CN104425730A - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

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CN104425730A CN201310370415.3A CN201310370415A CN104425730A CN 104425730 A CN104425730 A CN 104425730A CN 201310370415 A CN201310370415 A CN 201310370415A CN 104425730 A CN104425730 A CN 104425730A
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黄辉
钟铁涛
王平
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Abstract

本发明公开了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、阳极、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极；所述散射层包括形成于所述阳极表面的二氧化钛掺杂层和形成于所述二氧化钛掺杂层表面的铯盐掺杂层。这种有机电致发光器件的二氧化钛掺杂层的材料为TiO2和镁的化合物的混合物，TiO2颗粒较大，可使光发生散射，使向两侧发射的光可以回到中间，镁的化合物功函数较低，可提高空穴的注入能力。相对于传统的有机电致发光器件，这种有机电致发光器件的出光效率较高。本发明还公开了一种上述有机电致发光器件的制备方法。

Description

有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
1987年，美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件（OLED）。10V下亮度达到1000cd/m2，其发光效率为1.51lm/W、寿命大于100小时。
在传统的发光器件中，器件内部的光只有18%左右是可以发射到外部去的，而其他的部分会以其他形式消耗在器件外部，界面之间存在折射率的差（如玻璃与ITO之间的折射率之差，玻璃折射率为1.5，ITO为1.8，光从ITO到达玻璃，就会发生全反射），引起了全反射的损失，从而导致整体出光效率较低。
发明内容
基于此，有必要提供一种出光效率较高的有机电致发光器件及其制备方法。
一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、阳极、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极；
所述散射层包括形成于所述阳极表面的二氧化钛掺杂层和形成于所述二氧化钛掺杂层表面的铯盐掺杂层，所述二氧化钛掺杂层的材料为TiO2和镁的化合物的混合物，所述镁的化合物为MgF2、MgO或MgS，所述铯盐掺杂层的材料为铯盐和铁的化合物的混合物，所述铯盐为CsF、Cs2CO3、CsN3或CsCl，所述镁的化合物为FeCl3、FeBr3或Fe2S3。
在一个实施例中，所述二氧化钛掺杂层中，TiO2和所述镁的化合物的质量比为10～30：1；
所述二氧化钛掺杂层的厚度为50nm～500nm。
在一个实施例中，所述铯盐掺杂层中，所述铯盐和所述镁的化合物的质量比为5～10：1；
所述铯盐掺杂层的厚度为10nm～30nm。
在一个实施例中，所述玻璃基底的折射率为1.8～2.2，并且所述玻璃基底在400nm的透过率大于90%。
在一个实施例中，所述阳极的材料为铟锡氧化物、铝锌氧化物或铟锌氧化物；
所述阳极的厚度为80nm～300nm。
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
提供玻璃基底，并在所述玻璃基底表面磁控溅射制备阳极；
在所述阳极的表面电子束蒸镀制备二氧化钛掺杂层，接着在所述二氧化钛掺杂层上蒸镀制备铯盐掺杂层，所述二氧化钛掺杂层和所述铯盐掺杂层组成散射层，所述二氧化钛掺杂层的材料为TiO2和镁的化合物的混合物，所述镁的化合物为MgF2、MgO或MgS，所述铯盐掺杂层的材料为铯盐和铁的化合物的混合物，所述铯盐为CsF、Cs2CO3、CsN3或CsCl，所述镁的化合物为FeCl3、FeBr3或Fe2S3；
