CN104124351A - 一种有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents
一种有机电致发光器件及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104124351A CN104124351A CN201310143694.XA CN201310143694A CN104124351A CN 104124351 A CN104124351 A CN 104124351A CN 201310143694 A CN201310143694 A CN 201310143694A CN 104124351 A CN104124351 A CN 104124351A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- evaporation
- organic
- electroluminescence device
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/826—Multilayers, e.g. opaque multilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公开了一种有机电致发光器件及其制备方法,所述有机电致发光器件包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极,所述复合阴极由依次层叠的有机掺杂层、硅化合物层与金属单质层组成;所述有机掺杂层为电子传输材料与钠盐掺杂而成,钠盐功函数较低,可提高了电子的注入能力和器件的稳定性,电子传输材料可提高电子的传输速率,同时,可形成有序的晶体结构,使膜层表面形成波纹状结构,使向顶部发射的光进行散射;硅化合物制备后可形成排列有序的微球结构,提高有效的出射光线;金属单质层提高器件的导电性,使散射的光到达金属单质层后进行反射,这种复合阴极可有效提高器件发光效率。
Description
技术领域
本发明涉及有机电致发光领域,特别涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
1987年,美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度,高效率的双层有机电致发光器件(OLED)。10V下亮度达到1000cd/m2,其发光效率为1.51lm/W,寿命大于100小时。
OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下,电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO),而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子,激子在电场作用下迁移,将能量传递给发光材料,并激发电子从基态跃迁到激发态,激发态能量通过辐射失活,产生光子,释放光能。
在传统的发光器件中,器件内部的光只有18%左右是可以发射到外部去的,而其他的部分会以其他形式消耗在器件外部,界面之间存在折射率的差(如玻璃与ITO之间的折射率之差,玻璃折射率为1.5,ITO为1.8,光从ITO到达玻璃,就会发生全反射),引起了全反射的损失,从而导致整体出光性能较低。因此,有必要提高OLED的发光效率。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法,所述有机电致发光器件,包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极,所述复合阴极由依次层叠的有机掺杂层、硅化合物层与金属单质层组成,本发明提高了器件的导电能力和发光效率。
第一方面,本发明提供了一种有机电致发光器件,包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极,所述复合阴极由依次层叠的有机掺杂层、硅化合物层与金属单质层组成,所述有机掺杂层的材质为电子传输材料和钠盐按质量比1:0.01~1:0.5混合形成的混合材料,所述电子传输材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲(BCP)、2-(4-叔丁基苯)-5-(4-联苯基)-1,3,4-恶唑(PBD)和2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑](OXD-7)中的一种;所述钠盐为碳酸钠(Na2CO3)、氯化钠(NaCl)和溴化钠(NaBr)中的一种;所述硅化合物层的材质为一氧化硅(SiO)、二氧化硅(SiO2)和硅酸钠(Na2SiO3)中的一种,所述金属单质层的材质为银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)和金(Au)中的一种。
优选地,所述有机掺杂层的厚度为50~200nm。
优选地,所述硅化合物层的厚度为5~30nm。
优选地,所述金属单质层的厚度为100~500nm。
优选地,所述导电阳极玻璃基底为铟锡氧化物玻璃(ITO)、铝锌氧化物玻璃(AZO)和铟锌氧化物玻璃(IZO)中的一种,更优选为ITO。
优选地,所述空穴注入层的材质为三氧化钼(MoO3)、三氧化钨(WO3)和五氧化二钒(V2O5)中的一种,厚度为20~80nm。更优选地,所述空穴注入层的材质为MoO3,厚度为30nm。
优选地,所述空穴传输层的材质为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)和N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺(NPB)中的一种,所述空穴传输层的厚度为20~60nm,更优选地,所述空穴传输层的材质为NPB,厚度为50nm。
