WO2012029695A1 - 発光装置とその製造方法 - Google Patents

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resin
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layer
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佐藤　崇
聰 白濱
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日亜化学工業株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a light emitting device in which a phosphor layer is formed around a light emitting element and a method for manufacturing the same.
  • a light-emitting element such as a light-emitting diode (LED) as a light source of a display device or a lighting device
  • a light-emitting element such as a light-emitting diode (LED)
  • LED light-emitting diode
  • a light-emitting device using this light-emitting element has attracted attention as a new light source to replace a fluorescent lamp or an incandescent lamp that has been conventionally used.
  • LEDs have a long life compared to light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps, and can emit light with less energy, and thus have high expectations as light sources for next-generation illumination.
  • white light emitting devices are expected to be most demanded, and are equipped with red, blue, and green light emitting elements to emit white light, and light emitting elements, and are excited by the light emitting elements.
  • a phosphor that emits white light using a phosphor capable of emitting a complementary color is known.
  • a white light emitting device using a phosphor is preferred.
  • a white light emitting device using a blue light emitting element and a YAG phosphor is well known.
  • a light-emitting device configured using this light-emitting element and a phosphor is manufactured by forming a phosphor layer so as to cover the light-emitting element. Recently, a light-emitting element is mounted using a submount in a case. Mounted light-emitting devices have come to be used, and in such light-emitting devices, various devices have been made in order to improve the luminous flux and prevent a decrease in luminance.
  • a light-transmitting layer including a phosphor is provided so as to cover a reflective layer and a light-emitting element provided with a reflective layer in which titanium oxide is mixed around a submount in which a light-emitting element is placed in a resin case.
  • a light emitting device having a structure in which is formed is disclosed.
  • Patent Document 2 after filling and curing a primary sealing material so as to cover the side surface of the light emitting element around the submount on which the light emitting element is placed in the resin case, a phosphor is placed thereon. It is disclosed that the secondary sealing material is cured after filling the secondary sealing material including the phosphor and forcing the phosphor to settle on the upper surface of the light emitting element and the upper surface of the primary sealing material.
  • the light emitting devices disclosed in Patent Documents 1 and 2 have a problem that uneven color and yellow ring can be generated when the phosphor layer becomes larger than the light emitting portion of the light emitting element.
  • it is considered to form a phosphor layer only around the light emitting element by a method such as electrodeposition or printing, but electrodeposition has a limitation on the particle size of the phosphor.
  • electrodeposition has a limitation on the particle size of the phosphor.
  • phosphor layers are also formed on terminals and wires that are charged with potential, and light-emitting elements that are specially treated so that the entire light-emitting element has a potential are also required become.
  • printing has problems such as light emitting elements having electrodes on the top surface, which require wire wiring, making it difficult to form a phosphor layer, and is limited to use of flip chip mounting type light emitting elements.
  • an object of the present invention is to provide a light emitting device capable of manufacturing a light emitting device in which occurrence of uneven color and yellow ring is prevented at a low cost, and a manufacturing method thereof.
  • a method of manufacturing a light emitting device is a method of manufacturing a light emitting device having a light emitting element and a resin layer including phosphor particles and a filler that reflects light, wherein the phosphor particles are contained rather than the filler.
  • a phosphor sedimentation step for preferential sedimentation is included.
  • the phosphor sedimentation step includes A first resin layer forming step of applying a first resin layer around the light emitting element excluding at least an upper surface of the light emitting element, the first resin containing the filler; A second resin layer forming step of applying a second resin layer on the first resin layer and the light-emitting element before the first resin is cured; A sedimentation step of precipitating phosphor particles by holding for a certain time before curing after forming the second resin layer; It is preferable to contain.
  • a first light emitting device is a light emitting device including a base, a light emitting element mounted on an upper surface of the base via a mount, and a sealing resin for sealing the light emitting element,
  • the sealing resin includes a phosphor-containing first layer that covers the light-emitting element on the mount portion, a phosphor-containing second layer formed on the base surface around the mount portion, and a periphery of the mount portion And a filler-containing layer formed on the phosphor-containing second layer.
  • a first light-emitting device includes a light-emitting element in which a light-emitting structure is attached to a support substrate, a base, and a sealing resin that seals the light-emitting element.
  • the sealing resin includes a phosphor-containing first layer that covers the light emitting element on the support substrate, a phosphor-containing second layer formed on the upper surface of the base around the support substrate, and a periphery of the support substrate. And a filler-containing layer formed on the phosphor-containing second layer.
  • the present invention configured as described above, it is possible to provide a light-emitting device and a method for manufacturing the light-emitting device capable of manufacturing a light-emitting device in which color unevenness and yellow ring are prevented from occurring at low cost.
  • (A)-(d) is sectional drawing which shows the manufacture flow of the light-emitting device of embodiment. It is sectional drawing of the light-emitting device of Embodiment 2 which concerns on this invention. It is sectional drawing of the light-emitting device of Embodiment 3 which concerns on this invention. It is sectional drawing of the light-emitting device of Embodiment 4 which concerns on this invention. It is a photograph when the light-emitting device demonstrated in Embodiment 2 which concerns on this invention is actually produced, and the cross section is observed.
  • the light emitting device 10 includes a base 4 having a recess 4 r and a protrusion (mount part) provided on the bottom surface of the recess 4 r (a part of the upper surface of the base). )
  • the light emitting element 1 mounted on 4a and the sealing resin 6 that fills the recess 4r and seals the light emitting element 1 are configured.
  • the sealing resin 6 is formed on the bottom side of the phosphor-containing first layer 6a that covers the light emitting element 1 on the mount 4a and the recess 4r around the mount 4a.
  • the phosphor-containing second layer 6b and a filler-containing layer 6f formed on the phosphor-containing second layer 6b around the mount portion 4a have a layer structure.
  • each component which comprises the light-emitting device 10 of this Embodiment 1 is demonstrated in detail.
  • the base 4 has a recess 4r.
  • a mount 4a on which the light emitting element 1 is mounted is provided at the center of the bottom surface of the recess 4r.
  • an annular second recess is provided around the mount 4a. Is formed.
  • two separated lead electrodes 3 are provided on the bottom surface of the second recess (a part of the top surface of the base), and each lead electrode 3 is connected to the external connection terminal 5.
  • the mount portion 4 a may be formed integrally with the base body, or a separate submount may be attached.
  • the base 4 may be a resin or ceramic package in which the lead electrode 3 and the external connection terminal 5 are integrated, or is configured based on a substrate on which the lead electrode 3 and the external connection terminal 5 are formed. May be. Furthermore, the size, outer shape, and concave shape of the base body 4 can be set arbitrarily according to the purpose and application, and a rectangular shape, a polygonal shape, a circular shape, and a combination thereof can be used. Moreover, as a preferable material of the base
  • the light-emitting element 1 is a semiconductor light-emitting element such as a light-emitting diode, for example, and is manufactured by, for example, crystal growth of GaN on a sapphire substrate.
  • the emission peak of the light emitting element 1 is set to, for example, 460 nm when configured in combination with a YAG phosphor described later.
  • a light emitting element having positive and negative electrodes formed on the upper surface is illustrated.
  • a flip chip mounting type light emitting element GaN is bonded to a Si substrate, and electrodes are formed on both surfaces.
  • a light emitting element can also be used.
  • the composition, emission color, size, number, and the like of the light-emitting element used according to the purpose and application can be appropriately selected according to the purpose.
  • the phosphor-containing first layer 6a is made of, for example, a silicone resin mixed with phosphor particles, and covers the upper surface and side surfaces of the light emitting element 1 on the mount portion 4a.
  • the phosphor particles contained in the phosphor-containing first layer 6a are excited by light from the top and side surfaces of the light emitting element 1 and emit light having a wavelength different from that of the excitation light.
  • resin which comprises the fluorescent substance containing 1st layer 6a an epoxy type and a hybrid silicone type resin can also be used according to the objective and a use.
  • the phosphor particles to be mixed include, for example, (a) a rare earth aluminate phosphor mainly activated by a lanthanoid-based element such as Ce, (b) Y 3 Al 5 O 12 : Ce whose body color is yellow, (Y 0.8 Gd 0.2) 3 Al 5 O 12: Ce, Y 3 (Al 0.8 Ga 0.2) 5 O 12: Ce, (Y, Gd) 3 (Al, Ga) 5 O 12 And YAG phosphors represented by the composition formula: Phosphors other than the above phosphors having the same performance, function, and effect can also be used. Moreover, it is preferable that the phosphor to be mixed has a higher specific gravity than the filler mixed in the filler-containing layer 6f.
  • the phosphor-containing second layer 6b is made of, for example, a silicone resin mixed with phosphor particles similar to the phosphor-containing first layer 6a, and is formed on the bottom surface of the second recess around the mount portion 4a.
  • a silicone resin mixed with phosphor particles similar to the phosphor-containing first layer 6a
  • an epoxy-based or hybrid silicone-based resin can be used depending on the purpose and application, but at least the same type of resin as the filler-containing layer 6f described later is used.
  • the filler-containing layer 6f is made of, for example, a silicone resin mixed with a filler, and covers the phosphor-containing second layer 6b in the second recess around the mount portion 4a.
  • the filler-containing layer 6f reflects the light from the light-emitting element 1 (including light that has been wavelength-converted by the phosphor particles) to increase the light extraction efficiency, and the phosphor-containing second layer by the light from the light-emitting element 1
  • the phosphor particles contained in 6b are prevented from being excited to prevent color unevenness and yellow ring.
  • the filler-containing layer 6f is preferably formed so that the upper surface of the filler-containing layer 6f is substantially the same height as the upper surface of the mount portion 4a. It is possible to prevent the unevenness of color caused by the repeated reflection of the light (including the light whose wavelength is converted by the phosphor particles) in the second recess.
  • an epoxy-based or hybrid silicone-based resin can be used depending on the purpose and application.
  • the filler to be mixed TiO 2 having a high reflectance is preferably used, but SiO 2, Al 2 O 3, carbon black, or the like may be used depending on the purpose and application. These may be used alone or in combination. Further, the particle size, concentration, mixing ratio, and the like of each member can be appropriately selected. However, it is preferable that the filler to be mixed is lighter in specific gravity than the phosphor particles mixed in the phosphor-containing second layer 6b.