在所述铯盐掺杂层上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。
在一个实施例中，在所述玻璃基底表面磁控溅射制备阳极的操作中，磁控溅射的加速电压为300V～800V，磁场为50G～200G，功率密度为1W/cm2～40W/cm2。
在所述阳极的表面电子束蒸镀制备二氧化钛掺杂层的操作中，电子束蒸镀的能量密度为10W/cm2～100W/cm2。
在一个实施例中，所述二氧化钛掺杂层中，TiO2和所述镁的化合物的质量比为10～30：1；
所述二氧化钛掺杂层的厚度为50nm～500nm。
所述铯盐掺杂层中，所述铯盐和所述镁的化合物的质量比为5～10：1；
所述铯盐掺杂层的厚度为10nm～30nm。
在一个实施例中，在所述二氧化钛掺杂层上蒸镀制备铯盐掺杂层以及在所述铯盐掺杂层上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极的操作中，工作压强为2×10-3～5×10-5Pa，有机材料的蒸镀速率为0.1～1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1～10nm/s。
在一个实施例中，所述玻璃基底的折射率为1.8～2.2，并且所述玻璃基底在400nm的透过率大于90%。
这种有机电致发光器件的散射层包括二氧化钛掺杂层和铯盐掺杂层，二氧化钛掺杂层的材料为TiO2和镁的化合物的混合物，TiO2颗粒较大，可使光发生散射，使向两侧发射的光可以回到中间，镁的化合物功函数较低，可提高空穴的注入能力，并且镁的化合物比单质稳定，不易与空气中的水氧结合。铯盐掺杂层的材料为铯盐和铁的化合物的混合物，铯盐功函数较高，可阻挡电子的穿越，有效避免了电子到达阳极与空穴复合产生漏电流，而铁的化合物载流子浓度较高，可提高导电性，这种方法有利于提高出光效率。相对于传统的有机电致发光器件，这种有机电致发光器件的出光效率较高。
附图说明
图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；
图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法的流程图；
图3为实施例1制备的有机电致发光器件的亮度与流明效率关系图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
请参阅图1，一实施方式的有机电致发光器件包括依次层叠的玻璃基底10、阳极20、散射层30、空穴注入层40、空穴传输层50、发光层60、电子传输层70、电子注入层80及阴极90。
玻璃基底10的折射率为1.8～2.2，并且玻璃基底10在400nm的透过率大于90%。玻璃基底10优选为牌号为N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41A或N-LASF44的玻璃。
阳极20的材料为铟锡氧化物（ITO）、铝锌氧化物（AZO）或铟锌氧化物（IZO），优选为ITO。阳极20的厚度为80nm～300nm，优选为100nm。
散射层30包括形成于阳极20表面的二氧化钛掺杂层32和形成于二氧化钛掺杂层32表面的铯盐掺杂层34。
二氧化钛掺杂层32的材料为TiO2和镁的化合物的混合物。镁的化合物为MgF2、MgO或MgS。
优选的，二氧化钛掺杂层32中，TiO2和镁的化合物的质量比为10～30：1。
二氧化钛掺杂层32的厚度为50nm～500nm。
铯盐掺杂层34的材料为铯盐和铁的化合物的混合物。铯盐为CsF、Cs2CO3、CsN3或CsCl。镁的化合物为FeCl3、FeBr3或Fe2S3。
优选的，铯盐掺杂层34中，铯盐和镁的化合物的质量比为5～10：1。
铯盐掺杂层34的厚度为10nm～30nm。
空穴注入层40的材料为三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）或五氧化二钒（V2O5），厚度为20～80nm。优选的，空穴注入层40的材料为MoO3，空穴注入层40厚度为45nm。
空穴传输层50的材料为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB），厚度为20～60nm。优选的，空穴传输层50的材料为NPB，空穴传输层50的厚度为35nm。
发光层60的材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCzVBi）货8-羟基喹啉铝（Alq3），厚度为5～40nm。优选的，发光层60的材料为Alq3，发光层60的厚度为10nm。
电子传输层70的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物（如TAZ）或N-芳基苯并咪唑（TPBI），厚度为40～250nm。优选的，电子传输层70的材料为TAZ，电子传输层70的厚度为180nm。
电子注入层80的材料为碳酸铯（Cs2CO3）、氟化铯（CsF）、叠氮铯（CsN3）或者氟化锂（LiF），厚度为0.5～10nm。优选的，电子注入层80的材料为CsF，电子注入层80的厚度为0.7nm。
阴极90的材料选自银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）及金（Au）中的至少一种，优选为Ag。阴极90的厚度为80nm～250nm，优选为200nm。
这种有机电致发光器件的散射层30包括二氧化钛掺杂层32和铯盐掺杂层34，二氧化钛掺杂层32的材料为TiO2和镁的化合物的混合物，TiO2颗粒较大，可使光发生散射，使向两侧发射的光可以回到中间，镁的化合物功函数较低，可提高空穴的注入能力，并且镁的化合物比单质稳定，不易与空气中的水氧结合。铯盐掺杂层34的材料为铯盐和铁的化合物的混合物，铯盐功函数较高，可阻挡电子的穿越，有效避免了电子到达阳极与空穴复合产生漏电流，而铁的化合物载流子浓度较高，可提高导电性，这种方法有利于提高出光效率。
此外，通过采用折射率为1.8～2.2、在可见光透过率（一般标准为400nm处）为90%以上的玻璃基底10，可以使更多的光入射到玻璃基底10中。
可以理解，该有机电致发光器件中也可以根据需要设置其他功能层。
请同时参阅图2，上述有机电致发光器件的制备方法，其包括以下步骤：
步骤S10、提供玻璃基底10，并在玻璃基底10表面磁控溅射制备阳极20。
玻璃基底10为折射率为1.8～2.2的玻璃，在400nm透过率高于90%。玻璃基底10优选为牌号为N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41A或N-LASF44的玻璃。
阳极20形成于玻璃基底10的一侧表面。阳极20的材料为铟锡氧化物（ITO）、铝锌氧化物（AZO）或铟锌氧化物（IZO），优选为ITO。阳极20的厚度为80nm～300nm，优选为100nm。阳极20采用磁控溅射制备。磁控溅射的加速电压为300～800V，磁场为50～200G，功率密度为1～40W/cm2。
本实施方式中，玻璃基底10在使用前用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡12小时～24小时。
步骤S20、在阳极20的表面电子束蒸镀制备二氧化钛掺杂层32，接着在二氧化钛掺杂层32上蒸镀制备铯盐掺杂层34，二氧化钛掺杂层32和铯盐掺杂层34组成散射层30。
二氧化钛掺杂层32的材料为TiO2和镁的化合物的混合物。镁的化合物为MgF2、MgO或MgS。
优选的，二氧化钛掺杂层32中，TiO2和镁的化合物的质量比为10～30：1。
可以选择市售的粒径为20nm～200nm的TiO2和镁的化合物混合后，在电子束蒸镀的能量密度为10W/cm2～100W/cm2，电子束蒸镀制备二氧化钛掺杂层32，制备得到的二氧化钛掺杂层32的厚度为50nm～500nm。
其中，二氧化钛颗粒较大，可使光发生散射，使向两侧发射的光可以回到中间，镁的化合物功函数较低，可提高空穴的注入能力，且镁的化合物比单质稳定，不易与空气中的水氧结合。
铯盐掺杂层34的材料为铯盐和铁的化合物的混合物。铯盐为CsF、Cs2CO3、CsN3或CsCl。镁的化合物为FeCl3、FeBr3或Fe2S3。
优选的，铯盐掺杂层34中，铯盐和镁的化合物的质量比为5～10：1。
在二氧化钛掺杂层32上蒸镀制备铯盐掺杂层34的过程中，工作压强为2×10-3～5×10-5Pa，有机材料的蒸镀速率为0.1～1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1～10nm/s。
铯盐掺杂层34的厚度为10nm～30nm。
其中，铯盐功函数较高，可阻挡电子的穿越，有效避免了电子到达阳极与空穴复合产生漏电流，而铁的化合物载流子浓度较高，可提高导电性。
S30、在铯盐掺杂层34上依次蒸镀制备空穴注入层40、空穴传输层50、发光层60、电子传输层70、电子注入层80和阴极90。
蒸镀过程中，工作压强为2×10-3～5×10-5Pa，有机材料的蒸镀速率为0.1～1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1～10nm/s。
空穴注入层40的材料为三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）或五氧化二钒（V2O5），厚度为20～80nm。优选的，空穴注入层40的材料为MoO3，空穴注入层40厚度为45nm。
空穴传输层50的材料为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB），厚度为20～60nm。优选的，空穴传输层50的材料为NPB，空穴传输层50的厚度为35nm。
发光层60的材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCzVBi）货8-羟基喹啉铝（Alq3），厚度为5～40nm。优选的，发光层60的材料为Alq3，发光层60的厚度为10nm。
电子传输层70的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物（如TAZ）或N-芳基苯并咪唑（TPBI），厚度为40～250nm。优选的，电子传输层70的材料为TAZ，电子传输层70的厚度为180nm。
电子注入层80的材料为碳酸铯（Cs2CO3）、氟化铯（CsF）、叠氮铯（CsN3）或者氟化锂（LiF），厚度为0.5～10nm。优选的，电子注入层80的材料为CsF，电子注入层80的厚度为0.7nm。
阴极90的材料选自银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）及金（Au）中的至少一种，优选为Ag。阴极90的厚度为80nm～250nm，优选为200nm。
这种有机电致发光器件制备方法，制备工艺简单；制备得到的有机电致发光器件的散射层30包括二氧化钛掺杂层32和铯盐掺杂层34，二氧化钛掺杂层32的材料为TiO2和镁的化合物的混合物，TiO2颗粒较大，可使光发生散射，使向两侧发射的光可以回到中间，镁的化合物功函数较低，可提高空穴的注入能力，并且镁的化合物比单质稳定，不易与空气中的水氧结合。铯盐掺杂层34的材料为铯盐和铁的化合物的混合物，铯盐功函数较高，可阻挡电子的穿越，有效避免了电子到达阳极与空穴复合产生漏电流，而铁的化合物载流子浓度较高，可提高导电性，这种方法有利于提高出光效率。
此外，通过采用折射率为1.8～2.2、在可见光透过率（一般标准为400nm处）为90%以上的玻璃基底10，可以使更多的光入射到玻璃基底10中。
以下结合具体实施例对有机电致发光器件的制备方法进行详细说明。
本发明实施例及对比例所用到的制备与测试仪器为：高真空镀膜系统（沈阳科学仪器研制中心有限公司），美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪测试电致发光光谱，美国吉时利公司的Keithley2400测试电学性能，日本柯尼卡美能达公司的CS-100A色度计测试亮度和色度。
实施例1
本实施例制备结构为玻璃基底/ITO/TiO2:MgF2/CsF:FeCl3/MoO3/NPB/Alq3/TAZ/CsF/Ag的有机电致发光器件。其中，“/”表示层叠，“：”表示混合。
提供牌号为N-LASF44的玻璃作为玻璃基底，将玻璃基底用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。接着在加速电压为700V，磁场为120G，功率密度为250W/cm2的条件下，在玻璃基底表面磁控溅射制备阳极。阳极的材料为ITO，厚度为100nm。
提供市售的粒径为50nm的TiO2，在电子束能量密度为30W/cm2的条件下，在阳极上电子束蒸镀制备厚度为150nm的二氧化钛掺杂层。二氧化钛掺杂层的材料为质量比为20：1的TiO2和MgF2。
在工作压强为8×10-4Pa，有机材料的蒸镀速率为0.2nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为2nm/s的条件下，在二氧化钛掺杂层的表面蒸镀制备厚度为15nm的铯盐掺杂层，铯盐掺杂层的材料为质量比为8：1的CsF和FeCl3；接着在铯盐掺杂层的表面依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。空穴注入层的材料为MoO3，厚度为45nm。空穴传输层的材料为NPB，厚度为35nm。发光层的材料为Alq3，厚度为10nm。电子传输层的材料为TAZ，厚度为180nm。电子注入层的材料为CsF，厚度为0.7nm。阴极的材料为Ag，厚度为200nm。
请参阅图3，所示为实施例1中制备的有机电致发光器件（曲线1）与对比例制备的结构为玻璃基底/ITO/MoO3/NPB/Alq3/TAZ/CsF/Ag的有机电致发光器件（曲线2）的流明效率与亮度的关系。对比例制备有机电致发光器件的步骤及各层厚度与实施例1均相同。
从图3可以看到，在不同亮度下，实施例1制备的有机电致发光器件的流明效率都比对比例的要大，实施例1的最大流明效率为5.9lm/W，而对比例的仅为3.4lm/W。同时，对比例的流明效率随着电流密度的增大而快速下降。这说明，这种散射层结构可使向两侧发射的光可以回到中间，并提高空穴的注入能力，阻挡电子的穿越，提高导电性，有利于提高出光效率。
以下各个实施例制备的有机电致发光器件的流明效率都与实施例1相类似，各有机电致发光器件也具有类似的流明效率，在下面不再赘述。
实施例2
本实施例制备结构为玻璃基底/IZO/TiO2:MgO/Cs2CO3:FeBr3/MoO3/TAPC/DCJBT/TPBi/Cs2CO3/Pt的有机电致发光器件。其中，“/”表示层叠，“：”表示混合。
提供牌号为N-LAF36的玻璃作为玻璃基底，将玻璃基底用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。接着在加速电压为300V，磁场为50G，功率密度为40W/cm2的条件下，在玻璃基底表面磁控溅射制备阳极。阳极的材料为IZO，厚度为80nm。
提供市售的粒径为200nm的TiO2，在电子束能量密度为10W/cm2的条件下，在阳极上电子束蒸镀制备厚度为500nm的二氧化钛掺杂层。二氧化钛掺杂层的材料为质量比为10：1的TiO2和MgO。
在工作压强为2×10-3Pa，有机材料的蒸镀速率为1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为10nm/s的条件下，在二氧化钛掺杂层的表面蒸镀制备厚度为10nm的铯盐掺杂层，铯盐掺杂层的材料为质量比为5：1的Cs2CO3和FeBr3；接着在铯盐掺杂层的表面依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。空穴注入层的材料为MoO3，厚度为40nm。空穴传输层的材料为TAPC，厚度为45nm。发光层的材料为DCJBT，厚度为8nm。电子传输层的材料为TPBi，厚度为65nm。电子注入层的材料为Cs2CO3，厚度为10nm。阴极的材料为Pt，厚度为80nm。
实施例3
本实施例制备结构为玻璃基底/AZO/TiO2:MgS/CsN3:Fe2S3/V2O5/NPB/ADN/TAZ/LiF/Al的有机电致发光器件。其中，“/”表示层叠，“：”表示混合。
提供牌号为N-LASF31A的玻璃作为玻璃基底，将玻璃基底用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。接着在加速电压为800V，磁场为200G，功率密度为1W/cm2的条件下，在玻璃基底表面磁控溅射制备阳极。阳极的材料为AZO，厚度为300nm。
提供市售的粒径为20nm的TiO2，在电子束能量密度为100W/cm2的条件下，在阳极上电子束蒸镀制备厚度为50nm的二氧化钛掺杂层。二氧化钛掺杂层的材料为质量比为30：1的TiO2和MgS。
在工作压强为5×10-5Pa，有机材料的蒸镀速率为0.1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1nm/s的条件下，在二氧化钛掺杂层的表面蒸镀制备厚度为30nm的铯盐掺杂层，铯盐掺杂层的材料为质量比为10：1的CsN3和Fe2S3；接着在铯盐掺杂层的表面依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。空穴注入层的材料为V2O5，厚度为20nm。空穴传输层的材料为NPB，厚度为60nm。发光层的材料为ADN，厚度为10nm。电子传输层的材料为TAZ，厚度为200nm。电子注入层的材料为LiF，厚度为0.5nm。阴极的材料为Al，厚度为100nm。
实施例4
本实施例制备结构为玻璃基底/ITO/TiO2:MgO/CsCl:FeCl3/MoO3/TCTA/BCzVBi/Bphen/CsN3/Au的有机电致发光器件。其中，“/”表示层叠，“：”表示混合。
