CN104851981B - 蓝光发光元件及发光元件 - Google Patents

蓝光发光元件及发光元件 Download PDF

Info

Publication number
CN104851981B
CN104851981B CN201410733624.4A CN201410733624A CN104851981B CN 104851981 B CN104851981 B CN 104851981B CN 201410733624 A CN201410733624 A CN 201410733624A CN 104851981 B CN104851981 B CN 104851981B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
metal
metal layer
light
crest
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201410733624.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104851981A (zh
Inventor
李中裕
陈世溥
林依萍
陈振昌
陈冠宇
吴晋翰
李政烘
萧惠真
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Industrial Technology Research Institute ITRI
Original Assignee
Industrial Technology Research Institute ITRI
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from TW103122470A external-priority patent/TWI575795B/zh
Application filed by Industrial Technology Research Institute ITRI filed Critical Industrial Technology Research Institute ITRI
Publication of CN104851981A publication Critical patent/CN104851981A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104851981B publication Critical patent/CN104851981B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/813—Anodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80521—Cathodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80515—Anodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/878—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10—Triplet emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • H10K50/131—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit with spacer layers between the electroluminescent layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80524—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一种蓝光发光元件及发光元件，蓝光发光元件包括：电极层、第一金属层、形成于电极层与第一金属层之间的第二金属层、以及形成于第一金属层与第二金属层之间的有机材料层，该有机材料层包括蓝位移发光层，该蓝位移发光层的第一发光频谱的波峰藉由第一金属层与第二金属层之间的表面等离子体耦合而位移至第二发光频谱的波峰，其中，第一发光频谱的波峰为410nm至573nm，第二发光频谱的波峰小于510nm。此外，一种发光元件包括依序堆栈的第一金属层、包括蓝位移发光层的有机材料层、包括金属部及开口部的第二金属层、电极层及掺杂有掺杂材料的发光层，藉此发出白光。

Description

蓝光发光元件及发光元件
技术领域
本发明涉及一种蓝光发光元件及发光元件，尤其涉及一种不包含蓝色发光材料的蓝光发光元件及发光元件。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode；OLED)除了轻薄、可挠与低眩光的优势外，更拥有高演色性与全频谱的特殊性能，相当符合目前照明产品的需求，使其成为下一代照明技术的瞩目焦点。
近几年，OLED的R、G、B发光材料的效率及寿命有明显的进步，其中，绿色磷光材料的效率早已突破100lm/W，寿命表现也是各色光之冠，可达数十万小时，惟白光OLED元件中最关键的蓝色发光材料则相对落后。
目前蓝色磷光材料效率虽然已可做到20.4cd/A，但其寿命仅有数百小时。目前多数的文献是以磷光材料双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)为主要的蓝色磷光材料，FIrpic的效率高但寿命不佳，因此全磷光的白光OLED元件虽然效率高，却因为寿命短而无法应用于照明。另外，效率较差的蓝色荧光材料，其效率仅10.2cd/A，但寿命可达3万小时，因此暂时为业界所采用，一般被称为Hybrid式的白光OLED元件。
因此，如何不使用蓝色发光材料(蓝色磷光或蓝色荧光材料)而发展出高效率白光OLED元件，为目前市场上的关键议题。
发明内容
鉴于上述现有技术的种种缺失，本发明的目的为提供一种蓝光发光元件及发光元件，可不使用蓝色发光材料而发展出高效率白光OLED元件。
