JP2012528434A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2012528434A5
JP2012528434A5 JP2012512381A JP2012512381A JP2012528434A5 JP 2012528434 A5 JP2012528434 A5 JP 2012528434A5 JP 2012512381 A JP2012512381 A JP 2012512381A JP 2012512381 A JP2012512381 A JP 2012512381A JP 2012528434 A5 JP2012528434 A5 JP 2012528434A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
organic light
emitting diode
light emitting
electrode
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012512381A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012528434A (ja
JP5479582B2 (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE102009037185.0A external-priority patent/DE102009037185B4/de
Application filed filed Critical
Publication of JP2012528434A publication Critical patent/JP2012528434A/ja
Publication of JP2012528434A5 publication Critical patent/JP2012528434A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5479582B2 publication Critical patent/JP5479582B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (15)

  1. 有機発光ダイオード(10)において、
    金属によって形成されている第1の電極(1)と、第2の電極(2)と、少なくとも1つの活性層(33)を備えた有機層列(3)と、放射を透過させるインデクス層(4)と、前面(6)と、背面(5)とを有しており、
    前記有機層列(3)は前記第1の電極(1)と前記第2の電極(2)との間に設けられており、
    前記インデクス層(4)は、前記第1の電極(1)の前記有機層列(3)側とは反対側の外面(11)に設けられており、前記インデクス層(4)の平均屈折率は前記有機層列(3)の平均屈折率よりも大きく、
    前記背面(5)は前記インデクス層(4)と対向しており、前記前面(6)は前記有機層列(3)と対向しており、発光ダイオード(10)において生成される放射(P,R,S)は前記前面(6)及び前記背面(5)の内の少なくとも一方において放出され、有機発光ダイオード(10)によって生成される電磁的なプラズモン放射(P)の少なくとも一部は前記インデクス層(4)を通過し、
    前記第2の電極(2)は透明導電性酸化物から形成されており、
    前記インデクス層(4)の平均屈折率は、前記有機層列(3)の平均屈折率の少なくとも1.2倍であり、
    前記インデクス層(4)は少なくとも200nmの平均的な幾何学的厚さ(D)を有し、且つ、透明、可視並びに誘電性に構成されていることを特徴とする、有機発光ダイオード(10)。
  2. 前記活性層(33)において生成される電磁放射の少なくとも一部によって、少なくとも前記第1の電極(1)においては表面プラズモン(+,−)が励起されており、該表面プラズモン(+,−)によって前記プラズモン放射(P)が形成されている、請求項1に記載の有機発光ダイオード(10)。
  3. 前記インデクス層(4)は結晶性の材料としてLiNbO 3 ,ZnS,ZnSe又はTeO 2 を有しているか、又は、
    前記インデクス層(4)はメタ材料であり、且つ、マトリクス材料内に埋め込まれているTiO 2 を含む、請求項1又は2に記載の有機発光ダイオード(10)。
  4. 前記第1の電極(1)は25nm以上65nm以下の厚さ(T)を有している、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の有機発光ダイオード(10)。
  5. 記第1の電極(1)と前記活性層(33)との間の平均間隔(A)は15nm以上80nm以下であり、且つ、前記有機層列(3)の平均的な幾何学的総厚(Z)は最大で150nmである、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の有機発光ダイオード(10)。
  6. 有機発光ダイオード(10)によって生成される放射(P,R)の、有機発光ダイオード(10)の前記背面(5)における平均放射強度は、有機発光ダイオード(10)の前記前面(6)における平均放射強度の少なくとも5%である、請求項4又は5に記載の有機発光ダイオード(10)。
  7. 25%の許容差でもって、前記背面(5)における平均放射強度は前記前面(6)における平均放射強度に等しい、請求項6に記載の有機発光ダイオード(10)。
  8. 有機発光ダイオード(10)は基板(7)を有しており、該基板(7)には前記第1の電極(1)、前記第2の電極(2)及び前記有機層列(3)が取り付けられており、前記基板(7)自体は前記インデクス層(4)を形成している、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の有機発光ダイオード(10)。
  9. 前記インデクス層(4)は少なくとも二種類の層が交番的に配置されている複数の層を含んでおり、該複数の層の少なくとも一種類は透明な金属酸化物によって形成されている、請求項1乃至8のいずれか一項に記載の有機発光ダイオード(10)。
  10. 前記インデクス層(4)は、ZnO層と、TiO層及び/又はSrTiO 3 層とが順番に交互に配置されている層列から形成されている、請求項9に記載の有機発光ダイオード(10)。
  11. 前記背面(5)は前記インデクス層(4)によって形成されており、前記インデクス層(4)は前記プラズモン放射(P)の放射出力を高めるための構造化部(13)を有している、請求項1乃至10のいずれか一項に記載の有機発光ダイオード(10)。
  12. 前記インデクス層(4)は拡散手段(14)を含有しており、該拡散手段(14)は散乱粒子によって形成されている、請求項1乃至11のいずれか一項に記載の有機発光ダイオード(10)。
  13. 前記インデクス層(4)の前記第1の電極(1)側とは反対側の面にはミラー(8)が設けられており、該ミラー(8)は前記プラズモン放射(P)を前記有機層列(3)の方向へと反射させるよう構成されており、
    前記インデクス層(4)は前記ミラー(8)と金属性の前記第1の電極(1)との間に設けられており、
    前記ミラー(8)を介して前記プラズモン放射(P)が基板(7)の方向へと反射され、それにより、前記プラズモン放射(P)も、直接的に前記活性層(33)において生成された放射(R)も前記前面(6)を介して有機発光ダイオード(10)から放出される、請求項12に記載の有機発光ダイオード(10)。
  14. 前記第1の電極(1)は複数の孔(9)を有しており、該孔(9)は前記第1の電極(1)を完全に貫通しており
    前記孔(9)の直径は100nm以上200nm以下であり、
    前記第1の電極(1)における前記孔(9)によって、前記背面(5)における放射特性を調整するための光学格子が形成されている、請求項1乃至13のいずれか一項に記載の有機発光ダイオード(10)。
  15. 前記第1の電極(1)は少なくとも主延在方向に沿って厚さが変化し、該厚さの変化の長さスケール(L)は少なくとも300nm且つ最大で1.5μmであり、
    前記インデクス層(4)の厚さも変化する、請求項1乃至14のいずれか一項に記載の有機発光ダイオード(10)。
JP2012512381A 2009-05-29 2010-05-27 有機発光ダイオード Expired - Fee Related JP5479582B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102009023352 2009-05-29
DE102009023352.0 2009-05-29
DE102009037185.0A DE102009037185B4 (de) 2009-05-29 2009-08-12 Organische Leuchtdiode
DE102009037185.0 2009-08-12
PCT/EP2010/057346 WO2010136537A1 (de) 2009-05-29 2010-05-27 Organische leuchtdiode