  • the light emitting device 10 of the first embodiment configured as described above, color unevenness and yellow ring are prevented from being generated by a simple manufacturing method described later without using electrodeposition or high-precision printing technology.
  • the light emitting device can be manufactured at low cost.
  • This manufacturing method is a method of manufacturing the light emitting device shown in FIG. 1, and the average particle diameter of the phosphor particles is such that the sedimentation rate of the phosphor particles in the uncured resin as a fluid is faster than the sedimentation rate of the filler.
  • this manufacturing method includes a first resin layer forming step and a second resin layer forming step, which will be described later, in a phosphor sedimentation step performed after the mounting step of mounting the light emitting element 1 in the recess 4r of the base body 4. .
  • each step will be described.
  • First resin layer forming step> In the first resin layer forming step, as shown in FIG. 2 (b), the second resin around the mount 4a in the recess 4r is filled with the first resin mixed and dispersed with filler.
  • This first resin is a resin constituting the filler-containing layer 6f and the phosphor-containing second layer 6b.
  • the filling is preferably performed to a position 10 to 100 ⁇ m lower than the upper surface of the mount portion 4a so as not to cover the upper surface of the mount portion 4a of the base body 4.
  • the filled first resin layer 7 has a reflector shape (concave shape) due to the phenomenon of the resin creeping up on the side surface of the mount portion 4a of the base 4 and the wall surface of the recess 4r and the surface tension of the liquid resin. And the following 2nd resin layer formation process is performed, without hardening 1st resin.
  • ⁇ Second resin layer forming step> In the second resin layer forming step, as shown in FIG. 2C, before the first resin layer 7 is cured, the second resin containing the phosphor particles is placed on the first resin layer 7 and the light emitting element 1.
  • the second resin layer 8 is formed by coating.
  • the phosphor particles are naturally allowed to settle by their own weight by standing at room temperature for a predetermined time or longer to cover the upper surface and the side surface of the light emitting element 1 on the mount portion 4 a of the substrate 4.
  • the phosphor-containing first layer 6a is formed, and the first resin layer 7 is separated into a lower phosphor-containing second layer 6b and a filler-containing layer 6f substantially free of phosphor particles (FIG. 2D )).
  • This phenomenon is made by focusing on the fact that the resistance to the fall of the phosphor in the second resin layer 8 is increased due to the inclusion of the filler. This is based on the fact that it is smaller than the resistance.
  • the present invention is achieved by the step of sedimentation of the phosphor particles being settled including the step of sedimentation of the phosphor particles through the filler.
  • the filler in the 1st resin layer 7 should just be above a fluorescent substance, for example, may be settled in layers above a fluorescent substance.
  • the present invention utilizes the difference in resistance to sedimentation of the phosphor caused by the presence or absence of filler or the difference in content, and the same resin can be used as the first resin and the second resin.
  • the same resin In order to integrate the first resin layer 7 and the second resin layer 8, it is preferable to use the same resin as the first resin and the second resin.
  • FIG. 1 and the like it goes without saying that the phosphor-containing second layer 6b is drawn so as not to contain filler at all, or that the phosphor-containing second layer 6b may contain filler. Absent.
  • the filler-containing layer 6f is drawn so as not to contain any phosphor.
  • the filler-containing layer 6f is completely settled in a region (downward) adjacent to the phosphor-containing second layer 6b of the filler-containing layer 6f.
  • a phosphor that could not be removed may be included.
  • the time for sedimentation of the phosphor particles is set based on the specific gravity and particle size of the phosphor particles and the viscosity of the first resin and the second resin.
  • the specific gravity and / or particle diameter of the phosphor particles can be increased, or the viscosity of the first resin or the second resin can be decreased, thereby shortening the time for the sedimentation process.
  • the phosphor particles can be settled by their own weight by being allowed to stand at normal temperature.
  • the swing type configured to face the normal direction of the light emitting element 1 is used. Forced sedimentation can also be performed using a centrifuge.
  • the first resin and the second resin are cured.
  • the phosphor-containing first layer 6a that covers the upper surface and the side surface of the light-emitting element 1 on the mount portion 4a of the substrate 4, the phosphor-containing second layer 6b, and a filler that does not substantially contain phosphor particles.
  • the light emitting device 10 of Embodiment 1 sealed with the sealing resin 6 having the containing layer 6f is manufactured.
  • the sealing resin 6 is a resin composed of a first resin and a second resin. It should be noted that the phosphor particle sedimentation step and the resin curing step can be performed continuously by performing program control within the step cure.
  • the speed of the particles that settle in the fluid such as the resin before curing is proportional to the density (specific gravity) of the particles and the square of the particle diameter of the particles, as represented by the Stokes equation. And inversely proportional to the viscosity of the fluid.
  • the first resin and the second resin have substantially the same viscosity, and the average particle size of the phosphor particles is 10 times or more, preferably 20 times or more, more preferably 30 times or more (more than one digit larger) than the average particle size of the filler. ), Substantially only the phosphor particles can be preferentially precipitated in the resin.
  • the relatively light Ca 2 Si 5 N 8 : Eu phosphor (nitride-based, red phosphor) has a specific gravity of around 3, and the relatively heavy Lu 3 Al 5 O 12 fluorescence.
  • the specific gravity of the body is about 6.7, by making the average particle size of the phosphor particles an order of magnitude larger than the average particle size of the filler (10 times or more), substantially only the phosphor particles Can be preferentially precipitated in the resin.
  • the thickness of the phosphor-containing first layer 6a which is a wavelength conversion layer of light emitted from the light emitting element 1, is the amount of the phosphor particles in the first resin and the thickness formed on the light emitting element 1 and the mount portion 4a.
  • the desired value can be set by adjusting the thickness of the two resin layers 8.
  • the thickness of the part which covers the side surface of the light emitting element 1 among the fluorescent substance containing 1st layers 6a is also influenced by the distance from the side surface of the light emitting element 1 to the outer periphery end of the mount part 4a, The distance from the side surface to the outer peripheral end of the mount portion 4a can be arbitrarily set, and the thickness of the portion covering the side surface of the light emitting element 1 can be easily adjusted.
  • a relatively thin fluorescent material covering the light emitting element 1 can be obtained by a simple process without using electrodeposition or printing controlled with high accuracy.
  • the body-containing first layer 6a can be formed with a uniform film thickness, and a light emitting device in which the occurrence of uneven color and yellow ring is prevented can be manufactured at low cost.
  • the light emitting device of the first embodiment configured as described above, it is possible to provide a light emitting device in which occurrence of uneven color and yellow ring is prevented at low cost.
  • the light emitting device is configured and manufactured using the package type substrate 4 having the recess 4r.
  • the present invention is not limited to this, and a flat substrate is used.
  • the present invention can also be applied to a light emitting device used as a substrate.
  • Embodiment 2 relating to a light emitting device using a substrate as a substrate will be described.
  • Embodiment 2 the light emitting device according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
  • FIG. 3 the same components as those of the light emitting device of Embodiment 1 in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and the configuration thereof is the same unless otherwise specified.
  • the substrate 24 has a heat sink 24b and an inner layer wiring 22 embedded in a substrate base 24a made of glass epoxy, for example, and terminal electrodes 23a and 23b formed on one main surface are respectively inner layer wirings. 22 and connected to external connection terminals 25a and 25b formed on the other main surface.
  • the heat sink 24b has a first surface and a second surface facing each other, and the thickness defined by the distance between the first surface and the second surface is substantially the same as the thickness of the substrate base 24a. Yes.
  • the heat sink 24b has a first surface positioned substantially on the same plane as one main surface of the substrate base 24a, and a second surface positioned approximately on the same plane as the other main surface of the substrate base 24a. Embedded in the base 24a.
  • the light-emitting element 1 is die-bonded on the first surface of the heat sink 24b via the submount 27, and the positive and negative electrodes of the light-emitting element are respectively connected to the lead electrodes by wire bonding. 23a and 23b are connected. Thereafter, a mold frame surrounding the submount 27 and the light emitting element 1 is provided on the substrate 24 apart from the submount, and a resin filling portion corresponding to the concave portion 4r described in the first embodiment is formed.
  • the semiconductor device of the second embodiment is manufactured through the first resin layer forming step, the second resin layer forming step, the phosphor particle sedimentation step, and the resin curing step described in the first embodiment.
  • the sealing resin 6 includes the phosphor-containing first layer 6 a that covers the light emitting element 1 on the submount 27 and the submount 27, as in the first embodiment.
  • Layer structure including a phosphor-containing second layer 6b formed on one main surface of the substrate 24 around and a filler-containing layer 6f formed on the phosphor-containing second layer 6b around the submount 27. have.
  • FIG. 6 shows a photograph of the light-emitting device described in Embodiment 2 actually manufactured and observed in cross section. In this photograph, a layer structure including the filler-containing layer 6f formed on the phosphor-containing second layer 6b was confirmed.
  • the light emitting device of the second embodiment configured as described above, it is possible to provide a light emitting device in which color unevenness and yellow ring are prevented from being produced at low cost.
  • the mount 4a or the submount 27 is used, and the light emitting element 1 is mounted on the mount 4a or the submount 27.
  • the mount portion 4a or the submount 27 may or may not have conductivity.
  • the present invention is not limited to this, and as shown in the following embodiments, a light emitting element in which the light emitting element itself is bonded to a support substrate or the like may be provided on the substrate.
  • FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a configuration of the light emitting device according to the third embodiment.
  • the light emitting element includes a light emitting structure 120 provided on a support substrate 37 via an adhesive layer 38.
  • a part of the p-type layer 13 is removed at a plurality of locations, and a plurality of first electrodes 18 are formed so as to be in contact with the n-type layer 12 at each location.
  • the plurality of first electrodes 18 may be formed separately because they are connected to each other by the conductive adhesive member 38.
  • the first electrodes 18 are depicted separately, but are actually electrically connected to each other.
  • the first electrode 18 is electrically connected to the support substrate 37 via a conductive adhesive member 38.
  • the second electrode 15 electrically separated from the adhesive member 38 by the insulating layer 14 is formed on the p-type layer 13 of each light emitting structure 120.