本发明的蓝光发光元件，包括：一电极层；一第一金属层；一第二金属层，其形成于该电极层与该第一金属层之间；以及一有机材料层，其形成于该第一金属层与该第二金属层之间，该有机材料层包括一蓝位移发光层，其中，该蓝位移发光层的一第一发光频谱的波峰范围为410nm至573nm。
一种发光元件，包括：一电极层；一第一金属层；一第二金属层，其形成于该电极层与该第一金属层之间；以及一有机材料层，其形成于该第一金属层与该第二金属层之间，该有机材料层包括一蓝位移发光层及一绿色发光层，其中，该蓝位移发光层的一第一发光频谱的波峰藉由该第一金属层与该第二金属层之间的表面等离子体耦合而位移至一第二发光频谱的波峰，该第一发光频谱的波峰范围为410nm至573nm，该第二发光频谱的波峰小于510nm，且该第二发光频谱的波峰范围小于该第一发光频谱的波峰范围，其中，该有机材料层还包括一掺杂材料，其掺杂于该蓝位移发光层或该绿色发光层中，藉此发出白光。
一种发光元件，包括：一电极层；一第一金属层；一第二金属层，其形成于该电极层与该第一金属层之间；以及一有机材料层，其形成于该第一金属层与该第二金属层之间，该有机材料层包括一蓝位移发光层及一绿色发光层，其中，该蓝位移发光层的一第一发光频谱的波峰藉由该第一金属层与该第二金属层之间的表面等离子体耦合而位移至一第二发光频谱的波峰，该第一发光频谱的波峰范围为410nm至573nm，该第二发光频谱的波峰小于510nm，且该第二发光频谱的波峰范围小于该第一发光频谱的波峰范围，该发光元件还包括一掺杂有一掺杂材料的发光层，其形成于该电极层的外侧，使该电极层夹置于该发光层与该有机材料层之间，藉此发出白光。
一种发光元件，包括：一电极层；一第一金属层；一第二金属层，其形成于该电极层与该第一金属层之间，该第二金属层包括一金属部及一开口部；以及一有机材料层，其形成于该第一金属层与该第二金属层之间，该有机材料层包括一蓝位移发光层，其中，该蓝位移发光层的一第一发光频谱的波峰藉由该第一金属层与该金属部之间的表面等离子体耦合而位移至一第二发光频谱的波峰，该第一发光频谱的波峰范围为410nm至573nm，该第二发光频谱的波峰小于510nm，且该第二发光频谱的波峰范围小于该第一发光频谱的波峰范围，其中，该有机材料层还包括一红色发光层，藉此发出白光。
一种发光元件，包括：一第一电极层；一第二电极层；一载子产生层，其形成于该第一电极层与该第二电极层之间；一第一金属层，其形成于该载子产生层之中；一第二金属层，其形成于该第一电极层与该载子产生层之间；一第一有机材料层，其形成于该第一金属层与该第二金属层之间，该第一有机材料层包括一蓝位移发光层，其中，该蓝位移发光层的一第一发光频谱的波峰藉由该第一金属层与该第二金属层之间的表面等离子体耦合而位移至一第二发光频谱的波峰，该第一发光频谱的波峰范围为410nm至573nm，该第二发光频谱的波峰小于510nm，且该第二发光频谱的波峰范围小于该第一发光频谱的波峰范围；以及一第二有机材料层，其形成于该载子产生层与该第二电极层之间。
一种发光元件，包括：一电极层；一第一金属层；一载子产生层，其形成于该电极层与该第一金属层之间；一第二金属层，其形成于该载子产生层之中；一第一有机材料层，其形成于该电极层与该载子产生层之间，以及一第二有机材料层，其形成于该第一金属层与该第二金属层之间，该第二有机材料层包括一蓝位移发光层，其中，该蓝位移发光层的一第一发光频谱的波峰藉由该第一金属层与该第二金属层之间的表面等离子体耦合而位移至一第二发光频谱的波峰，该第一发光频谱的波峰范围为410nm至573nm，该第二发光频谱的波峰小于510nm，且该第二发光频谱的波峰范围小于该第一发光频谱的波峰范围。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1A为本发明的第一实施例的结构示意图；
图1B为本发明的第一实施例的一实施例的结构示意图；
图2为本发明的第二实施例的结构示意图；
图3为本发明的第三实施例的结构示意图；
图4为本发明的第四实施例的结构示意图；
图5为本发明的第五实施例的结构示意图；
图6为本发明的第六实施例的结构示意图；
图7为本发明的第七实施例的结构示意图；
图8为本发明的第八实施例的结构示意图；
图9为本发明的第九实施例的结构示意图；
图10为本发明的第十实施例的结构示意图；
图11为本发明的第十一实施例的结构示意图；
图12为本发明的第十二实施例的结构示意图；
图13为本发明的第十三实施例的结构示意图；
图14为本发明的表面等离子体耦合电场分布图示意图；
图15和图16为本发明的仿真计算表面等离子体耦合的反射率与波长关系结果；
图17为本发明的波长位移示意图；
图18为本发明的白光频谱示意图。
其中，附图标记
1 基板
2 电极层
21 第一电极层
22 第二电极层
3 第二金属层
31 金属部
32 开口部
33 高阶梯部
34 低阶梯部
4 有机材料层
40、40a、410、420’ 蓝位移发光层
40b、410a 绿色发光层
40’、410’、410b、420 发光层
41 第一有机材料层
411、422、43 空穴注入/传输层
412、421、44 电子注入/传输层
42 第二有机材料层
5 第一金属层
51 金属层
6 导电层
7 载子产生层
D1、D2 厚度
D3 距离
具体实施方式
以下藉由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，熟习此项技艺的人士可由本文所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。须知，本说明书所附的附图所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技艺的人士的了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。
根据图1A说明本发明的第一实施例，本发明的蓝光发光元件包括依序堆叠的电极层2、第二金属层3、包含蓝位移发光层40的有机材料层4、及第一金属层5。于本实施例中，基板1设置于电极层2的外侧，但并不以此为限，其也可设置于第一金属层5的外侧，且基板1可例如透明基板。
