JP5661671B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
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Description
このような半導体発光素子においては、さらなる光取り出し効率の向上を図ることが望ましい。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
また、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
また、以下の説明では、一例として、第1導電形をn形、第2導電形をp形とした具体例を挙げる。
図1は、第1の実施形態に係る半導体発光素子の構成を例示する模式図である。
図1に表したように、第1の実施形態に係る半導体発光素子110は、積層体10と、光学層20と、を備える。
光学層20は、誘電体21と、複数の第1粒子22と、複数の第2粒子23と、を含む。複数の第1粒子22の屈折率は、誘電体21の屈折率と異なる。複数の第2粒子23の屈折率は、誘電体21の屈折率と異なる。本実施形態において屈折率は、特に指定しない限り発光層13から放出される光の波長に対する屈折率である。
第1領域R1は、誘電体21と複数の第1粒子22とを含み複数の第2粒子23を含まない領域である。第2領域R2は、誘電体21と複数の第2粒子23とを含む領域である。
球相当直径は、例えばレーザ粒径分布計によって直接測定される。
本実施形態において、平均屈折率とは、誘電体21の屈折率と、第1粒子22の屈折率とをそれぞれの体積率で平均した値のことを言う。
本実施形態において、光取り出し効率とは、発光層で発生した光の強度のうち半導体発光素子110の外部に取り出すことができる光の強度の割合のことを言う。
図2(a)及び(b)は、凹凸構造を有する場合の光の透過率について例示する図である。
図2(a)は凹凸構造を例示する模式的断面図、図2(b)は入射角に対する透過率を例示する図である。
図2(a)に表したように、積層体10の主面10aに凹凸部15を設けた場合、積層体10の内部から凹凸部15を介して外部に放出される光の透過率は、凹凸部15のピッチPtによって変化する。
図3(a)は光学層周辺を拡大した模式的断面図、図3(b)は入射角に対する透過率を例示する図である。
図4(a)は反射防止効果を示す模式図、図4(b)は散乱効果を示す模式図である。
図4(a)に表したように、積層体10の主面10aに設けられた光学層20の第1領域R1は、反射防止効果を奏する。例えば第1粒子22の球相当直径を波長の1/10程度以下、好ましくは1/20程度よりも小さくすると、第1粒子22は、全散乱角に対してほぼ一定な強度で散乱することになる。
ここで、I(θ,φ)は、図5(a)に示す、角度(θ,φ)方向への単位体積辺りの第1粒子22による散乱光の強度、ij(θ,φ)は、図5(b)に示す、角度(θ,φ)方向への第j番目の第1粒子22による散乱光の強度、iは、単一の第1粒子22による散乱光の立体角に対して規格化された強度、nは単位体積辺りの第1粒子22の個数である。
一方、光学層20を備えていない場合の積層体10から外部への光の透過率は、4×3.2(1+3.2)2=73%になる。
図4(b)に表したように、積層体10の主面10aに設けられた光学層20の第2領域R2の含まれる第2粒子23は、光の散乱効果を奏する。例えば、波長と同程度の球相当直径を有する第2粒子23に光Cが当たると、第2粒子23に分極が生じる。この分極によって光Cが散乱する。
図6に表したように、測定装置200は、光源210と、積分球220と、検出部230と、出力部240と、を備える。光取り出し効率を測定するサンプルSは、積分球220に配置される。このサンプルSに光源210から紫外線光(例えば、波長254nm)を照射する。これによってサンプルSから放出される光を積分球220で集め、検出部230で検出する。出力部240は、検出結果を出力する。
光学膜20は、次の手順によって作成する。
先ず、TiO2の粒子ペースト(日揮触媒化成株式会社製:PST−400C)をSOG溶液(東京応化工業株式会社製:OCD−T7 T−5500)でTiO2の粒子ペーストが3重量パーセントになるように秤りとり、超音波の照射により十分に分散させ、5.0μmφのPTFE(polytetrafluoroethylene)フィルタによってろ過してTiO2粒子の分散液を得る。
先ず、透過する光の波長の1/10以下の球相当直径を有する第1粒子22を誘電体21に分散させた媒体(第1領域R1に相当)で実効的な屈折率が変化することを示す。
図7には、3種類の第1領域R1(A)、R1(B)及びR1(C)について、Maxwell-Garnettから得られる屈折率と、シミュレーション計算から得られる屈折率と、が示されている。
第1領域R1(B)は、厚さt1が275nm、第1粒子22の球相当直径が25nm、第1粒子22の屈折率が1.6、誘電体21の屈折率が1.5、第1粒子22の密度が40vol%である。
第1領域R1(C)は、厚さt1が140nm、第1粒子22の球相当直径が10nm、第1粒子22の屈折率が2.5、誘電体21の屈折率が1.6、第1粒子22の密度が20vol%である。
