CN101123299A - 一种蓝光顶发射有机电致发光器件 - Google Patents
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Abstract
本发明属于有机电致发光领域，具体涉及一种蓝光顶发射有机电致发光器件，结构依次包括衬底、金属阳极、有机功能层、金属阴极和反射相移调节层，有机功能层中依次包括空穴传输层、蓝光发光层、和电子传输层。反射相移调节层的引入可以调节顶发射器件中阴极的反射相移，从而改变器件的有效腔长，达到调节器件共振波长的目的，最终实现高性能的蓝光顶发射器件的制备。本发明提出的蓝光顶发射有机电致发光器件，克服了以往需要通过降低有机层厚度制备蓝光顶发射器件稳定性差、效率低的缺点，同时还克服了利用高阶共振膜制备蓝光顶发射器件效率低的缺点。本发明制备的蓝光顶发射有机电致发光器件具有高亮度，高效率，色纯度好的优点。
Description
技术领域
本发明属于有机电致发光领域，具体涉及一种蓝光顶发射有机电致发光器件。
背景技术
我们经常提到的有机电致发光器件是生长在玻璃衬底上以ITO作为阳极的器件。这种器件光从ITO/玻璃衬底一侧出射，通常称为底发射器件。将这种器件应用到有源驱动OLED显示时，遇到显示器件象素驱动电路和显示发光面积相互竞争的问题，直接影响到器件的开口率。而顶发射器件(TEOLED)的光从顶电极一侧出射，将象素驱动电路等制作在有机发光器件下方，这就解决了器件象素驱动电路等和显示发光面积相互竞争的问题，提高了显示器件的开口率，理论上器件的开口率可达100％。此外，硅基OLED微显示器也必须要用到顶发射结构。
基于上述原因，顶发射有机发光器件的研制成为近年来的一个研究热点。目前已报道的顶发射有机发光器件大多是作在玻璃或硅衬底上，以Ag/AgOx(C.W.Chen，P.Y.Hsieh，H.H.Chiang，C.L.Lin，H.M.Wu，C.C.Wu，Appl.Phys.Lett.2003，83，5127)，Ag/CFx(Y.Q.Li，J.X.Tang，Z.Y.Xie，L.S.Hung，S.S.Lau，Chem.Phys.Lett.2004，386，128)，Au(W.F.Xie，H.Y.Sun，C.W.Law，C.S.Lee，S.T.Lee，S.Y.Liu，Appl.Phys.A.2006，85，95)等为阳极，而常用的(半)透明阴极包括：(1)ITO：ITO在可见光区具有高的透射率(＞80％)，但是得用溅射的方法制备，溅射时的高能粒子对有机层会有损害，而且能级和电子传输材料不太匹配，为了减小射频溅射ITO对于有机层的破坏并改善电子注入性能，在溅射ITO前通常需要制备保护层，如2002年，美国通用公司J.J.Brown研究小组(M.-H.Lu，M.S.Weaver，T.X.Zhou，M.Rothman，R.C.Kwong，M.Hack，J.J.Brown，Appl.Phys.Lett.2002，81，3921)研制出基于磷光材料Ir(ppy)3发光的绿光顶发射器件，该顶发射器件的顶部阴极使用了透明的ITO，他们使用10nm的Mg∶Ag(25∶1)或20nm的Ca作为保护层兼电子注入层。保护层的引入降低了电极的透射率，在515nm处，从ITO的89.9％分别降低到54.9％和62.8％。2005年，H.W.Choi等人(H.W.Choi，S.Y.Kim，K.-B.Kim，Y.H.Tak，J.-L.Lee，Appl.Phys.Lett.2005，86，012104)制作了基于Alq3发光的顶发射器件，他们采取了以下措施来减少溅射ITO阴极对于底部有机层的破坏：一是在ITO与有机物之间生长Al(20nm)/CuPc(10nm)/Al(3nm)来减少溅射ITO对于有机层造成的破坏；二是ITO的溅射过程分两步来完成，靠近有机层的ITO采用较低的功率(10W)慢速溅射(0.3nm/min)，达到10nm后再将功率增大到30W，速率增加到1nm/min生长90nm ITO。