优选地,所述发光层的材质为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9,10-二-β-亚萘基蒽(ADN)、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯(BCzVBi)和8-羟基喹啉铝(Alq3)中的一种,厚度为5~40nm,更优选地,所述发光层的材质为Alq3,厚度为15nm。
优选地,所述的电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑(TAZ)和N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的一种,厚度为40~300nm,更优选地,所述电子传输层的材质为TAZ,厚度为220nm。
优选地,所述电子注入层的材质为碳酸铯(Cs2CO3)、氟化铯(CsF)、叠氮铯(CsN3)和氟化锂(LiF)中的一种,厚度为0.5~10nm,更优选地,所述电子注入层的材质为LiF,厚度为0.7nm。
所述复合阴极由依次层叠的有机掺杂层、硅化合物层与金属单质层组成,所述有机掺杂层的材质为电子传输材料和钠盐混合形成,钠盐功函数较低,掺杂后可使有机掺杂层的功函数降低,提高了电子的注入能力,同时,钠盐的蒸镀温度为800~1000℃,适合真空蒸镀,且在空气中比较稳定,可提高器件的稳定性,而易结晶电子传输材料(玻璃化转变温度为50~100℃),一方面可提高电子的传输速率,另一方面,可通过材料的结晶,形成有序的晶体结构,这种结构使膜层表面形成波纹状结构,进而使向顶部发射的光进行散射,避免向器件两侧发射;硅化合物是微粒状,颗粒较大,制备后形成排列有序的微球结构,达到微透镜的效果,这种结构可进一步对光进行散射,提高有效的出射光线;金属单质层可以提高器件的导电性,使散射的光到达金属单质层后进行反射,使光反射回到器件的底部,这种复合阴极可有效提高器件发光效率。
第二方面,本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下操作步骤:
(1)提供所需尺寸的导电阳极玻璃基底,清洗后干燥;在导电阳极玻璃基底上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层;
(2)在电子注入层上制备复合阴极,所述复合阴极由依次层叠的有机掺杂层、硅化合物层与金属单质层组成;
在电子注入层上采用热阻蒸镀的方法制备有机掺杂层,所述有机掺杂层的材质为电子传输材料和钠盐按质量比1:0.01~1:0.5混合形成的混合材料,所述电子传输材料为Bphen、BCP、PBD和OXD-7中的一种;所述钠盐为Na2CO3、NaCl和NaBr中的一种,所述蒸镀压强为5×10-5Pa~2×10-3Pa,所述蒸镀速率为0.1~1nm/s;
在有机掺杂层上采用电子束蒸镀的方法制备硅化合物层,所述硅化合物层的材质为SiO、SiO2和Na2SiO3中的一种;电子束蒸镀的能量密度为10~l00W/cm2;
在硅化合物层上采用热阻蒸镀的方法制备金属单质层,所述金属单质层的材质为Ag、Al、Pt和Au中的一种,所述蒸镀压强为5×10-5Pa~2×10-3Pa,所述蒸镀速率为1~10nm/s;得到所述有机电致发光器件。
优选地,所述有机掺杂层的厚度为50~200nm。
优选地,所述硅化合物层的厚度为5~30nm。
优选地,所述金属单质层的厚度为100~500nm。
优选地,所述空穴注入层和电子注入层热阻蒸镀条件均为:压强为5×10-5Pa~2×10-3Pa,蒸镀速率为1~10nm/s。
优选地,所述空穴传输层、电子传输层和发光层的热阻蒸镀条件均为:压强为5×10-5Pa~2×10-3Pa,蒸镀速率为0.1~1nm/s。
优选地,所述提供所需尺寸的导电阳极玻璃基底,具体操作为:将导电阳极玻璃基底进行光刻处理,然后剪裁成所需要的大小。
优选地,所述清洗后干燥的操作为将导电阳极玻璃基底依次用洗洁精,去离子水,丙酮,乙醇,异丙醇各超声15min,去除玻璃表面的有机污染物,清洗干净后风干。
优选地,所述导电阳极玻璃基底为铟锡氧化物玻璃(ITO)、铝锌氧化物玻璃(AZO)和铟锌氧化物玻璃(IZO)中的一种,更优选为ITO。
优选地,所述空穴注入层的材质为MoO3、WO3和V2O5中的一种,厚度为20~80nm。更优选地,所述空穴注入层的材质为MoO3,厚度为30nm。
优选地,所述空穴传输层的材质为TAPC、TCTA和NPB中的一种,所述空穴传输层材质厚度为20~60nm,更优选地,所述空穴传输层的材质为NPB,厚度为50nm。
优选地,所述发光层的材质为DCJTB、ADN、BCzVBi和Alq3中的一种,厚度为5~40nm,更优选地,所述发光层的材质为Alq3,厚度优选为15nm。
优选地,所述电子传输层的材质为Bphen、TAZ和TPBI中的一种,厚度为40~300nm,更优选地,所述电子传输层的材质为TAZ,厚度为220nm。
优选地,所述电子注入层的材质为Cs2CO3、CsF、CsN3和LiF中的一种,厚度为0.5~10nm,更优选地,所述电子注入层的材质为LiF,厚度为0.7nm。
所述复合阴极由依次层叠的有机掺杂层、硅化合物层与金属单质层组成,所述有机掺杂层的材质为电子传输材料和钠盐混合形成,钠盐功函数较低,掺杂后可使有机掺杂层的功函数降低,提高了电子的注入能力,同时,钠盐的蒸镀温度为800~1000℃,适合真空蒸镀,且在空气中比较稳定,可提高器件的稳定性,而易结晶电子传输材料(玻璃化转变温度为50~100℃),一方面可提高电子的传输速率,另一方面,可通过材料的结晶,形成有序的晶体结构,这种结构使膜层表面形成波纹状结构,进而使向顶部发射的光进行散射,避免向器件两侧发射;硅化合物是微粒状,颗粒较大,制备上去之后形成排列有序的微球结构,达到微透镜的效果,这种结构可进一步对光进行散射,提高有效的出射光线;金属单质层可以提高器件的导电性,使散射的光到达金属单质层后进行反射,使光反射回到器件的底部,这种复合阴极可有效提高器件发光效率。
