RU2013114318A - Светоизлучающее устройство и способ его изготовления - Google Patents

Светоизлучающее устройство и способ его изготовления Download PDF

Info

Publication number
RU2013114318A
RU2013114318A RU2013114318/28A RU2013114318A RU2013114318A RU 2013114318 A RU2013114318 A RU 2013114318A RU 2013114318/28 A RU2013114318/28 A RU 2013114318/28A RU 2013114318 A RU2013114318 A RU 2013114318A RU 2013114318 A RU2013114318 A RU 2013114318A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
polymer resin
light emitting
emitting element
light
layer
Prior art date
Application number
RU2013114318/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2570356C2 (ru
Inventor
Такаси САТО
Сатоси СИРАХАМА
Original Assignee
Нития Корпорейшн
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Нития Корпорейшн filed Critical Нития Корпорейшн
Publication of RU2013114318A publication Critical patent/RU2013114318A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2570356C2 publication Critical patent/RU2570356C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7774—Aluminates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

1. Способ изготовления светоизлучающего устройства со светоизлучающим элементом и слоем полимерной смолы, содержащим частицы флуоресцентного материала и наполнителя, который отражает свет, включающий;процесс осаждения флуоресцентного материала для осаждения частиц флуоресцентного материала раньше, чем наполнителя.2. Способ изготовления светоизлучающего устройства по п.1, в котором процесс осаждения флуоресцентного материала включает:процесс формирования первого слоя полимерной смолы для нанесения первой полимерной смолы, содержащей наполнитель, вокруг светоизлучающего элемента, за исключением, по меньшей мере, верхней поверхности светоизлучающего элемента, для формирования первого слоя полимерной смолы вокруг светоизлучающего элемента;процесс формирования второго слоя полимерной смолы для нанесения второй полимерной смолы, содержащей частицы флуоресцентного материала, на первый слой полимерной смолы и светоизлучающий элемент до того, как первая полимерная смола отвердеет, для формирования второго слоя полимерной смолы на первом слое полимерной смолы и светоизлучающем элементе; ипроцесс осаждения для осаждения частиц флуоресцентного материала таким образом, что второй слой полимерной смолы выдерживают в течение заданного периода времени после его формирования перед отверждением.3. Способ изготовления светоизлучающего устройства по п.2, дополнительно содержащий:процесс установки для установки светоизлучающего элемента на нижней поверхности выемки корпуса основания через участок установки,при этом первую полимерную смолу заливают вокруг установочного участка в процессе формирования п�

Claims (11)

