JP5597495B2 - Led電球用の蛍光体層付きグローブ、その製造方法およびled電球 - Google Patents
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Description
[LED電球]
図1は、実施形態のLED電球の部分断面図である。図1に第1の実施形態として示されるLED電球1は、円錐台形状の基体部50と、基体部50の小径円形状の一方端に絶縁部材60を介して設けられた口金70と、基体部50の大径円形状の他方端に設けられた基板20と、この基板20上に配置され、光を出射する半導体発光素子30と、半導体発光素子30を半導体発光素子30から離間して覆う略半球状のグローブ11とこのグローブ11の内表面12を被覆する蛍光体層16とを有する略半球状の蛍光体層付きグローブ10と、を備える。蛍光体層16は、半導体発光素子30からの出射光により励起されて可視光を発するようになっている。基体部50内には図示しない点灯回路が設けられる。
図1に示されるように、蛍光体層付きグローブ10は、基板20上に配置された半導体発光素子30を覆う略半球状のグローブ11と、このグローブ11の内表面を被覆する蛍光体層16とを有する。
たとえば、触針式の表面形状測定装置を用い、物体の表面に、表面の垂直方向から触針を当てつつ触針を水平方向に移動させると、図4に示すような物体の表面形状の測定曲線80が得られる。そして、測定曲線80に対し、図4に示す一般式(1)を適用すると、算術平均傾斜Δaが算出される。ここで、一般式(1)中、ΔXは所定区間の水平方向の距離、ΔYiはΔXに対する高さ方向の距離である。なお、触針式の表面形状測定装置に代えて、非接触式の表面形状測定装置を用いても算術平均傾斜Δaを算出することができる。
LED電球用の蛍光体層付きグローブの製造方法は、凹凸形成工程と、塗布工程と、硬化工程とを有する。
凹凸形成工程は、グローブの内表面に凹凸を形成する工程である。グローブの内表面に凹凸を形成する方法としては、たとえば、サンドペーパーやリューターでグローブの内表面をこする方法、またはグローブの内表面にショットブラスト加工を行う方法等が挙げられる。ここでリューターとは、ペン型グラインダーである。
サンドペーパーとしては、砥粒が粗めのものである番手が#100〜#180のものが好ましい。
塗布工程は、グローブの内表面に、透明樹脂中に蛍光体を分散させた蛍光体スラリーを塗布する工程である。
蛍光体スラリーは、透明樹脂中に蛍光体を分散させたものである。
硬化工程は、前記塗布された蛍光体スラリーを硬化させる工程である。
蛍光体スラリーは、たとえば、100℃〜160℃に加熱することにより硬化させることができる。蛍光体スラリーの加熱方法としては、たとえば、ニクロム線等を用いた抵抗加熱法、赤外線ランプを用いた方法等が挙げられる。
硬化工程を終えると、グローブの内表面の蛍光体スラリーが硬化されて蛍光体層が形成され、蛍光体層付きグローブが得られる。
なお、硬化工程を終えた蛍光体層にはバリが発生していることがある。この場合は、不要な蛍光体層であるバリをカットする等により除去すればよい。
グローブを模し、表面を荒らしたクロスカット試験用樹脂板の表面に、蛍光体膜を形成した後、蛍光体膜に切り込みを入れ、蛍光体膜を引き剥がすクロスカット試験を行った。
はじめに、縦100mm×横100mm×厚さ2mmの表面が平滑なポリカーボネート板を作成した。このポリカーボネート板の表面の表面粗さを測定したところ、Raが0.09μm、Rzが0.72μm、Δaが0.01°であった。
一方、平均粒径D50が25μmの蛍光体100質量部を、シリコーン樹脂500質量部に分散させた蛍光体含有スラリーを作製した。
次に、蛍光体膜形成樹脂板の表面の蛍光体膜の縦10mm×横10mmの部分に、カッターを用いて、縦2mm間隔、横2mm間隔でそれぞれ直線状に切り込みを入れ、縦2mm×横2mmの正方形のマス目を縦5個×横5個の計25個形成して、クロスカット試験片を作製した。
クロスカット試験片の蛍光体膜面にテープを密着させて引き剥がし、クロスカット試験用樹脂板から剥離した蛍光体層のマスの個数を数えた。
測定結果を表1に示す。
Raが0.09μm、Rzが0.72μm、Δaが0.01°のポリカーボネート板をそのまま用い、ポリカーボネート板に蛍光体含有スラリーを直接に塗布した以外は、実施例1と同様にして、クロスカット試験片を作製してクロスカット試験を行った。
クロスカット試験用樹脂板の表面の表面粗さRa、Rz、およびΔa、ならびにクロスカット試験の測定結果を表1に示す。
表1において、クロスカット試験用樹脂板の表面粗さの欄の数値は、ポリカーボネート板の表面粗さの数値である。
Raが0.09μm、Rzが0.72μm、Δaが0.01°のポリカーボネート板に代えて、ポリカーボネート板作成時のシボ加工により、ポリカーボネート板の表面にシボを形成した以外は実施例1と同様にして、クロスカット試験用樹脂板を作製し、さらにクロスカット試験片を作製してクロスカット試験を行った。
なお、シボ加工はA、Bの2種類行った。
シボ加工Aを施したポリカーボネート板は、表面粗さがRa7.20μm、Rz35.50μm、Δa0.20°であった。この実験例を比較例2とした。
また、シボ加工Bを施したポリカーボネート板は、表面粗さがRa1.28μm、Rz7.37μm、Δa0.05°であった。この実験例を比較例3とした。