电极层2与第一金属层5其中一者为阳极、另一者为阴极。电极层2为透明电极，例如金属氧化物透明导电材料(如ITO、IZO等)，第一金属层5为反射电极，其厚度一般大于20nm，其中所述金属可为金、银、铝、铂、钯、锌、镍、铜、钼、铬等或前述任意组合的合金。
第二金属层3形成于电极层2与第一金属层5之间。第二金属层3可包括金属层、纳米金属线层、高低阶梯状金属层或其组合，其中，金属可为金、银、铝、铂、钯、锌、镍、铜、钼、铬等或前述任意组合的合金。第二金属层3的厚度D2范围约在5至20nm之间。
有机材料层4形成于第二金属层3和第一金属层5之间，包括一蓝位移发光层40，其中，该蓝位移发光层40的第一发光频谱的波峰范围为410至573nm。另外，有机材料层4中于蓝位移发光层40靠近阳极的一侧包括空穴注入层(hole injection layer；HIL)(未绘示)和空穴传输层(hole transporting layer；HTL)(未绘示)，靠近阴极的一侧包括电子传输层(Electron transporting layer；ETL)(未绘示)和电子注入层(electron injectionlayer；EIL)(未绘示)，其中，空穴注入层可为HAT-CN，这样的设计可协助阳极空穴的注入，蓝位移发光层40可为磷光或荧光材料。
于图1A所示的第一实施例中，蓝光发光元件可发出蓝光，此是由于当有机材料层4具有一厚度D1时，第一金属层5和第二金属层3的表面等离子体(surface plasmon)耦合，导致有机材料层4产生发光增益(light enhancement)和波长位移(wavelength shift)现象，使得原本发出绿光或蓝绿光的蓝位移发光层40，能藉由内部的表面等离子体耦合而发出蓝位移之后的蓝光，换言之，蓝位移发光层40的一第一发光频谱的波峰藉由第一金属层5与第二金属层3之间的表面等离子体耦合而位移至一第二发光频谱的波峰，其中，该第一发光频谱的波峰范围为410nm至573nm，该第二发光频谱的波峰小于该第一发光频谱的波峰，即小于510nm，藉此发出蓝光。此外，若第一金属层5和第二金属层3的厚度D2相同(例如皆约20nm)，则有机材料层4中的蓝位移发光层40至第二金属层3的距离D3与第一金属层5与第二金属层3间的距离(即有机材料层4的厚度D1)的比值约为0.5，使有机材料层4产生较佳的发光增益与波长位移现象；若第一金属层5和第二金属层3的厚度D2不相同(例如第一金属层5约100nm，而第二金属层3约20nm)，则有机材料层4中的蓝位移发光层40至第二金属层3的距离D3与第一金属层5与第二金属层3间的距离(即有机材料层4的厚度D1)的比值约大于0.5，使有机材料层4产生较佳的发光增益与波长位移现象。另外，如图1B所示，第一金属层5亦可为一多层结构，该多层结构中靠近该有机材料层4的一金属层51的材料与第二金属层3的材料相同，例如皆为银。
接着，参阅图2说明本发明的第二实施例，与第一实施例的差异在于，第二金属层3包括一金属部31和一开口部32，如图2所示，第二金属层为可为网格状金属层或光栅状金属层，利用热蒸镀、电子束蒸镀、溅镀蒸镀成膜并进行微影蚀刻可形成网格状金属层或光栅状金属层，另外，第二金属层3还可为纳米线所组成的金属层。第二金属层3的材料可为铝、金、银、铬等高导电且高穿透的金属、或复合材料如钼/铝/钼合金，网格状金属层的结构可为垂直网格、正六边形网格或是其他图形。
于图2所示的第二实施例中，蓝光发光元件可发出蓝光和绿光(或蓝绿光)。蓝位移发光层40的一第一发光频谱的波峰藉由第一金属层5与金属部31之间的表面等离子体耦合而位移至一第二发光频谱的波峰，而第一发光频谱的波峰不会藉由第一金属层5和开口部32而改变。详言之，对应网格状金属层的开口部32的有机材料层4所发出的光为未蓝位移的增益后的绿光；而对应网格状金属层的金属部31的有机材料层4所发出的光为位移后的蓝光，且开口率(也就是(有机材料层4的发光面积－第二金属层3的金属部31的面积)/有机材料层4的发光面积)越大，蓝位移后的蓝光强度越弱，色温越低；反之，开口率越小，蓝位移后的蓝光强度越强，色温越高，亦即金属部31的面积越大，发出蓝光的发光面积越大。
接着，参阅图3说明本发明的第三实施例，与第一实施例的差异在于，第二金属层3为高低阶梯状(光栅)金属层。于图3所示的第三实施例中，蓝光发光元件可发出深蓝光和浅蓝光，详言之，对应第二金属层3的高阶梯部33的有机材料层4所发出的光为较深的蓝色(dark blue)；对应第二金属层3的低阶梯部34的有机材料层4所发出的光为较浅的蓝色(light blue)，另外，较浅的蓝光或可视为蓝绿光。高阶梯部33厚度约为5至20nm，低阶梯部34厚度约为5至10nm，且高阶梯部33厚度大于低阶梯部34厚度。
另外，如图4所示的第四实施例，有机材料层4与第二金属层3之间还可包括至少一导电层6，第二金属层3包括金属部31及开口部32，导电层6为图案化透明导电层。于图4所示的结构中，电极层2为阳极，第一金属层5为阴极，有机材料层4还包括形成于蓝位移发光层40与第二金属层3之间的一空穴注入/传输层43，及形成于蓝位移发光层40与第一金属层5之间的一电子注入/传输层44。
接着参阅图5所示的第五实施例。于本实施例中，第二金属层3包括金属层、纳米金属线层、高低阶梯状金属层或其组合，有机材料层4包括蓝位移发光层40a、绿色发光层40b和掺杂材料，且该掺杂材料可存在于蓝位移发光层40a或绿色发光层40b任意一者或二者中。该绿色发光层40b的发光频谱的波峰范围在500至570nm之间，掺杂材料例如绿色、红色、蓝绿色或黄色掺杂材料等。
于图5所示的第五实施例中，有机材料层4的蓝位移发光层40a藉由第一金属层5和第二金属层3之间的表面等离子体耦合而发出位移后的蓝光，绿色发光层40b藉由第一金属层5和第二金属层3发出增益后的绿光，而掺杂材料(例如红色)发出红光，则第五实施例的发光元件发出白光。此外，可依白光需求选择该掺杂材料。
接着参阅图6所示的第六实施例，其与图5所示的发光元件的差异在于，蓝位移发光层40a或绿色发光层40b皆不掺杂该掺杂材料，发光元件包括形成于电极层2和基板1外侧的发光层40’，发光层40’掺杂有红色、蓝绿色或黄色等掺杂材料，发光层40’也可为荧光粉结合软性聚二甲基硅氧烷(PDMS)第六实施例的发光组件发出白光。
