CN104124362A - 一种有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

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CN104124362A CN201310143933.1A CN201310143933A CN104124362A CN 104124362 A CN104124362 A CN 104124362A CN 201310143933 A CN201310143933 A CN 201310143933A CN 104124362 A CN104124362 A CN 104124362A
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周明杰
黄辉
张振华
王平
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Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
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Abstract

本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极层，复合阴极层包括依次叠层设置的掺杂层、二氧化钛层和钝化层，掺杂层的材料为金属硫化物与金属，以及金属酞菁化合物混合形成的混合材料，金属硫化物为硫化锌、硫化镉、硫化镁或硫化铜，金属为银、铝、铂或金，金属酞菁化合物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁钒或酞菁镁；钝化层的材料为二氧化硅、氧化铝或氧化铜。该有机电致发光器件的复合阴极层能使光进行散射后回到器件底部，从而提高器件发光效率。本发明还提供了该有机电致发光器件的制备方法。

Description

一种有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及有机电致发光器件，具体涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
1987年，美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件（OLED）。在该双层结构的器件中，10V下亮度达到1000cd/m2，其发光效率为1.51lm/W、寿命大于100小时。
在传统的发光器件中，器件内部的光只有18%左右是可以发射到器件外部，而其他的部分会以其他形式消耗在器件外部，这是由于界面之间存在折射率的差（如玻璃与ITO之间的折射率之差，玻璃折射率为1.5，ITO为1.8，光从ITO到达玻璃，就会发生全反射），引起了全反射的损失，从而导致发光器件的整体出光性能较低。
发明内容
为克服上述现有技术的缺陷，本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法。通过在电子注入层上制备复合阴极层，提高了有机电致发光器件的发光效率。
一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极层，所述复合阴极层包括依次叠层设置的掺杂层、二氧化钛层和钝化层，
所述掺杂层的材料为金属硫化物与金属，以及金属酞菁化合物混合形成的混合材料，所述金属硫化物为硫化锌（ZnS）、硫化镉（CdS）、硫化镁（MgS）或硫化铜（CuS），所述金属为银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）或金（Au），所述金属酞菁化合物为酞菁铜（CuPc）、酞菁锌（ZnPc）、酞菁钒（VPc）或酞菁镁（MgPc）；所述钝化层的材料为二氧化硅（SiO2）、氧化铝（Al2O3）或氧化铜（CuO）。
优选地，所述掺杂层中，所述金属硫化物与金属，以及金属酞菁化合物的质量比为1:1:1～5。
优选地，所述掺杂层的厚度为100～300nm。
优选地，所述二氧化钛层的厚度为10～50nm。
优选地，所述钝化层的厚度为200～800nm。
复合阴极层包括依次叠层设置的掺杂层、二氧化钛层和钝化层。在电子注入层之上制备掺杂层，由金属硫化物、金属以及金属酞菁化合物组成，金属硫化物在可见光范围内透过率较高，可有效提高光线的透过率，金属可增加器件的导电性，存在大量的自由电子可提高电子浓度，从而提高激子复合几率，金属酞菁化合物容易结晶，结晶后使链段排列整齐，使膜层表面形成波纹状结构，使垂直发射的光散射，不再垂直，从而避免与金属的自由电子发生耦合（平行的自由电子会与垂直的光子耦合而损耗掉），提高光子利用率；然后制备二氧化钛层，二氧化钛孔径较大，对光具有散射作用，可使向两侧发射的光经过散射回到器件中部，提高正面出光强度；最后制备钝化层，可提高器件的稳定性，有效避免空气中的水氧渗透进器件中，这种复合阴极层最终可有效提高器件的发光效率。
导电阳极基板可以为导电玻璃基板或导电有机聚对苯二甲酸乙二醇酯基板。优选地，导电阳极基板为铟锡氧化物玻璃（ITO）、铝锌氧化物玻璃（AZO）或铟锌氧化物玻璃（IZO）。更优选地，导电阳极基板为铟锡氧化物玻璃。
空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层和发光层的材质不作具体限定，本领域现有材料均适用于本发明。
优选地，空穴注入层的材质为三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）或五氧化二钒（V2O5），空穴注入层的厚度为20～80nm。
更优选地，空穴注入层的材质为三氧化钨，厚度为40nm。
优选地，空穴传输层的材质为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB），厚度为20～60nm。