  • the planar shape of the light emitting structure including the p-type layer 13 and the n-type layer 12 is larger than that of the support substrate 37 and the like. It is small. In this way, the second electrode 15 of the light emitting structure 120 arranged outside is extended to the outside of the light emitting structure, and the pad electrode 16 is formed on the second electrode 15 extending outside of the light emitting structure. is doing.
  • the uneven portion 9 is formed on the light extraction surface side of the n-type layer 12 to improve the light extraction efficiency and the external quantum efficiency. Yes.
  • unevenness may be formed on the surface of the transparent insulating film 17.
  • the shape of the concavo-convex portion 9 it can be a convex portion or a concave portion of various shapes such as a dot shape, a lattice shape, a honeycomb shape, a branch shape, a rectangular shape, a polygonal shape, a circular shape, etc. It can be a rectangular shape, a trapezoidal shape, a cone cross section, or the like.
  • the size is appropriately set. Specifically, the distance between the opening, the convex and the concave, the length of one side (rectangular shape, polygonal shape), and the diameter (dot shape, circular shape) can be set to 1 to The thickness is 10 ⁇ m, preferably 2 to 5 ⁇ m.
  • the light emitting element shown in FIG. 4 can be manufactured as follows. First, for example, an n-type layer 12 and a p-type layer 13 made of a nitride semiconductor are stacked on a growth substrate to form a semiconductor stacked structure. A light emitting layer may be formed between the n-type layer 12 and the p-type layer 13. Next, in order to form the first electrode 18 by removing the p-type layer 13 at a plurality of locations, a part of the surface of the n-type layer 12 is exposed. Then, the first electrode 18 is formed on the exposed surface of the n-type layer 12, and the second electrode 15 is formed on the surface of the p-type layer 13.
  • an insulating film 14 made of, for example, SiO 2 is formed on the semiconductor stacked structure, and a part of the first electrode 18 electrically connected to the support substrate 37 side is exposed.
  • a bonding layer made of Ti—Pt—Au is formed.
  • an underlying layer of Ti—Pt Au bonding layer and an Sn—Au adhesive layer are also formed on the support substrate 37 side made of Cu—W. Then, the adhesive layer on the semiconductor laminated structure side and the support substrate side are bonded by thermocompression bonding, and then the laser beam is irradiated from the growth substrate side to remove the growth substrate. 9 is formed. Finally, a part of the semiconductor multilayer structure is removed by etching, and the second electrode 15 is exposed to the outside, thereby forming the transparent insulating film 17 and the pad electrode 16. As described above, the light-emitting element shown in FIG. 4 is manufactured.
  • the substrate 34 has, for example, an inner layer wiring 32 embedded in a substrate base 34a made of glass epoxy, and terminal electrodes 33a and 33b formed on one main surface via the inner layer wiring 32, respectively. And connected to external connection terminals 35a and 35b formed on the other main surface.
  • the support substrate 37 side of the light emitting element is die-bonded on the terminal electrode 33b, and the pad electrode 16 of the light emitting element is connected to the terminal electrode 33a by wire bonding, respectively. . Thereafter, a mold frame surrounding the light emitting element is provided apart from the light emitting element to form a resin filling portion.
  • the semiconductor device of the third embodiment is manufactured through the first resin layer forming step, the second resin layer forming step, the phosphor particle sedimentation step, and the resin curing step described in the first embodiment.
  • the sealing resin 6 is the phosphor-containing first layer 6a that covers the light emitting structure on the support substrate 37 and the bonding member 38, as in the first embodiment. And the phosphor-containing second layer 6b formed on one main surface of the substrate 34 around the support substrate 37 and the bonding member 38, and the phosphor-containing second layer 6b around the support substrate 37 and the bonding member 38. And the filler-containing layer 6f formed in the layer structure.
  • the light emitting device of the third embodiment configured as described above, it is possible to provide a light emitting device in which occurrence of uneven color and yellow ring is prevented at low cost.
  • FIG. FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a configuration of the light emitting device 40 according to the fourth embodiment.
  • the configuration of the light emitting element is different from that of Embodiment 3 in the following points. That is, the light emitting element of Embodiment 3 and the light emitting element of Embodiment 4 are the same in that the growth substrate is peeled off and another support substrate is attached, but the light emitting element of Embodiment 3 has the light emitting structure portion.
  • the first electrode and the second electrode are taken out from the one surface side of the light-emitting device, but in the light-emitting element of Embodiment 4, the first electrode is formed on the one surface side of the light-emitting structure portion, and the other surface side is formed. Is different in that a second electrode is formed.
  • the light emitting device 40 of the fourth embodiment is different from the third embodiment in that the light emitting device 40 is configured using a package 44 having a recess 44r instead of the substrate 34 of the third embodiment.
  • the package 44 of the fourth embodiment is different from the base body (package) 4 of the first embodiment in that the recess 44r does not include the mount portion 4a on the bottom surface.
  • the support substrate 47 attached to the light emitting element 49 holds the light emitting structure 46 at a necessary height instead of the mount 4a. Further, in the light emitting device 40 of the fourth embodiment, the side wall of the recess 44r is inclined so as to expand upward, thereby improving the light extraction efficiency upward.
  • the light-emitting element 49 of Embodiment 4 is manufactured as follows. First, an n-type semiconductor layer, a light emitting layer, and a p-type semiconductor layer are stacked in this order on a semiconductor growth substrate such as sapphire to form a semiconductor stacked structure. Thereafter, a p-side electrode and a metallized layer are sequentially formed on the surface of the p-type semiconductor layer. In parallel with this, a metallized layer is formed on the support substrate 47, the support substrate 47 on which the metallized layer is formed is turned upside down, and the support substrate 47 side metallized layer and the semiconductor multilayer structure side metallized layer are bonded together. .
  • the semiconductor growth substrate is peeled from the semiconductor multilayer structure, and an n-side electrode is formed on the surface of the n-type semiconductor layer exposed by the peeling.
  • the light-emitting element 49 according to Embodiment 4 in which the light-emitting structure portion 46 is attached to the support substrate 47 is manufactured.
  • the n-side electrode is a partial electrode, and light is emitted from a portion where the n-side electrode is not formed.
  • this support substrate for example, a semiconductor substrate made of a semiconductor such as silicon (Si), Ge, SiC, or a single metal substrate, or a metal made of a composite of two or more metals having a small non-solid solution or a small solid solution limit.
  • a substrate can be used.
  • Cu can be used as the single metal substrate.
  • the material for the metal substrate is specifically selected from one or more metals selected from highly conductive metals such as Ag, Cu, Au, and Pt, and high hardness metals such as W, Mo, Cr, and Ni. It is possible to use a material composed of one or more kinds of metals.
  • a substrate made of a semiconductor material it can be a substrate to which an element function, for example, a Zener diode is added.
  • As the metal substrate it is preferable to use a composite of Cu—W or Cu—Mo.
  • a package 44 having a recess 44r is used as a base.
  • the package 44 of the fourth embodiment is different from the base body 4 of the first embodiment in that no mount is provided on the bottom surface of the recess 44r. Except for this point, the basic configuration of the package 44 of the first embodiment is the same as that of the base body 4 of the first embodiment. It is the same.
  • the package 44 includes, for example, an inner layer wiring 42 embedded in a package base 44a made of resin or ceramic, and the terminal electrodes 43a and 43b formed on the bottom surface of the recess 44r respectively. And are connected to external connection terminals 45a and 45b formed on the mounting surface.
  • the support substrate 47 side of the light emitting element 49 was die-bonded on the terminal electrode 43b to form the light emitting surface side of the light emitting element 49.
  • Each electrode is connected to the terminal electrode 43a by wire bonding.
  • the semiconductor device of the third embodiment is manufactured through the first resin layer forming step, the second resin layer forming step, the phosphor particle sedimentation step, and the resin curing step described in the first embodiment.
  • the sealing resin 6 includes the phosphor-containing first layer 6a that covers the light emitting structure 46 on the support substrate 47, and the support, as in the first embodiment.
  • the light emitting device of the fourth embodiment configured as described above, it is possible to provide a light emitting device in which color unevenness and yellow ring are prevented from being produced at low cost.
  • a light emitting element in which a light emitting structure is bonded to a support substrate or the like is provided on a substrate without using a submount provided on a substrate or in a recess of a package. You may do it.
  • the substrate 34 of the third embodiment and the light emitting element 49 of the fourth embodiment are combined, or the light emitting structure is provided on the package 44 of the fourth embodiment and the support substrate 37 of the third embodiment.
  • Various combinations of the substrate and the light emitting element are possible, such as combining the light emitting elements.
  • the light emitting devices according to these combinations also have the same effects as the light emitting devices of Embodiments 1 to 4.
  • Example 1 As Example 1, a light emitting device was manufactured as follows. In Example 1, the following resin, phosphor particles and filler were used. (1) Resin (common to 1st resin and 2nd resin) ⁇ Type: Dimethyl silicone resin ⁇ Viscosity: 3.5 to 3.9 Pa ⁇ s (2) Phosphor particles • Composition: (Y, Gd) 3 Al 5 O 12 : Ce Specific gravity: 4.68 ⁇ Average particle size: 15 ⁇ m ⁇ Center particle size: 24 ⁇ m (3) Filler Composition: TiO 2 Specific gravity: 3.9 to 4.2 ⁇ Average particle diameter: 0.25 ⁇ m
  • Example 1 first, a light-emitting element was mounted on a substrate on which a lead electrode was formed via a submount, and positive and negative electrodes formed on the upper surface of the light-emitting element were respectively wire-bonded to the lead electrode. Then, a mold frame surrounding the submount and the light emitting element was provided on the substrate apart from the submount to form a resin filling portion.
  • a portion corresponding to the second concave portion around the submount in the resin filling portion was filled with the first resin in which the filler was mixed and dispersed in the resin.
  • the first resin was filled up to a position 100 ⁇ m lower than the upper surface of the submount.
  • the second resin layer is filled in the mold on the first resin layer and the light emitting element 1 in which the phosphor particles are dispersed in the same second resin as the first resin without curing the first resin. And phosphor particles were allowed to settle spontaneously at 30 ° C. for 3 hours.
