JP2005191514A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 半導体によって形成された発光層を有する発光素子において、
   前記発光層と同等あるいは大なる屈折率を有し、前記発光層で発した光を散乱して外部放射効率を高める拡散層を有し、
   前記発光層と前記拡散層との間に、前記発光層より小なる屈折率の層が介されていないことを特徴とする発光素子。
2. 前記拡散層は、多孔質材料からなることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
3. 前記拡散層は、前記発光層と同等あるいは大なる屈折率を有するコート層および光散乱性粒子を有し、前記コート層の表面が凹凸状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
4. 前記拡散層は、蛍光体を含むものであることを特徴とする請求項１または３に記載の発光素子。
5. 前記蛍光体は、光散乱性を有する粒子状のものであることを特徴とする請求項４に記載の発光素子。
6. 前記拡散層は、粒子状の前記蛍光体とビーズ状の光透過性粒子とを含むことを特徴とする請求項５に記載の発光素子。
7. 前記拡散層は、高屈折率樹脂材料で形成されていることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の発光素子。
8. ＧａＮ系半導体によって形成された発光層を有する発光素子と、
   屈折率１．７以上の光透過性材料で形成され、前記発光素子から光を取り出す光取り出し手段と、
   前記光取り出し手段より屈折率が小なる光透過性材料部とを有し、
   前記発光層と前記光取り出し手段との間に、前記発光層より小なる屈折率の層が介されていないことを特徴とする発光装置。
9. 前記保護層は、前記半導体層と同等以上の屈折率を有することを特徴とする請求項８に記載の発光装置。
10. 前記光取り出し手段は、コート層表面に凹凸を形成したものであることを特徴とする請求項８または９に記載の発光装置。
11. 前記光取り出し手段は、光拡散性粒子を含むものであることを特徴とする請求項８から１０のいずれか１項に記載の発光装置。
12. 前記光取り出し手段は、蛍光体を含むものであることを特徴とする請求項８から１１のいずれか１項に記載の発光装置。
13. 前記保護層は、光放射面の対辺近傍に設けられる前記電極との間を覆って設けられることを特徴とする請求項８から１２のいずれか１項に記載の発光装置。
14. 前記光取り出し手段は、高屈折率樹脂材料で形成されていることを特徴とする請求項８から１３のいずれかに記載の発光装置。