CN104124391A

CN104124391A - 白光顶发光型有机发光二极管及其制备方法

Info

Publication number: CN104124391A
Application number: CN201410352169.3A
Authority: CN
Inventors: 邓玲玲; 陈淑芬; 石弘颖; 刘斌; 黄维
Original assignee: Nanjing Post and Telecommunication University
Current assignee: Nanjing Post and Telecommunication University; Nanjing University of Posts and Telecommunications
Priority date: 2014-03-24
Filing date: 2014-07-23
Publication date: 2014-10-29

Abstract

白光顶发光型有机发光二极管及其制备方法，从下往上顺序依次蒸镀：衬底、反射阳极、空穴注入层、空穴传输层、双蓝光发光层、红光发光层、电子传输层、电子注入层、半透明阴极和光耦合输出层。制备过程是先将衬底清洁，再在真空中进行蒸镀，待蒸镀结束后冷却即可。本发明通过使用半透明阴极和光耦合输出层，有效的抑制了多光束干涉，整体增强了白光的输出；利用双蓝光发光层靠近阳极的结构特点，增强蓝光波段的宽角干涉；利用异质结结构的双蓝光发光层，控制激子复合区域，增强蓝光强度的同时提高器件色度的稳定性。该发明有效改善了白光顶发光型有机发光二极管的色度和稳定性，具有潜在的应用价值。

Description

白光顶发光型有机发光二极管及其制备方法

技术领域

本发明涉及有机电致发光技术领域，具体涉及一种白光顶发光型有机发光二极管及其制备方法。

背景技术

有机电致发光二极管（OLED），因其具备全固态、主动发光、高亮度、低功耗、高发光效率、工作温度宽、柔性等优点而成为最具潜力的新一代发光技术。白光OLED不仅可实现全彩显示，还可以作为照明光源和液晶显示的背光源，已在学术和产业界掀起了研究的热潮^[1,2]（[1] C. W. Tang, S. A. Van Slyke, Appl. Phys. Lett., 1987, 51, 913. [2] G. Gustufsson, Y. Cao, G. M. Treacy, F. Klavetter, N. Colaneri, A. J. Heeger, Nature, 1992, 357, 447.）。传统的白光OLED是底发光型，即光从透明玻璃基底射出。将底发光型白光OLED与制作在OLED像素周边的薄膜晶体管（TFT）驱动电路结合，用于有源式矩阵有机发光二极管 (AMOLED) 显示器中，TFT就会限制OLED的开口率，使像素面积变小而影响显示屏的亮度。顶发光型的有机发光器件(TOLED)，光从顶部的半透明电极射出，发光面和TFT分开，可以获得接近100%的开口率，提高显示器的亮度。基于硅基顶发光型白光OLED的彩色显示器因为可以同时利用顶发射器件的高开口率、成熟的硅基驱动电路以及彩膜技术而被誉为最有吸引力的全彩技术之一。获得高性能的白光TOLED是实现这一技术，提高AMOLED彩色显示器性能的重要手段^[3-5]( [3] H. Kanno, Y. R. Sun, S. R. Forrest, Appl. Phys. Lett., 2005, 86, 263502.[4] S. F. Hsu, C. C. Lee, S. W. Swang, C. H. Chen, Appl. Phys. Lett., 2005, 86, 253508.[5] M. T. Lee, M. R. Tseng, Curr. Appl. Phys., 2008, 8, 616)。

