CN104124342A - 一种有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

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CN104124342A CN201310143958.1A CN201310143958A CN104124342A CN 104124342 A CN104124342 A CN 104124342A CN 201310143958 A CN201310143958 A CN 201310143958A CN 104124342 A CN104124342 A CN 104124342A
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黄辉
张振华
王平
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Shenzhen Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
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Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
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Abstract

本发明公开了一种有机电致发光器件及其制备方法，所述有机电致发光器件包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极，所述复合阴极由依次层叠的金属掺杂层、金属酞菁类化合物层和金属硫化物层组成；所述金属掺杂层的材质为金属单质和钠盐形成的混合材料，金属单质起到光透过的作用，钠盐功函数较低，提高了电子的注入能力；金属酞菁类化合物层材料易结晶，结晶后形成有序的晶体结构，使光进行散射；金属硫化物可对光进行反射，同时，反射回去的光与向顶部出射的光相遇，形成光的干涉加强，从而提高底发射的发光强度，这种复合阴极可有效提高发光效率。

Description

一种有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及有机电致发光领域，特别涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
1987年，美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件（OLED）。10V下亮度达到1000cd/m2，其发光效率为1.51lm/W，寿命大于100小时。
OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道（LUMO），而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道（HOMO）。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。
在传统的发光器件中，器件内部的光只有18%左右是可以发射到外部去的，而其他的部分会以其他形式消耗在器件外部，界面之间存在折射率的差（如玻璃与ITO之间的折射率之差，玻璃折射率为1.5，ITO为1.8，光从ITO到达玻璃，就会发生全反射），引起了全反射的损失，从而导致整体出光性能较低。因此，有必要提高OLED的发光效率。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法，所述有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极，所述复合阴极由依次层叠的金属掺杂层、金属酞菁类化合物层和金属硫化物层组成，本发明提高了器件的导电能力和发光效率。
第一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极，所述复合阴极由依次层叠的金属掺杂层、金属酞菁类化合物层和金属硫化物层组成，所述金属掺杂层的材质为金属单质和钠盐以质量比1:0.01～1:0.1混合形成的混合材料，所述金属单质为银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）和金（Au）中的一种，所述钠盐为碳酸钠（Na2CO3）、氯化钠（NaCl）和溴化钠（NaBr）中的一种；所述金属酞菁类化合物层的材质为酞菁铜（CuPc）、酞菁锌（ZnPc）、酞菁镁（MgPc）和酞菁钒（VPc）中的一种；所述金属硫化物层的材质为硫化锌（ZnS）、硫化镉（CdS）、硫化镁（MgS）和硫化铜（CuS）中的一种。
优选地，所述金属掺杂层的厚度为10～40nm。
优选地，所述金属酞菁类化合物层的厚度为80～200nm。
优选地，所述金属硫化物层的厚度为200～300nm。
优选地，所述导电阳极玻璃基底为铟锡氧化物玻璃（ITO）、铝锌氧化物玻璃（AZO）和铟锌氧化物玻璃（IZO）中的一种，更优选为ITO。
优选地，所述空穴注入层的材质为三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）和五氧化二钒（V2O5）中的一种，厚度为20～80nm。更优选地，所述空穴注入层的材质为WO3，厚度为30nm。