实施本发明实施例,具有以下有益效果:
(1)本发明提供的复合阴极由依次层叠的有机掺杂层、硅化合物层与金属单质层组成,提高了器件的导电性能和发光效率;
(2)本发明提供的复合阴极的制备方法,工艺简单,成本低。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的技术方案,下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例1提供的有机电致发光器件的结构示意图;
图2是本发明实施例1与对比实施例有机电致发光器件的电流密度与流明效率关系图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施方式中的附图,对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述。
实施例1
一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下操作步骤:
(1)先将ITO玻璃基底进行光刻处理,然后剪裁成2×2cm2的正方形尺寸,然后依次用洗洁精,去离子水,丙酮,乙醇,异丙醇各超声15min,去除玻璃表面的有机污染物,清洗干净后风干;然后在阳极上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层;其中,
空穴注入层的材质为MoO3,蒸镀时采用的压强8×10-5Pa,蒸镀速率为3nm/s,蒸镀厚度为30nm;
空穴传输层的材质为NPB,蒸镀时采用的压强为8×10-5Pa,蒸镀速率为0.2nm/s,蒸镀厚度为50nm;
发光层的材质为Alq3,蒸镀时采用的压强为8×10-5Pa,蒸镀速率为0.2nm/s,蒸镀厚度为15nm;
电子传输层的材质为TAZ,蒸镀时采用的压强为8×10-5Pa,蒸镀速率为0.2nm/s,蒸镀厚度为220nm;
电子注入层的材质为LiF,蒸镀时采用的压强为8×10-5Pa,蒸镀速率为3nm/s,蒸镀厚度为0.7nm;
(2)制备复合阴极;
在电子注入层上热阻蒸镀Bphen与Na2CO3按质量比1:0.05混合形成的混合材料,得到厚度为100nm的有机掺杂层,蒸镀时采用的压强为8×10-5Pa,蒸镀速率为0.2nm/s;
在有机掺杂层上电子束蒸镀SiO2,得到厚度为10nm的硅化合物层;电子束蒸镀的能量密度为25W/cm2;
在硅化合物层上采用热阻蒸镀制备Ag,得到厚度为300nm的金属单质层,蒸镀时采用的压强为8×10-5Pa,蒸镀速率为3nm/s;得到有机电致发光器件。
图1为本实施例制备的有机电致发光器件的结构示意图,如图1所示,本实施例制备的有机电致发光器件,包括依次层叠的导电阳极玻璃基底1、空穴注入层2、空穴传输层3、发光层4、电子传输层5、电子注入层6和复合阴极7,复合阴极7由依次层叠的有机掺杂层71、硅化合物层72和金属单质层73组成。具体结构表示为:
ITO玻璃/MoO3/NPB/Alq3/TAZ/LiF/Bphen:Na2CO3(1:0.05)/SiO2/Ag,其中,斜杠“/”表示依次层叠,Bphen:Na2CO3中的冒号“:”表示混合,1:0.05表示前者和后者的质量比,后面实施例中各个符号表示的意义相同。
实施例2
一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下操作步骤:
(1)先将AZO玻璃基底进行光刻处理,然后剪裁成2×2cm2的正方形尺寸,然后依次用洗洁精,去离子水,丙酮,乙醇,异丙醇各超声15min,去除玻璃表面的有机污染物,清洗干净后风干;然后在阳极上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层;其中,
空穴注入层的材质为WO3,蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa,蒸镀速率为10nm/s,蒸镀厚度为80nm;
空穴传输层的材质为NPB,蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa,蒸镀速率为0.1nm/s,蒸镀厚度为60nm;
发光层的材质为ADN,蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa,蒸镀速率为0.1nm/s,蒸镀厚度为5nm;
电子传输层的材质为Bphen,蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa,蒸镀速率为10nm/s,蒸镀厚度为300nm;
电子注入层的材质为CsF,蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa,蒸镀速率为0.1nm/s,蒸镀厚度为10nm;
(2)制备复合阴极;
在电子注入层上热阻蒸镀制备BCP与NaCl按质量比1:0.01混合形成的混合材料,得到厚度为200nm的有机掺杂层,蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa,蒸镀速率为0.1nm/s;
在有机掺杂层上电子束蒸镀SiO,得到厚度为30nm的硅化合物层;电子束蒸镀的能量密度为10W/cm2;
在硅化合物层上采用热阻蒸镀制备Al,得到厚度为500nm的金属单质层,蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa,蒸镀速率为10nm/s;得到有机电致发光器件。