更优选地，空穴传输层的材质为N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB），厚度为50nm。
优选地，发光层的发光材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCzVBi）或8-羟基喹啉铝（Alq3），厚度为5～40nm。
更优选地，发光层的发光材料为4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCzVBi），厚度为20nm。
优选地，电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物（如TAZ）或N-芳基苯并咪唑（TPBI），厚度为40～300nm。
更优选地，电子传输层的材料为1,2,4-三唑衍生物，厚度为120nm。
优选地，电子注入层的材料为碳酸铯（Cs2CO3）、氟化铯（CsF）、叠氮铯（CsN3）或氟化锂（LiF）；厚度为0.5～10nm。
更优选地，电子注入层的材料为氟化锂（LiF），厚度为1nm。
另一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
在导电阳极基板上依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；
在所述电子注入层上制备复合阴极层：先通过真空蒸镀的方式在所述电子注入层上制备掺杂层，再通过电子束蒸镀的方式在所述掺杂层上制备二氧化钛层，最后通过电子束蒸镀的方式在所述二氧化钛层上制备钝化层，得到有机电致发光器件；
所述掺杂层的材料为金属硫化物与金属，以及金属酞菁化合物混合形成的混合材料，所述金属硫化物为硫化锌、硫化镉、硫化镁或硫化铜，所述金属为银、铝、铂或金，所述金属酞菁化合物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁钒或酞菁镁；所述钝化层的材料为二氧化硅、氧化铝或氧化铜；
所述真空蒸镀过程中，真空度为2×10-3～5×10-5Pa，所述电子束蒸镀的能量密度为10～l00W/cm2，所述掺杂层、二氧化钛层和钝化层的材料蒸镀速率为1～10nm/s。
优选地，所述掺杂层中，所述金属硫化物与金属，以及金属酞菁化合物的质量比为1:1:1～5。
优选地，所述掺杂层的厚度为100～300nm。
优选地，所述二氧化钛层的厚度为10～50nm。
优选地，所述钝化层的厚度为200～800nm。
优选地，二氧化钛的粒径为20～200nm。
导电阳极基板可以为导电玻璃基板或导电有机聚对苯二甲酸乙二醇酯基板。优选地，导电阳极基板为铟锡氧化物玻璃（ITO）、铝锌氧化物玻璃（AZO）或铟锌氧化物玻璃（IZO）。更优选地，导电阳极基板为铟锡氧化物玻璃。
优选地，将阳极基板进行如下清洁处理：依次采用洗洁精、去离子水各超声清洗15分钟，然后再用烘箱烘干待用。
空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层和发光层的材质不作具体限定，本领域现有材料均适用于本发明。空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层和发光层均可采用真空蒸镀的方式制备，其具体操作条件不作特殊限定。
优选地，真空蒸镀的温度为100～500℃，真空度为1×10-3～1×10-5Pa。
优选地，空穴注入层的材质为三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）或五氧化二钒（V2O5），空穴注入层的厚度为20～80nm。
更优选地，空穴注入层的材质为三氧化钼，厚度为30nm。
优选地，空穴传输层的材质为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB），厚度为20～60nm。
更优选地，空穴传输层的材质为N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB），厚度为50nm。
优选地，发光层的发光材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCzVBi）或8-羟基喹啉铝（Alq3），厚度为5～40nm。
更优选地，发光层的发光材料为8-羟基喹啉铝（Alq3），厚度为10nm。
优选地，电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物（如TAZ）或N-芳基苯并咪唑（TPBI），厚度为40～300nm。
更优选地，电子传输层的材料为1,2,4-三唑衍生物，厚度为120nm。
优选地，电子注入层的材料为碳酸铯（Cs2CO3）、氟化铯（CsF）、叠氮铯（CsN3）或氟化锂（LiF）；厚度为0.5～10nm。
更优选地，电子注入层的材料为氟化锂（LiF），厚度为1nm。
本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法具有以下有益效果：
（1）本发明提供的有机电致发光器件，具有复合阴极层结构，复合阴极层包括依次叠层设置的掺杂层、二氧化钛层和钝化层，掺杂层由金属硫化物、金属以及金属酞菁化合物组成，金属硫化物可有效提高光线的透过率，金属可增加器件的导电性，提高电子浓度，金属酞菁化合物容易结晶，结晶后使膜层表面形成波纹状结构，提高光子利用率；二氧化钛层对光具有散射作用，可使向两侧发射的光经过散射回到器件中部，提高正面出光强度；钝化层可提高器件的稳定性，这种复合阴极层最终可有效提高器件的发光效率；
（2）本发明有机电致发光器件的制备工艺简单，易大面积制备，适于工业化大规模使用。
附图说明
图1是本发明实施例1制得的有机电致发光器件的结构示意图；