然而，这种方法同Brown小组的结构一样，金属层的引入降低了半透明阴极的透光性，且该组合阴极的电子注入性能也较差。同年，S.R.Forrest小组(H.Kanno，Y.Sun，S.R.Forrest，Appl.Phys.Lett.2005，86，263502)采用了在电子传输材料Bphen里掺入Li来改善ITO阴极的电子注入。此外，他们沿用了Choi生长ITO的方法，不同的是整个ITO(45nm)生长过程均使用低功率(10W)溅射。由此方法制得的阴极透过率在可见光区达到83％以上。从以上我们可以看出用ITO作为阴极增加了器件制备的复杂性；(2)超薄的单层或双层金属半透明膜+增透膜的形式，尽管金属阴极的透光性与ITO相比有较大幅度地下降，然而由于其容易生长、制作工艺简单、破坏性小等优点使得近年来越来越多的专家和学者关注和参与到以半透明金属为阴极的顶发射器件的研制中。从2003年至今，各种各样的组合阴极如Ca/Mg(H.Riel，S.Karg，T.Beierlein，B.Ruhstaller，W.Rieβ，Appl.Phys.Lett.2003，82，466)、Ca/Ag(R.B.Pode，C.J.Lee，D.G.Moon，J.I.Han，Appl.Phys.Lett.2004，84，4614)、Ba/Ag(C.J.Lee，R.B.Pode，J.I.Han，D.G.Moon，Appl.Phys.Lett.2006，89，123501)、Mg:Ag(B.D.Lee，Y.-H.Cho，W.-J.Kim，M.H.Oh，J.H.Lee，D.S.Zang，Appl.Phys.Lett.2007，90，103518)、Al/SiO:Al(S.Han，X.Feng，Z.H.Lu，D.Johnson，R.Wood，Appl.Phys.Lett.2003，82，2715)、Al/Ag(C.-W.Chen，P.-Y.Hsieh，H.-H.Chiang，C.-L.Lin，H.-M.Wu，C.-C.Wu，Appl.Phys.Lett.2003，83，5127)、Yb/Au(或Yb:Au或Yb:Ag)(G.L.Ma，G.Z.Ran，A.G.Xu，Y.P.Qiao，W.Q.Zhao，B.R.Zhang，S.K.Wu，G.G.Qin，Appl.Surf.Sci.2006，252，3580)等被用于顶发射器件半透明阴极的制作。尽管金属阴极的透明度相对较差，但是在金属的外侧引入光输出耦合层即增透膜可以大幅度地改善阴极的透光性，其透过率普遍能达到60～80％，接近甚至超过加入缓冲层的ITO阴极的透明度。近来，ZnSe(H.Riel，S.Karg，T.Beierlein，B.Ruhstaller，W.Rieβ，Appl.Phys.Lett.2003，82，466)、TeO2(C.-W.Chen，P.-Y.Hsieh，H.-H.Chiang，C.-L.Lin，H.-M.Wu，C.-C.Wu，Appl.Phys.Lett.2003，83，5127)、Alq3(Y.Q.Li，J.X.Tang，Z.Y.Xie，L.S.Hung，S.S.Lau，Chem.Phys.Lett.2004，386，128)等材料被用于顶发射器件中来改善光输出耦合性能。
在顶发射器件的研究中，绿光顶发射器件目前研究较多，器件的效率也都能达到普通底发射器件的两倍以上，但对于红、蓝器件的报导相对较少，尤其是蓝光顶发射器件，我们认为对于蓝光顶发射器件存在的问题主要在于，根据Fabry-Perot共振腔理论，对于峰值波长在460nm左右的使用半透明金属为阴极的顶发射蓝光器件，取有较高效率的单阶模(m＝0)时有机物的厚度为75nm左右，由于有机物的厚度较薄，金属电极的扩散等因素导致器件的效率和稳定性都比较差，而取高阶模(m＝1)时，有机物的厚度可以取较厚，但高阶模使得器件的效率比较低。因而目前有报导的蓝光顶发射器件存在效率色纯度冲突的问题，如HsuS.F等(S.F.Hsu，C.-C.Lee，A.T.Hu，C.H.Chen，Current Applied Physics，2004，4，663.)报导的蓝光顶发射器件，当器件的色坐标为(0.14，0.08)时，器件的效率为0.9cd/A，而当器件的效率为3cd/A时，器件的色坐标为(0.12，0.37)，为蓝绿光发光。
