CN104425733A - 一种有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种有机电致发光器件，包括玻璃基底以及在玻璃基底上依次层叠设置的阳极、散射层、有机发光功能层以及阴极；所述散射层包括依次层叠设置在阳极上的第一掺杂层、铁盐层与第二掺杂层；所述第一掺杂层的材质为有机材料与铁盐的混合材料，所述第二掺杂层的材质为有机材料与二氧化钛的混合材料；所述有机材料为2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-对苯二醌二甲烷、4,4,4-三（萘基-1-苯基-铵）三苯胺和二萘基-N,N′-二苯基-4,4′-联苯二胺中的一种。本发明提供的有机电致发光器件的结构中增设有散射层，有利于器件发光效率和出光效率的提高。本发明还提供了该有机电致发光器件的制备方法。

Description

一种有机电致发光器件及其制备方法

技术领域

本发明属于有机电致发光领域，具体涉及到一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

有机电致发光器件（OLED）具有驱动电压低、发光亮度高、发光视角宽、超薄质轻、易于大规模生产等一系列优点，能够满足当今信息时代对显示设备更高性能和更大信息容量的要求，其广阔的应用前景和近年来技术的突飞猛进，使得OLED成为平板信息显示领域研究的热门。

1987年，美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件（OLED）。10V下亮度达到1000cd/m²，其发光效率为1.51lm/W、寿命大于100小时。然而在典型的OLED中，透明导电阳极层、有机发光层以及玻璃基底的折射率大约在2.0、1.7和1.5。据估计发光器件内产生的光接近60%被导电阳极/有机电致发光元件中的内部反射捕获，20%在玻璃基底中被捕获，只有20%的光可以从器件中发射供人们使用。所以如何提高光取出效率的问题一直是研究的热点。

发明内容

基于上述问题，本发明提供了一种有机电致发光器件，解决了有机电致发光器件光损耗大、光取出效率低的问题，本发明的有机电致发光器件具有改进的发光效率以及增强的光取出效率。本发明还提供了一种有机电致发光器件的制备方法。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的。

第一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件。所述有机电致发光器件包括玻璃基底以及在玻璃基底上依次层叠设置的阳极、散射层、有机发光功能层和阴极；所述散射层包括依次层叠设置在所述阳极上的第一掺杂层、铁盐层与第二掺杂层；所述第一掺杂层的材质为有机材料与铁盐以质量比10∶1～40:1形成的混合材料，所述第二掺杂层的材质为有机材料与二氧化钛以质量比为1:1～5:1形成的混合材料；所述有机材料为2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-对苯二醌二甲烷（F4-TCNQ）、4,4,4-三（萘基-1-苯基-铵）三苯胺（1T-NATA）和二萘基-N,N′-二苯基-4,4′-联苯二胺（2T-NATA）中的一种，所述第一掺杂层和所述铁盐层中的铁盐为氯化铁（FeCl₃）、溴化铁（FeBr₃）和硫化铁（Fe₂S₃）中的一种。

优选地，所述第一掺杂层的厚度为10～50nm。所述第一掺杂层中的有机材料与阳极之间的势垒高度低，有利于空穴的注入；所述第一掺杂层中铁盐的载流子浓度较高，可提高器件的导电性；两种材料形成的混合材料，可以提高载流子的注入和平衡水平,使激子复合率得到有效改善,从而使器件发光特性大幅提高。

优选地，所述铁盐层的厚度为5～30nm。铁盐层作为第一掺杂层与第二掺杂层的缓冲层，可降低层间的势垒，使空穴注入的势垒降低，从而提高空穴注入效率。

优选地，所述第二掺杂层中的二氧化钛粒径为20～200nm，厚度为50～200nm。所述第二掺杂层中二氧化钛比表面积大，孔隙率高，可使光发生散射，使向两侧发射的光聚集到中间；而且二氧化钛折射率高（2.3左右）与有机电致发光结构中材料的折射率，使发光器件中生成的光在传输的第一个环节就可以全部通过界面，不仅减少了在发光结构内部的全反射损耗，而且通过对光线的聚拢使光传输过程中下一界面处的入射角减小，大大降低了界面处可能发生全反射的光线数，有利于光取出率的提高；所述第二掺杂层中的有机材料可以降低散射层与空穴注入层之间的势垒，提高散射层与空穴注入层之间的注入效率，这种方法有利于提高出光效率。