图2是本发明实施例1与对比实施例制备的有机电致发光器件的电流密度与流明效率的关系图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）将玻璃基底依次用洗洁精，去离子水，超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；
（2）采用真空蒸镀的方法在ITO玻璃基板上依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；
空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为400℃，真空度为1×10-5Pa。其中，空穴注入层的材质为MoO3,厚度为30nm；空穴传输层的材质为NPB,厚度为50nm；发光层的材质为Alq3，发光层厚度为10nm；电子传输层的材料为TAZ，厚度为120nm；电子注入层的材料为LiF，厚度为1nm。
（3）在电子注入层上制备复合阴极层，得到有机电致发光器件；复合阴极层包括依次层叠的掺杂层、二氧化钛层和钝化层；
复合阴极层的制备：先采用真空蒸镀的方式在所述电子注入层上制备一层厚度为180nm的掺杂层，材料为ZnS、Ag与CuPc混合形成的混合材料，表示为（ZnS:Ag:CuPc），ZnS、Ag与CuPc的质量比为1:1:2，蒸镀速率为3nm/s，真空蒸镀过程的真空度为8×10-5Pa；再通过电子束蒸镀的方式在掺杂层上制备一层厚度为40nm的二氧化钛层，材料为粒径100nm的TiO2颗粒，电子束蒸镀的能量密度为50W/cm2，蒸镀速率为3nm/s；最后通过电子束蒸镀的方式在二氧化钛层上制备一层厚度为600nm的钝化层，材料为Al2O3，电子束蒸镀的能量密度为50W/cm2，蒸镀速率为3nm/s。
图1是本发明实施例1制得的有机电致发光器件的结构示意图。如图1所示，本实施例有机电致发光器件，依次包括ITO玻璃基板1、空穴注入层2、空穴传输层3、发光层4、电子传输层5、电子注入层6和复合阴极层7。所述复合阴极层7依次包括一层厚度为180nm的掺杂层71、一层厚度为40nm的二氧化钛层72和一层厚度为600nm的钝化层73。该有机电致发光器件的结构为：ITO玻璃/MoO3/NPB/Alq3/TAZ/LiF/ZnS:Ag:CuPc（1:1:2）/TiO2/Al2O3。其中，斜杠“/”表示层状结构，ZnS:Ag:CuPc中的冒号“：”表示混合，1:1:2表示三者的质量比，后面实施例中各个符合表示的意义相同。
实施例2
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）将玻璃基底依次用洗洁精，去离子水，超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；
（2）采用真空蒸镀的方法在AZO玻璃基板上依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；
空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为400℃，真空度为1×10-5Pa。其中，空穴注入层的材质为MoO3，厚度为80nm；空穴传输层的材质为TCTA，厚度为60nm；发光层的材质为ADN，厚度为5nm；电子传输层的材料为TAZ，厚度为200nm；电子注入层的材料为CsN3，厚度为10nm。
（3）在电子注入层上制备复合阴极层，得到有机电致发光器件；复合阴极层包括依次层叠的掺杂层、二氧化钛层和钝化层；
复合阴极层的制备：先采用真空蒸镀的方式在所述电子注入层上制备一层厚度为100nm的掺杂层，材料为CdS、Al与ZnPc混合形成的混合材料，表示为（CdS:Al:ZnPc），CdS、Al与ZnPc的质量比为1:1:5，蒸镀速率为10nm/s，真空蒸镀过程的真空度为2×10-3Pa；再通过电子束蒸镀的方式在掺杂层上制备一层厚度为10nm的二氧化钛层，材料为粒径200nm的TiO2颗粒，电子束蒸镀的能量密度为10W/cm2，蒸镀速率为10nm/s；最后通过电子束蒸镀的方式在二氧化钛层上制备一层厚度为200nm的钝化层，材料为SiO2，电子束蒸镀的能量密度为10W/cm2，蒸镀速率为10nm/s。
本实施例提供的有机电致发光器件的结构为：AZO玻璃/MoO3/TCTA/ADN/TAZ/CsN3/CdS:Al:ZnPc（1:1:5）/TiO2/SiO2。
实施例3
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）将玻璃基底依次用洗洁精，去离子水，超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；
（2）采用真空蒸镀的方法在IZO玻璃基板上依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；
空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为400℃，真空度为1×10-5Pa。其中，空穴注入层的材质为V2O5，厚度为20nm；空穴传输层的材质为TCTA，厚度为30nm；发光层的材质为Alq3，厚度为40nm；电子传输层的材料为TPBi，厚度为60nm；电子注入层的材料为CsF，厚度为0.5nm。
（3）在电子注入层上制备复合阴极层，得到有机电致发光器件；复合阴极层包括依次层叠的掺杂层、二氧化钛层和钝化层；
复合阴极层的制备：先采用真空蒸镀的方式在所述电子注入层上制备一层厚度为300nm的掺杂层，材料为MgS、Pt与VPc混合形成的混合材料，表示为（MgS:Pt:VPc），MgS、Pt与VPc的质量比为1:1:1，蒸镀速率为1nm/s，真空蒸镀过程的真空度为5×10-5Pa；再通过电子束蒸镀的方式在掺杂层上制备一层厚度为30nm的二氧化钛层，材料为粒径20nm的TiO2颗粒，电子束蒸镀的能量密度为100W/cm2，蒸镀速率为1nm/s；最后通过电子束蒸镀的方式在二氧化钛层上制备一层厚度为800nm的钝化层，材料为CuO，电子束蒸镀的能量密度为100W/cm2，蒸镀速率为1nm/s。