本发明采用引入反射相移调节层(PAL)的方法来增大顶发射器件中的半透明阴极的反射相移，从而使得器件的有效腔长变大，进而使得器件共振波长向短波长方向移动(即蓝光方向移动)，通过进一步合理的设计器件结构实现高效率，色纯度好的蓝光顶发射器件。
发明内容
本发明的目的是提供一种高效率，色纯度好的蓝光顶发射有机电致发光器件。
本专利所述的蓝光顶发射有机电致发光器件，结构依次包括衬底、金属阳极、有机功能层、金属阴极和反射相移调节层，有机功能层中依次包括空穴传输层、蓝光发光层和电子传输层。
本发明通过引入反射相移调节层的方法来调整顶发射器件中的有效腔长，从而起到调节器件共振波长的目的，通过合理的设计器件结构实现高效率，色纯度好的蓝光顶发射器件。
上面器件反射相移调节层是具有高折射率(n＞1.7)且易热蒸发的有机材料或无机材料，有机材料包括4，4’-N，N-二咔唑-联苯(CBP)、三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、N，N’-二-(1-苯基)-N，N’-二苯基-1，1’-联苯基-4，4’-二胺(NPB)或2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-联菲咯啉(BCP)；无机材料包括ZnS、ZnSe、TeO2或MoO3；厚度为20-200nm。
上述器件中的金属阳极包括Ag，Au，Cr或Ni；空穴传输层包括NPB或N，N’-二苯基-N，N’-双(间甲级苯基)-1，1，-联苯基-4，4’-二胺(TPD)；蓝光发光层包括4，4-二-(2，2’-二苯基乙烯基)联苯(DPVBi)，9，10-二萘蒽(AND)或2-甲基-9，10-二萘蒽(MADN)；电子传输层包括Alq3或二(2-甲基-8喹啉基)-4-苯基苯酚铝(BAlq)；金属阴极可以是单层金属材料，包括Ag，Sm或Au，也可以是金属/金属的双层结构，包括Al/Ag，Sm/Ag，Ca/Ag，Mg/Ag或Sm/Au；所述金属阴极厚度为15-30nm。
为了优化上述器件的发光效率，可以在金属阳极和空穴传输层间增加阳极修饰层，阳极修饰层可采用AgOx，MoO3，CFx或V2O5材料；
为了优化上述器件的发光效率，可以在电子传输层和金属阴极之间增加缓冲层，缓冲层可采用CsF，CsCl，NaF，NaCl或LiF材料；
为了优化上述器件的发光效率，可以在金属阳极和空穴传输层之间增加空穴注入层，空穴注入层可采用4，4’，4”-三(3-甲基苯基苯胺)三苯胺(m-MTDATA)，酞菁铜(CuPc)，4，4′，4″-三(2萘基苯氨基)三苯胺(2T-NATA)，4，4′，4″-三(1萘基苯氨基)三苯胺(1T-NATA)或4，4′，4″-三(联苯氨基)三苯胺(NATA)。
为了优化上述器件的发光效率，可以在蓝光发光层和电子传输层之间增加空穴阻挡层，空穴阻挡层采用4，7-二苯基-1，10-邻菲咯啉(Bphen)，1，3，5-三(2-N-苯-苯并咪唑)苯(TPBi)，2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-联菲咯啉(BCP)或2-(4-特丁基苯基)-5-(4-联苯基)-1，3，4-噁二唑(PBD)。
本发明提出的蓝光顶发射有机电致发光器件，克服了以往需要通过降低有机层厚度制备蓝光顶发射器件稳定性差、效率低的缺点，同时还克服了利用高阶共振膜制备蓝光顶发射器件效率低的缺点。本发明制备的蓝光顶发射有机电致发光器件具有高亮度，高效率，色纯度好的优点。