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2012528434A JP2012528434A (ja) 2012-11-12
JP2012528434A5 true JP2012528434A5 (ja) 2013-04-04
JP5479582B2 JP5479582B2 (ja) 2014-04-23

Family

ID=43028648

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012512381A Expired - Fee Related JP5479582B2 (ja) 2009-05-29 2010-05-27 有機発光ダイオード

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8618729B2 (ja)
EP (1) EP2436058B1 (ja)
JP (1) JP5479582B2 (ja)
KR (1) KR101891208B1 (ja)
CN (1) CN102449803B (ja)
DE (1) DE102009037185B4 (ja)
WO (1) WO2010136537A1 (ja)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102916135A (zh) * 2011-08-05 2013-02-06 海洋王照明科技股份有限公司 倒置型有机电致发光器件及其制备方法
DE102011086255A1 (de) 2011-11-14 2013-05-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches licht emittierendes bauelement
US20130181241A1 (en) * 2012-01-18 2013-07-18 Moser Baer India Limited Method of molding structures in a plastic substrate
DE102012203583B4 (de) 2012-03-07 2021-03-18 Pictiva Displays International Limited Organisches Licht emittierendes Bauelement
DE102012207151A1 (de) 2012-04-30 2013-10-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches lichtemittierendes bauelement und verfahren zur herstellung eines organischen lichtemittierenden bauelements
CN103427032A (zh) * 2012-05-14 2013-12-04 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
US20150301282A1 (en) * 2012-07-31 2015-10-22 Nec Corporation Optical element, illumination device, image display device, method of operating optical element
JP2014078499A (ja) * 2012-09-20 2014-05-01 Toshiba Corp 有機電界発光素子および発光装置
CN104009183A (zh) * 2013-02-26 2014-08-27 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
KR101517995B1 (ko) 2013-03-29 2015-05-07 경희대학교 산학협력단 그래핀에 의하여 광증폭된 발광 소자 및 이의 제조방법
JPWO2014181640A1 (ja) * 2013-05-07 2017-02-23 コニカミノルタ株式会社 発光素子および表示装置
GB201309601D0 (en) * 2013-05-29 2013-07-10 Lomox Ltd Organic light emitting diode structure
CN104851981B (zh) 2014-02-18 2018-02-06 财团法人工业技术研究院 蓝光发光元件及发光元件
US9960386B2 (en) * 2014-07-24 2018-05-01 Universal Display Corporation OLED device having enhancement layer(s)
DE102014214721A1 (de) * 2014-07-25 2016-01-28 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Anordnung zur orts- und wellenlängenaufgelösten Erfassung von Lichtstrahlung, die von mindestens einer OLED oder LED emittiert wird
DE102014119538A1 (de) * 2014-12-23 2016-06-23 Osram Oled Gmbh Optoelektronische Baugruppe und Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe
TWI543423B (zh) 2015-01-26 2016-07-21 財團法人工業技術研究院 發光元件
TWI596816B (zh) 2015-03-10 2017-08-21 財團法人工業技術研究院 發光元件
KR102369498B1 (ko) * 2015-09-07 2022-03-04 삼성디스플레이 주식회사 미러 표시 장치 및 이의 제조 방법
DE102016102939A1 (de) * 2016-02-19 2017-08-24 Osram Oled Gmbh Lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Bauelements
TWI573493B (zh) 2016-02-19 2017-03-01 財團法人工業技術研究院 發光元件
US9859470B2 (en) * 2016-03-10 2018-01-02 Epistar Corporation Light-emitting device with adjusting element
FR3064114A1 (fr) * 2017-03-15 2018-09-21 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Diode electroluminescente organique a rendement optimise par confinement de plasmons et dispositif d'affichage comprenant une pluralite de telles diodes
FR3065584B1 (fr) * 2017-04-25 2019-05-03 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Diode electroluminescente organique a rendement optimise par suppression de plasmons
US11024775B2 (en) 2017-10-17 2021-06-01 Lumileds Llc LED emitters with integrated nano-photonic structures to enhance EQE
KR102129945B1 (ko) 2018-11-29 2020-07-03 주식회사 알엠케이 광 투과율 가변 소자 및 이를 포함하는 디스플레이 장치용 컬러필터 및 스마트 윈도우