  • the temperature was raised at 50 ° C. for 3 hours, and then the resin was cured at 180 ° C. for 2 hours, and then the mold was removed.
  • the light emitting device of Example 1 when the light emitting device of Example 1 was manufactured, the light emitting device in which the occurrence of uneven color and yellow ring was prevented could be manufactured.

Abstract

　色むらやイエローリングの発生が防止された発光装置を、低コストで製造することができる発光装置の製造方法を提供する。発光素子と、蛍光体粒子と光を反射するフィラーとを含む樹脂層とを有する発光装置の製造方法であって、フィラーよりも蛍光体粒子を優先的に沈降させる蛍光体沈降工程を含む。

Description

発光装置とその製造方法
　発光素子周辺に蛍光体層が形成された発光装置とその製造方法に関する。
　表示装置や照明装置の光源として、発光ダイオード（ＬＥＤ）等の半導体発光素子（以下、単に発光素子という）を用いた発光装置の研究が進められている。この発光素子を用いた発光装置は、従来使用されていた蛍光灯や白熱電球などに代わる新しい光源として注目されている。特に、ＬＥＤは、蛍光灯や白熱電球などの光源と比べて寿命が長く、また、少ないエネルギーで発光が可能であるため、次世代の照明用光源としての期待が大きい。
　これらの中でも、特に、白色光の発光装置は、最も需要が見込まれるものであり、赤、青、緑の発光素子を搭載して白色光を発光するものや、発光素子と、それによって励起されて補色となる色を発光可能な蛍光体を用いて白色光を発光するものが知られている。一般照明として用いる場合、赤、青、緑の発光素子を用いた場合は演色性が低くなるため、蛍光体を用いた白色発光装置が好まれる。特に青色発光素子と、ＹＡＧ蛍光体を用いた白色発光装置が良く知られている。
　この発光素子と蛍光体とを用いて構成された発光装置は、発光素子を覆うように蛍光体層を形成することにより作製されるが、最近では、ケース内にサブマウントを用いて発光素子を載置した発光装置が用いられるようになってきており、そのような発光装置では光束を向上させ輝度の低下を防止するために種々の工夫がなされている。
　例えば、特許文献１には、樹脂ケース内において発光素子が載置されたサブマウント周辺に酸化チタンを混入した反射層を設け、その反射層及び発光素子を覆うように蛍光体を含む光透過層を形成した構造の発光装置が開示されている。
　また、特許文献２には、樹脂ケース内において発光素子が載置されたサブマウントの周りに一次封止材を発光素子の側面まで覆うように充填して硬化した後、その上に蛍光体を含む二次封止材を充填して蛍光体を発光素子の上面と一次封止材の上面に強制的に沈降させた後二次封止材を硬化させることが開示されている。
特開２００５－０２６４０１号公報 特開２００８－２１８５１１号公報
　しかし、特許文献１や２に開示された発光装置では、発光素子の発光部に対して蛍光体層が大きくなると色むらやイエローリングができるという問題があった。
　このような問題を解決するために、電着や印刷といった方法で発光素子の周囲のみに蛍光体層を形成することが考えられているが、電着は蛍光体の粒径に制限があり、蛍光体の分級が必要となる上、電位を帯びた端子やワイヤ部分にも蛍光体層が形成されてしまうという問題があり、さらに発光素子全体が電位を持つよう特殊処理された発光素子も必要になる。
　一方、印刷には、上面に電極を持った発光素子はワイヤ配線が必要となるため蛍光体層の形成が難しく、フリップチップ実装タイプの発光素子を使用した場合に限定されるなどの問題があり、さらに印刷精度上の問題もある。
　そこで、本発明は、色むらやイエローリングの発生が防止された発光装置を、低コストで製造することができる発光装置とその製造方法を提供することを目的とする。
　本発明に係る発光装置の製造方法は、発光素子と、蛍光体粒子と光を反射するフィラーとを含む樹脂層とを有する発光装置の製造方法であって、前記フィラーよりも前記蛍光体粒子を優先的に沈降させる蛍光体沈降工程を含むことを特徴とする。
　また、本発明に係る発光装置の製造方法において、前記蛍光体沈降工程は、
　前記フィラーを含む第１樹脂を、少なくとも前記発光素子の上面を除く前記発光素子の周りに第１樹脂層を塗布する第１樹脂層形成工程と、
　前記第１樹脂が硬化する前に、前記蛍光体粒子を含む第２樹脂を前記第１樹脂層及び前記発光素子上に第２樹脂層を塗布する第２樹脂層形成工程と、
　第２樹脂層を形成した後硬化させる前に一定時間保持して蛍光体粒子を沈降させる沈降工程と、
　を含むことが好ましい。
　本発明に係る第１の発光装置は、基体と、前記基体の上面にマウント部を介して実装された発光素子と、前記発光素子を封止する封止樹脂とを含む発光装置であって、前記封止樹脂は、前記マウント部上で前記発光素子を覆う蛍光体含有第１層と、前記マウント部の周りの前記基体上面に形成された蛍光体含有第２層と、前記マウント部の周りの前記蛍光体含有第２層上に形成されたフィラー含有層と、を有することを特徴とする。
　本発明に係る第１の発光装置は、支持基板上に発光構造部が貼り付けられてなる発光素子と、基体と、前記発光素子を封止する封止樹脂とを含み、前記発光素子を前記基体の上面に前記支持基板が対向するように実装した発光装置であって、
　前記封止樹脂は、前記支持基板上で前記発光素子を覆う蛍光体含有第１層と、前記支持基板の周りの前記基体上面に形成された蛍光体含有第２層と、前記支持基板の周りの前記蛍光体含有第２層上に形成されたフィラー含有層と、を有することを特徴とする。
　以上のように構成された本発明によれば、色むらやイエローリングの発生が防止された発光装置を、低コストで製造することができる発光装置とその製造方法を提供することができる。
本発明に係る実施形態１の発光装置の断面図である。 （ａ）～（ｄ）は実施形態の発光装置の製造フローを示す断面図である。 本発明に係る実施形態２の発光装置の断面図である。 本発明に係る実施形態３の発光装置の断面図である。 本発明に係る実施形態４の発光装置の断面図である。 本発明に係る実施形態２で説明した発光装置を実際に作製してその断面観察をしたときの写真である。
　以下、本発明に係る実施形態の発光装置について図面を参照しながら説明する。
　ただし、以下に示す実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための発光装置を例示するものであって、特許請求の範囲に示される部材を、実施形態の部材に限定するものではない。また、実施形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、本発明の範囲を限定するものではない。尚、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。
　実施形態１．
　本発明に係る実施形態１の発光装置１０は、図１に示すように、凹部４ｒを有する基体４と、その凹部４ｒの底面（基体の上面の一部）に設けられた凸部（マウント部）４ａの上に実装された発光素子１と、凹部４ｒに充填されて発光素子１を封止する封止樹脂６とを含んで構成されている。
　そして、本実施形態１の発光装置１０において、封止樹脂６は、マウント部４ａ上で発光素子１を覆う蛍光体含有第１層６ａと、マウント部４ａの周りの凹部４ｒの底面側に形成された蛍光体含有第２層６ｂと、マウント部４ａの周りの蛍光体含有第２層６ｂ上に形成されたフィラー含有層６ｆとを含む層構造を有している。
　以下、本実施形態１の発光装置１０を構成する各構成部材について詳細に説明する。
＜基体４＞
　基体４は、凹部４ｒを有し、凹部４ｒの底面の中央部には、発光素子１が実装されるマウント部４ａが設けられて、マウント部４ａの周りには、例えば円環状の第２凹部が形成されている。また、第２凹部の底面（基体の上面の一部）には分離された２つのリード電極３が設けられており、そのリード電極３はそれぞれ外部接続端子５に接続されている。
基体４において、マウント部４ａは基体本体と一体で構成されていてもよいし、別体のサブマウントが取り付けられていても良い。
　また、基体４は、リード電極３と外部接続端子５とが一体化された樹脂又はセラミックパッケージであっても良いし、リード電極３と外部接続端子５とが形成された基板をベースにして構成されていてもよい。
　さらに、基体４の大きさや外形及び凹部形状は、目的や用途に応じて任意のものとすることができ、長方形、多角形、円形、及びそれらを組み合わせた形状などを用いることができる。また、基体４の好ましい材料としては、ガラスエポキシ樹脂、セラミック、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、Ａｌ、Ｃｕ等をあげることができ、それらを組み合わせたもの、例えば、セラミック中にＣｕを埋め込んだもの等を用いることができる。
　＜発光素子１＞
　発光素子１は、例えば、発光ダイオード等の半導体発光素子であり、例えば、サファイア基板上にＧａＮを結晶成長させることにより作製される。発光素子１の発光ピークは、後述のＹＡＧ系蛍光体と組み合わせて構成される場合には、例えば、４６０ｎｍに設定される。図１に示す発光装置１０では、上面に正負の電極が形成された発光素子を例示しているが、フリップチップ実装タイプの発光素子、Ｓｉ基板にＧａＮが貼り合わせられて両面に電極が形成された発光素子を用いることもできる。また、目的や用途に応じて用いる発光素子の組成や発光色、大きさや、個数などは目的に応じて適宜選択することができる。
　＜蛍光体含有第１層６ａ＞
　蛍光体含有第１層６ａは、蛍光体粒子が混入された例えばシリコーン系樹脂からなり、マウント部４ａ上で発光素子１の上面及び側面を覆っている。蛍光体含有第１層６ａに含まれた蛍光体粒子は、発光素子１の上面及び側面からの光により励起されてその励起光とは異なる波長の光を発光する。蛍光体含有第１層６ａを構成する樹脂としては、目的や用途に応じてエポキシ系、ハイブリットシリコーン系樹脂を用いることもできる。混入する蛍光体粒子は、例えば、（ａ）Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体、（ｂ）体色が黄色である、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、（Ｙ０．８Ｇｄ０．２）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、Ｙ３（Ａｌ０．８Ｇａ０．２）５Ｏ１２：Ｃｅ、（Ｙ，Ｇｄ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２の組成式で表されるＹＡＧ系蛍光体が挙げられる。上記蛍光体以外の蛍光体であって、同様の性能、作用、効果を有する蛍光体も使用することができる。
　また、混入する蛍光体は、フィラー含有層６ｆに混入するフィラーより比重が重いものであることが好ましい。
　＜蛍光体含有第２層６ｂ＞
　蛍光体含有第２層６ｂは、蛍光体含有第１層６ａと同様の蛍光体粒子が混入された例えばシリコーン系樹脂からなり、マウント部４ａの周りの第２凹部の底面上に形成されている。蛍光体含有第２層６ｂを構成する樹脂は、目的や用途に応じてエポキシ系、ハイブリットシリコーン系樹脂を用いることができるが、少なくとも後述のフィラー含有層６ｆと同種の樹脂が用いられる。
　＜フィラー含有層６ｆ＞
　フィラー含有層６ｆは、フィラーが混入された例えばシリコーン系樹脂からなり、マウント部４ａの周りの第２凹部内で蛍光体含有第２層６ｂを覆っている。このフィラー含有層６ｆは、発光素子１からの光（蛍光体粒子により波長変換された光を含む）を反射して光の取り出し効率を高めるとともに発光素子１からの光によって蛍光体含有第２層６ｂに含まれている蛍光体粒子が励起されるのを防止して、色むらやイエローリングの発生を防止している。また、このフィラー含有層６ｆは、フィラー含有層６ｆの上面がマウント部４ａの上面と実質的に同じ高さになるように形成されていることが好ましく、これにより、発光素子１の側面から出射された光（蛍光体粒子により波長変換された光を含む）が第２凹部内で複雑に反射を繰り返して色むらが生じるのを防止できる。