附图说明
图1：蓝光顶发射有机电致发光器件的结构示意图；
图2：实施例1制备的蓝光顶发射有机电致发光器件和底发射器件的规一化发光光谱特性曲线；
图3：实施例1制备的蓝光顶发射有机电致发光器件和底发射器件的效率-电压特性曲线；
如图1所示，其中1为衬底，可以是玻璃或硅等材料，本发明优选硅衬底；2是金属阳极，可以是Ag，Au，Cr，Ni等中的一种，本发明优选为Ag；3是阳极修饰层，可以是MoO3，AgOx，CFx，V2O5等中的一种，本发明优选为MoO3；4是空穴注入层，采用空穴传输能力较强的有机半导体材料，可以是m-MTDATA，CuPc，NATA，1T-NATA，2T-NATA等中的一种，本发明优选为m-MTDATA；5是空穴传输层，可以是NPB或TPD，本发明优选为NPB；6是蓝光发光层，可以是DPVBi，AND，MADN等中的一种，本发明优选为DPVBi；7是空穴阻挡层，采用有较强阻挡空穴能力且电子传输能力较强的有机半导体材料，可以是Bphen，TPBi，BCP，PBD等中的一种，本发明优选为Bphen或TPBi；8是电子传输层，可以是Alq3或BAlq，本发明优选为Alq3；9是缓冲层，可以是CsF，CsCl，NaCl，NaF，LiF等中的一种，本发明优选为LiF；10是金属阴极，可以是Ag，Al/Ag，Sm，Sm/Ag，Ca/Ag，Mg/Ag，Au，Sm/Au等中的一种，本发明优选Al/Ag；11是相移调节层，12是电源。
具体实施方式
本说明书中涉及的有机材料缩写、全称及分子结构式如下所示：
实施例1：
将Alq3作为反射相移调节层(PAL)，制备了结构为Ag/MoO3/m-MTDATA/NPB/DPVBi/Bphen/Alq3/LiF/Al/Ag/PAL的蓝光顶发射有机电致发光器件，器件的制备在多源有机分子气相沉积系统中进行，详细制备过程如下：
[1]硅衬底依次用甲苯、丙酮、乙醇、去离子水反复擦洗并超声，然后烘干。
[2]将处理好的衬底置于多源有机分子气相沉积系统中，系统的同一个真空腔体中包含有机蒸发区(8个蒸发源)和金属蒸发区(2个蒸发源)，两区之间及各个蒸发源之间相互隔绝，避免了相互污染，衬底可分别旋转至有机蒸发区或金属蒸发区上部，方便材料的生长，衬底距离蒸发源25cm，可以自转和公转以保证金属膜和有机膜的均匀性，将所用材料分别放在不同的蒸发区的不同蒸发源中，每个蒸发源的温度可以单独控制，然后抽真空至3×10-4Pa；
[3]维持上述真空条件不变，在金属蒸发区生长金属阳极Ag，厚度为100nm，蒸发速率为1nm/s；
[4]将衬底转移至有机蒸发区，维持上述真空条件不变，在上述Ag阳极上依次蒸镀MoO3，m-MTDATA，NPB，DPVBi，Bphen，Alq3，LiF，分别作为阳极修饰层、空穴注入层、空穴传输层、蓝光发光层、空穴阻挡层、电子传输层、缓冲层，厚度分别为1.5，30，5，15，5，35，0.5nm。m-MTDATA，NPB，DPVBi，Bphen，Alq3的生长速率为0.4nm/s，MoO3，LiF的蒸发速率为0.1nm/s。
[5]将衬底转移至金属蒸发区，维持上述真空条件不变，在LiF之上继续依次蒸镀Al和Ag作为金属阴极，Al层的厚度为1nm，蒸发速率为0.2nm/s，Ag层的厚度为26nm，蒸发速率为0.5nm/s；
[6]将衬底转移至有机蒸发区，维持上述真空条件不变，在上诉Al/Ag双金属层阴极之上继续蒸镀一层Alq3作为反射相移调节层，厚度分别为0，50，60和70nm，蒸发速率为0.4nm/s；
为了比较，制备了结构为ITO/m-MTDATA/NPB/DPVBi/Bphen/Alq3/LiF/Al的底发射蓝光器件，器件的制备在多源有机分子气相沉积系统中进行，详细制备过程如下：
[1]ITO玻璃衬底依次用甲苯、丙酮、乙醇、去离子水擦洗并超声，然后进行烘干并进行紫外臭氧处理；