本实施例制备的有机电致发光器件,包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极,复合阴极由层叠的有机掺杂层、硅化合物层与金属单质层组成。具体结构表示为:
AZO玻璃/WO3/NPB/ADN/Bphen/CsF/BCP:NaCl(1:0.01)/SiO/Al。
实施例3
一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下操作步骤:
(1)先将IZO玻璃基底进行光刻处理,然后剪裁成2×2cm2的正方形尺寸,然后依次用洗洁精,去离子水,丙酮,乙醇,异丙醇各超声15min,去除玻璃表面的有机污染物,清洗干净后风干;然后在阳极上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层;其中,
空穴注入层的材质为V2O5,蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa,蒸镀速率为1nm/s,蒸镀厚度为20nm;
空穴传输层的材质为TAPC,蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa,蒸镀速率为1nm/s,蒸镀厚度为20nm;
发光层的材质为BCzVBi,蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa,蒸镀速率为1nm/s,蒸镀厚度为40nm;
电子传输层的材质为TPBi,蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa,蒸镀速率为1nm/s,蒸镀厚度为60nm;
电子注入层的材质为Cs2CO3,蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa,蒸镀速率为1nm/s,蒸镀厚度为0.5nm;
(2)制备复合阴极;
在电子注入层上热阻蒸镀制备PBD与NaBr按质量比1:0.5混合形成的混合材料,得到厚度为50nm的有机掺杂层,蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa,蒸镀速率为1nm/s;
在有机掺杂层上电子束蒸镀Na2SiO3,得到厚度为5nm的硅化合物层;电子束蒸镀的能量密度为100W/cm2;
在硅化合物层上采用热阻蒸镀制备Pt,得到厚度为100nm的金属单质层,蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa,蒸镀速率为1nm/s;得到有机电致发光器件。
本实施例制备的有机电致发光器件,包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极,复合阴极由依次层叠的有机掺杂层、硅化合物层与金属单质层组成。具体结构表示为:
IZO玻璃/V2O5/TAPC/BCzVBi/TPBi/Cs2CO3/PBD:NaBr(1:0.5)/Na2SiO3/Pt。
实施例4
一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下操作步骤:
(1)先将IZO玻璃基底进行光刻处理,然后剪裁成2×2cm2的正方形尺寸,然后依次用洗洁精,去离子水,丙酮,乙醇,异丙醇各超声15min,去除玻璃表面的有机污染物,清洗干净后风干;然后在阳极上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层;其中,
空穴注入层的材质为WO3,蒸镀时采用的压强为5×10-4Pa,蒸镀速率为5nm/s,蒸镀厚度为30nm;
空穴传输层的材质为TCTA,蒸镀时采用的压强为5×10-4Pa,蒸镀速率为0.2nm/s,蒸镀厚度为50nm;
发光层的材质为DCJTB,蒸镀时采用的压强为5×10-4Pa,蒸镀速率为0.2nm/s,蒸镀厚度为5nm;
电子传输层的材质为TAZ,蒸镀时采用的压强为5×10-4Pa,蒸镀速率为0.2nm/s,蒸镀厚度为40nm;
电子注入层的材质为CsN3,蒸镀时采用的压强为5×10-4Pa,蒸镀速率为5nm/s,蒸镀厚度为1nm;
(2)制备复合阴极;
在电子注入层上热阻蒸镀制备OXD-7与Na2CO3按质量比1:0.02混合形成的混合材料,得到厚度为150nm的有机掺杂层,蒸镀时采用的压强为5×10-4Pa,蒸镀速率为0.2nm/s;
在有机掺杂层上电子束蒸镀SiO2,得到厚度为25nm的硅化合物层;电子束蒸镀的能量密度为50W/cm2;
在硅化合物层上采用热阻蒸镀制备Au,得到厚度为300nm的金属单质层,蒸镀时采用的压强为5×10-4Pa,蒸镀速率为5nm/s;得到有机电致发光器件。
本实施例制备的有机电致发光器件,包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极,复合阴极由依次层叠的有机掺杂层、硅化合物层与金属单质层组成。具体结构表示为:
IZO玻璃/WO3/TCTA/DCJTB/TAZ/CsN3/OXD-7:Na2CO3(1:0.02)/SiO2/Au。
对比实施例
为体现为本发明的创造性,本发明还设置了对比实施例,对比实施例与实施例1的区别在于对比实施例中的阴极为金属单质银(Ag),厚度为120nm,对比实施例有机电致发光器件的具体结构为ITO玻璃/MoO3/NPB/Alq3/TAZ/LiF/Ag,分别对应导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。
效果实施例
采用美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪测试电致发光光谱,美国吉时利公司的电流-电压测试仪Keithley2400测试电学性能,日本柯尼卡美能达公司的CS-100A色度计测试亮度和色度,得到有机电致发光器件的流明效率随电流密度的变化曲线,以考察器件的发光效率,测试对象为实施例1与对比实施例制备的有机电致发光器件。测试结果如图2所示。