优选地，所述空穴传输层的材质为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）和N,N’-（1-萘基）-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB）中的一种，所述空穴传输层的厚度为20～60nm，更优选地，所述空穴传输层的材质为TCTA，厚度为40nm。
优选地，所述发光层的材质为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCzVBi）和8-羟基喹啉铝（Alq3）中的一种，厚度为5～40nm，更优选地，所述发光层的材质为Alq3，厚度为25nm。
优选地，所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑（TAZ）和N-芳基苯并咪唑（TPBI）中的一种，厚度为40～300nm，更优选地，所述电子传输层的材质为TAZ，厚度为220nm。
优选地，所述电子注入层的材质为碳酸铯（Cs2CO3）、氟化铯（CsF）、叠氮铯（CsN3）和氟化锂（LiF）中的一种，厚度为0.5～10nm，更优选地，所述电子注入层的材质为LiF，厚度为0.7nm。
本发明有机电致发光器件中的复合阴极由依次层叠的金属掺杂层、金属酞菁类化合物层和金属硫化物层组成；金属掺杂层材质为钠盐与金属单质形成的混合材料，钠盐功函数较低，掺杂后可使金属掺杂层的功函数降低，提高了电子的注入能力，同时，钠盐的蒸镀温度为800～1000℃，适合真空蒸镀，且在空气中比较稳定，可提高器件的稳定性，而金属单质可增加器件的导电性，同时，金属单质薄膜成膜性较好，可提高膜的平整度，降低粗糙度，金属单质的光透过性较大，可很好的提高光的透过率；金属酞菁类化合物层材料易结晶，结晶后形成有序的晶体结构，并使膜层表面形成波纹状结构，使光进行散射，避免向器件两侧发射，提高出光效率；金属硫化物层对光进行反射，同时，反射回去的光与向顶部出射的光相遇，形成光的干涉加强，从而提高底发射的发光强度，这种复合阴极可有效提高发光效率。
第二方面，本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）提供所需尺寸的导电阳极玻璃基底，清洗后干燥；在导电阳极玻璃基底上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；
（2）在电子注入层上制备复合阴极，所述复合阴极由依次层叠的金属掺杂层、金属酞菁类化合物层和金属硫化物层组成；
将金属单质和钠盐以质量比1:0.01～1:0.1混合形成的混合材料，然后将混合材料采用热阻蒸镀在电子注入层上，得到所述金属掺杂层，所述金属单质为Ag、Al、Pt和Au中的一种；所述钠盐为Na2CO3、NaCl和NaBr中的一种；所述蒸镀压强为5×10-5Pa～2×10-3Pa，蒸镀速率为1～10nm/s；
在金属掺杂层上采用热阻蒸镀的方法制备金属酞菁类化合物层，所述金属酞菁类化合物层的材质为CuPc、ZnPc、MgPc和VPc中的一种，所述蒸镀压强为5×10-5Pa～2×10-3Pa，蒸镀速率为0.1～1nm/s；
在金属酞菁类化合物层采用热阻蒸镀的方法制备金属硫化物层，所述金属硫化物层的材质为ZnS、CdS、MgS和CuS中的一种；所述蒸镀压强为5×10-5Pa～2×10-3Pa，蒸镀速率为1～10nm/s；得到所述有机电致发光器件。
优选地，所述金属掺杂层的厚度为10～40nm。
优选地，所述金属酞菁类化合物层的厚度为80～200nm。
优选地，所述金属硫化物层的厚度为200～300nm。
优选地，所述空穴注入层和电子注入层的热阻蒸镀条件均为：压强为5×10-5Pa～2×10-3Pa，蒸镀速率为1～10nm/s。
优选地，所述空穴传输层、电子传输层和发光层的热阻蒸镀条件均为：压强为5×10-5Pa～2×10-3Pa，蒸镀速率为0.1～1nm/s。
优选地，所述提供所需尺寸的导电阳极玻璃基底，具体操作为：将导电阳极玻璃基底进行光刻处理，然后剪裁成所需要的大小。
优选地，所述清洗后干燥的操作为将导电阳极玻璃基底依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后风干。
优选地，所述导电阳极基底为铟锡氧化物玻璃（ITO）、铝锌氧化物玻璃（AZO）和铟锌氧化物玻璃（IZO）中的一种，更优选为ITO。
优选地，所述空穴注入层的材质为MoO3、WO3和V2O5中的一种，厚度为20～80nm。更优选地，所述空穴注入层的材质为WO3，厚度为30nm。
优选地，所述空穴传输层的材质为TAPC、TCTA和NPB中的一种，所述空穴传输层材质厚度为20～60nm，更优选地，所述空穴传输层的材质为TCTA，厚度为40nm。
优选地，所述发光层的材质为DCJTB、ADN、BCzVBi和Alq3中的一种，厚度为5～40nm，更优选地，所述发光层的材质为Alq3，厚度优选为25nm。
优选地，所述电子传输层的材质为Bphen、TAZ和TPBI中的一种，厚度为40～300nm，更优选地，所述电子传输层的材质为TAZ，厚度为220nm。
优选地，所述电子注入层的材质为Cs2CO3、CsF、CsN3和LiF中的一种，厚度为0.5～10nm，更优选地，所述电子注入层的材质为LiF，厚度为0.7nm。