[2]将处理好的衬底置于多源有机分子气相沉积系统中，系统的同一个真空腔体中包含有机蒸发区(8个蒸发源)和金属蒸发区(2个蒸发源)，两区之间及各个蒸发源之间相互隔绝，避免了相互污染，不用破坏系统真空，衬底可分别旋转至有机蒸发区或金属蒸发区上部，方便材料的生长，衬底距离蒸发源25cm，可以自转和公转以保证金属膜和有机膜的均匀性，将所用材料分别放在不同的蒸发区的不同蒸发源中，每个蒸发源的温度可以单独控制，然后抽真空至3×10-4Pa；
[3]维持上述真空条件不变，在有机蒸发区，在ITO玻璃衬底上依次蒸镀m-MTDATA，NPB，DPVBi，Bphen，Alq3，LiF分别作为空穴注入层、空穴传输层、蓝光发光层、空穴阻挡层、电子传输层、缓冲层，厚度分别为30，5，15，5，35，0.5nm。m-MTDATA，NPB，DPVBi，Bphen，Alq3的生长速率为0.4nm/s，LiF的蒸发速率为0.1nm/s；
[4]将衬底转移至金属蒸发区，维持上述真空条件不变，在LiF之上继续依次蒸镀Al作为金属阴极，Al层的厚度为100nm，蒸发速率为1nm/s；
以上所述材料生长的厚度和生长速率由美国产L-400膜厚控制仪控制，制备所得的器件性能用PR650光谱仪和Keithley 2400电流电压源在空气中常温条件下测试。器件的光谱和效率-电压特性参见附图2和图3。
由图2可以看出，相比与底发射蓝光器件，顶发射蓝光器件的光谱发生红移和窄化现象。对于没有反射相移调节层的蓝光顶发射器件，其峰值波长位于492nm，而当反射相移调节层的厚度为60nm时，光谱峰值波长蓝移至476nm。由图3可以看出，我们制备的蓝光顶发射器件的效率与普通底发射蓝光器件的相差无几，器件的性能参数参见表1。
表1：实施例1制备的不同反射相移调节层厚度的器件参数
| 峰值波长(nm) | 半高宽(nm) | 最大电流效率(cd/A) | 色坐标(x，y) | |
| 底发射器件 | 456 | 80 | 3.05 | (0.16，0.16) |
| 顶发射器件 | Alq3＝0nm | 492 | 30 | 2.87 | (0.10，0.23) |
| Alq3＝50nm | 484 | 56 | 3.06 | (0.13，0.17) | |
| Alq3＝60nm | 476 | 53 | 2.97 | (0.13，0.15) | |
| Alq3＝70nm | 476 | 35 | 2.96 | (0.12，0.16) |
由表1可以看出，采用引入合适厚度的Alq3为反射相移调节层制备得到的蓝光顶发射器件，器件的效率与普通底发射器件相差无几，而器件的色度比普通底发射器件的要好。
实施例2：
将MoO3作为反射相移调节层(PAL)，制备了结构为Ag/MoO3/m-MTDATA/NPB/DPVBi/TPBi/Alq3/LiF/Al/Ag/PAL的蓝光顶发射有机电致发光器件，器件的制备在多源有机分子气相沉积系统中进行，详细制备过程如下：
[1]硅衬底依次用甲苯、丙酮、乙醇、去离子水反复擦洗并超声；
[2]将处理好的衬底置于多源有机分子气相沉积系统中，系统的同一个真空腔体中包含有机蒸发区(8蒸发源)和金属蒸发区(2蒸发源)，两区之间及各个蒸发源之间相互隔绝，避免了相互污染，不用破坏系统真空，衬底可分别旋转至有机蒸发区或金属蒸发区上部，方便材料的生长，衬底距离蒸发源25cm，可以自转和公转以保证金属膜和有机膜的均匀性，将所用材料分别放在不同的蒸发区的不同蒸发源中，每个蒸发源的温度可以单独控制，然后抽真空至3×10-4Pa；
[3]维持上述真空条件不变，在金属蒸发腔中生长Ag阳极，厚度为100nm，蒸发速率为1nm/s。
[4]将衬底转移至有机蒸发区，维持上述真空条件不变，在上述Ag阳极上依次蒸镀MoO3，m-MTDATA，NPB，DPVBi，TPBi，Alq3，LiF分别作为阳极修饰层、空穴注入层、空穴传输层、蓝光发光层、空穴阻挡层、电子传输层、缓冲层，厚度分别为1.5，30，5，15，5，35，0.5nm。m-MTDATA，NPB，DPVBi，TPBi，Alq3的生长速率为0.4nm/s，MoO3，LiF的蒸发速率为0.1nm/s。