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2766562B2 (ja) * 1991-07-11 1998-06-18 シャープ株式会社 金属膜の保護膜
US7106935B2 (en) * 2002-01-07 2006-09-12 Seagate Technology Llc Apparatus for focusing plasmon waves
US7289685B1 (en) * 2002-04-04 2007-10-30 Ricoh Co., Ltd. Paper based method for collecting digital data
US6970490B2 (en) * 2002-05-10 2005-11-29 The Trustees Of Princeton University Organic light emitting devices based on the formation of an electron-hole plasma
DE10228939A1 (de) * 2002-06-28 2004-01-15 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Elektrolumineszierende Vorrichtung mit transparenter Kathode
GB0217900D0 (en) * 2002-08-02 2002-09-11 Qinetiq Ltd Optoelectronic devices
JP4130163B2 (ja) * 2003-09-29 2008-08-06 三洋電機株式会社 半導体発光素子
JP5005164B2 (ja) * 2004-03-03 2012-08-22 株式会社ジャパンディスプレイイースト 発光素子,発光型表示装置及び照明装置
DE102004042461A1 (de) * 2004-08-31 2006-03-30 Novaled Gmbh Top-emittierendes, elektrolumineszierendes Bauelement mit Frequenzkonversionszentren
JP2006313667A (ja) * 2005-05-06 2006-11-16 Institute Of Physical & Chemical Research 有機el素子
US10690847B2 (en) * 2005-06-15 2020-06-23 Braggone Oy Method of making a photonic crystal device and photonic crystal device
US7548021B2 (en) 2005-09-22 2009-06-16 Eastman Kodak Company OLED device having improved light output
US7719182B2 (en) * 2005-09-22 2010-05-18 Global Oled Technology Llc OLED device having improved light output
US7710026B2 (en) * 2005-12-08 2010-05-04 Global Oled Technology Llc LED device having improved output and contrast
US7466075B2 (en) 2005-12-08 2008-12-16 Eastman Kodak Company OLED device having improved output and contrast with light-scattering layer and contrast-enhancement layer
US20080001538A1 (en) * 2006-06-29 2008-01-03 Cok Ronald S Led device having improved light output
US20080237611A1 (en) * 2007-03-29 2008-10-02 Cok Ronald S Electroluminescent device having improved contrast
JP5013418B2 (ja) * 2007-08-31 2012-08-29 国立大学法人九州大学 有機el素子
US8136961B2 (en) * 2007-11-28 2012-03-20 Global Oled Technology Llc Electro-luminescent area illumination device
DE102008022830A1 (de) * 2007-11-30 2009-06-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement
JP5530087B2 (ja) * 2008-10-17 2014-06-25 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 発光素子

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2012528434A5 (ja)
JP5479582B2 (ja) 有機発光ダイオード
JP6471905B2 (ja) 発光装置
KR20170018417A (ko) 유기 전계 발광 소자, 기재 및 발광 장치
JP5307307B1 (ja) シート及び発光装置
KR101249233B1 (ko) Led를 위한 구조화된 기판
RU2010139474A (ru) Скрытые органические оптоэлектронные устройства со светорассеивающим слоем
JP2013541854A5 (ja)
CN101176214A (zh) 电致发光光源
JP2009216862A5 (ja)
JP2011513907A5 (ja)
JP6335420B2 (ja) 有機発光表示装置の製造方法
JP2008537291A5 (ja)
WO2013035299A1 (ja) 発光装置および光シート
JP2012038542A (ja) 発光素子
TWI614917B (zh) 波長轉換裝置
JP2010176928A (ja) 有機el発光装置
JP5854173B2 (ja) 面発光ユニット
JP2016136484A (ja) 面発光装置
JP6079133B2 (ja) 電界発光素子およびこれを備えた照明装置
WO2015072067A1 (ja) 発光デバイス
JP2011187239A (ja) 面光源素子およびそれを備えた照明装置
JP2012079663A (ja) 面光源素子及びそれを備えた照明装置
US20150001510A1 (en) Organic light-emitting device
JPWO2020121097A5 (ja) 発光デバイス