　フィラー含有層６ｆを構成する樹脂は、目的や用途に応じてはエポキシ系、ハイブリットシリコーン系樹脂を用いることもできる。混入するフィラーとして、好ましくは反射率の高いＴｉＯ２を用いるが、目的や用途に応じてＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等またはカーボンブラック等でもよい。これらは、単独で用いてもよいし、或いは複数を混合させることもできる。また、それぞれの部材の粒径や濃度、混合比率などは適宜選択することができる。ただし、混入するフィラーは、蛍光体含有第２層６ｂに混入する蛍光体粒子より比重が軽いものであることが好ましい。
　以上のように構成された実施形態１の発光装置１０によれば、電着や高い精度の印刷技術等を用いることなく、後述する簡易な製造方法によって、色むらやイエローリングの発生が防止された発光装置を低コストで製造することが可能になる。
　次に、実施形態１の発光装置の製造方法について説明する。
　本製造方法は、図１に示す発光装置の製造方法であって、流体である未硬化の樹脂中における蛍光体粒子の沈降速度がフィラーの沈降速度より早くなるように蛍光体粒子の平均粒径及び比重とフィラーの平均粒径及び比重とを設定して、未硬化の樹脂中でフィラーよりも蛍光体粒子を優先的に沈降させる蛍光体沈降工程を含み、それにより発光素子１の上面と側面を覆う蛍光体含有第１層６ａを形成するとともに、マウント部４ａの周りの第２凹部におけるフィラー含有層６ｆより下の底面側に蛍光体含有第２層６ｂが形成されるようにしている。
　すなわち、本製造方法は、発光素子１を基体４の凹部４ｒ内に実装する実装工程に続いて行われる蛍光体沈降工程が後述する第１樹脂層形成工程と第２樹脂層形成工程とを含む。
　以下、各工程について説明する。
　＜実装工程＞
　この工程では、基体４のマウント部４ａの上面に発光素子をダイボンディングした後、発光素子の正負の電極（図示せず）をワイヤーボンディングによりそれぞれリード電極３に接続する（図２（ａ））。尚、図２（ａ）において、２はボンディングワイヤーである。
　＜第１樹脂層形成工程＞
　第１樹脂層形成工程では、図２（ｂ）に示すように、凹部４ｒ内のマウント部４ａの周りの第２凹部にフィラーを混入分散した第１樹脂を充填する。この第１樹脂は、フィラー含有層６ｆ及び蛍光体含有第２層６ｂを構成する樹脂である。この充填は基体４のマウント部４ａの上面を覆わないよう、望ましくはマウント部４ａの上面より１０～１００μｍ低い位置まで充填する。充填した第１樹脂層７は、基体４のマウント部４ａの側面及び凹部４ｒの壁面への樹脂の這い上がり現象と液状樹脂の表面張力のよりリフレクター形状（凹形状）となる。
　そして、第１樹脂を硬化させることなく、次の第２樹脂層形成工程を行う。
　＜第２樹脂層形成工程＞
　第２樹脂層形成工程では、図２（ｃ）に示すように、第１樹脂層７を硬化させる前に、蛍光体粒子を含む第２樹脂を第１樹脂層７上及び発光素子１上に塗布して第２樹脂層８を形成する。
　＜蛍光体粒子の沈降工程＞
　第２樹脂層８を形成した後、例えば、所定時間以上常温で放置して、蛍光体粒子を自重により自然沈降させて、基体４のマウント部４ａ上に発光素子１の上面と側面とを覆う蛍光体含有第１層６ａを形成するとともに、第１樹脂層７を下方の蛍光体含有第２層６ｂと蛍光体粒子を実質的に含まないフィラー含有層６ｆとに分離する（図２（ｄ））。
　すなわち、本発明は、第２樹脂層８中を自重により加速されて沈降（落下）してきた蛍光体が第１樹脂層７を通過する際にフィラーを押し退けて沈降する（優先的に沈降する）であろうことに着目してなされたものであり、この現象は、第２樹脂層８における蛍光体の落下に対する抵抗がフィラーを含むことにより大きくなった第１樹脂層７における蛍光体の落下に対する抵抗より小さいことを利用したものである。
　言い換えれば、蛍光体粒子が沈降する沈降工程が、蛍光体粒子がフィラーを通過して沈降する工程を含むことで本発明がなされるものである。
　尚、第１樹脂層７におけるフィラーは、蛍光体より上方にあればよく、例えば、蛍光体より上方で層状に沈降していてもよい。
　以上のように、本発明は、フィラーの有無又は含有量の差によって生じる蛍光体の沈降に対する抵抗の差を利用したものであり、第１樹脂と第２樹脂として同一の樹脂を用いることができ、第１樹脂層７と第２樹脂層８とを一体化するためには、第１樹脂と第２樹脂として同一の樹脂を用いることが好ましい。
　また、図１等では、蛍光体含有第２層６ｂにはフィラーが全く含まれていないように描いているか、蛍光体含有第２層６ｂにフィラーが含まれていても良いことはいうまでもない。加えて、フィラー含有層６ｆには蛍光体が全く含まれていないように描いているが、フィラー含有層６ｆの蛍光体含有第２層６ｂに隣接する領域（下方）には、完全に沈降しきれなかった蛍光体が含まれていても良い。
　蛍光体粒子を沈降させるための時間は、蛍光体粒子の比重及び粒径と第１樹脂と第２樹脂の粘度に基づいて設定されるが、樹脂が自然硬化する時間を考慮して、例えば、蛍光体粒子の比重及び／又は粒径を大きくしたり、第１樹脂や第２樹脂の粘度を低くしたりして、沈降工程の時間を短くすることもできる。
　このように、常温で放置することにより、自重により蛍光体粒子を沈降させることができるが、さらに沈降時間を短縮するために、発光素子１の法線方向に向くように構成されたスイング式の遠心分離機を用いて強制沈降することもできる。
　＜樹脂硬化＞
　蛍光体粒子の沈降が完了した後、第１樹脂及び第２樹脂を硬化させる。
　以上の工程により、基体４のマウント部４ａ上に発光素子１の上面と側面とを覆う蛍光体含有第１層６ａと、蛍光体含有第２層６ｂと蛍光体粒子を実質的に含まないフィラー含有層６ｆを有する封止樹脂６によって封止された実施形態１の発光装置１０が作製される。
　ここで封止樹脂６は第１樹脂と第２樹脂とからなる樹脂であることは言うまでもない。
　尚、蛍光体粒子の沈降工程と樹脂の硬化工程とは、ステップキュア内でプログラム制御を行うことによって連続して行うこともできる。
　（蛍光体粒子の比重及び粒径、フィラーの比重及び粒径の設定）
　本実施形態１における硬化前の樹脂のような流体中を沈降する粒子の速度は、ストークスの式等により表されているように、粒子の密度（比重）、粒子の粒径の２乗に比例し、流体の粘度に反比例する。
　したがって、通常使用される蛍光体粒子の比重が４～５程度）であり、フィラーとして用いられる代表的にＴｉＯ２の比重が４前後であり、両者に大差がないことを考慮すれば、例えば、第１樹脂と第２樹脂をほぼ同一の粘度とし、蛍光体粒子の平均粒径をフィラーの平均粒径の１０倍以上、好ましくは２０倍以上、より好ましくは３０倍以上と（１桁以上大きく）することにより、実質的に蛍光体粒子のみを樹脂内で優先的に沈降させることができる。
　尚、使用可能な蛍光体のうち、比較的軽いＣａ２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ蛍光体(窒化物系、赤色蛍光体)の比重が３前後であり、比較的重いＬｕ３Ａｌ５Ｏ１２蛍光体の比重が６．７程度であることを考慮しても蛍光体粒子の平均粒径をフィラーの平均粒径の１桁大きく（１０倍以上と）することにより、実質的に蛍光体粒子のみを樹脂内で優先的に沈降させることが可能であることが理解できる。
　また、発光素子１が発光した光の波長変換層である蛍光体含有第１層６ａの厚さは、第１樹脂中の蛍光体粒子の量及び発光素子１及びマウント部４ａ上に形成する第２樹脂層８の厚さを調整することにより所望の値に設定できる。
　尚、蛍光体含有第１層６ａのうち発光素子１の側面を覆う部分の厚さは、発光素子１の側面からマウント部４ａの外周端までの距離の影響も受けるが、その発光素子１の側面からマウント部４ａの外周端までの距離は任意に設定することが可能であり、発光素子１の側面を覆う部分の厚さの調整も容易である。
　以上のように構成された実施形態１の発光装置の製造方法によれば、電着や高い精度に管理された印刷等を用いることなく、簡単な工程で、発光素子１を覆う比較的薄い蛍光体含有第１層６ａを均一な膜厚に形成することができ、色むらやイエローリングの発生が防止された発光装置を低コストで製造することが可能になる。
　以上のように構成された実施形態１の発光装置によれば、色むらやイエローリングの発生が防止された発光装置を安価に提供することができる。
　以上の実施形態１では、凹部４ｒを有するパッケージタイプの基体４を用いて発光装置を構成及び作製した例を用いて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、平坦な基板を基体として用いた発光装置に適用することもできる。
　次に、基板を基体として用いた発光装置に係る実施形態２について説明する。
　実施形態２．
　以下、図３を参照しながら、本発明に係る実施形態２の発光装置について説明する。
　図３において、図１の実施形態１の発光装置と同様のものには同様の符号を付して示しており、特に断らない限りそれらの構成は同様である。
　本実施形態２の発光装置において、基板２４は、例えば、ガラスエポキシからなる基板ベース２４ａにヒートシンク２４ｂと内層配線２２が埋設され、一方の主面に形成された端子電極２３ａ，２３ｂがそれぞれ内層配線２２を介して他方の主面に形成された外部接続端子２５ａ，２５ｂとに接続されてなる。
　基板２４において、ヒートシンク２４ｂは、対向する第１面と第２面とを有し、第１面と第２面間の距離によって定義される厚さが基板ベース２４ａの厚さと略同一になっている。
　そして、ヒートシンク２４ｂは、第１面が基板ベース２４ａの一方の主面と略同一平面上に位置し、第２面が基板ベース２４ａの他方の主面と略同一平面上に位置するように基板ベース２４ａに埋め込まれている。
　以上のように構成された基板２４を用いて、ヒートシンク２４ｂの第１面の上にサブマウント２７を介して発光素子１をダイボンディングして、発光素子の正負の電極をワイヤーボンディングによりそれぞれリード電極２３ａ，２３ｂに接続する。
　その後、そのサブマウント２７及び発光素子１を囲む型枠をサブマウントから離して基板２４上に設け、実施形態１で説明した凹部４ｒに相当する樹脂充填部を形成する。
　以下、実施形態１で説明した第１樹脂層形成工程、第２樹脂層形成工程、蛍光体粒子沈降工程、樹脂硬化工程を経て実施形態２の半導体装置は作製される。
　以上のように作製された実施形態２の発光装置２０において、封止樹脂６は、実施形態１と同様、サブマウント２７上で発光素子１を覆う蛍光体含有第１層６ａと、サブマウント２７の周りの基板２４の一方の主面に形成された蛍光体含有第２層６ｂと、サブマウント２７の周りの蛍光体含有第２層６ｂ上に形成されたフィラー含有層６ｆとを含む層構造を有している。
　図６に、実施形態２で説明した発光装置を実際に作製してその断面観察をしたときの写真を示す。この写真では、蛍光体含有第２層６ｂ上に形成されたフィラー含有層６ｆとを含む層構造が確認された。
　以上のように構成された実施形態２の発光装置によれば、色むらやイエローリングの発生が防止された発光装置を安価に提供することができる。
　以上の実施形態１及び２では、マウント部４ａ又はサブマウント２７を用い、そのマウント部４ａ又はサブマウント２７の上に発光素子１を実装するようにした。また、発光素子１において、発光面側に正負の両方の電極が形成されているので、マウント部４ａ又はサブマウント２７は導電性を有していても有していなくてもよい。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、以下の実施形態に示すように、発光素子自体が支持基板等に貼り合わされた発光素子を基体上に設けるようにしてもよい。
　実施形態３．
　図４は、実施形態３の発光装置の構成を示す断面図である。実施形態３の発光装置において、発光素子は、支持基板３７に接着部層３８を介して発光構造部１２０が設けられてなる。実施形態３の発光構造部１２０において、ｐ型層１３の一部が複数の箇所で除去されて、その各箇所においてｎ型層１２に接するように複数の第１電極１８が形成されている。この複数の第１電極１８は、導電性を有する接着部材３８により互いに接続されるので分離して形成されていてもよい。図４では第１電極１８が分離して描かれているが実際は互いに電気的に接続されている。この第１電極１８は、導電性を有する接着部材３８を介して支持基板３７に電気的に接続されている。