[5]将衬底转移至金属蒸发区，维持上述真空条件不变，在LiF之上继续依次蒸镀Al和Ag作为金属阴极，AI的厚度为1nm，蒸发速率为0.2nm/s，Ag的厚度为26nm，蒸发速率为0.5mn/s。
[6]将衬底转移至有机蒸发区，维持上述真空条件不变，在上诉Al/Ag金属阴极之上继续蒸镀一层MoO3作为反射相移调节层，厚度为0或60nm，蒸发速率为0.4nm/s。
为了比较，制备了结构为ITO/m-MTDATA/NPB/DPVBi/TPBi/Alq3/LiF/Al的底发射蓝光器件，器件的制备在多源有机分子气相沉积系统中进行，详细制备过程如下：
[1]ITO玻璃衬底依次用甲苯、丙酮、乙醇、去离子水擦洗并超声，然后进行烘干并进行紫外臭氧处理；
[2]将处理好的衬底置于多源有机分子气相沉积系统中，系统的同一个真空腔体中包含有机蒸发区(8蒸发源)和金属蒸发区(2蒸发源)，两区之间及各个蒸发源之间相互隔绝，避免了相互污染，不用破坏系统真空，衬底可分别旋转至有机蒸发区或金属蒸发区上部，方便材料的生长，衬底距离蒸发源25cm，可以自转和公转以保证金属膜和有机膜的均匀性，将所用材料分别放在不同的蒸发区的不同蒸发源中，每个蒸发源的温度可以单独控制，然后抽真空至3×10-4Pa；
[3]维持上述真空条件不变，在有机蒸发区，在ITO玻璃衬底上依次蒸镀m-MTDATA，NPB，DPVBi，TPBi，Alq3，LiF分别作为空穴注入层、空穴传输层、蓝光发光层、空穴阻挡层、电子传输层、缓冲层，厚度分别为30，5，15，5，35，0.5nm。m-MTDATA，NPB，DPVBi，TPBi，Alq3的生长速率为0.4nm/s，LiF的蒸发速率为0.1nm/s。
[4]将衬底转移至金属蒸发区，维持上述真空条件不变，在LiF之上继续依次蒸镀Al作为金属阴极，Al层的厚度为100nm，蒸发速率为1nm/s；
以上所述材料生长的厚度和生长速率由美国产L-400膜厚控制仪控制，制备所得的器件性能用PR650光谱仪和Keithley 2400电流电压源在空气中常温条件下测试。器件的性能参数参见表2。
表2：实施例2制备的不同反射相移调节层厚度的器件参数
| 峰值波长(nm) | 半高宽(nm) | 最大电流效率(cd/A) | 色坐标(x，y) | ||
| 底发射器件 | 448 | 90 | 3.0 | (0.16，0.16) | |
| 顶发 | MoO3＝0nm | 492 | 32 | 3.56 | (0.10，0.26) |
| 射器件 | MoO3＝60nm | 476 | 30 | 2.46 | (0.13，0.12) |
由表2可以看出，采用引入合适厚度的MoO3为反射相移调节层制备得到的蓝光顶发射器件，器件的效率比普通底发射器件稍低，但器件的色度比普通底发射器件好得多，为深蓝色发光。
以上所述，仅为本发明的较佳实施例，不能以其限定本发明实施的范围，大凡依本发明专利申请范围所进行的均等变化和改进，均应仍属本发明专利涵盖的范围。
Claims (8)
1.蓝光顶发射有机电致发光器件，结构依次包括衬底(1)、金属阳极(2)、有机功能层和金属阴极(10)，有机功能层中依次包括空穴传输层(5)、蓝光发光层(6)和电子传输层(7)，其特征在于：在金属阴极(10)上有反射相移调节层(11)。
2.如权利要求1所述的蓝光顶发射有机电致发光器件，其特征在于：反射相移调节层(11)是折射率n＞1.7且易热蒸发的有机材料或无机材料。
3.如权利要求2所述的蓝光顶发射有机电致发光器件，其特征在于：有机材料为4，4’-N，N-二咔唑-联苯、三(8-羟基喹啉)铝)、N，N’-二-(1-苯基)-N，N’-二苯基-1，1’-联苯基-4，4’-二胺或2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-联菲咯啉；无机材料为ZnS、ZnSe、TeO2或MoO3。