接着参阅图7所示的第七实施例。于本实施例中，第二金属层3包括一金属部31及一开口部32，有机材料层4包括蓝位移发光层40，且蓝位移发光层40中掺杂有掺杂材料，例如红色、蓝绿色或黄色等掺杂材料，若为红色掺杂材料，则有机材料层4可视为包括蓝位移发光层40及一红色发光层。于图7所示的第七实施例中，对应第二金属层3的金属部31的有机材料层4发出位移后的蓝光，而对应第二金属层3的开口部32的有机材料层4发出增益后的绿光，且有机材料层4中的掺杂材料(例如红色)可透过开口部32直接穿越，最后与位移后蓝光混合形成白光。此外，可依白光需求选择该掺杂材料。
接着参阅图8所示的第八实施例，其与第七实施例的差异在于，该掺杂材料包含于形成于电极层2和基板1外侧的发光层40’。第八实施例的发光元件发出白光。
另外，于第七和八实施例中，电极层1和第一金属层5其中一者为阳极而另一者为阴极。
根据图9说明本发明的第九实施例，本发明的发光元件包括依序堆叠的第一电极层21、第二金属层3、含有蓝位移发光层410的第一有机材料层41、含有第一金属层5的载子产生层7、含有发光层420的第二有机材料层42、及第二电极层22。
于本实施例中，基板1设置于第一电极层21的外侧，然并不以此为限，其也可设置于第二电极层22的外侧，且基板1可例如透明基板。第一电极层21和第二电极层22其中一者为阳极，另一者为阴极，该阳极与该阴极中任一者或两者皆为透明电极。
载子产生层7形成于第一电极层21和第二电极层22之间，载子产生层7可为金属(如铝)或者掺杂不同浓度或比例材料的金属(如铝)，因而可视为包括第一金属层5。第二金属层3形成于第一电极层21与载子产生层7之间，于本实施例中。第二金属层3包括金属层、纳米金属线层、高低阶梯状金属层或其组合。
第一有机材料层41形成于第一金属层5和第二金属层3之间，包括蓝位移发光层410，蓝位移发光层410的一第一发光频谱的波峰藉由第一金属层5与第二金属层3之间的表面等离子体耦合而位移至一第二发光频谱的波峰，该第一发光频谱的波峰范围为410nm至573nm，该第二发光频谱的波峰小于510nm。第二有机材料层42形成于载子产生层7与第二电极层22之间，包括掺杂有第一掺杂材料和第二掺杂材料的发光层420，其中，该第一掺杂材料可为波峰范围在500至570nm之间的绿色发光材料，该第二有掺杂材料可包括例如红色、蓝绿色或黄色等掺杂材料。藉由第一金属层5和第二金属层3的表面等离子体子耦合，第九实施例中的发光元件发出白光。
接着参阅图10所示的第十实施例。于本实施例中，第二金属层3为包括一金属部31及一开口部32，第二金属层3包括光栅状金属层、网格状金属层、或纳米线所组成的网格状金属层，以上第二金属层3包括一金属部31及一开口部32。蓝位移发光层410的第一发光频谱的波峰藉由第一金属层5与金属部31之间的表面等离子体耦合而位移至第二发光频谱的波峰，而第一金属层5和开口部32之间不存在表面等离子体耦合故第一发光频谱的波峰不会改变。第二有机材料层42包括一掺杂有一掺杂材料的发光层420，该掺杂材料例如红色、蓝绿色或黄色等掺杂材料。藉此，第十实施例中的发光元件发出白光。
根据图11说明本发明的第十一实施例，本实施例的发光元件包括依序堆叠的电极层2、含有发光层410’的第一有机材料层41、含有第二金属层3的载子产生层7、含有蓝位移发光层420’的第二有机材料层42、及第一金属层5。于本实施例中，基板1设置于电极层2的外侧，然并不以此为限，其也可设置于第一金属层5的外侧，且基板1可例如透明基板。
于本实施例中，电极层2为阳极，第一金属层5为阴极。载子产生层7形成于电极层2和第一金属层5之间，载子产生层7可为金属(如铝)或者掺杂不同浓度或比例材料的金属(如铝)，而可视为包括第二金属层3。于本实施例中，第二金属层3包括金属层、纳米金属线层、高低阶梯状金属层或其组合。
第一有机材料层41形成于载子产生层7与电极层2之间，包括掺杂有第一掺杂材料和第二掺杂材料的发光层410’，其中，第一掺杂材料可为绿色掺杂材料，第二掺杂材料例如红色、蓝绿色或黄色等掺杂材料。第二有机材料层42形成于第一金属层5和第二金属层3之间，包括蓝位移发光层420’，蓝位移发光层420’的一第一发光频谱的波峰藉由第一金属层5与第二金属层3之间的表面等离子体耦合而位移至一第二发光频谱的波峰，该第一发光频谱的波峰范围为410nm至573nm，该第二发光频谱的波峰小于510nm。藉由第一金属层5和第二金属层3的表面等离子体子耦合，第十一实施例中的发光元件发出白光。
接着参阅图12所示的第十二实施例，其与第十一实施例的差异在于，第二金属层3包括光栅状金属层、网格状金属层、或纳米线所组成的网格状金属层，以上第二金属层3包括一金属部31及一开口部32。蓝位移发光层420’的第一发光频谱的波峰藉由第一金属层5与金属部31之间的表面等离子体耦合而位移至该第二发光频谱的波峰，而第一金属层5和开口部32之间不存在表面等离子体耦合故第一发光频谱的波峰不会改变。第一有机材料层41包括一掺杂有掺杂材料的一发光层410’，该掺杂材料例如红色、蓝绿色或黄色等掺杂材料。藉此，第十二实施例中的发光元件发出白光。
根据图13说明本发明的第十三实施例，其与第十一实施例的差异在于，电极层2和第一金属层5为阳极，载子产生层7与第二金属层3构成阴极。第一有机材料层41还包括一绿色发光层410a及掺杂有一掺杂材料的发光层410b，该掺杂材料例如红色、黄色或其他等掺杂材料。第一有机材料层41中靠近电极层2的一侧包括空穴注入/传输层(HIL/HTL)411，靠近第二金属层3的一侧包括电子注入/传输层(EIL/ETL)412；蓝位移发光层420’靠近第一金属层5的一侧包括空穴注入/传输层(HIL/HTL)422，蓝位移发光层420’靠近第二金属层3的一侧包括电子注入/传输层(EIL/ETL)421。
于本发明中，于第一金属层和第二金属层中间夹着有机材料层(或第一有机材料层、第二有机材料层，以下以有机材料层概称之)，藉此形成金属/介电质/金属结构，当有机材料层具有一特定厚度时，可使第一金属层和第二金属层皆产生表面等离子体(surfaceplasmon)，而处于第一金属层和第二金属层上的表面等离子体会相互耦合以产生强电场，如图14所示，此强电场会影响有机材料层中电子跃迁机率，进而影响其发光增益和波长位移现象。于图14中，当第二金属层的厚度为15nm、第一金属层厚度为100nm、而有机材料层的厚度为90nm时，强电场落在有机材料层之处，相较于没有金属/介电质/金属结构的弱电场落于有机材料层之处，本发明能使得有机材料层的发光波长位移，使蓝位移发光层发出蓝位移之后的蓝光。