为了满足商业化的需求，白光TOLED除了需要有高效率之外，还必须达到一系列色度性能上的要求，比如：具有白光等能点(0.33, 0.33)附近的色坐标，色温在2500K-6500K之间，在不同电压下，色坐标的漂移小于(0.01, 0.01)等^[6,7]（[6] S. F. Chen, L. L. Deng, J. Xie, L. Peng, L. H. Xie, Q. L. Fan, W. Huang, Recent Developments in Top-Emitting Organic Light-Emitting Diodes, Adv. Mater., 2010, 22, 5227.[7] S. F. Chen, Q. Wu, M.Kong, X. F. Zhao, Z.Yu, P. Jia, W. Huang, On the origin of the shift in color in white organic light-emitting diodes J. Mater. Chem. C.2013, 1, 3508.）。在顶发光型的器件中，由于两侧金属电极的高反射率，会在器件内形成微腔效应。微腔效应不仅降低了器件的发光效率，而且会使光谱中某种波长的光被共振增强，且光谱随角度的变化比较大，影响了白光的色度性能，使高效优质的白光难以实现。在目前常规的有机发光二极管中，有机层的总厚度大约在100 nm左右，这样的有机层厚度使微腔的共振对红光有显著的增强，而对蓝光则有明显的抑制。再加上蓝光发光材料本身发光效率较低，所以实现高性能的白光TOLED的关键在于提高器件中蓝光的强度^[8,9]（[8] P. Freitag, S. Reineke, S. Olthof, M. Furno, B. Lussem, K. Leo, Org. Electron., 2010, 11,1676 .[9] L. L. Deng, S. F. Chen, J. Xie, Q. Yan, Org. Electron., 2013, 14, 423.）。

真空热蒸镀是指在真空环境中，将材料加热并蒸镀到基片上。在真空蒸镀制膜之前，首先要根据不同的应用目的选择金属、玻璃、塑料等作为基片，用于制膜的基片必须具有很高的平整度；然后要对基片进行彻底的清洗，去除基片表面附着的污物。以上两个步骤对薄膜的生长情况和最终的性能都有很重要的影响。真空蒸镀的过程中，要在保证蒸镀室处于10^-6-10^-4的高真空度的条件下，将待成膜的物质进行蒸发或升华，使之早基片表面析出。

真空蒸镀技术是目前制备OLED的主流技术，具有以下优点：（1）可适用于镀制结合强度要求不高的各种功能膜，如电极的导电膜，合金薄膜，有机薄膜等；（2）能在金属、半导体、绝缘体甚至塑料、纸张表面上制备各种薄膜；（3）可以不同的沉积速率、不同的基片温度和不同的蒸气分子入射角蒸镀成魔，可得到不同显微结构和结晶形态的薄膜；（4）薄膜的纯度很高；（5）易于在线检测和控制薄膜的厚度与成分。

发明内容

解决的技术问题：本发明的目的是提供白光顶发光型有机发光二极管及其制备方法，可以有效提高顶发光型白光中蓝光的比例，使白光的色度得到改善，同时也能有效提高白光的稳定性；可以通过调整器件结构参数调整白光的色度，但是不影响白光的稳定性。器件的制造方法比较简单，具有较强的重复性。。

技术方案：为了实现上述目的，本发明采取的技术方案为：白光顶发光型有机发光二极管，按照从下往上的顺序依次蒸镀：衬底、反射阳极、空穴注入层、空穴传输层、双蓝光发光层、红光发光层、电子传输层、电子注入层、半透明阴极、光耦合输出层。

作为优选的是，所述衬底为玻璃基片、硅片或柔性衬底，反射阳极为金、银或铜薄膜，薄膜厚度80-100 nm。

作为优选的是，所述空穴注入层按照由下而上的顺序由空穴注入材料氧化钼（MoOx）层和4,4',4” - 三[3 - 甲基苯基（苯基）氨基]三苯基胺（4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino)-triphenylamine，m-MTDATA）层构成，其中MoOx层的厚度为2-3 nm， m-MTDATA层的厚度为15-25 nm，所述空穴传输层是空穴传输材料N,N’-二（1-萘基）-N,N’-二苯基-1,1’-联苯-4,4’-二胺（N,N’-di(naphthalene-1-yl)-N,N’-diphenyl-benzi-dine ，NPB）层，厚度为10-15 nm；或者，所述空穴注入层采用MoOx结合p型杂质2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌(2,3,5,6-Tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyano-quinodimethane ，F4-TCNQ)掺杂的空穴传输材料N，N，N'，N'-四（4 -甲氧基苯基）联苯胺（N,N,N',N'-tetrakis(4-Methoxy-phenyl)benzidine ，MEO-TPD）形成p型掺杂层，所述p型掺杂层的厚度为20-30 nm，F₄-TCNQ相对于MEO-TPD的掺杂质量百分比为3%，空穴传输层采用MEO-TPD层，厚度为10-15 nm。