第2領域R1(B)において、Maxwell-Garnettから得られる屈折率は1.54であり、シミュレーション計算から得られる屈折率は1.55である。
第1領域R1(C)において、Maxwell-Garnettから得られる屈折率は1.76であり、シミュレーション計算から得られる屈折率は1.78である。
上記のように、シミュレーション計算から得られる屈折率は、Maxwell-Garnettから得られる屈折率とほぼ一致していることが分かる。
図8には、図7に表した第1領域R1(A)と同様な光学膜についての波長(μm)と光透過率との関係をシミュレーション計算した結果(スペクトル分布)が表されている。
図9〜図11は、第2粒子による散乱方向のシミュレーション結果を例示する図である。
各図において、FSは前方散乱の方向、BSは後方散乱の方向を示す。散乱は最大値を1とした場合の相対値である。
図10は、第2粒子23の球相当直径が300nmであり、その他の条件は図9と同じである場合の散乱を表している。
図11は、第2粒子23の球相当直径が1000nmであり、その他の条件は図9と同じである場合の散乱を表している。
したがって、第2粒子23の球相当直径は、300nmを超え、1000nm未満であることが望ましい。
このシミュレーション計算では、第2粒子23の球相当直径が400nm、第2粒子23の屈折率が2.5、誘電体21の屈折率が1.4の場合について、第2粒子23の重心間隔、誘電体21の膜厚、第2粒子23の面積率(主面10aの面積に対する割合)を変化させている。
図13は、第2粒子23の重心間隔が650nm、誘電体21の膜厚が400nm、第2粒子23の面積率が40%の場合のシミュレーション結果を表している。
図14は、第2粒子23の重心間隔が500nm、誘電体21の膜厚が30nm、第2粒子23の面積率が80%の場合のシミュレーション結果を表している。
Claims (11)
- 主面を有し発光層を含む積層体と、
前記積層体の前記主面に接して設けられ、誘電体と、前記誘電体の屈折率とは異なる屈折率を有する複数の第1粒子と、前記誘電体の屈折率とは異なる屈折率を有する複数の第2粒子と、を含む光学層と、
を備え、
前記光学層は、
前記主面に設けられ前記誘電体と前記複数の第1粒子とを含み前記複数の第2粒子を含まない第1領域と、
前記主面に設けられ前記誘電体と前記複数の第2粒子とを含む第2領域と、を有し、
前記第1粒子の球相当直径は、1ナノメートル以上100ナノメートル以下であり、
前記第2粒子の球相当直径は、300ナノメートルを超え1000ナノメートル未満であり、
前記第1領域の平均屈折率は、前記積層体の屈折率よりも小さい半導体発光素子。 - 前記第1領域の厚さは30ナノメートル以上、前記第2領域の厚さ以下である請求項1記載の半導体発光素子。
- 前記第1粒子の球相当直径は、前記発光層から放出される光の波長の1/10以下である請求項1または2に記載の半導体発光素子。
- 前記第2粒子の球相当直径は、前記発光層から放出される光の波長と等しい請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
- 前記第2領域の厚さは、前記複数の第2粒子の球相当直径の平均の3倍以下である請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
- 前記第2領域の厚さは、前記複数の第2粒子の球相当直径の平均の1.5倍以下である請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
- 前記主面と垂直な方向にみて、前記主面の面積に対する前記第2領域の面積の割合は5パーセント以上50パーセント以下である請求項1〜6のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
- 前記複数の第2粒子の重心間隔は、前記複数の第2粒子の球相当直径の平均の1.0倍以上3倍以下である請求項1〜7のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
- 前記第1領域の絶対屈折率をn、前記第1領域の平均の厚さをdナノメートル、第1領域を通過する光の波長をλナノメートル、mを0以上の整数とした場合、
(0.15+m/2)×λ≦nd≦(0.35+m/2)×λ
を満たす請求項1〜8のいずれか1つに記載の半導体発光素子。 - 前記誘電体は、シリコン酸化物、エポキシ樹脂及びシリコーン樹脂のうち選択された少なくとも1つである請求項1〜9のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
- 前記第1粒子及び第2粒子は、チタン、亜鉛、スズ、インジウム、ジルコニウム、シリコン及びタングステンよりなる群から選ばれた少なくとも1の酸化物、窒化物またはポリスチレンである請求項1〜10のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
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