本发明有机电致发光器件中的复合阴极由依次层叠的金属掺杂层、金属酞菁类化合物层和金属硫化物层组成；金属掺杂层材质为钠盐与金属单质形成的混合材料，钠盐功函数较低，掺杂后可使金属掺杂层的功函数降低，提高了电子的注入能力，同时，钠盐的蒸镀温度为800～1000℃，适合真空蒸镀，且在空气中比较稳定，可提高器件的稳定性，而金属单质可增加器件的导电性，同时，金属单质薄膜成膜性较好，可提高膜的平整度，降低粗糙度，同时，金属单质的光透过性较大，可很好的提高光的透过率；金属酞菁类化合物层材料易结晶，结晶后形成有序的晶体结构，并使膜层表面形成波纹状结构，使光进行散射，避免向器件两侧发射，提高出光效率；金属硫化物层可对光进行反射，同时，反射回去的光与向顶部出射的光相遇，形成光的干涉加强，从而提高底发射的发光强度，这种复合阴极可有效提高器件发光效率。
实施本发明实施例，具有以下有益效果：
（1）本发明提供的复合阴极由依次层叠的金属掺杂层、金属酞菁类化合物层和金属硫化物层组成，提高了器件的导电性能和发光效率；
（2）本发明提供的复合阴极的制备方法，工艺简单，成本低。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例1提供的有机电致发光器件的结构示意图；
图2是本发明实施例1与对比实施例有机电致发光器件的电流密度与流明效率关系图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述。
实施例1
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）先将ITO玻璃基底进行光刻处理，然后剪裁成2×2cm2的正方形尺寸，然后依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后风干；然后在阳极上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；其中，
空穴注入层的材质为WO3，蒸镀时采用的压强8×10-5Pa，蒸镀速率为3nm/s，蒸镀厚度为30nm；
空穴传输层的材质为TCTA，蒸镀时采用的压强为8×10-5Pa，蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀厚度为40nm；
发光层的材质为Alq3，蒸镀时采用的压强为8×10-5Pa，蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀厚度为25nm；
电子传输层的材质为TAZ，蒸镀时采用的压强为8×10-5Pa，蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀厚度为220nm；
电子注入层的材质为LiF，蒸镀时采用的压强为8×10-5Pa，蒸镀速率为3nm/s，蒸镀厚度为0.7nm；
（2）制备复合阴极；
将Ag和Na2CO3以质量比1:0.02混合形成混合材料，在电子注入层上热阻蒸镀混合材料，得到厚度为25nm的金属掺杂层；蒸镀时采用的压强为8×10-5Pa，蒸镀速率为3nm/s；
在金属掺杂层上热阻蒸镀CuPc，得到厚度为100nm的金属酞菁类化合物层，蒸镀时采用的压强为8×10-5Pa，蒸镀速率为0.2nm/s；
在金属酞菁类化合物层上热阻蒸镀ZnS，得到厚度为220nm的金属硫化物层；蒸镀时采用的压强为8×10-5Pa，蒸镀速率为3nm/s，得到有机电致发光器件。
图1为本实施例制备的有机电致发光器件的结构示意图，如图1所示，本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底1、空穴注入层2、空穴传输层3、发光层4、电子传输层5、电子注入层6和复合阴极7，复合阴极7由依次层叠的金属掺杂层71、金属酞菁类化合物层72和金属硫化物层73组成。具体结构表示为：
ITO玻璃/WO3/TCTA/Alq3/TAZ/LiF/Ag:Na2CO3(1:0.02)/CuPc/ZnS，其中，斜杠“/”表示依次层叠，Ag:Na2CO3中的冒号“：”表示混合，1:0.02表示前者和后者的质量比，后面实施例中各个符号表示的意义相同。
实施例2
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）先将AZO玻璃基底进行光刻处理，然后剪裁成2×2cm2的正方形尺寸，然后依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后风干；然后在阳极上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；其中，
空穴注入层的材质为WO3，蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为10nm/s，蒸镀厚度为80nm；
空穴传输层的材质为NPB，蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为60nm；
发光层的材质为ADN，蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为5nm；
电子传输层的材质为Bphen，蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为10nm/s，蒸镀厚度为300nm；
电子注入层的材质为CsF，蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为10nm；
（2）制备复合阴极；
将Al与NaCl以质量比1:0.01混合形成混合材料，在电子注入层上热阻蒸镀混合材料，得到厚度为15nm的金属掺杂层；蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为10nm/s；