1. Способ изготовления светоизлучающего устройства со светоизлучающим элементом и слоем полимерной смолы, содержащим частицы флуоресцентного материала и наполнителя, который отражает свет, включающий;
процесс осаждения флуоресцентного материала для осаждения частиц флуоресцентного материала раньше, чем наполнителя.
2. Способ изготовления светоизлучающего устройства по п.1, в котором процесс осаждения флуоресцентного материала включает:
процесс формирования первого слоя полимерной смолы для нанесения первой полимерной смолы, содержащей наполнитель, вокруг светоизлучающего элемента, за исключением, по меньшей мере, верхней поверхности светоизлучающего элемента, для формирования первого слоя полимерной смолы вокруг светоизлучающего элемента;
процесс формирования второго слоя полимерной смолы для нанесения второй полимерной смолы, содержащей частицы флуоресцентного материала, на первый слой полимерной смолы и светоизлучающий элемент до того, как первая полимерная смола отвердеет, для формирования второго слоя полимерной смолы на первом слое полимерной смолы и светоизлучающем элементе; и
процесс осаждения для осаждения частиц флуоресцентного материала таким образом, что второй слой полимерной смолы выдерживают в течение заданного периода времени после его формирования перед отверждением.
3. Способ изготовления светоизлучающего устройства по п.2, дополнительно содержащий:
процесс установки для установки светоизлучающего элемента на нижней поверхности выемки корпуса основания через участок установки,
при этом первую полимерную смолу заливают вокруг установочного участка в процессе формирования первого слоя полимерной смолы.
4. Способ изготовления светоизлучающего устройства по п.2, в котором дополнительно:
устанавливают светоизлучающий элемент на плоской верхней поверхности корпуса основания через установочный участок и обеспечивают рамку, окружающую установочный участок для отделения от установочного участка,
при этом первую полимерную смолу заливают вокруг установочного участка при формировании первого слоя полимерной смолы.
5. Способ изготовления светоизлучающего устройства по п.2, в котором светоизлучающее устройство содержит опорную подложку и сектор светоизлучающей структуры, который соединен с опорной подложкой, при этом способ включает:
установку светоизлучающего элемента на нижней поверхности выемки корпуса основания таким образом, что опорная подложка располагается противоположно нижней поверхности,
причем первую полимерную смолу заливают вокруг установочного участка в процессе формирования первого слоя полимерной смолы.
6. Способ изготовления светоизлучающего устройства по п.2, в котором светоизлучающее устройство содержит опорную подложку и сектор светоизлучающей структуры, который соединен с опорной подложкой, при этом способ включает:
установку светоизлучающего элемента на нижней поверхности выемки корпуса основания таким образом, что опорная подложка располагается противоположно нижней поверхности, и предоставляют рамку, окружающую установочный участок, для отделения от установочного участка,
при этом первую полимерную смолу заливают вокруг установочного участка в процессе формирования первого слоя полимерной смолы.
7. Способ изготовления светоизлучающего устройства по любому из пп.1-6, в котором средний диаметр частиц для частиц флуоресцентного материала устанавливают большим в 10 раз или больше среднего диаметра частиц наполнителя.
8. Светоизлучающее устройство, содержащее корпус основания, светоизлучающий элемент, установленный на верхней поверхности корпуса основания через установочный участок, и уплотнительную полимерную смолу для герметизации светоизлучающего элемента, в котором уплотнительная полимерная смола содержит:
содержащий флуоресцентный материал первый слой для покрытия светоизлучающего элемента на установочном участке и над ним;
содержащий флуоресцентный материал второй слой, сформированный на верхней поверхности корпуса основания вокруг установочного участка; и
содержащий наполнитель слой, сформированный на содержащем флуоресцентный материал втором слое вокруг установочного участка.
9. Светоизлучающее устройство по п.8, в котором средний диаметр частиц для частиц флуоресцентного материала больше среднего диаметра частиц наполнителя в 10 раз или более.
10. Светоизлучающее устройство, содержащее светоизлучающий элемент, выполненный таким образом, что сектор светоизлучающей структуры соединен с опорной подложкой, корпусом основания и уплотнительной полимерной смолой для герметизации светоизлучающего элемента, при этом светоизлучающий элемент установлен на верхней поверхности корпуса основания так, чтобы он был напротив опорной подложки,
причем уплотнительная полимерная смола содержит:
содержащий флуоресцентный материал первый слой для покрытия светоизлучающего элемента на опорной подложке и выше нее;
содержащий флуоресцентный материал второй слой, сформированный на верхней поверхности корпуса основания вокруг опорной подложки; и
содержащий наполнитель слой, сформированный на содержащем флуоресцентный материал втором слое вокруг опорной подложки.
11. Светоизлучающее устройство по п.10, в котором средний диаметр частиц для частиц флуоресцентного материала больше в 10 раз или больше среднего диаметра частиц наполнителя.
RU2013114318/28A 2010-08-31 2011-08-29 Светоизлучающее устройство и способ его изготовления RU2570356C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010-194106 2010-08-31
JP2010194106 2010-08-31
PCT/JP2011/069402 WO2012029695A1 (ja) 2010-08-31 2011-08-29 発光装置とその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2013114318A true RU2013114318A (ru) 2014-10-10
RU2570356C2 RU2570356C2 (ru) 2015-12-10

Family

ID=45772782

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013114318/28A RU2570356C2 (ru) 2010-08-31 2011-08-29 Светоизлучающее устройство и способ его изготовления

Country Status (9)

Country Link
US (2) US9295132B2 (ru)
EP (1) EP2613371B1 (ru)
JP (1) JP5861636B2 (ru)
KR (1) KR101832536B1 (ru)
CN (1) CN103081141B (ru)
BR (1) BR112013004504B1 (ru)
RU (1) RU2570356C2 (ru)
TW (1) TWI560908B (ru)
WO (1) WO2012029695A1 (ru)