优选地，所述玻璃基底为折射率为1.8～2.2，在400nm透过率为90%以上的光学玻璃。更优选地，所述玻璃基底为玻璃牌号为N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41A或N-LASF44的玻璃。

优选地，所述有机发光功能层包括发光层，以及包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一种。

优选地，所述的发光层材料包括4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCzVBi）、8-羟基喹啉铝（Alq₃），厚度为5～40nm；更优选为BCzVBi，厚度为15nm。

优选地，所述空穴注入层的材料包括三氧化钼（MoO₃）、三氧化钨（WO₃）以及五氧化二钒（V₂O₅），厚度为20～80nm；更优选为WO₃，厚度为30nm。所述空穴注入层材料都具有有序层状结构，层间隙提供了高效的空穴传输通道，更有利于空穴的注入与传输，还可以作为电子阻挡层使用。

优选地，所述的空穴传输材料包括1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）、N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB），厚度为20～60nm；更优选为NPB，厚度为40nm。

优选地，所述的电子传输层材料采用4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物（如TAZ）或N-芳基苯并咪唑（TPBI），厚度为40～250nm；更优选为TAZ，厚度为160nm。

优选地，所述电子注入层材料包括碳酸铯（Cs₂CO₃）、氟化铯（CsF）、叠氮铯（CsN₃）以及氟化锂（LiF），厚度为0.5～10nm；更优选为CsF，厚度为0.7nm。有机层/金属阴极之间的势垒高，不利于电子注入；电子注入层的引入，起到了绝缘缓冲的作用，降低电子注入势垒，而且器件的开启电压也大大降低，发光效率得到提高。

优选地，所述阳极的材料为铟锡氧化物（ITO）、铝锌氧化物（AZO）或铟锌氧化物（IZO），厚度为80～300nm；更优选为ITO，厚度为150nm。

优选地，所述阴极的材料为金属银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）或金（Au），厚度为80～250nm；更优选为Ag，厚度为90nm。

另一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：

（1）提供玻璃基底；

（2）在所述玻璃基底上磁控溅射制备阳极；磁控溅射的加速电压控制在300～800V，磁感应强度为50～200G，功率密度为1～40W/cm²，本底真空度为2×10^-3～5×10^-5Pa；

（3）在所述阳极上蒸镀制备散射层，所述散射层包括依次层叠设置在阳极上的第一掺杂层、铁盐层与第二掺杂层；先采用热阻蒸镀的方法在所述阳极表面上依次制备所述第一掺杂层与铁盐层，蒸镀速率为1～10nm/s；再采用电子束蒸镀的方法在所述铁盐层表面上制备所述第二掺杂层，电子束蒸镀的能量密度为10～100W/cm²；所述第一掺杂层的材质为有机材料与铁盐以质量比10∶1～40:1形成的混合材料，所述第二掺杂层的材质为有机材料与二氧化钛以质量比为1:1～5:1形成的混合材料；所述有机材料为2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-对苯二醌二甲烷（F4-TCNQ）、4,4,4-三（萘基-1-苯基-铵）三苯胺（1T-NATA）和二萘基-N,N′-二苯基-4,4′-联苯二胺（2T-NATA）中的一种，所述第一掺杂层和所述铁盐层中的铁盐为氯化铁（FeCl₃）、溴化铁（FeBr₃）和硫化铁（Fe₂S₃）中的一种；