接着参阅下表一，此为仿真计算，发光元件的仿真条件为选择一有机材料层的发光频谱波峰为530nm，固定第一金属层膜厚为100nm，改变第二金属层的厚度(以D2表示)与有机材料层的厚度(以D1表示)，并做出不同厚度的组合，第二金属层与有机材料层的厚度关系如表一所示，第二金属层的厚度D2和有机材料层的厚度D1改变时，发光频谱的波峰为530nm的发光元件可依不同的厚度变化发出不同的光波长范围。
表一
根据表一，以有机材料层的发光频谱波峰为530nm为例，当有机材料层的厚度D1为90nm且第二金属层的厚度D2为5nm时，可对该发光频谱波峰为530nm做绿光增益，但是若固定有机材料层的厚度D1，改变第二金属层的厚度D2为10nm，则该有机材料层的发光频谱波峰则由530nm位移至484nm(称蓝位移)，但若固定第二金属层的厚度D2，改变有机材料层的厚度D1厚度为85nm，则该有机材料层的发光频谱波峰则由530nm位移至508nm(称蓝位移)，因此当蓝位移发光层的发光频谱的波峰范围为410nm～573nm，可藉由改变第二金属层的厚度D2或有机材料层的厚度D1而将该蓝位移发光层的发光频谱的波峰范围位移至波峰范围510nm以下。因此表一，发出的光波长波峰包括470nm、508nm、474nm、484nm、487nm、492nm、506nm、508nm(如表一粗框所示)为蓝位移蓝光波段，而光波长波峰在530nm、527nm、548nm、534nm、529nm(如表一虚线框所示)为绿光光增益范围。另外，依仿真后结果，如图15和图16显示，随着有机材料层的厚度D1和第二金属层的厚度D2不同，发光元件所产生的光的蓝位移现象和光强度。藉此，可知当有机材料层的厚度D1约80nm至130nm时，特定波长反射率降到越低，代表入射光能量转移至表面等离子体的比例越高，则发光元件的发光强度越高。
图17显示，仿真条件所使用的有机材料层原本发出波长约530nm的绿光，经本发明的发光元件的第一金属层和第二金属层间的表面等离子体耦合而蓝位移之后，发出波长约510nm以下的蓝光。蓝位移发光层的材料例如荧光材料Thermally Activated DelayedFluorescence(TADF)，磷光材料24FTir(acac)(bis[2-(4′,6′-difluorophenyl)-5-trimethylsilylpyridi nato-N,C2′]iridium(III)acetylacetonate)以及磷光材料Ir(ppy)3(Tris[2-phenylpyridinato-C2,N]iridium(III))，皆可产生蓝位移蓝光，但并不以此为限，例如，Ir(ppy)3材料产生的蓝位移后蓝光的发光效率可达13cd/A，大于蓝色荧光材料的9.9cd/A，显示本发明的蓝位移发光层确实可取代蓝色荧光材料，同时藉由绿色发光层的长寿命，提升发光元件整体的发光效率。另外根据图17，位移后的波峰范围仍位于原发光频谱的范围中，由此可知，第一金属层和第二金属层间的有机材料层原本发出的光波长范围包括蓝光(波长约450至490nm)的部份，则经过波长位移后即可发出更短波长的蓝光。
另外，本发明的发光元件再配合掺杂绿色和红色等掺杂材料即可发出白光，图18为示意本发明发光元件的白光频谱(以粗线显示)，相较于一般高演色(CRI>90)元件的白光(以细线显示)，可发现本发明的发光元件的频谱与高演色元件的频谱相当接近，图中圈起部分即为所发出的位移后蓝光。
综上所述，本发明的发光元件无须采用蓝色发光材料，而是在第一金属层和第二金属层之间形成一包括蓝位移发光层的有机材料层，藉由第一金属层和第二金属层间的表面等离子体耦合，使蓝位移发光层的第一发光频谱的波峰范围(约410nm至573nm)位移至第二发光频谱的波峰范围(小于510nm)，且第二发光频谱的波峰范围小于第一发光频谱的波峰范围，藉此发出位移后的蓝光，另外配合绿色或红色等其他掺杂材料，以混合出白光，故本发明的发光元件具有寿命长、发光效率高的功效。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (46)

1.一种蓝光发光元件，其特征在于，包括：
一电极层；
一第一金属层；
一第二金属层，其形成于该电极层与该第一金属层之间；以及
一有机材料层，其形成于该第一金属层与该第二金属层之间，该有机材料层包括一蓝位移发光层，其中，该蓝位移发光层的一第一发光频谱的波峰范围为410nm至573nm，且该蓝位移发光层的第一发光频谱的波峰藉由该第一金属层和该第二金属层之间的表面等离子体耦合而位移至一第二发光频谱的波峰，其中，该第二发光频谱的波峰小于该第一发光频谱的波峰。
2.如权利要求1所述的蓝光发光元件，其特征在于，该第二金属层的厚度范围在5nm至20nm之间。
3.如权利要求1所述的蓝光发光元件，其特征在于，该第二金属层包括纳米金属线层、高低阶梯状金属层、或纳米金属线层与高低阶梯状金属层的组合。
4.如权利要求1所述的蓝光发光元件，其特征在于，该有机材料层的厚度范围在75nm至130nm之间。
5.如权利要求1所述的蓝光发光元件，其特征在于，该第二发光频谱的波峰范围小于510nm。
6.如权利要求1所述的蓝光发光元件，其特征在于，该第二金属层包括一金属部及一开口部。
7.如权利要求6所述的蓝光发光元件，其特征在于，该第二金属层包括光栅状金属层、网格状金属层、或纳米线所组成的金属层。
8.如权利要求6所述的蓝光发光元件，其特征在于，该蓝位移发光层的第一发光频谱的波峰藉由该第一金属层和该金属部之间的表面等离子体耦合而位移至一第二发光频谱的波峰，而该蓝位移发光层的第一发光频谱的波峰不藉由该第一金属层和该开口部而改变。
9.如权利要求8所述的蓝光发光元件，其特征在于，该第二发光频谱的波峰小于该第一发光频谱的波峰。
10.如权利要求8所述的蓝光发光元件，其特征在于，该金属部的面积愈大，该蓝光发光元件的发光面积愈大。