　また、各発光構造部１２０のｐ型層１３にはそれぞれ、絶縁層１４によって接着部材３８と電気的に分離された第２電極１５が形成されている。また、支持基板３７と接合部材３８とは同じ平面形状を有しているのに対して、ｐ型層１３とｎ型層１２を含む発光構造部の平面形状は、支持基板３７等に比べて小さく構成されている。このようにして、外側に配置された発光構造部１２０の第２電極１５を発光構造部の外側に延在して設け、その外側に延在した第２電極１５の上にパッド電極１６を形成している。
　また、本実施形態３の発光素子では、図４に示すように、ｎ型層１２の光取り出し面側に凹凸部９を形成して、光取り出し効率を向上させて外部量子効率を向上させている。この凹凸部９に代えて、又は凹凸部９に加えて透明絶縁膜１７の表面に凹凸を形成するようにしてもよい。ここで、凹凸部９の形状としては、ドット状、格子状、ハニカム状、枝状、矩形状、多角形状、円形状など様々な形状の凸部又は凹部とすることができ、断面形状としては矩形状、台形状、錐体断面などとできる。その大きさは、適宜設定されるが、具体的には開口部、凸部、凹部の間隔、１辺の長さ（矩形状、多角形状）、直径（ドット状、円形状）を、１～１０μｍ、好ましくは２～５μｍである。
　この図４に示した発光素子は次のようにして作製することができる。
　まず、成長用基板上に例えば、窒化物半導体からなるｎ型層１２、ｐ型層１３を積層して半導体積層構造を形成する。ｎ型層１２とｐ型層１３の間に発光層を形成するようにしてもよい。
　次に、ｐ型層１３を複数の箇所で除去して第１電極１８を形成するためにｎ型層１２の表面を一部露出させる。
　そして、露出させたｎ型層１２の表面に第１電極１８を形成し、ｐ型層１３の表面に第２電極１５を形成する。
　次に、半導体積層構造の上に、例えば、ＳｉＯ２からなる絶縁膜１４を形成して、さらに、支持基板３７側に電気的に接続される第１電極１８の一部を露出させる。
　次に、例えば、Ｔｉ－Ｐｔ－Ａｕからなる接合層を形成する。
　一方、例えば、Ｃｕ－Ｗからなる支持基板３７側にも、下地層のＴｉ－Ｐｔ(Ａｕの接合層と、その上のＳｎ－Ａｕからなる接着層を形成する。
　そして、半導体積層構造側と支持基板側の接着層を熱圧着して、接合した後、レーザ光を成長用基板側から照射して成長用基板を除去して、さらにｎ型層１２に凹凸部９を形成する。
　最後に、半導体積層構造の一部をエッチングにより除去して、その外側に第２電極１５を露出させて、透明絶縁膜１７とパッド電極１６とを形成する。
　以上のようにして、図４に示す発光素子が作製される。
　本実施形態３の発光装置において、基板３４は、例えば、ガラスエポキシからなる基板ベース３４ａに内層配線３２が埋設され、一方の主面に形成された端子電極３３ａ，３３ｂがそれぞれ内層配線３２を介して他方の主面に形成された外部接続端子３５ａ，３５ｂとに接続されてなる。
　以上のように構成された基板３４を用いて、端子電極３３ｂの上に、発光素子の支持基板３７側をダイボンディングして、発光素子のパッド電極１６をそれぞれワイヤーボンディングにより端子電極３３ａに接続する。
　その後、発光素子を囲む型枠を発光素子から離して設け、樹脂充填部を形成する。
　以下、実施形態１で説明した第１樹脂層形成工程、第２樹脂層形成工程、蛍光体粒子沈降工程、樹脂硬化工程を経て実施形態３の半導体装置は作製される。
　以上のように作製された実施形態３の発光装置３０において、封止樹脂６は、実施形態１と同様、支持基板３７と接合部材３８の上で発光構造部を覆う蛍光体含有第１層６ａと、支持基板３７と接合部材３８の周りの基板３４の一方の主面に形成された蛍光体含有第２層６ｂと、支持基板３７と接合部材３８の周りの蛍光体含有第２層６ｂ上に形成されたフィラー含有層６ｆとを含む層構造を有している。
　以上のように構成された実施形態３の発光装置によれば、色むらやイエローリングの発生が防止された発光装置を安価に提供することができる。
　実施形態４．
　図５は、実施形態４の発光装置４０の構成を示す断面図である。実施形態４の発光装置において、発光素子の構成が以下の点で実施形態３の発光素子とは異なっている。
　すなわち、実施形態３の発光素子と実施形態４の発光素子はいずれも成長基板を剥離して別の支持基板を張り付けている点では同じであるが、実施形態３の発光素子では、発光構造部の一方の面の側から第１電極と第２電極とを取り出しているが、実施形態４の発光素子では、発光構造部の一方の面の側に第１電極を形成し、他方の面側に第２電極を形成している点で異なっている。
　また、実施形態４の発光装置４０は、実施形態３の基板３４に代えて、凹部４４ｒを備えたパッケージ４４を用いて構成している点で実施形態３とは異なっている。
　尚、実施形態４のパッケージ４４は、凹部４４ｒに底面にマウント部４ａを備えていない点で実施形態１の基体（パッケージ）４とは異なっている。
　すなわち、実施形態４の発光装置４０では、発光素子４９に貼り付けられた支持基板４７がマウント部４ａに代わって発光構造部４６を必要な高さに保持している。
　また、実施形態４の発光装置４０では、凹部４４ｒの側壁が上方に向かって拡がるように傾斜して、上方への光の取り出し効率を向上させている。
　具体的には、実施形態４の発光素子４９は、次のように作製される。
　まず、サファイアなどの半導体成長用基板の上に、ｎ型半導体層、発光層、ｐ型半導体層をこの順に積層し、半導体積層構造を形成する。
　その後、ｐ型半導体層の表面にｐ側電極とメタライズ層とを順に形成する。
　これと並行して、支持基板４７の上にメタライズ層を形成し、メタライズ層が形成された支持基板４７を裏返しにして、支持基板４７側メタライズ層と半導体積層構造側のメタライズ層とを貼り合せる。次に半導体積層構造から半導体成長用基板を剥離し、剥離したことで露出されたｎ型半導体層の表面にｎ側電極を形成する。
　以上のようにして、支持基板４７に発光構造部４６が貼り付けられてなる実施形態４の発光素子４９が作製される。尚、実施形態４の発光素子４９では、ｎ側電極は部分電極とし、ｎ側電極が形成されていない部分から光が出射される。
　この支持基板として、例えばシリコン（Ｓｉ）、Ｇｅ、ＳｉＣなどの半導体からなる半導体基板、または金属単体基板、または相互に非固溶あるいは固溶限界の小さい２種以上の金属の複合体からなる金属基板を用いることができる。このうち、金属単体基板として具体的にはＣｕを用いることができる。また、金属基板の材料として具体的にはＡｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ等の高導電性金属から選択された１種以上の金属と、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｉ等の高硬度の金属から選択された１種以上の金属と、からなるものを用いることができる。半導体材料の基板を用いる場合には、それに素子機能、例えばツェナーダイオードを付加した基板とすることができる。また金属基板としては、Ｃｕ－ＷあるいはＣｕ－Ｍｏの複合体を用いることが好ましい。
　また、本実施形態４の発光装置４０において、基体としては、凹部４４ｒを有するパッケージ４４が使用される。実施形態４のパッケージ４４は、凹部４４ｒの底面にマウント部が設けられていない点で実施形態１の基体４とは異なるが、その点を除くと実施形態１の基体４と基本的な構成は同様である。
　本実施形態４の発光装置４０において、パッケージ４４は、例えば、樹脂又はセラミックからなるパッケージベース４４ａに内層配線４２が埋設され、凹部４４ｒの底面に形成された端子電極４３ａ，４３ｂがそれぞれ内層配線４２を介して実装面に形成された外部接続端子４５ａ，４５ｂとに接続されてなる。
　以上のように構成された発光素子４９とパッケージ４４とを用いて、端子電極４３ｂの上に、発光素子４９の支持基板４７側をダイボンディングして、発光素子４９の発光面側に形成された電極をそれぞれワイヤーボンディングにより端子電極４３ａに接続する。
　その後、実施形態１で説明した第１樹脂層形成工程、第２樹脂層形成工程、蛍光体粒子沈降工程、樹脂硬化工程を経て実施形態３の半導体装置は作製される。
　以上のように作製された実施形態４の発光装置４０において、封止樹脂６は、実施形態１と同様、支持基板４７の上で発光構造部４６を覆う蛍光体含有第１層６ａと、支持基板４７の周りの凹部４４ｒの底面に形成された蛍光体含有第２層６ｂと、支持基板４７の周りの蛍光体含有第２層６ｂ上に形成されたフィラー含有層６ｆとを含む層構造を有している。
　以上のように構成された実施形態４の発光装置によれば、色むらやイエローリングの発生が防止された発光装置を安価に提供することができる。
　以上の実施形態３及び４のように、本発明では、基板上又はパッケージの凹部に設けられたサブマウントを用いることなく、発光構造部が支持基板等に貼り合わされた発光素子を基体上に設けるようにしてもよい。
　また、本発明では、例えば、実施形態３の基板３４と実施形態４の発光素子４９とを組み合わせる、又は実施形態４のパッケージ４４と実施形態３の支持基板３７の上に発光構造部が設けられてなる発光素子を組み合わせる等、基体と発光素子は種々の組合せが可能である。
　これらの組合せに係る発光装置も、実施形態１～４の発光装置と同様の作用効果を有する。
　実施例１．
　実施例１として、以下のようにして発光装置を作製した。
　尚、本実施例１では、樹脂、蛍光体粒子及びフィラーは次のものを使用した。
（１）樹脂（第１樹脂、第２樹脂共通）
　・種類：ジメチル系シリコーン樹脂
　・粘度：３．５～３．９Ｐａ・ｓ
（２）蛍光体粒子
　・組成：（Ｙ，Ｇｄ）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ
　・比重：４．６８
　・平均粒径：１５μｍ
　・中心粒径：２４μｍ
（３）フィラー
　・組成：ＴｉＯ２
　・比重：３．９～４．２
　・平均粒径：０．２５μｍ
　本実施例１では、まず、リード電極が形成された基板上にサブマウントを介して発光素子を実装して、発光素子の上面に形成された正負の電極をそれぞれリード電極にワイヤボンディングした。
　そして、サブマウント及び発光素子を囲む型枠をサブマウントから離して基板上に設け、樹脂充填部を形成した。
　次に、樹脂充填部におけるサブマウントの周りの第２凹部に相当する部分に、上記樹脂に上記フィラーを混入分散した第１樹脂を充填した。第１樹脂におけるフィラーと樹脂の配合比（重量比）は、樹脂：フィラー＝１００：３３とした。この充填において、第１樹脂は、サブマウントの上面より１００μｍ低い位置まで充填した。
　そして、第１樹脂を硬化させることなく、第１樹脂と同じ第２樹脂に上記蛍光体粒子を分散させた第１樹脂層上及び発光素子１上の型枠内に充填して第２樹脂層を形成して、蛍光体粒子を３０℃で３時間自然沈降させた。
　尚、第２樹脂における蛍光体粒子と樹脂の配合比（重量比）は、樹脂：蛍光体粒子＝１００：２５とした。
　最後に、５０℃で３時間、その後昇温して、さらに１８０℃で２時間の条件下で樹脂を硬化させた後、型枠を外した
　以上のようにして実施例１の発光装置を作製したところ、色むらやイエローリングの発生が防止された発光装置を製造することができた。
　　１，４９　発光素子
　　２　ボンディングワイヤ
　　４　基体
　　４ａ　マウント部
　　４ｒ　凹部
　　５　外部接続端子
　　６ａ　蛍光体含有第１層
　　６ｂ　蛍光体含有第２層
　　６ｆ　フィラー含有層
　　７　第１樹脂層
　　８　第２樹脂層
　　９　凹凸部
　　１０，２０，３０，４０　発光装置
　　１２　ｎ型層
　　１３　ｐ型層
　　１４　絶縁膜
　　１５　第２電極
　　１６　パッド電極
　　１７　透明絶縁膜
　　１８　第１電極
　　２３ａ，２３ｂ，３３ａ，３３ｂ，４３ａ，４３ｂ　端子電極
　　２４，３４　基板
　　２４ａ　基板ベース
　　２４ｂ　ヒートシンク
　　２５ａ，２５ｂ，３５ａ，３５ｂ，４５ａ，４５ｂ　外部接続端子
　　２７　サブマウント
　　３０，４０　発光装置、
　　３２，４２　内層配線
　　３４ａ　基板ベース
　　３７，４７　支持基板
　　３８　接合部材
　　４４　パッケージ
　　４４ａ　パッケージベース
　　４４ｒ　凹部
　　４６　発光構造部
　　４９　発光素子
　　１２０　発光構造部

Claims (11)

  1. 　発光素子と、蛍光体粒子と光を反射するフィラーとを含む樹脂層とを有する発光装置の製造方法であって、
    　前記フィラーよりも前記蛍光体粒子を優先的に沈降させる蛍光体沈降工程を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