作为优选的是，所述双蓝光发光层按照从下而上的顺序由空穴型蓝光层和电子型蓝光层组成异质结结构，所述空穴型蓝光层采用空穴型主体材料4,4'，4''-三（N-咔唑基）-三苯胺（4,4’,4’’-tris(N-carbazolyl)-triphenylamine，TCTA）掺杂蓝光客体材料形成，厚度为15 nm，所述电子型蓝光层采用电子型主体材料2 - （二苯基）螺二芴（2-(diphenylphosphoryl)spirofluorene ，SPPO1）掺杂蓝光客体材料形成，厚度为4-10 nm，所述蓝光客体材料为磷光蓝光材料双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱（iridium (III) bis[(4,6-difluorophenyl)-pyridinato-N,C2’] picolinate ，FIrpic），所述FIrpic相对于空穴型主体材料和电子型主体材料SPPO1的掺杂质量百分比为7 %。

作为优选的是，所述红光发光层由电子型主体材料SPPO1掺杂红光客体材料组成，厚度为5-10 nm，所述红光客体材料为磷光红光材料(乙酰丙酮)双(2-甲基二苯并[F,H]喹喔啉)合铱（Bis(2-methyldibenzo[f,h]quinoxaline) (acetylacetonate) iridium (III)，Ir(MDQ)2(acac)），所述Ir(MDQ)₂(acac)相对于电子型主体材料SPPO1的掺杂质量百分比为4-7 %。

作为优选的是，所述电子传输层是4,7-二苯基-1,10-菲啰啉 (4,7-diphenyl-1,10-phe-nanthroline， BPhen)层，厚度为10 nm，所述电子注入层由电子传输材料BPhen中掺入电子型杂质锂（Li）构成，所述Li相对于电子传输材料BPhen的掺杂质量百分比为2-3%，厚度为20 nm，所述半透明阴极按照从下而上的顺序由厚度为4 nm的Sm层和厚度为12 nm的Ag层构成。

作为优选的是，所述光耦合输出层的材料是m-MTDATA，厚度为40-60 nm；或者，所述光耦合输出层的材料为硫化锌（ZnS），厚度为20-30 nm。

所述白光顶发光型有机发光二极管的制备方法，包括以下步骤：

1）将衬底依次放入丙酮、乙醇和去离子水中分别超声清洗8-12分钟，经氮气吹干后置于烘箱中80-120℃，25-35分钟烘干；

2）将衬底放入真空蒸镀室，待真空度达到4×10^-4-6×10^-4Pa时，逐层蒸镀制备反射阳极、空穴注入层、空穴传输层、双蓝光发光层、红光发光层、电子传输层、电子注入层、半透明阴极和光耦合输出层；

3）蒸镀反射阳极的沉积速率为0.1 nm/S，蒸镀半透明阴极的沉积速率为0.05 nm/S，蒸镀单一成分有机层的沉积速率为0.1 nm/S，单一成分有机层是指用单一的有机材料构成的；

4）在制备空穴注入层的p型掺杂层、双蓝光发光层、红光发光层和电子注入层时，主体材料和客体材料在各自的蒸发源中同时蒸镀，蒸镀完成后，在4×10^-4-6×10^-4Pa的条件下冷却2小时至25℃后，进行器件参数的测试。