11.如权利要求1所述的蓝光发光元件，其特征在于，该蓝光发光元件还包括至少一形成于该第二金属层与该有机材料层之间的导电层。
12.如权利要求1所述的蓝光发光元件，其特征在于，该有机材料层更包括形成于该蓝位移发光层与该第二金属层之间的一空穴注入层和一空穴传输层，及形成于该蓝位移发光层与该第一金属层之间的一电子注入层和一电子传输层。
13.如权利要求1所述的蓝光发光元件，其特征在于，该第一金属层为一多层结构，该多层结构中靠近该有机材料层的一金属层的材料与该第二金属层的材料相同。
14.一种发光元件，其特征在于，包括：
一电极层；
一第一金属层；
一第二金属层，其形成于该电极层与该第一金属层之间；以及
一有机材料层，其形成于该第一金属层与该第二金属层之间，该有机材料层包括一蓝位移发光层及一绿色发光层，其中，该蓝位移发光层的一第一发光频谱的波峰藉由该第一金属层与该第二金属层之间的表面等离子体耦合而位移至一第二发光频谱的波峰，该第一发光频谱的波峰范围为410nm至573nm，该第二发光频谱的波峰小于510nm，且该第二发光频谱的波峰范围小于该第一发光频谱的波峰范围。
15.如权利要求14所述的发光元件，其特征在于，该第二金属层包括纳米金属线层、高低阶梯状金属层、或纳米金属线层与高低阶梯状金属层的组合。
16.如权利要求14所述的发光元件，其特征在于，该有机材料层更包括一掺杂材料，其掺杂于该蓝位移发光层或该绿色发光层。
17.如权利要求14所述的发光元件，其特征在于，该发光元件还包括一掺杂有一掺杂材料的发光层，其形成于该电极层的外侧，使该电极层夹置于该发光层与该有机材料层之间。
18.如权利要求16或17所述的发光元件，其特征在于，该掺杂材料包括红色、绿色、蓝绿色或黄色掺杂材料。
19.如权利要求14所述的发光元件，其特征在于，该第二金属层的厚度范围在5nm至20nm之间。
20.如权利要求14所述的发光元件，其特征在于，该第一金属层为一多层结构，该多层结构中靠近该有机材料层的一金属层的材料与该第二金属层的材料相同。
21.一种发光元件，其特征在于，包括：
一电极层；
一第一金属层；
一第二金属层，其形成于该电极层与该第一金属层之间，该第二金属层包括一金属部及一开口部；以及
一有机材料层，其形成于该第一金属层与该第二金属层之间，该有机材料层包括一蓝位移发光层，其中，该蓝位移发光层的一第一发光频谱的波峰藉由该第一金属层与该金属部之间的表面等离子体耦合而位移至一第二发光频谱的波峰，该第一发光频谱的波峰范围为410nm至573nm，该第二发光频谱的波峰小于510nm，且该第二发光频谱的波峰范围小于该第一发光频谱的波峰范围。
22.如权利要求21所述的发光元件，其特征在于，该第二金属层包括光栅状金属层、网格状金属层或纳米线所组成的金属层。
23.如权利要求21所述的发光元件，其特征在于，该有机材料层还包括一红色发光层。
24.如权利要求21所述的发光元件，其特征在于，该蓝位移发光层包括一掺杂材料。
25.如权利要求21所述的发光元件，其特征在于，该发光元件还包括一掺杂有一掺杂材料的发光层，其形成于该电极层的外侧，使该电极层夹置于该发光层与该有机材料层之间。
26.如权利要求24或25所述的发光元件，其特征在于，该掺杂材料包括红色、蓝绿色或黄色掺杂材料。
27.如权利要求21所述的发光元件，其特征在于，该第二金属层的厚度范围在5nm至20nm之间。
28.如权利要求21所述的发光元件，其特征在于，该电极层为一阳极而该第一金属层为一阴极。
29.如权利要求21所述的发光元件，其特征在于，该电极层为一阴极而该第一金属层为一阳极。
30.如权利要求21所述的发光元件，其特征在于，该第一金属层为一多层结构，该多层结构中靠近该有机材料层的一金属层的材料与该第二金属层的材料相同。
31.一种发光元件，其特征在于，包括：
一第一电极层；
一第二电极层；
一载子产生层，其形成于该第一电极层与该第二电极层之间；
一第一金属层，其形成于该载子产生层之中；
一第二金属层，其形成于该第一电极层与该载子产生层之间；
一第一有机材料层，其形成于该第一金属层与该第二金属层之间，该第一有机材料层包括一蓝位移发光层，其中，该蓝位移发光层的一第一发光频谱的波峰藉由该第一金属层与该第二金属层之间的表面等离子体耦合而位移至一第二发光频谱的波峰，该第一发光频谱的波峰范围为410nm至573nm，该第二发光频谱的波峰小于510nm，且该第二发光频谱的波峰范围小于该第一发光频谱的波峰范围；以及
一第二有机材料层，其形成于该载子产生层与该第二电极层之间。
32.如权利要求31所述的发光元件，其特征在于，该第二金属层包括纳米金属线层、阶梯状金属层、或纳米金属线层与阶梯状金属层的组合。
33.如权利要求31所述的发光元件，其特征在于，该第二有机材料层包括一掺杂有一第一掺杂材料及一第二掺杂材料的发光层。
34.如权利要求31所述的发光元件，其特征在于，该第二金属层包括光栅状金属层、网格状金属层或纳米线所组成的金属层。
35.如权利要求31所述的发光元件，其特征在于，该第二金属层包括一金属部及一开口部，该第一发光频谱的波峰藉由该第一金属层与该金属部之间的表面等离子体耦合而位移至该第二发光频谱的波峰。
36.如权利要求31所述的发光元件，其特征在于，该第二有机材料层包括一掺杂有一掺杂材料的发光层。
37.如权利要求31所述的发光元件，其特征在于，该第二金属层的厚度范围在5nm至20nm之间。
38.一种发光元件，其特征在于，包括：
一电极层；
一第一金属层；
一载子产生层，其形成于该电极层与该第一金属层之间；
一第二金属层，其形成于该载子产生层之中；
一第一有机材料层，其形成于该电极层与该载子产生层之间；以及
一第二有机材料层，其形成于该第一金属层与该第二金属层之间，该第二有机材料层包括一蓝位移发光层，其中，该蓝位移发光层的一第一发光频谱的波峰藉由该第一金属层与该第二金属层之间的表面等离子体耦合而位移至一第二发光频谱的波峰，该第一发光频谱的波峰范围为410nm至573nm，该第二发光频谱的波峰小于510nm，且该第二发光频谱的波峰范围小于该第一发光频谱的波峰范围。
39.如权利要求38所述的发光元件，其特征在于，该第二金属层包括纳米金属线层、高低阶梯状金属层、或纳米金属线层与高低阶梯状金属层的组合。