（4）在所述散射层上依次蒸镀制备有机发光功能层和阴极，得到有机电致发光器件；

上述步骤（3）、（4）中蒸镀作业的真空度为2×10^-3～5×10^-5Pa。

优选地，所述玻璃基底为折射率为1.8～2.2，在400nm透过率为90%以上的光学玻璃基底；更优选地，所述玻璃基底为玻璃牌号为N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41A或N-LASF44的玻璃。

优选地，所述步骤（2）中的阳极的材料为铟锡氧化物（ITO）、铝锌氧化物（AZO）或铟锌氧化物（IZO），厚度为80～300nm；更优选为ITO，厚度为150nm。

优选地，所述步骤（3）中第一掺杂层的厚度为10～50nm。

优选地，所述步骤（3）中的铁盐层的厚度为5～30nm。

优选地，所述步骤（3）中的第二掺杂层中采用的二氧化钛粒径为20～200nm，厚度为50～200nm。

优选地，所述步骤（4）中有机发光功能层包括发光层，以及包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一种。

优选地，所述的发光层材料包括4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCzVBi）、8-羟基喹啉铝（Alq₃），厚度为5～40nm，蒸镀速率为0.1～1nm/s；更优选为BCzVBi，厚度为15nm。

优选地，所述空穴注入层的材料包括三氧化钼（MoO₃）、三氧化钨（WO₃）以及五氧化二钒（V₂O₅），厚度为20～80nm，蒸镀速率为1～10nm/s；更优选为WO₃，厚度为30nm。

优选地，所述的空穴传输材料包括1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）、N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB），厚度为20～60nm，蒸镀速率为0.1～1nm/s；更优选为NPB，厚度为40nm。

优选地，所述的电子传输层材料采用4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物（如TAZ）或N-芳基苯并咪唑（TPBI），厚度为40～250nm，蒸镀速率为0.1～1nm/s；更优选为TAZ，厚度为160nm。

优选地，所述电子注入层材料包括碳酸铯（Cs₂CO₃）、氟化铯（CsF）、叠氮铯（CsN₃）以及氟化锂（LiF），厚度为0.5～10nm，蒸镀速率为1～10nm/s；更优选为CsF，厚度为0.7nm。

优选地，所述步骤（4）中阴极的材料为金属银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）或金（Au），厚度为80～250nm，蒸镀速率为1～10nm/s；更优选为Ag，厚度为90nm。

与现有有机电致发光器件相比，本发明的有益效果包括以下方面：

（1）本发明有机电致发光器件，在阳极与有机发光功能层之间增设散射层，其中，二氧化钛颗粒能使光发生散射，使向两侧发射的光可以聚集到中间，减小光在散射层/阳极界面处的入射角，从而减小光在传输过程中的全反射损耗，这种方法在光传输的第一环节就将光线有效聚拢，减少器件内部光传输损耗，有利于器件出光效率的大幅度提高；

（2）本发明有机电致发光器件，散射层由依次合理交叉层叠的第一掺杂层、铁盐层以及第二掺杂层组成，使散射层内部以及散射层与有机发光功能层之间的界面势垒都有所降低，这种特有的梯度组成更有利于空穴注入效率的有效提高，从而提高了器件的总体出光效率。

（3）本发明提供的有机电致发光器件的制备方法工序简单、工艺参数精确可控，膜厚可调，适合大规模工业化生产。

附图说明

图1为实施例1制备的一种有机电致发光器件的结构示意图；

图2为实施例1制备的一种有机电致发光器件与对比例1制备的一种有机电致发

光器件的流明效率与电流密度的关系图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

本发明采用的测试与制备设备为高真空镀膜系统（沈阳科学仪器研制中心有限公司），美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪测试电致发光光谱，美国吉时利公司的Keithley2400测试电学性能，日本柯尼卡美能达公司的CS-100A色度计测试亮度和色度。