本实施例提供的有机电致发光器件的结构为：IZO玻璃/V2O5/TCTA/Alq3/TPBi/CsF/MgS:Pt:VPc（1:1:1）/TiO2/CuO。
实施例4
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）将玻璃基底依次用洗洁精，去离子水，超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；
（2）采用真空蒸镀的方法在IZO玻璃基板上依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；
空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层的蒸镀为真空蒸镀，蒸镀温度为400℃，真空度为1×10-5Pa。其中，空穴注入层的材质为MoO3，厚度为30nm；空穴传输层的材质为TAPC，厚度为50nm；发光层的材质为DCJTB，厚度为5nm；电子传输层的材料为Bphen，厚度为40nm；电子注入层的材料为Cs2CO3，厚度为1nm。
（3）在电子注入层上制备复合阴极层，得到有机电致发光器件；复合阴极层包括依次层叠的掺杂层、二氧化钛层和钝化层；
复合阴极层的制备：先采用真空蒸镀的方式在所述电子注入层上制备一层厚度为150nm的掺杂层，材料为CuS、Au与MgPc混合形成的混合材料，表示为（CuS:Au:MgPc），CuS、Au与MgPc的质量比为1:1:2.5，蒸镀速率为5nm/s，真空蒸镀过程的真空度为5×10-4Pa；再通过电子束蒸镀的方式在掺杂层上制备一层厚度为15nm的二氧化钛层，材料为粒径50nm的TiO2颗粒，电子束蒸镀的能量密度为30W/cm2，蒸镀速率为5nm/s；最后通过电子束蒸镀的方式在二氧化钛层上制备一层厚度为400nm的钝化层，材料为Al2O3，电子束蒸镀的能量密度为30W/cm2，蒸镀速率为5nm/s。
本实施例提供的有机电致发光器件的结构为：IZO玻璃/MoO3/TAPC/DCJTB/Bphen/Cs2CO3/CuS:Au:MgPc（1:1:2.5）/TiO2/Al2O3。
对比实施例
为体现本发明的创造性，本发明还设置了对比实施例，对比实施例与实施例1的区别在于对比实施例中的阴极为金属单质银（Ag），厚度为150nm，对比实施例有机电致发光器件的具体结构为：ITO玻璃/MoO3/NPB/Alq3/TAZ/LiF/Ag，分别对应导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。
采用美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪测试电致发光光谱，美国吉时利公司的电流-电压测试仪Keithley2400测试电学性能，日本柯尼卡美能达公司的CS-100A色度计测试亮度和色度，得到有机电致发光器件的流明效率随电流密度变化曲线，以考察器件的发光效率，测试对象为实施例1与对比实施例制备的有机电致发光器件。测试结果如图2所示。
图2是实施例1的有机电致发光器件与对比例发光器件的电流密度与流明效率的关系图。其中，曲线1为本实施例有机电致发光器件的电流密度与流明效率的关系图；曲线2为对比例有机电致发光器件的电流密度与流明效率的关系图。从图2中可以看到，在不同电流密度下，本实施例有机电致发光器件的流明效率都比对比例有机电致发光器件的要大，本实施例的最大的流明效率为11.24lm/W，而对比例的仅为8.59lm/W，同时，随着电流密度的增大，对比例的流明效率衰减得更快。这说明，本实施例的复合阴极层结构，通过先制备由金属硫化物、金属以及金属酞菁化合物组成的掺杂层，金属硫化物有效提高了光线的透过率，金属增强了器件的导电性，提高了电子浓度，金属酞菁化合物容易结晶，结晶后使膜层表面形成波纹状结构，提高了光子利用率；再制备二氧化钛层对光具有散射作用，提高了正面出光强度；最后制备钝化层提高了器件的稳定性，这种复合阴极层最终有效提高了器件的发光效率。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极层，其特征在于，所述复合阴极层包括依次叠层设置的掺杂层、二氧化钛层和钝化层，
所述掺杂层的材料为金属硫化物与金属，以及金属酞菁化合物混合形成的混合材料，所述金属硫化物为硫化锌、硫化镉、硫化镁或硫化铜，所述金属为银、铝、铂或金，所述金属酞菁化合物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁钒或酞菁镁；所述钝化层的材料为二氧化硅、氧化铝或氧化铜。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述掺杂层中，所述金属硫化物与金属，以及金属酞菁化合物的质量比为1:1:1～5。
3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述掺杂层的厚度为100～300nm，所述二氧化钛层的厚度为10～50nm。
4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述钝化层的厚度为200～800nm。
5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材质为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒；所述空穴传输层的材质为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺；所述发光层的发光材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯或8-羟基喹啉铝；所述电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑；所述电子注入层的材料为碳酸铯、氟化铯、叠氮铯或氟化锂。