40.如权利要求38所述的发光元件，其特征在于，该第一有机材料层包括一掺杂有一第一掺杂材料及一第二掺杂材料的发光层。
41.如权利要求38所述的发光元件，其特征在于，该电极层为一透明阳极，该第一金属层为一金属阳极，该载子产生层和该第二金属层构成一阴极。
42.如权利要求38所述的发光元件，其特征在于，该第一有机材料层还包括一绿色发光层及一掺杂有一掺杂材料的发光层。
43.如权利要求38所述的发光元件，其特征在于，该第二金属层包括光栅状金属层、网格状金属层或纳米线所组成的金属层。
44.如权利要求38所述的发光元件，其特征在于，该第二金属层包括一金属部及一开口部，该第一发光频谱的波峰藉由该第一金属层与该金属部之间的表面等离子体耦合而位移至该第二发光频谱的波峰。
45.如权利要求38所述的发光元件，其特征在于，该第一有机材料层包括一掺杂有一掺杂材料的发光层。
46.如权利要求38所述的发光元件，其特征在于，该第二金属层的厚度范围在5nm至20nm之间。
CN201410733624.4A 2014-02-18 2014-12-04 蓝光发光元件及发光元件 Active CN104851981B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201461941319P 2014-02-18 2014-02-18
US61/941,319 2014-02-18
TW103122470A TWI575795B (zh) 2014-02-18 2014-06-30 藍光發光元件及發光元件
TW103122470 2014-06-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104851981A CN104851981A (zh) 2015-08-19
CN104851981B true CN104851981B (zh) 2018-02-06

Family

ID=53798901

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410733624.4A Active CN104851981B (zh) 2014-02-18 2014-12-04 蓝光发光元件及发光元件

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9331302B2 (zh)
CN (1) CN104851981B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102381626B1 (ko) * 2014-12-17 2022-04-01 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
TWI596816B (zh) 2015-03-10 2017-08-21 財團法人工業技術研究院 發光元件
TWI543423B (zh) * 2015-01-26 2016-07-21 財團法人工業技術研究院 發光元件
TWI573493B (zh) * 2016-02-19 2017-03-01 財團法人工業技術研究院 發光元件
TWI678825B (zh) * 2016-12-15 2019-12-01 財團法人工業技術研究院 發光元件
CN111883567B (zh) * 2020-07-15 2023-05-05 固安翌光科技有限公司 一种电致发光屏体装置

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6670772B1 (en) 2002-06-27 2003-12-30 Eastman Kodak Company Organic light emitting diode display with surface plasmon outcoupling
US6875320B2 (en) 2003-05-05 2005-04-05 Eastman Kodak Company Highly transparent top electrode for OLED device
CN100345321C (zh) * 2003-05-30 2007-10-24 统宝光电股份有限公司 具有抗反射构件的发光元件
US20050088084A1 (en) 2003-10-27 2005-04-28 Eastman Kodak Company Organic polarized light emitting diode display with polarizer
DE10359156B4 (de) * 2003-12-16 2007-08-30 Schott Ag Anzeigevorrichtung
US7247394B2 (en) 2004-05-04 2007-07-24 Eastman Kodak Company Tuned microcavity color OLED display
US8049408B2 (en) 2004-08-10 2011-11-01 Cambridge Display Technology Limited Light emissive device having electrode comprising a metal and a material which is codepositable with the metal
US20120223417A1 (en) * 2005-06-23 2012-09-06 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Group iii nitride crystal substrate, epilayer-containing group iii nitride crystal substrate, semiconductor device and method of manufacturing the same
KR100714016B1 (ko) * 2005-12-13 2007-05-04 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시장치