  2. 　前記蛍光体沈降工程は、
    　前記フィラーを含む第１樹脂を、少なくとも前記発光素子の上面を除く前記発光素子の周りに第１樹脂層を塗布する第１樹脂層形成工程と、
    　前記第１樹脂が硬化する前に、前記蛍光体粒子を含む第２樹脂を前記第１樹脂層及び前記発光素子上に第２樹脂層を塗布する第２樹脂層形成工程と、
    　第２樹脂層を形成した後硬化させる前に一定時間保持して蛍光体粒子を沈降させる沈降工程と、
    　を含む請求項１記載の発光装置の製造方法。
  3. 　基体に設けられた凹部の底面に、マウント部を介して前記発光素子を実装する実装工程を含み、
    　前記第１樹脂層形成工程において、前記マウント部の周りに前記第１樹脂を充填する請求項２記載の発光装置の製造方法。
  4. 　基体の平坦な上面にマウント部を介して前記発光素子を実装し、前記マウント部の周りに前記マウント部から離して型枠を設ける工程を含み、
    　前記第１樹脂層形成工程において、前記マウント部の周りに前記第１樹脂を充填する請求項２記載の発光装置の製造方法。
  5. 　前記発光素子は、支持基板上に発光構造部が貼り付けられてなり、
    　基体に設けられた凹部の底面に、前記支持基板が対向するように前記発光素子を実装する実装工程を含み、
    　前記第１樹脂層形成工程において、前記支持基板の周りに前記第１樹脂を充填する請求項２記載の発光装置の製造方法。
  6. 　前記発光素子は、支持基板上に発光構造部が貼り付けられてなり、基体の平坦な上面に前記支持基板が対向するように前記発光素子を実装する実装し、前記マウント部の周りに前記マウント部から離して型枠を設ける工程を含み、
    　前記第１樹脂層形成工程において、前記マウント部の周りに前記第１樹脂を充填する請求項２記載の発光装置の製造方法。
  7. 　前記蛍光体粒子の平均粒径を前記フィラーの平均粒径より１０倍以上大きくした請求項１～６のうちのいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
  8. 　基体と、前記基体の上面にマウント部を介して実装された発光素子と、前記発光素子を封止する封止樹脂とを含む発光装置であって、
    　前記封止樹脂は、前記マウント部上で前記発光素子を覆う蛍光体含有第１層と、前記マウント部の周りの前記基体上面に形成された蛍光体含有第２層と、前記マウント部の周りの前記蛍光体含有第２層上に形成されたフィラー含有層と、を有することを特徴とする発光装置。
  9. 　前記蛍光体含有第２層に含まれている蛍光体粒子の平均粒径が、前記フィラーの平均粒径より１０倍以上大きい請求項８記載の発光装置。
  10. 　支持基板上に発光構造部が貼り付けられてなる発光素子と、基体と、前記発光素子を封止する封止樹脂とを含み、前記発光素子を前記基体の上面に前記支持基板が対向するように実装した発光装置であって、
    　前記封止樹脂は、前記支持基板上で前記発光素子を覆う蛍光体含有第１層と、前記支持基板の周りの前記基体上面に形成された蛍光体含有第２層と、前記支持基板の周りの前記蛍光体含有第２層上に形成されたフィラー含有層と、を有することを特徴とする発光装置。
  11. 　前記蛍光体含有第２層に含まれている蛍光体粒子の平均粒径が、前記フィラーの平均粒径より１０倍以上大きい請求項８記載の発光装置。
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BR112013004504-3A BR112013004504B1 (pt) 2010-08-31 2011-08-29 Método para fabricar um dispositivo emissor de luz e dispositivo emissor de luz
CN201180041588.XA CN103081141B (zh) 2010-08-31 2011-08-29 发光装置及其制造方法
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RU2013114318/28A RU2570356C2 (ru) 2010-08-31 2011-08-29 Светоизлучающее устройство и способ его изготовления
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Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012089728A (ja) * 2010-10-21 2012-05-10 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2012216726A (ja) * 2011-04-01 2012-11-08 Citizen Electronics Co Ltd 半導体発光装置
EP2757603A1 (en) * 2013-01-21 2014-07-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device
WO2015030481A1 (ko) * 2013-08-27 2015-03-05 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법
KR101543724B1 (ko) * 2013-08-27 2015-08-11 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법
JP2015154007A (ja) * 2014-02-18 2015-08-24 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法および発光装置
JP2016072412A (ja) * 2014-09-30 2016-05-09 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
US9373767B2 (en) 2013-09-30 2016-06-21 Nichia Corporation Light emitting device with light reflecting member having protrusion over bonding ball of wire
JP2016201531A (ja) * 2015-04-08 2016-12-01 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2017069394A (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 ローム株式会社 Ｌｅｄ照明器具およびその製造方法
US9640727B2 (en) 2014-12-26 2017-05-02 Nichia Corporation Light emitting device
US9698315B2 (en) 2014-10-31 2017-07-04 Nichia Corporation Light emitting device
US9978914B2 (en) 2013-11-29 2018-05-22 Nichia Corporation Light emitting device with phosphor layer
KR20190093412A (ko) * 2018-02-01 2019-08-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 광원 장치
JP2020053639A (ja) * 2018-09-28 2020-04-02 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
US10629785B2 (en) 2017-08-21 2020-04-21 Citizen Electronics Co., Ltd. Light-emitting device
US11189765B2 (en) 2018-12-28 2021-11-30 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing light emitting device

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011005047B3 (de) * 2011-03-03 2012-09-06 Osram Ag Leuchtvorrichtung
CN104054189B (zh) * 2011-11-17 2018-06-26 株式会社流明斯 发光元件封装体以及包括该发光元件封装体的背光单元
DE102012205625A1 (de) * 2012-04-05 2013-10-10 Ledon Oled Lighting Gmbh & Co. Kg Lichtabgabevorrichtung mit einem OLED-Element
JP2014139999A (ja) * 2013-01-21 2014-07-31 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP2015176960A (ja) * 2014-03-14 2015-10-05 株式会社東芝 発光装置
US9680067B2 (en) * 2014-03-18 2017-06-13 GE Lighting Solutions, LLC Heavily phosphor loaded LED packages having higher stability
CN105023994B (zh) * 2014-04-15 2019-02-22 晶元光电股份有限公司 发光装置
CN104701438B (zh) * 2015-03-18 2017-11-03 青岛杰生电气有限公司 深紫外光源及其封装方法
DE102015116263A1 (de) * 2015-09-25 2017-03-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Herstellung eines elektronischen Bauelements
JP6813314B2 (ja) * 2016-09-15 2021-01-13 ローム株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP7450342B2 (ja) * 2018-04-23 2024-03-15 三星電子株式会社 有機金属化合物とそれを含む有機発光素子及び診断用組成物
EP3806168B1 (en) * 2018-06-11 2023-11-22 Xiamen San'an Optoelectronics Co., Ltd. Light-emitting component
JP6852745B2 (ja) * 2018-06-29 2021-03-31 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法および発光装置
DE102018125138A1 (de) * 2018-10-11 2020-04-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes bauteil und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden bauteils
JP2022127287A (ja) * 2021-02-19 2022-08-31 三菱電機株式会社 半導体モジュール
JP2022168726A (ja) * 2021-04-26 2022-11-08 日亜化学工業株式会社 発光装置、灯具及び街路灯

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005019662A (ja) * 2003-06-26 2005-01-20 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2005026401A (ja) 2003-07-01 2005-01-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光ダイオード