作为优选的是，上述白光顶发光型有机发光二极管的制备方法步骤2）的真空度为5×10^-4Pa。

作为优选的是，上述白光顶发光型有机发光二极管的制备方法步骤4）在蒸镀时，主体材料的沉积速率均为0.1 nm/S，各客体材料的沉积速率分别是F₄-TCNQ 0.003 nm/S，FIrpic 0.007 nm/S，Ir(MDQ)₂(acac) 0.004 nm/S和Li 0.009 nm/S。

有益效果

1.本发明采用异质结结构的双蓝光发光层，双蓝光发光层相对靠近反射阳极，使顶发光型二极管中通常被抑制的蓝光强度大大提高，从而保证了白光的色度。

2.本发明将红光客体材料掺杂在电子型的主体材料中，利用空穴扩散长度随电压变化较小的特点，有效控制了不同工作电压下激子复合区域的变化，使蓝光激子和红光激子的比例保持相对稳定，从而大大提高了白光的稳定性。

3.本发明采用双层金属作为半透明阴极，并进一步结合光耦合输出层，降低了电极的反射率，使光的输出增强，有效提高了器件的效率。同时，半透明阴极反射率的降低，也减小了光谱对角度的依赖，使顶发光型白光的角度稳定性也得到了提高。

本发明的制备过程比较简单，可在真空蒸镀室中一次性完成。顶发光型白光的色度和效率可以通过调整发光客体的浓度，和p/n掺杂的浓度来实现，以上调整不会明显影响器件的稳定性，器件的可重复性较强。

附图说明

图1为白光顶发光型二极管及其制备方法的二极管的结构示意图，自下而上依次为：衬底1，反射阳极2，空穴注入层3，空穴传输层4，双蓝光发光层5，红光发光层6，电子传输层7，电子注入层8，半透明阴极9和光耦合输出层10；

图2为白光顶发光型二极管及其制备方法的实施例1中白光TOLED的电流、亮度和效率随电压变化的曲线；

图3为白光顶发光型二极管及其制备方法的实施例1中白光TOLED的不同亮度下，器件的归一化光谱；

图4为白光顶发光型二极管及其制备方法的实施例1中白光TOLED不同观察角度下，器件的归一化光谱；

图5为白光顶发光型二极管及其制备方法的实施例2中白光TOLED在不同工作电压下的归一化光谱，插图是亮度和效率随电压的变化曲线；

图6为白光顶发光型二极管及其制备方法的实施例3中白光TOLED在不同工作电压下的归一化光谱，插图是亮度和效率随电压的变化曲线；

图7为白光顶发光型二极管及其制备方法的实施例4中白光TOLED在不同工作电压下的归一化光谱。

具体实施方式

下面的实施例可使本专业技术人员更全面地理解本发明，但不以任何方式限制本发明。

实施例1

1）清洗玻璃基片作为衬底1；

2）将玻璃基片放入真空蒸镀室后，抽真空至5×10^-4Pa以上； 3）以沉积速率为0.1 nm/S蒸镀金属Ag反射阳极2，厚度为80 nm；

4）蒸镀空穴注入层3：先用单一成分有机材料MoOx蒸镀MoOx层，其中沉积速率为0.1 nm/S，蒸镀厚度为2 nm，冷却30分钟，再用单一成分有机材料m-MTDATA蒸镀m-MTDATA层，沉积速率为0.1 nm/S，蒸镀厚度为25 nm；蒸镀空穴传输层4，采用单一成分有机材料蒸镀NPB层，沉积速率为0.1 nm/S，蒸镀厚度为15 nm；

5）蒸镀双蓝光发光层5，先采用空穴型主体材料TCTA：质量百分比为7 % 的蓝光客体材料FIrpic蒸镀空穴蓝光层，厚度15 nm，再采用电子型主体材料 SPPO1：质量百分比为7%的蓝光客体材料 FIrpic蒸镀电子型蓝光层，厚度4 nm，其中，蒸镀TCTA和SPPO1时的沉积速率为0.1 nm/S，FIrpic的沉积速率为0.007 nm/S；