CN101123299A (zh) * 2007-08-31 2008-02-13 吉林大学 一种蓝光顶发射有机电致发光器件
DE102009037185B4 (de) 2009-05-29 2018-11-22 Osram Oled Gmbh Organische Leuchtdiode
JP2011165653A (ja) * 2010-01-14 2011-08-25 Canon Inc 有機ｅｌ素子およびそれを用いた発光装置
US8269214B2 (en) 2010-07-29 2012-09-18 General Electric Company Organic light emitting device with outcoupling layer for improved light extraction
KR101675109B1 (ko) 2010-08-06 2016-11-11 삼성전자주식회사 표면 플라즈몬 공명을 이용하여 발광 특성이 향상된 발광 소자 및 그 제조 방법
TW201245405A (en) * 2011-03-08 2012-11-16 Du Pont Organic electronic device for lighting
JP6062636B2 (ja) 2011-03-10 2017-01-18 ローム株式会社 有機ｅｌ装置
TW201316583A (zh) 2011-10-05 2013-04-16 Univ Nat Kaohsiung Applied Sci 白光有機發光二極體構造
JP2013145700A (ja) * 2012-01-16 2013-07-25 Canon Inc 有機ｅｌ素子及びこれを用いた表示装置
TW201340781A (zh) * 2012-03-30 2013-10-01 Innocom Tech Shenzhen Co Ltd 有機發光二極體顯示器
CN103545449A (zh) * 2012-07-10 2014-01-29 群康科技(深圳)有限公司 有机发光二极管、包含其的显示面板及显示设备
WO2014073300A1 (ja) * 2012-11-09 2014-05-15 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
CN102983285B (zh) * 2012-12-10 2015-12-09 南京邮电大学 一种高效率有机发光二极管及其制备方法
CN103000660B (zh) 2012-12-12 2015-07-15 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、白光有机发光二极管显示装置
JP2015061061A (ja) * 2013-09-20 2015-03-30 株式会社東芝 光電変換素子

Also Published As

Publication number Publication date
US20150236290A1 (en) 2015-08-20
CN104851981A (zh) 2015-08-19
US9331302B2 (en) 2016-05-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104851981B (zh) 蓝光发光元件及发光元件
CN102456847B (zh) 白光有机发光器件
KR100957781B1 (ko) 하이브리드 백색 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법
TWI527211B (zh) 有機發光顯示裝置及其製造方法
CN101843172B (zh) 有机电致发光器件
CN104244488B (zh) 发光装置、显示设备以及照明设备
CN106653806A (zh) 一种有机发光显示面板、电子设备及其制作方法
CN107887516A (zh) 有机发光二极管和包含该二极管的有机发光显示装置
CN103608943B (zh) 白色发光有机电致发光元件和白色发光有机电致发光面板
CN108417729A (zh) 白色有机发光器件
CN102281660A (zh) 白光电致发光元件
TW201244219A (en) Organic electroluminescence element
CN107275501A (zh) 有机发光结构、显示装置以及移动终端
CN103931011B (zh) 有机发光器件
CN109473560A (zh) 显示面板及其制造方法、车载显示装置
CN105826479A (zh) 发光元件
CN107591491A (zh) 一种非掺杂白光发光层串联有机电致发光器件及其制作方法
CN103650197A (zh) 发光器件和用于制造发光器件的方法
CN105826478A (zh) 发光元件
CN107546248A (zh) 一种非掺杂白光发光层串联有机电致发光器件
CN107302058A (zh) 一种非掺杂白光发光层串联有机电致发光器件
TWI575795B (zh) 藍光發光元件及發光元件
CN103500801B (zh) 顶发光蓝光有机发光二极管及其制造方法
Tong et al. Printed Flexible Organic Light-Emitting Diodes
Son et al. All-phosphorescent three-color two-stack tandem white organic light emitting diodes with high-color-rendering index values

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
EXSB Decision made by sipo to initiate substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant