Ｂ 波長変換領域
４００Ａ ＬＥＤ
４００Ｂ ＬＥＤ
４１０Ａ ランプ
４１０Ｂ ランプ
４２０Ａ 波長変換領域
４２０Ｂ 波長変換領域
Claims (1)
- 元の光を放射し、前記元の光の一部を第１の変換された光に変換する性質を有する蛍光層を含む光源と、
前記元の光の一部と前記第１の変換された光を受光するため、前記光源に光学結合され、前記元の光の一部を第２の変換された光に変換する性質を有する蛍光材を含み、前記元の光、前記第１の光、前記第２の変換された光が前記合成出力光の成分となっている、波長変換領域とを備える合成出力光を放射する装置。
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