6）蒸镀红光发光层6，采用电子型主体材料SPPO1：质量百分比为4 % 的红光客体材料Ir(MDQ)₂（acac）蒸镀，厚度10 nm，其中，蒸镀SPPO1的沉积速率为0.1 nm/S，Ir(MDQ)₂（acac）的沉积速率为0.004 nm/S；

7）蒸镀电子传输层7，采用单一成分有机材料BPhen蒸镀而成，厚度10 nm，蒸镀时沉积速率为0.1 nm/S；蒸镀电子注入层8，采用电子传输材料BPhen：质量百分比为3% Li蒸镀而成，厚度20 nm，其中，蒸镀BPhen的沉积速率为0.1 nm/S，Li的沉积速率为0.009 nm/S；

8）蒸镀半透明阴极9，先蒸镀Sm厚度4 nm和再蒸镀Ag厚度 12 nm，蒸镀时Sm和Ag的沉积速率为0.1 nm/S；

9）蒸镀光耦合输出层10，采用单一成分有机材料m-MTDATA蒸镀而成，厚度40 nm，蒸镀时沉积速率为0.1 nm/S；

10）通过Keithley2400电流源结合PR-655光谱仪测量器件的电流-电压-亮度、光谱特性。

如图2所示为实施例1中所述器件的电流-亮度-电压曲线和电流效率-电流曲线。由图可以看到器件的最大亮度接近16000 cd/m²，最大效率达到13.3 cd/A。图3为器件在不同亮度下的归一化光谱。由光谱图可以看出器件所发白光中蓝光和红光的比例比较平衡，测得的色坐标为(0.33, 0.41)，比较接近白光等能点，这一色度在顶发光型白光中是比较出色的。此外，在亮度变化范围10~10000 cd/m²之内，器件光谱形状基本没有变化，测得的色坐标的漂移仅为(0.009, 0.001)，实现了很好的色稳定性。图4为器件在不同发光角度下的光谱，随着角度的增大，蓝光有所增强，但是光谱总体变化不大，在0-60 °C范围内，白光的色坐标从(0.33, 0.41)变化为(0.31, 0.39)，同样展现出较好的角度稳定性。

实施例2

1）与实施例1相同，进行玻璃基片衬底1的清洗，反射阳极2、空穴注入层3、空穴传输层4、双蓝光发光层5、红光发光层6、电子传输层7、电子注入层8和半透明阴极9的蒸镀；

2）蒸镀光耦合输出层10, 采用单一成分有机材料m-MTDATA蒸镀而成，厚度60 nm。

与实施例1相比，实施例2中器件的光耦合输出层增加为60 nm。对于用m-MTDATA作为耦合输出材料，60 nm是最佳的厚度，能够最大程度的提高光的输出，使器件效率提高。通过这一结构的改进，实施例2中器件的最大亮度达到18940 cd/m²，最大效率达到了16.6 cd/A，色坐标为(0.31, 0.44)，在整个点亮过程中色坐标的漂移为(0.009, 0.004)。如图5所示为实施例2中器件在不同电压下的归一化光谱，由图可见器件同样具有很好的色稳定性。

实施例3

1）与实施例1相同，进行玻璃基片衬底1的清洗、反射阳极2、空穴注入层3、空穴传输层4、双蓝光发光层5和红光发光层6的蒸镀；

2）蒸镀电子注入层8，采用电子传输材料BPhen：质量百分比为2% Li蒸镀而成，厚度20 nm；

3）与实施例1相同，进行半透明阴极9和光耦合输出层10的蒸镀；

4）通过Keithley2400电流源结合PR-655光谱仪测量器件的电流-电压-亮度、光谱特性。

相比于实施例1，实施例3中的器件的电子注入层中Li的掺杂浓度降低为2%。由于电子浓度的降低，器件的效率和色度均发生了一些变化。实施例3中的器件，最大效率为8.8 cd/A，色坐标为(0.32, 0.40)。虽然电子注入层中电子杂质的掺杂浓度的变化使器件的效率和色度有了一些改变，但是器件的色稳定性仍然很好，如图6所示为实施例3中所述器件在不同电压下的归一化光谱。

