JP2008166311A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 第１及び第２の主面を有し発光層を含む半導体積層体と、
   前記発光層から放出される第１の波長の光を吸収し前記第１の波長とは異なる第２の波長の光を放射する蛍光体粒子と、
   前記半導体積層体の前記第１の主面上に設けられ、前記第１及び第２の波長の光に対して透光性を有し、前記蛍光体粒子と前記蛍光体粒子の表面に被覆された被覆層とを有する凸部を表面に有するコーティング層と、
   前記半導体積層体の前記第２の主面側に設けられた基板と、
   前記基板と前記半導体積層体との間に設けられた反射膜と、
   を備えたことを特徴とする半導体発光素子。
2. 前記蛍光体粒子の平均粒径は、１５μｍ以上で２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
3. 請求項１または２に記載の半導体発光素子と、
   絶縁性基板と、
   前記絶縁性基板上に設けられたパターン配線と、
   少なくとも前記半導体発光素子を覆う透明樹脂と、
   を備え、
   前記半導体発光素子は、前記パターン配線上に接着され、
   前記透明樹脂は、前記コーティング層と比較して小さいかまたは等しい屈折率を有することを特徴とする半導体発光装置。
4. 請求項１または２に記載の半導体発光素子と、
   絶縁性基板と、
   前記絶縁性基板上に設けられたパターン配線と、
   前記絶縁性基板に接着された透明カバーと、
   を備え、
   前記半導体発光素子は、前記パターン配線上に接着され、
   前記コーティング層を介して取り出された前記第１及び第２の波長の光は、前記透明カバーを介して外部へ放射されることを特徴とする半導体発光装置。
5. 結晶成長基板上に発光層を有する半導体積層体を形成する工程と、
   前記半導体積層体の上に前記発光層からの放出光を反射可能な反射膜を形成し、基板に設けられた接合金属と前記反射膜とを接着する工程と、
   前記結晶成長基板を除去して露出させた前記半導体積層体の面に蛍光体粒子が混合されたコーティング材を塗布し硬化することにより、前記蛍光体粒子と前記蛍光体粒子の表面に被覆された被覆層とを含む凸部を表面に有するコーティング層を形成する工程と、
   前記コーティング層を形成したウェーハを切断し、チップに分割する工程と、
   を備えたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。