实施例1：

图1为本实施例提供的一种有机电致发光器件的结构示意图。如图1所示，该有机电致发光器件由下往上依次层叠设置有基底10、阳极20、散射层30、有机发光功能层40以及阴极50。其中，所述散射层30包括自下而上依次层叠设置的第一掺杂层31、铁盐层32、第二掺杂层33；所述有机发光功能层40包括自下而上依次层叠设置的空穴注入层41、空穴传输层42、发光层43、电子传输层44以及电子注入层45。更具体的，基底10的牌号为N-LASF44，阳极20为150nm厚的ITO层，第一掺杂层31为30nm厚的F4-TCNQ:FeCl₃层，铁盐层32为15nm厚的FeCl₃层，第二掺杂层33为150nm厚的1T-NATA:TiO₂层，空穴注入层41为30nm厚的WO₃层，空穴传输层42为40nm厚的NPB层，发光层43为15nm厚的BCzVBi层，电子传输层44为160nm厚的TAZ层，电子注入层45为0.7nm厚的CsF层，阴极50为90nm厚的Ag层。

其制备方法如下：

（1）牌号为N-LASF44的光学玻璃作为基底，将玻璃基底用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，置于异丙醇中浸泡16h。

（2）在清洁后的玻璃基底上磁控溅射制备150nm厚的ITO阳极薄膜20；控制磁控溅射的加速电压为700V，磁感应强度约120G，功率密度为25W/cm²，本底真空度为5×10^-4Pa。

（3）在ITO阳极薄膜20上制备散射层，包括依次层叠设置的第一掺杂层31、铁盐层32与第二掺杂层33。先制备第一掺杂层，为30nm的F4-TCNQ:FeCl₃层，F4-TCNQ与FeCl₃的质量比为25:1，采用热阻蒸镀，蒸镀速率为5nm/s；接着制备铁盐层，为15nm的FeCl₃层，采用热阻蒸镀，蒸镀速率为4nm/s；然后制备第二掺杂层，为150nm厚的1T-NATA:TiO₂层，TiO₂粒径为50nm，1T-NATA与二氧化钛的质量比为4:1，采用电子束蒸镀，电子束蒸镀的能量密度为35W/cm²，；

（4）在1T-NATA:TiO₂层33上蒸镀制备有机发光功能层40，包括依次层叠设置的空穴注入层41、空穴传输层42、发光层43、电子传输层44以及电子注入层45；蒸镀先后顺序为30nm厚的WO₃层，蒸镀速率为1nm/s；40nm厚的NPB层，蒸镀速率为0.1nm/s；15nm厚的BCzVBi层，蒸镀速率为0.1nm/s；160nm厚的TAZ层，蒸镀速率为0.1nm/s；0.7nm厚的CsF层，蒸镀速率为1nm/s。

（5）在CsF层45上蒸镀制备90nm厚的Ag层，蒸镀速率为2nm/s，最后得到所需要的电致发光器件。

上述蒸镀作业中的真空度为8×10^-4Pa。

图2为实施例1制备的一种有机电致发光器件与对比例1制备的有机电致发光器件的流明效率与电流密度的关系图。其中曲线1为实施例1器件的电流密度与流明效率的关系图，曲线2为对比例1器件的电流密度与流明效率的关系图。实施例1制备的一种有机电致发光器件的结构为：玻璃基底/ITO/F4-TCNQ:FeCl₃/FeCl₃/1T-NATA:TiO₂/WO₃/NPB/BCzVBi/TAZ/CsF/Ag；对比例1制备的有机电致发光器件结构为：玻璃基底/ITO/WO₃/NPB/BCzVBi/TAZ/CsF/Ag。由图2可以看到，在不同电流密度下，实施例1的流明效率都比对比例1的要大，最大的流明效率为8.7lm/W，而对比例1的仅为6.2lm/W，而且对比例1的流明效率随着电流密度的增大而快速下降。这是因为实施例1制备的有机电致发光器件比对比例1的器件增设了散射层，散射层通过提高空穴的注入能力和传输速率提高了散射层与空穴注入层之间的注入效率，从而提高了器件的导电性和发光性能；另一方面，散射层可以使光发生散射，使向两侧发射的光可以聚集到中间，减小了光路传输中的光损耗，有利于出光效率的提高。

