CN105470367B - 一种led用荧光薄片的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种LED用荧光薄片的制备方法,该方法主要包括在UV膜上形成与LED芯片电极大小相一致的光刻胶胶柱,将留有光刻胶胶柱的UV膜上均匀涂布一层荧光粉胶,去除所述光刻胶胶柱,形成荧光薄片,并将荧光薄片切割成特定尺寸形状的荧光薄片制品。通过本发明制得平面薄片的出光均匀性较好、柔韧性好,同时荧光薄片的厚度容易控制,属于平面化工艺,适合集成规模化的生产。并且本发明改变了传统使用荧光粉和硅胶/树脂混合后再覆盖在LED芯片上的做法,而以独立的荧光薄片的形式出现,使用时直接和LED芯片封装在一起即可,更加利于LED芯片的散热,提高了LED器件的使用寿命。

Description

一种LED用荧光薄片的制备方法
技术领域
本发明属于半导体制备领域,尤其涉及一种LED用荧光薄片的制备方法。
背景技术
近年,无论是无机还是有机发光器件(LED/OLED),白光LED器件及其在照明相关领域的应用研究都受到了学术和产业界的高度重视。白光LED产生白光主要有两条途径:第一种是将红光、绿光和蓝光三种LED芯片进行组合产生白光;第二种是用LED激发荧光粉形成白光,这种途径较为成熟的方式是使用蓝光LED芯片搭配黄色荧光粉(如YAG:Ce3+等)实现白光发射。
对于光致转换的白光LED,荧光粉涂层的结构、特性等对白光LED的性能有着至关重要的影响。目前制备该类荧光粉涂层的工艺是将荧光粉颗粒与透明胶体(如环氧胶、硅胶等)混合后,通过点胶机,在LED芯片上涂覆荧光粉颗粒与透明胶体的混合体层。具体工艺方法为:
(1)将LED芯片固定在带杯口的支架上;
(2)用金线键合LED芯片正负极;
(3)将胶体(硅胶、环氧树脂等)与荧光粉进行混合形成荧光粉混合液;
(4)通过点胶机进行点胶将荧光粉混合液涂覆在LED芯片上。
但是上述工艺存在如下缺点:1、荧光粉混合液会受支架杯口形状的影响而产生黄圈或蓝圈现象,影响出光质量;2、点胶的方式是运用重力等力学作用让荧光粉混合液流动后将LED芯片包裹,很难保证荧光粉涂层的均匀性,影响出光均匀性;3、涂覆在LED芯片上的荧光粉涂层的可重复性差,极大地制约了批量化生产和成品率。
发明内容
本发明的目的是提供一种LED用荧光薄片的制备方法。该方法不仅能够提高荧光粉分布的均匀性,而且能够实现荧光粉的高效转换。
为了达到上述目的,本发明提供一种LED用荧光薄片的制备方法,包括在UV膜上均匀涂布光刻胶并烘烤;对所述UV膜上的光刻胶进行处理,形成与LED芯片电极大小相一致的光刻胶胶柱;将留有光刻胶胶柱的UV膜上均匀涂布一层荧光粉胶,所述荧光粉胶的厚度低于所述光刻胶胶柱的厚度;去除所述光刻胶胶柱,形成荧光薄片;将所述荧光薄片切割成特定尺寸形状的荧光薄片制品。
优选地,所述荧光粉胶中硅胶主剂、固化剂和黄色荧光粉的重量配比为1:1.5~2:0.23~0.25。
优选地,对所述光刻胶进行处理的方法为曝光、显影。
本发明的有益效果:
本发明提供的LED用荧光薄片的制备方法制得荧光薄片后,可以直接覆盖在LED芯片表面,与传统的点胶工艺相比,由于消除了荧光粉在硅胶或者树脂中浓度的不等,有利提高LED产品的一致性,本方法制得平面薄片的出光均匀性较好、柔韧性好,同时荧光薄片的厚度容易控制,属于平面化工艺,适合集成规模化的生产。并且本发明改变了传统使用荧光粉和硅胶/树脂混合后再覆盖在LED芯片上的做法,而以独立的荧光薄片的形式出现,使用时直接和LED芯片封装在一起即可,更加利于LED芯片的散热,提高了LED器件的使用寿命。
附图说明
图1为本发明的制备流程图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作更进一步的说明。
如图1所示为一种LED用荧光薄片的制备方法的工艺流程图,下面就具体步骤加以描述:
(1)准备一张整齐干净的UV膜放在涂布机上,在膜上滴入光刻胶,设定转速为1200rad/min,时间为30s,将光刻胶均匀涂布后烘干;
(2)对步骤(1)中的UV膜进行曝光、显影,只留下与LED芯片电极大小相一致的光刻胶胶柱;
(3)将步骤(2)中的UV膜放在涂布机上,在膜上滴入荧光粉胶,设定转速为400min,时间为20s,将荧光粉胶均匀涂布开后烘干,其所述荧光粉胶的高度低于光刻胶胶柱的高度;
(4)去除所述光刻胶胶柱,形成荧光薄片;
(5)将所述荧光薄片切割成特定尺寸形状的荧光薄片制品。
以上所述,仅为本发明中的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉该技术的人在本发明所揭露的技术范围内,可轻易想到的变换或替换都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。

Claims (3)

1.一种LED用荧光薄片的制备方法,包括:
在UV膜上均匀涂布光刻胶并烘烤;
对所述UV膜上的光刻胶进行处理,形成与LED芯片电极大小相一致的光刻胶胶柱;
将留有光刻胶胶柱的UV膜上均匀涂布一层荧光粉胶,所述荧光粉胶的厚度低于所述光刻胶胶柱的厚度;
去除所述光刻胶胶柱,形成荧光薄片;
将所述荧光薄片切割成特定尺寸形状的荧光薄片制品。
2.根据权利要求1所述的一种LED用荧光薄片的制备方法,其特征在于所述荧光粉胶中硅胶主剂、固化剂和黄色荧光粉的重量配比为1:1.5~2:0.23~0.25。
3.根据权利要求1所述的一种LED用荧光薄片的制备方法,其特征在于对所述光刻胶进行处理的方法为曝光、显影。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101290959A (zh) * 2007-04-20 2008-10-22 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管装置的荧光粉涂布方法
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI383502B (zh) * 2007-10-02 2013-01-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd 畫素結構及其製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101290959A (zh) * 2007-04-20 2008-10-22 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管装置的荧光粉涂布方法
CN102214747A (zh) * 2011-06-15 2011-10-12 易美芯光(北京)科技有限公司 一种转变整片led晶圆波长的方法

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