CN104124373A - 一种有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 99
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 73
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 73
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 59
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 59
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 44
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 31
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 20
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 15
- -1 phthalocyanine compound Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 100
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 84
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 8
- LBAIJNRSTQHDMR-UHFFFAOYSA-N magnesium phthalocyanine Chemical compound [Mg].C12=CC=CC=C2C(N=C2NC(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2N1 LBAIJNRSTQHDMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 claims description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 5
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 claims description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MQCHTHJRANYSEJ-UHFFFAOYSA-N n-[(2-chlorophenyl)methyl]-1-(3-methylphenyl)benzimidazole-5-carboxamide Chemical compound CC1=CC=CC(N2C3=CC=C(C=C3N=C2)C(=O)NCC=2C(=CC=CC=2)Cl)=C1 MQCHTHJRANYSEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 3
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims 3
- 125000000319 biphenyl-4-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 abstract 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 abstract 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 abstract 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 193
- SNTWKPAKVQFCCF-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydro-1h-triazole Chemical compound N1NC=CN1 SNTWKPAKVQFCCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 13
- CYNYIHKIEHGYOZ-UHFFFAOYSA-N 1-bromopropane Chemical compound CCCBr CYNYIHKIEHGYOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical group O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 9
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical group [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 4- -2-tert-butyl-6- -4h-pyran Chemical compound O1C(C(C)(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 5
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 5
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000002957 persistent organic pollutant Substances 0.000 description 5
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 description 5
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 4
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 4