6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在导电阳极基板上依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；
在所述电子注入层上制备复合阴极层：先通过真空蒸镀的方式在所述电子注入层上制备掺杂层，再通过电子束蒸镀的方式在所述掺杂层上制备二氧化钛层，最后通过电子束蒸镀的方式在所述二氧化钛层上制备钝化层，得到有机电致发光器件；
所述掺杂层的材料为金属硫化物与金属，以及金属酞菁化合物混合形成的混合材料，所述金属硫化物为硫化锌、硫化镉、硫化镁或硫化铜，所述金属为银、铝、铂或金，所述金属酞菁化合物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁钒或酞菁镁；所述钝化层的材料为二氧化硅、氧化铝或氧化铜；
所述真空蒸镀过程中，真空度为2×10-3～5×10-5Pa，所述电子束蒸镀的能量密度为10～l00W/cm2，所述掺杂层、二氧化钛层和钝化层的材料蒸镀速率为1～10nm/s。
7.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述掺杂层中，所述金属硫化物与金属，以及金属酞菁化合物的质量比为1:1:1～5。
8.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述掺杂层的厚度为100～300nm，所述二氧化钛层的厚度为10～50nm。
9.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述钝化层的厚度为200～800nm。
10.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层采用真空蒸镀的方式制备，所述空穴注入层的材质为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒；所述空穴传输层的材质为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺；所述发光层的发光材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯或8-羟基喹啉铝；所述电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑；所述电子注入层的材料为碳酸铯、氟化铯、叠氮铯或氟化锂。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111192963A (zh) * 2020-01-22 2020-05-22 华南理工大学 ZnO基三明治结构的自供电紫外探测薄膜及其制备方法
CN112310253A (zh) * 2019-08-01 2021-02-02 Tcl集团股份有限公司 量子点发光二极管及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1498046A (zh) * 2002-10-01 2004-05-19 ��˹���´﹫˾ 具有增强的光提取效率的有机发光器件
CN1535093A (zh) * 2003-03-31 2004-10-06 ������������ʽ���� 有机电致发光元件
CN101853877A (zh) * 2009-02-09 2010-10-06 三星移动显示器株式会社 有机发光二极管显示器
US20110114921A1 (en) * 2006-07-11 2011-05-19 Fan Yang Organic photosensitive cells grown on rough electrode with nano-scale morphology control

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1498046A (zh) * 2002-10-01 2004-05-19 ��˹���´﹫˾ 具有增强的光提取效率的有机发光器件
CN1535093A (zh) * 2003-03-31 2004-10-06 ������������ʽ���� 有机电致发光元件
US20110114921A1 (en) * 2006-07-11 2011-05-19 Fan Yang Organic photosensitive cells grown on rough electrode with nano-scale morphology control
CN101853877A (zh) * 2009-02-09 2010-10-06 三星移动显示器株式会社 有机发光二极管显示器

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112310253A (zh) * 2019-08-01 2021-02-02 Tcl集团股份有限公司 量子点发光二极管及其制备方法
CN112310253B (zh) * 2019-08-01 2022-01-11 Tcl科技集团股份有限公司 量子点发光二极管及其制备方法
CN111192963A (zh) * 2020-01-22 2020-05-22 华南理工大学 ZnO基三明治结构的自供电紫外探测薄膜及其制备方法

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