图2是本发明实施例1与对比实施例有机电致发光器件的流明效率和电流密度的关系图。从图2中可以看出,在不同电流密度下,实施例1的流明效率都比对比例的要大,实施例1的最大的流明效率为8.73lm/W,而对比例的仅为4.68lm/W,同时,随着电流密度的增加,对比例的流明效率衰减的比较快,而实施例1的衰减较慢。这说明,实施例1中的复合阴极提高了电子的注入能力和电子的传输速率,使向顶部发射的光进行散射,提高有效的出射光线,光到达金属单质层后进行反射,使光反射回到器件的底部,这种复合阴极可有效提高发光效率。
以上所述是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种有机电致发光器件,包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极,其特征在于,所述复合阴极由依次层叠的有机掺杂层、硅化合物层与金属单质层组成,所述有机掺杂层的材质为电子传输材料和钠盐按质量比1:0.01~1:0.5混合形成的混合材料,所述电子传输材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲、2-(4-叔丁基苯)-5-(4-联苯基)-1,3,4-恶唑和2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑]中的一种;所述钠盐为碳酸钠、氯化钠和溴化钠中的一种;所述硅化合物层的材质为一氧化硅、二氧化硅和硅酸钠中的一种,所述金属单质层的材质为银、铝、铂和金中的一种。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述有机掺杂层的厚度为50~200nm。
3.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述硅化合物层的厚度为5~30nm。
4.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述金属单质层的厚度为100~500nm。
5.一种有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,包括以下操作步骤:
(1)提供所需尺寸的导电阳极玻璃基底,清洗后干燥;在导电阳极玻璃基底上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层;
(2)在电子注入层上制备复合阴极,所述复合阴极由依次层叠的有机掺杂层、硅化合物层与金属单质层组成;
在电子注入层上采用热阻蒸镀的方法制备有机掺杂层,所述有机掺杂层的材质为电子传输材料和钠盐按质量比1:0.01~1:0.5混合形成的混合材料,所述电子传输材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲、2-(4-叔丁基苯)-5-(4-联苯基)-1,3,4-恶唑和2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑]中的一种;所述钠盐为碳酸钠、氯化钠和溴化钠中的一种,所述蒸镀压强为5×10-5Pa~2×10-3Pa,所述蒸镀速率为0.1~1nm/s;
在有机掺杂层上采用电子束蒸镀的方法制备硅化合物层,所述硅化合物层的材质为一氧化硅、二氧化硅和硅酸钠中的一种;电子束蒸镀的能量密度为10~l00W/cm2;
在硅化合物层上采用热阻蒸镀的方法制备金属单质层,所述金属单质层的材质为银、铝、铂和金中的一种,所述蒸镀压强为5×10-5Pa~2×10-3Pa,所述蒸镀速率为1~10nm/s;得到所述有机电致发光器件。
6.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述有机掺杂层的厚度为50~200nm。
7.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述硅化合物层的厚度为5~30nm。
8.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述金属单质层的厚度为100~500nm。
9.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述空穴注入层和电子注入层的热阻蒸镀条件均为:压强为5×10-5Pa~2×10-3Pa,蒸镀速率为1~10nm/s。
10.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述空穴传输层、电子传输层和发光层的热阻蒸镀条件均为:压强为5×10-5Pa~2×10-3Pa,蒸镀速率为0.1~1nm/s。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310143694.XA CN104124351A (zh) | 2013-04-24 | 2013-04-24 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310143694.XA CN104124351A (zh) | 2013-04-24 | 2013-04-24 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104124351A true CN104124351A (zh) | 2014-10-29 |
Family
ID=51769692