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- AYTVLULEEPNWAX-UHFFFAOYSA-N cesium;azide Chemical compound [Cs+].[N-]=[N+]=[N-] AYTVLULEEPNWAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical group [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 239000004005 microsphere Substances 0.000 description 2
- 239000000075 oxide glass Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RKVIAZWOECXCCM-UHFFFAOYSA-N 2-carbazol-9-yl-n,n-diphenylaniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21)C1=CC=CC=C1 RKVIAZWOECXCCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020489 SiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- YUWBVKYVJWNVLE-UHFFFAOYSA-N [N].[P] Chemical compound [N].[P] YUWBVKYVJWNVLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Natural products C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 210000001072 colon Anatomy 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001194 electroluminescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- QWODREODAXFISP-UHFFFAOYSA-N n-[4-(4-anilinophenyl)phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 QWODREODAXFISP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 125000001037 p-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/826—Multilayers, e.g. opaque multilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
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Abstract
本发明公开了一种有机电致发光器件及其制备方法，所述有机电致发光器件包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极，所述复合阴极由依次层叠的金属掺杂层、电子传输材料层和酞菁类物质掺杂层组成；所述金属掺杂层的材质为金属单质和硅化合物形成的混合材料，金属单质起到光透过的作用，而硅化合物是微粒状，掺杂到金属单质中，减少向两侧发射的光；电子传输材料层可以提高电子传输速率；所述酞菁类物质掺杂层为酞菁类化合物和金属单质形成的混合材料，酞菁类化合物结晶后形成晶体结构，对光有散射作用，加入金属单质材料使光反射回到器件的底部。
Description
技术领域
本发明涉及有机电致发光领域，特别涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
1987年，美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件（OLED）。10V下亮度达到1000cd/m2，其发光效率为1.51lm/W，寿命大于100小时。
OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道（LUMO），而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道（HOMO）。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。
在传统的发光器件中，器件内部的光只有18%左右是可以发射到外部去的，而其他的部分会以其他形式消耗在器件外部，界面之间存在折射率的差（如玻璃与ITO之间的折射率之差，玻璃折射率为1.5，ITO为1.8，光从ITO到达玻璃，就会发生全反射），引起了全反射的损失，从而导致整体出光性能较低。因此，有必要提高OLED的发光效率。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法，所述有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极，所述复合阴极由依次层叠的金属掺杂层、电子传输材料层和酞菁类物质掺杂层组成，本发明提高了器件的导电能力和发光效率。
第一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极，所述复合阴极由依次层叠的金属掺杂层、电子传输材料层和酞菁类物质掺杂层组成，所述金属掺杂层的材质为金属单质和硅化合物以质量比1:0.01～1:0.2混合形成的混合材料，所述硅化合物为一氧化硅（SiO）、二氧化硅（SiO2）和硅酸钠（Na2SiO3）中的一种，所述电子传输材料层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑（TAZ）和N-芳基苯并咪唑（TPBI）中的一种，所述酞菁类物质掺杂层的材质为酞菁类物质和金属单质以质量比1:0.1～1:0.3混合形成的混合材料，所述酞菁类物质为酞菁铜（CuPc）、酞菁锌（ZnPc）、酞菁镁（MgPc）和酞菁钒（VPc）中的一种，所述金属单质为银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）和金（Au）中的一种。