在金属掺杂层上热阻蒸镀ZnPc，得到厚度为200nm的金属酞菁类化合物层，蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为0.1nm/s；
在金属酞菁类化合物层上热阻蒸镀CdS，得到厚度为200nm的金属硫化物层；蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为10nm/s，得到有机电致发光器件。
本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极，复合阴极由层叠的金属掺杂层、金属酞菁类化合物层和金属硫化物层组成。具体结构表示为：
AZO玻璃/WO3/NPB/ADN/Bphen/CsF/Al:NaCl(1:0.01)/ZnPc/CdS。
实施例3
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）先将IZO玻璃基底进行光刻处理，然后剪裁成2×2cm2的正方形尺寸，然后依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后风干；然后在阳极上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；其中，
空穴注入层的材质为V2O5，蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为1nm/s，蒸镀厚度为20nm；
空穴传输层的材质为TAPC，蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为1nm/s，蒸镀厚度为20nm；
发光层的材质为BCzVBi，蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为1nm/s，蒸镀厚度为40nm；
电子传输层的材质为TPBi，蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为1nm/s，蒸镀厚度为60nm；
电子注入层的材质为Cs2CO3，蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为1nm/s，蒸镀厚度为0.5nm；
（2）制备复合阴极；
将Pt与NaBr以质量比1:0.1混合形成混合材料，在电子注入层上热阻蒸镀混合材料，得到厚度为40nm的金属掺杂层；蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为1nm/s；
在金属掺杂层上热阻蒸镀MgPc，得到厚度为80nm的金属酞菁类化合物层，蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为1nm/s；
在金属酞菁类化合物层上热阻蒸镀MgS，得到厚度为300nm的金属硫化物层；蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为1nm/s，得到有机电致发光器件。
本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极，复合阴极由依次层叠的金属掺杂层、金属酞菁类化合物层和金属硫化物层组成。具体结构表示为：
IZO玻璃/V2O5/TAPC/BCzVBi/TPBi/Cs2CO3/Pt:NaBr(1:0.1)/MgPc/MgS。
实施例4
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）先将IZO玻璃基底进行光刻处理，然后剪裁成2×2cm2的正方形尺寸，然后依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后风干；然后在阳极上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；其中，
空穴注入层的材质为MoO3，蒸镀时采用的压强为5×10-4Pa，蒸镀速率为5nm/s，蒸镀厚度为30nm；
空穴传输层的材质为TCTA，蒸镀时采用的压强为5×10-4Pa，蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀厚度为50nm；
发光层的材质为DCJTB，蒸镀时采用的压强为5×10-4Pa，蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀厚度为5nm；
电子传输层的材质为TAZ，蒸镀时采用的压强为5×10-4Pa，蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀厚度为40nm；
电子注入层的材质为CsN3，蒸镀时采用的压强为5×10-4Pa，蒸镀速率为5nm/s，蒸镀厚度为1nm；
（2）制备复合阴极；
将Au与Na2CO3以质量比1:0.05混合形成混合材料，在电子注入层上热阻蒸镀混合材料，得到厚度为15nm的金属掺杂层；蒸镀时采用的压强为5×10-4Pa，蒸镀速率为5nm/s；
在金属掺杂层上热阻蒸镀VPc，得到厚度为180nm的金属酞菁类化合物层，蒸镀时采用的压强为5×10-4Pa，蒸镀速率为0.2nm/s；
在金属酞菁类化合物层上热阻蒸镀CuS，得到厚度为250nm的金属单质层；蒸镀时采用的压强为5×10-4Pa，蒸镀速率为5nm/s，得到有机电致发光器件。