クロスカット試験用樹脂板の表面の表面粗さRa、Rz、およびΔa、ならびにクロスカット試験の測定結果を表1に示す。
表1において、クロスカット試験用樹脂板の表面粗さの欄の数値は、シボ加工を行ったポリカーボネート板の表面粗さの数値である。
サンドペーパー#100に代えて、表1に示す番手のサンドペーパーを用いた以外は、実施例1と同様にして、クロスカット試験用樹脂板を作製し、さらにクロスカット試験片を作製してクロスカット試験を行った。
クロスカット試験用樹脂板の表面の表面粗さRa、Rz、およびΔa、ならびにクロスカット試験の測定結果を表1に示す。
ポリカーボネート板に代えて、縦100mm×横100mm×厚さ2mmの表面が平滑なアクリル樹脂板を用い、このアクリル樹脂板の表面をサンドペーパー#120でこすってクロスカット試験用樹脂板を作製した以外は、実施例1と同様にして、クロスカット試験片を作製してクロスカット試験を行った。
クロスカット試験用樹脂板の表面の表面粗さRa、Rz、およびΔa、ならびにクロスカット試験の測定結果を表1に示す。
Raが0.01μm、Rzが0.05μm、Δaが0.00°のアクリル樹脂板をそのまま用い、アクリル樹脂板に蛍光体含有スラリーを直接に塗布した以外は、実施例4と同様にして、クロスカット試験片を作製してクロスカット試験を行った。
クロスカット試験用樹脂板の表面の表面粗さRa、Rz、およびΔa、ならびにクロスカット試験の測定結果を表1に示す。
表1において、クロスカット試験用樹脂板の表面粗さの欄の数値は、アクリル樹脂板の表面粗さの数値である。
表1に示す結果より、算術平均傾斜Δa 0.25°以上のサンプルではクロスカット試験で剥離しないことが分かった。
半球状でポリカーボネート製のグローブを用い、内表面をサンドペーパーで荒らした後、グローブの内表面に蛍光体膜を作製した。その後、グローブからの蛍光体膜の自然剥離時間を評価した。
図5に、グローブへの蛍光体膜形成プロセスを示す。
一方、平均粒径D50が25μmの蛍光体100質量部を、シリコーン樹脂500質量部に分散させた蛍光体含有スラリーを作製した。
この蛍光体膜付きグローブを、LEDモジュールが設置された基体部に取り付けた。
蛍光体膜付きグローブは、作製1ヶ月後でも、蛍光体膜の剥離は観察されなかった。
観察結果を表2に示す。
グローブの内表面をサンドペーパー#100を用いてこすらず、平滑なグローブの内表面に蛍光体含有スラリーをグローブの内表面にスプレーで塗布した以外は実施例1と同様にして、蛍光体膜付きグローブを作製し、蛍光体膜の剥離具合を目視観察した。
蛍光体膜付きグローブの蛍光体膜の剥離は、作製1日後に観察された。
観察結果を表2に示す。
表2に示す結果より、グローブの内表面をサンドペーパー#100を用いてこすって荒らした場合は作製1ヶ月後でも蛍光体膜が剥離しないが、グローブの内表面をサンドペーパー#100を用いてこすって荒らさない場合は作製1日後に蛍光体膜が剥離することが分かった。これは、蛍光体膜に含まれるシリコーン樹脂が経時的に収縮するため、グローブとの応力差により剥離したためであると考えられる。
10 蛍光体層付きグローブ
11 グローブ
12 グローブの内表面
13 グローブの外表面
16 蛍光体層
20 基板
25 半導体発光素子と蛍光体層との間の空間
30 半導体発光素子
40 透明樹脂層
50 基体部
60 絶縁部材
70 口金
80 物体の表面形状の測定曲線
Claims (6)
- 基板上に配置された半導体発光素子を覆うグローブと、
このグローブの内表面を被覆する蛍光体層とを有するLED電球用の蛍光体層付きグローブであって、
前記グローブの内表面は算術平均傾斜Δaが0.25°以上の凹凸形状に形成され、
前記蛍光体層は、前記グローブの内表面の凹凸形状に密着して被覆していることを特徴とするLED電球用の蛍光体層付きグローブ。 - 前記グローブは、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂からなることを特徴とする請求項1に記載のLED電球用の蛍光体層付きグローブ。
- 前記蛍光体層は、シリコーン樹脂硬化物中に蛍光体が分散していることを特徴とする請求項1〜2のいずれか1項に記載のLED電球用の蛍光体層付きグローブ。
- 前記半導体発光素子と前記蛍光体層との間に空間が設けられ、前記半導体発光素子と前記蛍光体層とは離間して配置されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のLED電球用の蛍光体層付きグローブ。
- グローブの内表面に算術平均傾斜Δaが0.25°以上の凹凸を形成する凹凸形成工程と、
前記グローブの内表面に、透明樹脂中に蛍光体を分散させた蛍光体スラリーを塗布する塗布工程と、
前記塗布された蛍光体スラリーを硬化させる硬化工程とを有することを特徴とするLED電球用の蛍光体層付きグローブの製造方法。 - 基板と、
この基板上に配置され、光を出射する半導体発光素子と、
前記半導体発光素子を覆うグローブと、このグローブの内表面を被覆し前記半導体発光素子からの出射光により励起されて可視光を発する蛍光体層とを有する蛍光体層付きグローブとを備えたLED電球であって、
前記蛍光体層付きグローブは、請求項1〜4のいずれか1項に記載のLED電球用の蛍光体層付きグローブであることを特徴とするLED電球。
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