优选地，所述金属掺杂层的厚度为20～40nm。
优选地，所述电子传输材料层的厚度为50～200nm。
优选地，所述酞菁类物质掺杂层的厚度为200～500nm。
优选地，所述导电阳极玻璃基底为铟锡氧化物玻璃（ITO）、铝锌氧化物玻璃（AZO）和铟锌氧化物玻璃（IZO），更优选为ITO。
优选地，所述空穴注入层的材质为三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）和五氧化二钒（V2O5）中的一种，厚度为20～80nm。更优选地，所述空穴注入层的材质为MoO3，厚度为25nm。
优选地，所述空穴传输层的材质为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）和N,N’-（1-萘基）-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB）中的一种，所述空穴传输层的厚度为20～60nm，更优选地，所述空穴传输层材质为NPB，厚度为50nm。
优选地，所述发光层的材质为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCzVBi）和8-羟基喹啉铝（Alq3）中的一种，厚度为5～40nm，更优选地，所述发光层的材质为BCzVBi，厚度为35nm。
优选地，所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑（TAZ）和N-芳基苯并咪唑（TPBI）中的一种，厚度为40～300nm，更优选地，所述电子传输层的材质为TAZ，厚度为100nm。
优选地，所述电子注入层的材质为碳酸铯（Cs2CO3）、氟化铯（CsF）、叠氮铯（CsN3）和氟化锂（LiF）中的一种，厚度为0.5～10nm，更优选地，所述电子注入层的材质为LiF，厚度为1nm。
本发明有机电致发光器件中的复合阴极由依次层叠的金属掺杂层、电子传输材料层和酞菁类物质掺杂层组成；所述金属掺杂层的材质为金属单质和硅化合物形成的混合材料，金属单质起到光透过的作用，而硅化合物是微粒状，掺杂到金属单质中去，使金属掺杂层存在这种微球结构，使光透过金属掺杂层时，产生散射，从而减少向两侧发射的光；电子传输材料层可以提高电子传输速率；所述酞菁类物质掺杂层的材质为酞菁类物质和金属单质形成的混合材料，利用酞菁金属化合物结晶后形成晶体结构，链段排列规整，对光有散射作用，同时，加入金属单质对光进行反射，使光反射回到器件的底部，提高器件的发光效率。
第二方面，本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）提供所需尺寸的导电阳极玻璃基底，清洗后干燥；在导电阳极玻璃基底上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；
（2）在电子注入层上制备复合阴极，所述复合阴极由依次层叠的金属掺杂层、电子传输材料层和酞菁类物质掺杂层组成；
将金属单质和硅化合物以质量比1:0.01～1:0.2混合形成混合材料，然后将混合材料电子束蒸镀在电子注入层上，得到所述金属掺杂层，所述硅化合物为SiO、SiO2和Na2SiO3中的一种，金属单质为Ag、Al、Pt和Au中的一种，所述电子束蒸镀的能量密度为10～l00W/cm2；
在金属掺杂层上采用热阻蒸镀的方法制备电子传输材料层，所述电子传输材料层的材质为Bphen、TAZ和TPBI中的一种；所述蒸镀压强为5×10-5Pa～2×10-3Pa，蒸镀速率为0.1～1nm/s；
将所述酞菁类物质和金属单质以质量比1:0.1～1:0.3混合形成混合材料，在所述电子传输材料层上热阻蒸镀所述混合材料，得到所述酞菁类物质掺杂层，所述酞菁类化合物为CuPc、ZnPc、MgPc和VPc中的一种，金属单质为Ag、Al、Pt和Au中的一种，所述蒸镀压强为5×10-5Pa～2×10-3Pa，蒸镀速率为0.1～1nm/s；得到所述有机电致发光器件。
优选地，所述金属掺杂层的厚度为20～40nm，。
优选地，所述电子传输材料层的厚度为50～200nm。
优选地，所述酞菁类物质掺杂层的厚度为200～500nm。
优选地，所述空穴注入层和电子注入层热阻蒸镀条件均为：压强为5×10-5Pa～2×10-3Pa，蒸镀速率为1～10nm/s。
优选地，所述空穴传输层、电子传输层和发光层的热阻蒸镀条件均为：压强为5×10-5Pa～2×10-3Pa，蒸镀速率为0.1～1nm/s。
优选地，所述提供所需尺寸的导电阳极玻璃基底，具体操作为：将导电阳极玻璃基底进行光刻处理，然后剪裁成所需要的大小。
优选地，所述清洗后干燥的操作为将导电阳极玻璃基底依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后风干。
优选地，所述导电阳极玻璃基底为铟锡氧化物玻璃（ITO）、铝锌氧化物玻璃（AZO）和铟锌氧化物玻璃（IZO），更优选为ITO。
优选地，所述空穴注入层的材质为MoO3、WO3和V2O5中的一种，厚度为20～80nm。更优选地，所述空穴注入层的材质为MoO3，厚度为25nm。
优选地，所述空穴传输层的材质为TAPC、TCTA和NPB中的一种，所述空穴传输层材质厚度为20～60nm，更优选地，所述空穴传输层的材质为NPB，厚度为50nm。
优选地，所述发光层的材质为DCJTB、ADN、BCzVBi和Alq3中的一种，厚度为5～40nm，更优选地，所述发光层的材质为BCzVBi，厚度优选为35nm。
优选地，所述电子传输层的材质为Bphen、TAZ和TPBI中的一种，厚度为40～300nm，更优选地，所述电子传输层的材质为TAZ，厚度为100nm。
优选地，所述电子注入层的材质为Cs2CO3、CsF、CsN3和LiF中的一种，厚度为0.5～10nm，更优选地，所述电子注入层的材质为LiF，厚度为1nm。
本发明有机电致发光器件中的复合阴极由依次层叠的金属掺杂层、电子传输材料层和酞菁类物质掺杂层组成；所述金属掺杂层的材质为金属单质和硅化合物形成的混合材料，金属单质起到光透过的作用，而硅化合物是微粒状，掺杂到金属单质中去，使金属掺杂层存在这种微球结构，使光透过金属掺杂层时，产生散射，从而减少向两侧发射的光；电子传输材料层可以提高电子传输速率；所述酞菁类物质掺杂层的材质为酞菁类化合物和金属单质形成的混合材料，利用酞菁金属化合物结晶后形成晶体结构，链段排列规整，对光有散射作用，同时，加入金属单质对光进行反射，使光反射回到器件的底部，提高器件的发光效率。
实施本发明实施例，具有以下有益效果：
（1）本发明提供的复合阴极由依次层叠的依次层叠的金属掺杂层、电子传输材料层和酞菁类物质掺杂层组成，提高了器件的导电性能和发光效率；
（2）本发明提供的复合阴极的制备方法，工艺简单，成本低。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例1提供的有机电致发光器件的结构示意图；
图2是本发明实施例1与对比实施例有机电致发光器件的电流密度与电流效率关系图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述。
实施例1
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）先将ITO玻璃基底进行光刻处理，然后剪裁成2×2cm2的正方形尺寸，然后依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后风干；然后在阳极上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；其中，
空穴注入层的材质为MoO3，蒸镀时采用的压强8×10-5Pa，蒸镀速率为3nm/s，蒸镀厚度为25nm；
空穴传输层的材质为NPB，蒸镀时采用的压强为8×10-5Pa，蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀厚度为50nm；
发光层的材质为BCzVBi，蒸镀时采用的压强为8×10-5Pa，蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀厚度为35nm；
电子传输层的材质为TAZ，蒸镀时采用的压强为8×10-5Pa，蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀厚度为100nm；
电子注入层的材质为LiF，蒸镀时采用的压强为8×10-5Pa，蒸镀速率为3nm/s，蒸镀厚度为1nm；
（2）制备复合阴极；
将Ag和SiO以质量比1:0.05混合形成混合材料，在电子注入层上电子束蒸镀混合材料，得到厚度为25nm的金属掺杂层；电子束蒸镀的能量密度为25W/cm2；
在金属掺杂层上热阻蒸镀TAZ，得到厚度为150nm的电子传输材料层，蒸镀时采用的压强为8×10-5Pa，蒸镀速率为0.2nm/s；
将CuPc与Ag以质量比1:0.15混合形成的混合材料，在电子传输材料层上热阻蒸镀混合材料，得到厚度为300nm的金属单质层；蒸镀时采用的压强为8×10-5Pa，蒸镀速率为3nm/s，得到有机电致发光器件。
图1为本实施例制备的有机电致发光器件的结构示意图，如图1所示，本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底1、空穴注入层2、空穴传输层3、发光层4、电子传输层5、电子注入层6和复合阴极7，复合阴极7由依次层叠的金属掺杂层71、电子传输材料层72和酞菁类物质掺杂层73组成。具体结构表示为：
ITO玻璃/MoO3/NPB/BCzVBi/TAZ/LiF/Ag:SiO（1:0.05）/TAZ/CuPc:Ag（1:0.15），其中，斜杠“/”表示依次层叠，Ag:SiO和CuPc:Ag中的冒号“：”表示混合，1:0.05和1:0.15表示前者和后者的质量比，后面实施例中各个符号表示的意义相同。
实施例2
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）先将AZO玻璃基底进行光刻处理，然后剪裁成2×2cm2的正方形尺寸，然后依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后风干；然后在阳极上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；其中，
空穴注入层的材质为WO3，蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为10nm/s，蒸镀厚度为80nm；
空穴传输层的材质为NPB，蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为60nm；
发光层的材质为ADN，蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为5nm；
电子传输层的材质为TPBi，蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为10nm/s，蒸镀厚度为300nm；
电子注入层的材质为CsN3，蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为10nm；
（2）制备复合阴极；
将Al和SiO2以质量比1:0.01混合形成混合材料，在电子注入层上电子束蒸镀混合材料，得到厚度为20nm的金属掺杂层；电子束蒸镀的能量密度为10W/cm2;
在金属掺杂层上热阻蒸镀TPBi，得到厚度为200nm的电子传输材料层，蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为0.1nm/s；
将ZnPc和Al以质量比1:0.1混合形成的混合材料，在电子传输材料层上热阻蒸镀混合材料，得到厚度为200nm的金属单质层；蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为0.1nm/s，得到有机电致发光器件。
本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极，复合阴极由层叠的金属掺杂层、电子传输材料层和酞菁类物质掺杂层组成。具体结构表示为：
AZO玻璃/WO3/NPB/ADN/TPBi/CsN3/Al:SiO2（1:0.01）/TPBi/ZnPc:Al（1:0.1）。
实施例3
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）先将IZO玻璃基底进行光刻处理，然后剪裁成2×2cm2的正方形尺寸，然后依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后风干；然后在阳极上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；其中，
空穴注入层的材质为V2O5，蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为1nm/s，蒸镀厚度为20nm；
空穴传输层的材质为TAPC，蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为1nm/s，蒸镀厚度为20nm；
发光层的材质为Alq3，蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为1nm/s，蒸镀厚度为40nm；
电子传输层的材质为TAZ，蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为1nm/s，蒸镀厚度为60nm；
电子注入层的材质为Cs2CO3，蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为1nm/s，蒸镀厚度为0.5nm；
（2）制备复合阴极；
将Pt和Na2SiO3以质量比1:0.2混合形成混合材料，在电子注入层上电子束蒸镀混合材料，得到厚度为40nm的金属掺杂层；电子束蒸镀的能量密度为100W/cm2；
在金属掺杂层上热阻蒸镀Bphen，得到厚度为50nm的电子传输材料层，蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为1nm/s；
将MgPc和Au以质量比1:0.3混合形成混合材料，在电子传输材料层上热阻蒸镀混合材料，得到厚度为500nm的金属单质层；蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为1nm/s，得到有机电致发光器件。
本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极，复合阴极由依次层叠的金属掺杂层、电子传输材料层和酞菁类物质掺杂层组成。具体结构表示为：
IZO玻璃/V2O5/TAPC/Alq3/TAZ/Cs2CO3/Pt:Na2SiO3（1:0.2）/Bphen/MgPc:Au（1:0.3）。
实施例4
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）先将IZO玻璃基底进行光刻处理，然后剪裁成2×2cm2的正方形尺寸，然后依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后风干；然后在阳极上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；其中，
空穴注入层的材质为TCTA，蒸镀时采用的压强为5×10-4Pa，蒸镀速率为5nm/s，蒸镀厚度为50nm；
空穴传输层的材质为DCJTB，蒸镀时采用的压强为5×10-4Pa，蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀厚度为5nm；
发光层的材质为DCJTB，蒸镀时采用的压强为5×10-4Pa，蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀厚度为5nm；
电子传输层的材质为Bphen，蒸镀时采用的压强为5×10-4Pa，蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀厚度为40nm；
电子注入层的材质为CsF，蒸镀时采用的压强为5×10-4Pa，蒸镀速率为5nm/s，蒸镀厚度为1nm；
（2）制备复合阴极；
将Au与SiO2以质量比1:0.1混合形成混合材料，在电子注入层上电子束蒸镀混合材料，得到厚度为28nm的金属掺杂层；电子束蒸镀的能量密度为50W/cm2；
在金属掺杂层上热阻蒸镀TAZ，得到厚度为100nm的电子传输材料层，蒸镀时采用的压强为5×10-4Pa，蒸镀速率为0.2nm/s；
将VPc与Pt以质量比1:0.25混合形成混合材料，在电子传输材料层上热阻蒸镀混合材料，得到厚度为350nm的金属单质层；蒸镀时采用的压强为5×10-4Pa，蒸镀速率为0.2nm/s，得到有机电致发光器件。
本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极，复合阴极由依次层叠的金属掺杂层、电子传输材料层和酞菁类物质掺杂层组成。具体结构表示为：
IZO玻璃/WO3/TCTA/DCJTB/Bphen/CsF/Au:SiO2（1:0.1）/TAZ/VPc:Pt（1:0.25）。
对比实施例
为体现为本发明的创造性，本发明还设置了对比实施例，对比实施例与实施例1的区别在于对比实施例中的阴极为金属单质银（Ag），厚度为150nm，对比实施例有机电致发光器件的具体结构为ITO玻璃/MoO3/NPB/BCzVBi/TAZ/LiF/Ag，分别对应导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。
效果实施例
采用美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪测试电致发光光谱，美国吉时利公司的电流-电压测试仪Keithley2400测试电学性能，日本柯尼卡美能达公司的CS-100A色度计测试亮度和色度，得到有机电致发光器件的电流效率随电流密度变化曲线，以考察器件的发光效率，测试对象为实施例1与对比实施例制备的有机电致发光器件。测试结果如图2所示。
图2是本发明实施例1与对比实施例有机电致发光器件的电流效率与电流密度的关系图。从图2可以看到，在不同电流密度下，实施例1的电流效率都比对比例的要大，实施例1的最大的电流效率为9.21cd/A，而对比例的仅为5.91cd/A，这说明，实施例1中的复合阴极中，金属掺杂层由金属与硅化合物掺杂而成，使光透过掺杂层时产生散射；电子传输材料层提高电子传输速率，酞菁类化合物掺杂层中利用酞菁金属化合物结晶后形成晶体结构，对光有散射作用，金属材料对光进行反射，使光反射回到器件的底部，这种复合阴极可有效提高器件发光效率。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极，其特征在于，所述复合阴极由依次层叠的金属掺杂层、电子传输材料层和酞菁类物质掺杂层组成，所述金属掺杂层的材质为金属单质和硅化合物以质量比1:0.01～1:0.2混合形成的混合材料，所述硅化合物为一氧化硅、二氧化硅和硅酸钠中的一种，所述电子传输材料层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑和N-芳基苯并咪唑中的一种，所述酞菁类物质掺杂层的材质为酞菁类物质和金属单质以质量比1:0.1～1:0.3形成的混合材料，所述酞菁类物质为酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁和酞菁钒中的一种，所述金属单质为银、铝、铂和金中的一种。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属掺杂层的厚度为20～40nm。
3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输材料层的厚度为50～200nm。
4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述酞菁类物质掺杂层的厚度为200～500nm。
5.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下操作步骤：
（1）提供所需尺寸的导电阳极玻璃基底，清洗后干燥；在导电阳极玻璃基底上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；
（2）在电子注入层上制备复合阴极，所述复合阴极由依次层叠的金属掺杂层、电子传输材料层和酞菁类物质掺杂层组成；
将金属单质和硅化合物以质量比1:0.01～1:0.2混合形成混合材料，然后将混合材料电子束蒸镀在电子注入层上，得到所述金属掺杂层，所述硅化合物为一氧化硅、二氧化硅和硅酸钠中的一种，所述金属单质为银、铝、铂和金中的一种，所述电子束蒸镀的能量密度为10～l00W/cm2；
在金属掺杂层上采用热阻蒸镀的方法制备电子传输材料层，所述电子传输材料层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑和N-芳基苯并咪唑中的一种；所述蒸镀压强为5×10-5Pa～2×10-3Pa，蒸镀速率为0.1～1nm/s；
将所述酞菁类物质和金属单质以质量比1:0.1～1:0.3混合形成混合材料，在所述电子传输材料层上热阻蒸镀所述混合材料，得到所述酞菁类物质掺杂层，所述酞菁类物质为酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁和酞菁钒中的一种，所述金属单质为银、铝、铂和金中的一种；所述蒸镀压强为5×10-5Pa～2×10-3Pa，蒸镀速率为0.1～1nm/s；得到所述有机电致发光器件。
6.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述金属掺杂层的厚度为20～40nm。
7.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述电子传输材料层的厚度为50～200nm。
8.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述酞菁类物质掺杂层的厚度为200～500nm。
9.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述空穴注入层和电子注入层热阻蒸镀条件均为：压强为5×10-5Pa～2×10-3Pa，蒸镀速率为1～10nm/s。
10.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层、电子传输层和发光层的热阻蒸镀条件均为：压强为5×10-5Pa～2×10-3Pa，蒸镀速率为0.1～1nm/s。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310143978.9A CN104124373A (zh) | 2013-04-24 | 2013-04-24 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310143978.9A CN104124373A (zh) | 2013-04-24 | 2013-04-24 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104124373A true CN104124373A (zh) | 2014-10-29 |
Family
ID=51769714
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310143978.9A Pending CN104124373A (zh) | 2013-04-24 | 2013-04-24 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104124373A (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2013
- 2013-04-24 CN CN201310143978.9A patent/CN104124373A/zh active Pending
Patent Citations (6)
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