实施例2：一种有机电致发光器件的制备；器件结构为：玻璃基底/IZO/1T-NATA:FeBr₃/Fe₂S₃/F4-TCNQ:TiO₂/MoO₃/NPB/ADN/TPBi/CsN₃/Al。

其制备方法如下：

（1）牌号为N-LAF36的光学玻璃为基底，将玻璃基底用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，置于异丙醇中浸泡12h。

（2）在清洁后的玻璃基底上磁控溅射制备80nm厚的IZO阳极薄膜；控制磁控溅射的加速电压为300V，磁感应强度约50G，功率密度为40W/cm²，本底真空度为2×10^-3Pa。

（3）在IZO阳极薄膜上制备散射层，包括依次层叠设置的第一掺杂层、铁盐层与第二掺杂层。先制备第一掺杂层，为1T-NATA:FeBr₃，1T-NATA与FeBr₃的质量比为40:1，采用热阻蒸镀，厚度为10nm，蒸镀速率为1nm/s；接着制备铁盐层，为Fe₂S₃，采用热阻蒸镀，厚度为5nm，蒸镀速率为1nm/s；然后制备第二掺杂层，为F4-TCNQ:TiO₂，TiO₂粒径为20nm，F4-TCNQ与二氧化钛的质量比为1:1，采用电子束蒸镀，电子束蒸镀的能量密度为l00W/cm²，厚度为50nm。

（4）在F4-TCNQ:TiO₂层上蒸镀制备有机发光功能层，包括依次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及电子注入层；蒸镀先后顺序为空穴注入层MoO₃，厚度为40nm，蒸镀速率为5nm/s；空穴传输层NPB，厚度为45nm，蒸镀速率为0.5nm/s；发光层ADN，厚度为8nm，蒸镀速率为0.5nm/s；电子传输层TPBi，厚度为65nm，蒸镀速率为0.5nm/s；电子注入层CsN₃，厚度为10nm，蒸镀速率为5nm/s。

（5）在CsN₃层上蒸镀制备80nm厚的Al层，蒸镀速率为10nm/s，最后得到所需要的电致发光器件。

上述蒸镀作业中的真空度为2×10^-3Pa。

实施例3：一种有机电致发光器件的制备；器件结构为：玻璃基底/AZO/2T-NATA:Fe₂S₃/FeBr₃/2T-NATA:TiO₂/V₂O₅/TCTA/Alq3/Bphen/LiF/Au。其制备方法如下：

（1）牌号为N-LASF31A的光学玻璃为基底，将玻璃基底用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，置于异丙醇中浸泡24h。

（2）在清洁后的玻璃基底上磁控溅射制备300nm厚的AZO阳极薄膜；控制磁控溅射的加速电压：800V，磁感应强度约：200G，功率密度：1W/cm²，，本底真空度为5×10^-5Pa。

（3）在AZO阳极薄膜上制备散射层，包括依次层叠设置的第一掺杂层、铁盐层与第二掺杂层。先制备第一掺杂层，材料为2T-NATA:Fe₂S₃，2T-NATA与Fe₂S₃的质量比为10:1，采用热阻蒸镀，厚度为50nm，蒸镀速率为10nm/s；接着制备铁盐层，为FeBr₃，采用热阻蒸镀，厚度为30nm，蒸镀速率为10nm/s；然后制备第二掺杂层，为2T-NATA:TiO₂，TiO₂粒径为200nm，2T-NATA与二氧化钛的质量比为5:1，采用电子束蒸镀，电子束蒸镀的能量密度为10W/cm²，厚度为200nm。