实施例4

1）与实施例1相同，进行玻璃基片衬底1的清洗、反射阳极2和MoOx层的蒸镀；

2）蒸镀空穴注入层3，采用有机材料MEO-TPD: 质量百分比为3% F4-TCNQ蒸镀而成，厚度为30 nm，蒸镀空穴传输层4，采用材料MEO-TPD蒸镀而成，厚度为10 nm，其中蒸镀MEO-TPD时的沉积速率为0.1 nm/S，蒸镀F₄-TCNQ的沉积速率为0.003 nm/S；

3）蒸镀双蓝光发光层5，采用空穴型主体材料TCTA：质量百分比为8 % FIrpic蒸镀空穴型蓝光层，厚度15 nm，在采用电子型主体材料SPPO1：质量百分比为8% FIrpic蒸镀电子型蓝光层，厚度10 nm，蒸镀时沉积速率与实施例1相同；

4）蒸镀红光发光层6，采用电子型主体材料SPPO1：质量百分比为4 % 的红光客体材料Ir(MDQ)₂(acac)蒸镀，厚度5nm，蒸镀时沉积速率与实施例1相同；

5）与实施例1相同，蒸镀电子传输层7、电子注入层8、半透明阴极9和光耦合输出层10；

6）通过Keithley2400电流源结合PR-655光谱仪测量器件的电流-电压-亮度、光谱特性。

在实施例4中，我们采用MEO-TPD: 质量百分比为3% F₄-TCNQ/MEO-TPD作为器件的空穴注入层、空穴传输层。该空穴传输层结构能有利于空穴的注入，使器件中空穴的分布发生了变化，因此，相应的将双蓝光发光层SPPO1：质量百分比为7% FIrpic的厚度调整为10 nm，而红光发光层SPPO1：质量百分比为4 % Ir(MDQ)₂（acac）的厚度降低为5 nm。实施例4中器件的最大效率为7.06 cd/A，器件的色坐标为(0.48, 0.40),点亮过程中色坐标的变化为(0.03, 0.007)。图7为实施例4的器件在不同电压下的归一化光谱。

实施例1至实施例4中的器件，均采用了异质结型双蓝光发光层结构，且红光客体材料掺杂在电子型的主体材料中，该种发光层结构使激子的主要复合区域位于双蓝光发光层中，使顶发光型的白光具有饱和的色度，同时激子的分布区域随电压的变化很小，从而实现了很好的色稳定性。在不同的实施例中，载流子传输层结构和发光层结构进行了一定的调整，虽然对效率和色度有一定的影响，但是光谱的稳定性都能够得到保证，实现了本发明的目的，同时也证明了本发明中器件性能的可重复性，有利于该发明在生产实践中的应用。

Claims

1.白光顶发光型有机发光二极管，其特征在于，按照从下往上的顺序依次蒸镀：衬底（1）、反射阳极（2）、空穴注入层（3）、空穴传输层（4）、双蓝光发光层（5）、红光发光层（6）、电子传输层（7）、电子注入层（8）、半透明阴极（9）和光耦合输出层（10）。

2.根据权利要求1所述白光顶发光型有机发光二极管，其特征在于：所述衬底（1）为玻璃基片、硅片或柔性衬底，所述反射阳极（2）为金、银或铜薄膜，薄膜厚度为80-100nm。

3.根据权利要求1所述白光顶发光型有机发光二极管，其特征在于：所述空穴注入层（3）按照由下而上的顺序由MoOx层和m-MTDATA层构成，其中MoOx层的厚度为2-3 nm，m-MTDATA层的厚度为15-25 nm，所述空穴传输层（4）是NPB层，厚度为10-15 nm；或者，所述空穴注入层（3）采用MoOx结合p型杂质F₄-TCNQ掺杂的空穴传输材料MEO-TPD形成p型掺杂层，所述p型掺杂层的厚度为20-30 nm，F₄-TCNQ相对于MEO-TPD的掺杂质量百分比为3%，所述空穴传输层（4）采用MEO-TPD层，厚度为10-15 nm。

4.根据权利要求1所述白光顶发光型有机发光二极管，其特征在于：所述双蓝光发光层（5）按照从下而上的顺序由空穴型蓝光层和电子型蓝光层组成异质结结构，所述空穴型蓝光层采用空穴型主体材料TCTA掺杂蓝光客体材料形成，厚度为15 nm，所述电子型蓝光层采用电子型主体材料SPPO1掺杂蓝光客体材料形成，厚度为4-10 nm，所述蓝光客体材料为磷光蓝光材料FIrpic，所述FIrpic相对于空穴型主体材料TCTA和电子型主体材料SPPO1的掺杂质量百分比均为7 %。

5.根据权利要求1所述白光顶发光型有机发光二极管，其特征在于：所述红光发光层（6）由电子型主体材料SPPO1掺杂红光客体材料形成，厚度为5-10 nm，所述红光客体材料为磷光红光材料Ir(MDQ)₂(acac)，所述Ir(MDQ)₂(acac)相对于电子型主体材料SPPO1的掺杂质量百分比为4-7 %。

6.根据权利要求1所述白光顶发光型有机发光二极管，其特征在于：所述电子传输层（7）是BPhen层，厚度为10 nm，所述电子注入层（8）由电子传输材料BPhen中掺入电子型杂质Li构成，所述Li相对于电子传输材料BPhen的掺杂质量百分比为2-3%，厚度为20 nm，所述半透明阴极（9）按照从下而上的顺序由厚度为4 nm的Sm层和厚度为12 nm的Ag层构成。

7.根据权利要求1所述白光顶发光型有机发光二极管，其特征在于：所述光耦合输出层（10）的材料是m-MTDATA，厚度为40-60 nm；或者，所述光耦合输出层（10）的材料为 ZnS，厚度为20-30 nm。

8.权利要求1所述白光顶发光型有机发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）将衬底（1）依次放入丙酮、乙醇和去离子水中分别超声清洗8-12分钟，经氮气吹干后置于烘箱中80-120℃，25-35分钟烘干；

2）将衬底（1）放入真空蒸镀室，待真空度达到4×10^-4-6×10^-4Pa时，逐层蒸镀制备反射阳极（2）、空穴注入层（3）、空穴传输层（4）、双蓝光发光层（5）、红光发光层（6）、电子传输层（7）、电子注入层（8）、半透明阴极（9）和光耦合输出层（10）；

3）蒸镀反射阳极（2）的沉积速率为0.1 nm/S，蒸镀半透明阴极（9）的沉积速率为0.05 nm/S，蒸镀单一成分有机层的沉积速率为0.1 nm/S；

4）在制备空穴注入层（3）的p型掺杂层、双蓝光发光层（5）、红光发光层（6）和电子注入层（8）时，主体材料和客体材料在各自的蒸发源中同时蒸镀，蒸镀完成后，在4×10^-4-6×10^-4Pa的条件下冷却2小时至25℃后，进行器件参数的测量。

9.根据权利要求8所述白光顶发光型有机发光二极管的制备方法，其特征在于：步骤2）的真空度为5×10^-4Pa。

10.根据权利要求8所述白光顶发光型有机发光二极管的制备方法，其特征在于：步骤4）在蒸镀时，主体材料的沉积速率均为0.1 nm/S，各客体材料的沉积速率分别是F₄-TCNQ 0.003 nm/S，FIrpic 0.007 nm/S，Ir(MDQ)₂(acac) 0.004 nm/S和Li 0.009 nm/S。