本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极，复合阴极由依次层叠的金属掺杂层、金属酞菁类化合物层和金属硫化物层组成。具体结构表示为：
IZO玻璃/MoO3/TCTA/DCJTB/TAZ/CsN3/Au:Na2CO3(1:0.05)/VPc/CuS。
对比实施例
为体现为本发明的创造性，本发明还设置了对比实施例，对比实施例与实施例1的区别在于对比实施例中的阴极为金属单质银（Ag），厚度为120nm，对比实施例有机电致发光器件的具体结构为ITO玻璃/WO3/TCTA/Alq3/TAZ/LiF/Ag，分别对应导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。
效果实施例
采用美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪测试电致发光光谱，美国吉时利公司的电流-电压测试仪Keithley2400测试电学性能，日本柯尼卡美能达公司的CS-100A色度计测试亮度和色度，得到有机电致发光器件的流明效率随电流密度变化曲线，以考察器件的发光效率，测试对象为实施例1与对比实施例制备的有机电致发光器件。测试结果如图2所示。
图2是本发明实施例1与对比实施例有机电致发光器件的流明效率与电流密度的关系图。从图2可以看到，在不同电流密度下，实施例1的流明效率都比对比例的要大，实施例1的最大的流明效率为9.41lm/W，而对比例的仅为5.27lm/W，同时，随着电流密度的增加，对比例的流明效率衰减的比较快，而实施例1的衰减较慢。这说明，制备复合阴极，提高了电子的注入能力，增加器件的导电性，提高膜的平整度，使膜层表面形成波纹状结构，提高出光效率，使反射回去的光与向顶部出射的光相遇，形成光的干涉加强，从而提高底发射的发光强度，这种复合阴极可有效提高器件发光效率。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极，其特征在于，所述复合阴极由依次层叠的金属掺杂层、金属酞菁类化合物层和金属硫化物层组成，所述金属掺杂层的材质为金属单质和钠盐以质量比1:0.01～1:0.1混合形成的混合材料，所述金属单质为银、铝、铂和金中的一种，所述钠盐为碳酸钠、氯化钠和溴化钠中的一种；所述金属酞菁类化合物层的材质为酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁和酞菁钒中的一种；所述金属硫化物层的材质为硫化锌、硫化镉、硫化镁和硫化铜中的一种。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属掺杂层的厚度为10～40nm。
3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属酞菁类化合物层的厚度为80～200nm。
4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属硫化物层的厚度为200～300nm。
5.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下操作步骤：
（1）提供所需尺寸的导电阳极玻璃基底，清洗后干燥；在导电阳极玻璃基底上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；
（2）在电子注入层上制备复合阴极，所述复合阴极由依次层叠的金属掺杂层、金属酞菁类化合物层和金属硫化物层组成；
将金属单质和钠盐以质量比1:0.01～1:0.1混合形成混合材料，然后将混合材料热阻蒸镀在电子注入层上，得到所述金属掺杂层，所述金属单质为银、铝、铂和金中的一种，所述钠盐为碳酸钠、氯化钠和溴化钠中的一种；所述蒸镀压强为5×10-5Pa～2×10-3Pa，蒸镀速率为1～10nm/s；
在金属掺杂层上采用热阻蒸镀的方法制备金属酞菁类化合物层，所述金属酞菁类化合物层的材质为酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁和酞菁钒中的一种，所述蒸镀压强为5×10-5Pa～2×10-3Pa，蒸镀速率为0.1～1nm/s；
在金属酞菁类化合物层上采用热阻蒸镀的方法制备金属硫化物层，所述金属硫化物层的材质为硫化锌、硫化镉、硫化镁和硫化铜中的一种；所述蒸镀压强为5×10-5Pa～2×10-3Pa，蒸镀速率为1～10nm/s；得到所述有机电致发光器件。
6.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述金属掺杂层的厚度为10～40nm。
7.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述金属酞菁类化合物层的厚度为80～200nm。
8.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述金属硫化物层的厚度为200～300nm。
9.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述空穴注入层和电子注入层的热阻蒸镀条件均为：压强为5×10-5Pa～2×10-3Pa，蒸镀速率为1～10nm/s。
10.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层、电子传输层和发光层的热阻蒸镀条件均为：压强为5×10-5Pa～2×10-3Pa，蒸镀速率为0.1～1nm/s。
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