（4）在2T-NATA:TiO₂层上蒸镀制备有机发光功能层，包括依次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及电子注入层；蒸镀按先后顺序依次为空穴注入层V₂O₅，厚度为20nm，蒸镀速率为10nm/s；空穴传输层TCTA，厚度为60nm，蒸镀速率为1nm/s；发光层Alq₃，厚度为40nm，蒸镀速率为1nm/s；电子传输层Bphen，厚度为200nm，蒸镀速率为1nm/s；电子注入层LiF，厚度为0.5nm，蒸镀速率为10nm/s。

（5）在LiF层上蒸镀制备100nm厚的Au层，蒸镀速率为1nm/s，最后得到所需要的电致发光器件。

上述蒸镀作业中的真空度为5×10^-5Pa。

实施例4：一种有机电致发光器件的制备；器件结构为：玻璃基底/ITO/F4-TCNQ:FeBr₃/Fe₂S₃/2T-NATA:TiO₂/WO₃/TAPC/DCJTB/TAZ/Cs₂CO₃/Pt。

其制备方法如下：

（1）牌号为N-LASF41A光学玻璃为基底，将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，置于异丙醇中浸泡18h。

（2）在清洁后的玻璃基底上磁控溅射制备180nm厚的ITO阳极薄膜；控制磁控溅射的加速电压为600V，磁感应强度约100G，功率密度为30W/cm²，本底真空度为8×10^-5Pa。

（3）在ITO阳极薄膜上制备散射层，包括依次层叠设置的第一掺杂层、铁盐层与第二掺杂层。先制备第一掺杂层，材料为F4-TCNQ:FeBr₃。F4-TCNQ与FeBr₃的质量比为35:1，采用热阻蒸镀，厚度为25nm，蒸镀速率为6nm/s；接着制备铁盐层，为Fe₂S₃，采用热阻蒸镀，厚度为10nm，蒸镀速率为3nm/s；然后制备第二掺杂层，为2T-NATA:TiO₂，TiO₂粒径为30nm，2T-NATA与二氧化钛的质量比为2∶1，采用电子束蒸镀，电子束蒸镀的能量密度为60W/cm²，厚度为180nm。

（4）在2T-NATA:TiO₂层上蒸镀制备有机发光功能层，包括依次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及电子注入层；蒸镀按先后顺序依次为蒸镀空穴注入层WO₃，厚度为80nm，蒸镀速率为2nm/s；空穴传输层TAPC，厚度为60nm，蒸镀速率为0.2nm/s；发光层DCJTB，厚度为10nm，蒸镀速率为0.2nm/s；电子传输层TAZ，厚度为35nm，蒸镀速率为0.2nm/s；电子注入层Cs₂CO₃，厚度为3nm，蒸镀速率为2nm/s。

（5）在LiF层上蒸镀制备250nm厚的Pt层，蒸镀速率为6nm/s，最后得到所需要的电致发光器件。

上述蒸镀作业中的真空度为2×10^-4Pa。

对比例1：一种有机电致发光器件的制备；器件结构为：玻璃基底/ITO/WO₃/NPB/BCzVBi/TAZ/CsF/Ag。

其制备方法如下：

（1）牌号为N-LASF44的光学玻璃作为基底，将玻璃基底用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，置于异丙醇中浸泡16h。

（2）在玻璃基底上磁控溅射制备150nm厚的ITO阳极薄膜；控制磁控溅射的加速电压为700V，磁感应强度约120G，功率密度为25W/cm²，本底真空度为5×10^-4Pa。

（3）在ITO阳极薄膜上依次蒸镀30nm厚的WO₃层，蒸镀速率为1nm/s；40nm厚的NPB层，蒸镀速率为0.1nm/s；15nm厚的BCzVBi层，蒸镀速率为0.1nm/s；160nm厚的TAZ层，蒸镀速率为0.1nm/s；0.7nm厚的CsF层，蒸镀速率为1nm/s。