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5472031B2 (ja) * 2010-10-21 2014-04-16 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
DE102011005047B3 (de) * 2011-03-03 2012-09-06 Osram Ag Leuchtvorrichtung
JP5697091B2 (ja) * 2011-04-01 2015-04-08 シチズン電子株式会社 半導体発光装置
CN108565329A (zh) * 2011-11-17 2018-09-21 株式会社流明斯 发光元件封装体以及包括该发光元件封装体的背光单元
DE102012205625A1 (de) * 2012-04-05 2013-10-10 Ledon Oled Lighting Gmbh & Co. Kg Lichtabgabevorrichtung mit einem OLED-Element
JP2014139999A (ja) * 2013-01-21 2014-07-31 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP2014139998A (ja) * 2013-01-21 2014-07-31 Toshiba Corp 半導体発光装置
KR101543724B1 (ko) * 2013-08-27 2015-08-11 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법
WO2015030481A1 (ko) * 2013-08-27 2015-03-05 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법
JP6523597B2 (ja) 2013-09-30 2019-06-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6237316B2 (ja) * 2014-02-18 2017-11-29 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法および発光装置
US9461214B2 (en) 2013-11-29 2016-10-04 Nichia Corporation Light emitting device with phosphor layer
JP2015176960A (ja) * 2014-03-14 2015-10-05 株式会社東芝 発光装置
US9680067B2 (en) * 2014-03-18 2017-06-13 GE Lighting Solutions, LLC Heavily phosphor loaded LED packages having higher stability
CN105023994B (zh) * 2014-04-15 2019-02-22 晶元光电股份有限公司 发光装置
JP6369266B2 (ja) * 2014-09-30 2018-08-08 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
US9698315B2 (en) 2014-10-31 2017-07-04 Nichia Corporation Light emitting device
JP6540026B2 (ja) 2014-12-26 2019-07-10 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN104701438B (zh) * 2015-03-18 2017-11-03 青岛杰生电气有限公司 深紫外光源及其封装方法
JP6561861B2 (ja) * 2015-04-08 2019-08-21 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
DE102015116263A1 (de) * 2015-09-25 2017-03-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Herstellung eines elektronischen Bauelements
JP6633881B2 (ja) * 2015-09-30 2020-01-22 ローム株式会社 Ｌｅｄ照明器具およびその製造方法
JP6813314B2 (ja) * 2016-09-15 2021-01-13 ローム株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP7092474B2 (ja) 2017-08-21 2022-06-28 シチズン電子株式会社 発光装置
KR102459103B1 (ko) * 2018-02-01 2022-10-26 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지 및 광원 장치
US20190326526A1 (en) * 2018-04-23 2019-10-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Organometallic compound, organic light-emitting device including the organometallic compound, and diagnostic composition including the organometallic compound
KR102579057B1 (ko) * 2018-06-11 2023-09-14 샤먼 산안 옵토일렉트로닉스 컴퍼니 리미티드 발광 어셈블리
JP6852745B2 (ja) * 2018-06-29 2021-03-31 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法および発光装置
JP7372512B2 (ja) * 2018-09-28 2023-11-01 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
DE102018125138A1 (de) * 2018-10-11 2020-04-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes bauteil und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden bauteils
CN111384228A (zh) 2018-12-28 2020-07-07 日亚化学工业株式会社 发光装置以及发光装置的制造方法
JP2020150229A (ja) 2019-03-15 2020-09-17 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
JP7484766B2 (ja) * 2021-02-19 2024-05-16 三菱電機株式会社 半導体モジュール
JP7502650B2 (ja) * 2021-04-26 2024-06-19 日亜化学工業株式会社 発光装置、灯具及び街路灯