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310143694.XA Pending CN104124351A (zh) | 2013-04-24 | 2013-04-24 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104124351A (zh) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1625923A (zh) * | 2002-04-05 | 2005-06-08 | 施乐公司 | 具有有机-金属混合层的显示器件 |
CN101123299A (zh) * | 2007-08-31 | 2008-02-13 | 吉林大学 | 一种蓝光顶发射有机电致发光器件 |
CN101710612A (zh) * | 2009-11-13 | 2010-05-19 | 清华大学 | 一种有机电致发光器件 |
CN102709475A (zh) * | 2012-06-01 | 2012-10-03 | 吉林大学 | 碱金属铷化合物作为缓冲层或电子注入层的有机半导体器件 |
-
2013
- 2013-04-24 CN CN201310143694.XA patent/CN104124351A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1625923A (zh) * | 2002-04-05 | 2005-06-08 | 施乐公司 | 具有有机-金属混合层的显示器件 |
CN101123299A (zh) * | 2007-08-31 | 2008-02-13 | 吉林大学 | 一种蓝光顶发射有机电致发光器件 |
CN101710612A (zh) * | 2009-11-13 | 2010-05-19 | 清华大学 | 一种有机电致发光器件 |
CN102709475A (zh) * | 2012-06-01 | 2012-10-03 | 吉林大学 | 碱金属铷化合物作为缓冲层或电子注入层的有机半导体器件 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103579526A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN103456895A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104124370A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104124368A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104124342A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104124354A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104124338A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104124352A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104124396A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104518108A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104124362A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104518145A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104124364A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104518150A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN103579527A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104124365A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104051641A (zh) | 一种叠层有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104124351A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104051662A (zh) | 一种复合阳极及其制备方法和有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104124339A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104124369A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104124373A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104124372A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104124381A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104124358A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20141029 |