（4）在CsF层上蒸镀制备90nm厚的Ag层，蒸镀速率为2nm/s，最后得到所需要的电致发光器件。

上述蒸镀作业中的真空度为8×10^-4Pa。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括玻璃基底以及在所述玻璃基底上依次层叠设置的阳极、散射层、有机发光功能层和阴极；所述散射层包括依次层叠设置在所述阳极上的第一掺杂层、铁盐层与第二掺杂层；所述第一掺杂层的材质为有机材料与铁盐以质量比10∶1～40∶1形成的混合材料，所述第二掺杂层的材质为有机材料与二氧化钛以质量比为1∶1～5∶1形成的混合材料；所述有机材料为2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-对苯二醌二甲烷、4,4,4-三（萘基-1-苯基-铵）三苯胺和二萘基-N,N′-二苯基-4,4′-联苯二胺中的一种，所述第一掺杂层和所述铁盐层中的铁盐为氯化铁、溴化铁和硫化铁中的一种。

2.如权利要求1所述的一种有机电致发光器件，其特征在于，所述第一掺杂层的厚度为10～50nm。

3.如权利要求1所述的一种有机电致发光器件，其特征在于，所述铁盐层的厚度为5～30nm。

4.如权利要求1所述的一种有机电致发光器件，其特征在于，所述第二掺杂层的厚度为50～200nm。

5.如权利要求1所述的一种有机电致发光器件，其特征在于，所述玻璃基底为折射率为1.8～2.2，在400nm透过率为90%以上的光学玻璃。

6.如权利要求1所述的一种有机电致发光器件，其特征在于，所述有机发光功能层包括发光层，以及包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一种。

7.如权利要求6所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯、8-羟基喹啉铝中的一种，厚度为5～40nm；

所述空穴注入层的材料为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒，厚度为20～80nm；

所述空穴传输层的材料为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺、N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺中的至少一种，厚度为20～60nm；

所述电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑中的一种，厚度为40～250nm；

所述电子注入层的材料为碳酸铯、氟化铯、叠氮铯或氟化锂，厚度为0.5～10nm。

8.如权利要求1所述的一种有机电致发光器件，其特征在于，所述阳极的材料为铟锡氧化物、铝锌氧化物或铟锌氧化物，厚度为80～300nm。

9.如权利要求1所述的一种有机电致发光器件，其特征在于，所述阴极的材料为金属银、铝、铂或金，厚度为80～250nm。

10.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）提供玻璃基底；

（2）在所述玻璃基底上磁控溅射制备阳极；磁控溅射的加速电压控制在300～800V，磁感应强度为50～200G，功率密度为1～40W/cm²，本底真空度为2×10^-3～5×10^-5Pa；

（3）在所述阳极上蒸镀制备散射层，所述散射层包括依次层叠设置在阳极上的第一掺杂层、铁盐层与第二掺杂层；先采用热阻蒸镀的方法在所述阳极表面上依次制备所述第一掺杂层与铁盐层，蒸镀速率为1～10nm/s；再采用电子束蒸镀的方法在所述铁盐层表面上制备所述第二掺杂层，电子束蒸镀的能量密度为10～100W/cm²；所述第一掺杂层的材质为有机材料与铁盐以质量比10∶1～40∶1形成的混合材料，所述第二掺杂层的材质为有机材料与二氧化钛以质量比为1∶1～5∶1形成的混合材料；所述有机材料为2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-对苯二醌二甲烷、4,4,4-三（萘基-1-苯基-铵）三苯胺和二萘基-N,N′-二苯基-4,4′-联苯二胺中的一种，所述第一掺杂层和所述铁盐层中的铁盐为氯化铁、溴化铁和硫化铁中的一种；

（4）在所述散射层上依次蒸镀制备有机发光功能层和阴极，得到有机电致发光器件；

上述步骤（3）、（4）中蒸镀作业的真空度为2×10^-3～5×10^-5Pa。