JP2005167079A (ja) * 2003-12-04 2005-06-23 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2008060344A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP2008218511A (ja) 2007-02-28 2008-09-18 Toyoda Gosei Co Ltd 半導体発光装置及びその製造方法
JP2009043764A (ja) * 2007-08-06 2009-02-26 Nichia Corp 半導体発光素子及びその製造方法
JP2009094351A (ja) * 2007-10-10 2009-04-30 Nichia Corp 発光装置およびその製造方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MY131962A (en) * 2001-01-24 2007-09-28 Nichia Corp Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
JP2004200531A (ja) * 2002-12-20 2004-07-15 Stanley Electric Co Ltd 面実装型ｌｅｄ素子
US7592192B2 (en) * 2004-03-05 2009-09-22 Konica Minolta Holdings, Inc. White light emitting diode (white LED) and method of manufacturing white LED
TWI228841B (en) * 2004-04-29 2005-03-01 Lite On Technology Corp Luminescence method and apparatus for color temperature adjustable white light
JP5422121B2 (ja) * 2005-08-04 2014-02-19 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法並びに成形体及び封止部材
JP2007188976A (ja) * 2006-01-11 2007-07-26 Shinko Electric Ind Co Ltd 発光装置の製造方法
RU2422945C2 (ru) * 2006-04-25 2011-06-27 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Флуоресцентное освещение, создающее белый свет
WO2008043519A1 (en) * 2006-10-10 2008-04-17 Lexedis Lighting Gmbh Phosphor-converted light emitting diode
US7687823B2 (en) * 2006-12-26 2010-03-30 Nichia Corporation Light-emitting apparatus and method of producing the same
JP5334088B2 (ja) * 2007-01-15 2013-11-06 フューチャー ライト リミテッド ライアビリティ カンパニー 半導体発光装置
JP2008300544A (ja) * 2007-05-30 2008-12-11 Sharp Corp 発光装置およびその製造方法
US8017246B2 (en) * 2007-11-08 2011-09-13 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Silicone resin for protecting a light transmitting surface of an optoelectronic device
JP5374876B2 (ja) * 2008-01-19 2013-12-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP5284006B2 (ja) * 2008-08-25 2013-09-11 シチズン電子株式会社 発光装置
CN101752476A (zh) * 2008-12-12 2010-06-23 威力盟电子股份有限公司 离心沉淀方法及应用其的发光二极管与设备
CN201558581U (zh) * 2009-08-04 2010-08-25 吴永清 凝胶中粉体加速沉淀机
JP5870611B2 (ja) 2010-11-05 2016-03-01 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005019662A (ja) * 2003-06-26 2005-01-20 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2005026401A (ja) 2003-07-01 2005-01-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光ダイオード
JP2005167079A (ja) * 2003-12-04 2005-06-23 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2008060344A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP2008218511A (ja) 2007-02-28 2008-09-18 Toyoda Gosei Co Ltd 半導体発光装置及びその製造方法
JP2009043764A (ja) * 2007-08-06 2009-02-26 Nichia Corp 半導体発光素子及びその製造方法
JP2009094351A (ja) * 2007-10-10 2009-04-30 Nichia Corp 発光装置およびその製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2613371A4

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012089728A (ja) * 2010-10-21 2012-05-10 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2012216726A (ja) * 2011-04-01 2012-11-08 Citizen Electronics Co Ltd 半導体発光装置
EP2757603A1 (en) * 2013-01-21 2014-07-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device
JP2014139998A (ja) * 2013-01-21 2014-07-31 Toshiba Corp 半導体発光装置
US8928020B2 (en) 2013-01-21 2015-01-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device
KR101543724B1 (ko) * 2013-08-27 2015-08-11 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법
WO2015030481A1 (ko) * 2013-08-27 2015-03-05 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법
US9373767B2 (en) 2013-09-30 2016-06-21 Nichia Corporation Light emitting device with light reflecting member having protrusion over bonding ball of wire
US9978914B2 (en) 2013-11-29 2018-05-22 Nichia Corporation Light emitting device with phosphor layer
US10381525B2 (en) 2013-11-29 2019-08-13 Nichia Corporation Method for manufacturing light emitting device with phosphor layer
US10128416B2 (en) 2013-11-29 2018-11-13 Nichia Corporation Method for manufacturing light emitting device with phosphor layer
JP2015154007A (ja) * 2014-02-18 2015-08-24 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法および発光装置
JP2016072412A (ja) * 2014-09-30 2016-05-09 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
US9698315B2 (en) 2014-10-31 2017-07-04 Nichia Corporation Light emitting device
US9640727B2 (en) 2014-12-26 2017-05-02 Nichia Corporation Light emitting device
JP2016201531A (ja) * 2015-04-08 2016-12-01 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2017069394A (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 ローム株式会社 Ｌｅｄ照明器具およびその製造方法
US10629785B2 (en) 2017-08-21 2020-04-21 Citizen Electronics Co., Ltd. Light-emitting device
KR20190093412A (ko) * 2018-02-01 2019-08-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 광원 장치
KR102459103B1 (ko) 2018-02-01 2022-10-26 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지 및 광원 장치
JP2020053639A (ja) * 2018-09-28 2020-04-02 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
US11171260B2 (en) 2018-09-28 2021-11-09 Nichia Corporation Light-emitting device and method for manufacturing light-emitting device
JP7372512B2 (ja) 2018-09-28 2023-11-01 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
US11189765B2 (en) 2018-12-28 2021-11-30 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing light emitting device
US11616179B2 (en) 2018-12-28 2023-03-28 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing light emitting device

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CN103081141A (zh) 2013-05-01

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