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MY131962A (en) * 2001-01-24 2007-09-28 Nichia Corp Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
JP2004200531A (ja) * 2002-12-20 2004-07-15 Stanley Electric Co Ltd 面実装型ｌｅｄ素子
JP4661031B2 (ja) * 2003-06-26 2011-03-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2005026401A (ja) 2003-07-01 2005-01-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光ダイオード
JP2005167079A (ja) * 2003-12-04 2005-06-23 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
US7592192B2 (en) * 2004-03-05 2009-09-22 Konica Minolta Holdings, Inc. White light emitting diode (white LED) and method of manufacturing white LED
TWI228841B (en) * 2004-04-29 2005-03-01 Lite On Technology Corp Luminescence method and apparatus for color temperature adjustable white light
EP2768031B1 (en) * 2005-08-04 2021-02-17 Nichia Corporation Light-emitting device
JP2007188976A (ja) * 2006-01-11 2007-07-26 Shinko Electric Ind Co Ltd 発光装置の製造方法
RU2422945C2 (ru) * 2006-04-25 2011-06-27 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Флуоресцентное освещение, создающее белый свет
JP2008060344A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Toshiba Corp 半導体発光装置
EP2074668B1 (en) * 2006-10-10 2018-02-28 Tridonic Jennersdorf GmbH Phosphor-converted light emitting diode
US7687823B2 (en) * 2006-12-26 2010-03-30 Nichia Corporation Light-emitting apparatus and method of producing the same
JP5334088B2 (ja) * 2007-01-15 2013-11-06 フューチャー ライト リミテッド ライアビリティ カンパニー 半導体発光装置
JP2008218511A (ja) 2007-02-28 2008-09-18 Toyoda Gosei Co Ltd 半導体発光装置及びその製造方法
JP2008300544A (ja) * 2007-05-30 2008-12-11 Sharp Corp 発光装置およびその製造方法
JP5151301B2 (ja) * 2007-08-06 2013-02-27 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
JP5262054B2 (ja) * 2007-10-10 2013-08-14 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US8017246B2 (en) * 2007-11-08 2011-09-13 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Silicone resin for protecting a light transmitting surface of an optoelectronic device
JP5374876B2 (ja) * 2008-01-19 2013-12-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP5284006B2 (ja) * 2008-08-25 2013-09-11 シチズン電子株式会社 発光装置
CN101752476A (zh) * 2008-12-12 2010-06-23 威力盟电子股份有限公司 离心沉淀方法及应用其的发光二极管与设备
CN201558581U (zh) * 2009-08-04 2010-08-25 吴永清 凝胶中粉体加速沉淀机
JP5870611B2 (ja) 2010-11-05 2016-03-01 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101832536B1 (ko) 2018-02-26
JPWO2012029695A1 (ja) 2013-10-28
JP5861636B2 (ja) 2016-02-16
US9295132B2 (en) 2016-03-22
WO2012029695A1 (ja) 2012-03-08
RU2570356C2 (ru) 2015-12-10
EP2613371B1 (en) 2019-04-24
CN103081141A (zh) 2013-05-01
CN103081141B (zh) 2016-10-12
TWI560908B (en) 2016-12-01
KR20130099081A (ko) 2013-09-05
EP2613371A4 (en) 2015-03-25
EP2613371A1 (en) 2013-07-10
US20130169149A1 (en) 2013-07-04
BR112013004504B1 (pt) 2022-02-22
TW201216528A (en) 2012-04-16
US20160197249A1 (en) 2016-07-07
BR112013004504A2 (pt) 2016-06-07
US9466770B2 (en) 2016-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2013114318A (ru) Светоизлучающее устройство и способ его изготовления
HRP20161646T1 (hr) Postupak za izradu optičkog modula sa silikonskom optikom, optički modul i njegova upotreba
EP2469590A3 (en) Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus
RU2011134678A (ru) Светоизлучающее устройство и способ изготовления светоизлучающего устройства
CN104505465B (zh) Oled封装结构及其封装方法
US20120025214A1 (en) Led packaging structure and packaging method
CN103872227B (zh) 一种360度发光的led灯丝光源的制造方法
US20140001661A1 (en) Release film and process for producing light emitting diode
CN108190832B (zh) Oled面板及其制作方法
CN105679799B (zh) 一种大尺寸amoled显示基板及其制作方法
TW200721524A (en) Method of releasing high temperature films and/or devices from metallic substrates
RU2011147912A (ru) Органическое электролюминесцентное устройство отображения и способ его изготовления
JP6164656B2 (ja) 光出力装置及び製造の方法
CN104900603B (zh) 显示装置、显示面板及其制作方法
CN101336018B (zh) 一种有机电致发光器件的封装压合方法及封装压合设备
RU2012104030A (ru) Конструкция дорожного полотна с улучшенными свойствами сцепления
KR102172632B1 (ko) 반도체 패키지 모듈 제조장치 및 제조방법
TWI478398B (zh) 發光二極體封裝結構及其螢光薄膜的製造方法
CN105870298A (zh) 一种led光源的封装方法
JP5719613B2 (ja) 光デバイス、発光デバイス、及び傾斜機能材の製造方法
JP2009277649A5 (ru)
MY149763A (en) Light-emitting device and method for manufacturing same.
JP5597495B2 (ja) Ｌｅｄ電球用の蛍光体層付きグローブ、その製造方法およびｌｅｄ電球
CN201820801U (zh) Oled器件封装结构
TW200731341A (en) Pattern and wiring pattern, and method for producing thereof