4.如权利要求1-3任何一项所述的蓝光顶发射有机电致发光器件，其特征在于：金属阳极为Ag、Au、Cr或Ni；空穴传输层为N，N’二-(1-苯基)-N，N’-二苯基-1，1’-联苯基-4，4’-二胺或N，N’-二苯基-N，N’-双(间甲级苯基)-1，1，-联苯基-4，4’-二胺；蓝光发光层为4，4-二-(2，2’-二苯基乙烯基)联苯)、9，10-二萘蒽或2-甲基-9，10-二萘蒽；电子传输层为三(8-羟基喹啉)铝或二(2-甲基-8喹啉基)-4-苯基苯酚铝；金属阴极为单层或双层的金属Ag、Sm、Au、Al/Ag、Sm/Ag、Ca/Ag、Mg/Ag或Sm/Au。
5.如权利要求1-3任何一项所述的蓝光顶发射有机电致发光器件，其特征在于：在金属阳极(2)和空穴传输层(5)间增加阳极修饰层(3)，阳极修饰层(3)为AgOx、MoO3、CFx或V2O5。
6.如权利要求1-3任何一项所述的蓝光顶发射有机电致发光器件，其特征在于：在金属阳极(2)和空穴传输层(5)之间增加空穴注入层(4)，空穴注入层(4)采用4，4’，4”-三(3-甲基苯基苯胺)三苯胺、酞菁铜、4，4′，4″-三(2萘基苯氨基)三苯胺、4，4′，4″-三(1萘基苯氨基)三苯胺或4，4′，4″-三(联苯氨基)三苯胺。
7.如权利要求1-3任何一项所述的蓝光顶发射有机电致发光器件，其特征在于：在电子传输层(8)和金属阴极(10)之间增加缓冲层(9)，缓冲层(9)采用CsF、CsCl、NaF、NaCl或LiF。
8.如权利要求1-3任何一项所述的蓝光顶发射有机电致发光器件，其特征在于：在蓝光发光层(6)和电子传输层(8)之间增加空穴阻挡层(7)，空穴阻挡层(7)采用4，7-二苯基-1，10-邻菲咯啉、1，3，5-三(2-N-苯-苯并咪唑)苯、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-联菲咯啉或2-(4-特丁基苯基)-5-(4-联苯基)-1，3，4-噁二唑。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNA2007100560198A CN101123299A (zh) | 2007-08-31 | 2007-08-31 | 一种蓝光顶发射有机电致发光器件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNA2007100560198A CN101123299A (zh) | 2007-08-31 | 2007-08-31 | 一种蓝光顶发射有机电致发光器件 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101123299A true CN101123299A (zh) | 2008-02-13 |
Family
ID=39085531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNA2007100560198A Pending CN101123299A (zh) | 2007-08-31 | 2007-08-31 | 一种蓝光顶发射有机电致发光器件 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101123299A (zh) |
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| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
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