提供牌号为N-LASF41A的玻璃作为玻璃基底，将玻璃基底用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上。接着在加速电压为600V，磁场为100G，功率密度为30W/cm2的条件下，在玻璃基底表面磁控溅射制备阳极。阳极的材料为ITO，厚度为180nm。
提供市售的粒径为30nm的TiO2，在电子束能量密度为50W/cm2的条件下，在阳极上电子束蒸镀制备厚度为300nm的二氧化钛掺杂层。二氧化钛掺杂层的材料为质量比为12：1的TiO2和MgO。
在工作压强为2×10-4Pa，有机材料的蒸镀速率为0.5nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为6nm/s的条件下，在二氧化钛掺杂层的表面蒸镀制备厚度为13nm的铯盐掺杂层，铯盐掺杂层的材料为质量比为6：1的CsCl和FeCl3；接着在铯盐掺杂层的表面依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。空穴注入层的材料为MoO3，厚度为80nm。空穴传输层的材料为TCTA，厚度为60nm。发光层的材料为BCzVBi，厚度为40nm。电子传输层的材料为Bphen，厚度为35nm。电子注入层的材料为CsN3，厚度为3nm。阴极的材料为Au，厚度为250nm。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的玻璃基底、阳极、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极；
所述散射层包括形成于所述阳极表面的二氧化钛掺杂层和形成于所述二氧化钛掺杂层表面的铯盐掺杂层，所述二氧化钛掺杂层的材料为TiO2和镁的化合物的混合物，所述镁的化合物为MgF2、MgO或MgS，所述铯盐掺杂层的材料为铯盐和铁的化合物的混合物，所述铯盐为CsF、Cs2CO3、CsN3或CsCl，所述镁的化合物为FeCl3、FeBr3或Fe2S3。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述二氧化钛掺杂层中，TiO2和所述镁的化合物的质量比为10～30：1；
所述二氧化钛掺杂层的厚度为50nm～500nm。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述铯盐掺杂层中，所述铯盐和所述镁的化合物的质量比为5～10：1；
所述铯盐掺杂层的厚度为10nm～30nm。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述玻璃基底的折射率为1.8～2.2，并且所述玻璃基底在400nm的透过率大于90%。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阳极的材料为铟锡氧化物、铝锌氧化物或铟锌氧化物；
所述阳极的厚度为80nm～300nm。
6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供玻璃基底，并在所述玻璃基底表面磁控溅射制备阳极；
在所述阳极的表面电子束蒸镀制备二氧化钛掺杂层，接着在所述二氧化钛掺杂层上蒸镀制备铯盐掺杂层，所述二氧化钛掺杂层和所述铯盐掺杂层组成散射层，所述二氧化钛掺杂层的材料为TiO2和镁的化合物的混合物，所述镁的化合物为MgF2、MgO或MgS，所述铯盐掺杂层的材料为铯盐和铁的化合物的混合物，所述铯盐为CsF、Cs2CO3、CsN3或CsCl，所述镁的化合物为FeCl3、FeBr3或Fe2S3；
在所述铯盐掺杂层上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。
7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，在所述玻璃基底表面磁控溅射制备阳极的操作中，磁控溅射的加速电压为300V～800V，磁场为50G～200G，功率密度为1W/cm2～40W/cm2。
在所述阳极的表面电子束蒸镀制备二氧化钛掺杂层的操作中，电子束蒸镀的能量密度为10W/cm2～100W/cm2。
8.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述二氧化钛掺杂层中，TiO2和所述镁的化合物的质量比为10～30：1；
所述二氧化钛掺杂层的厚度为50nm～500nm。
所述铯盐掺杂层中，所述铯盐和所述镁的化合物的质量比为5～10：1；
所述铯盐掺杂层的厚度为10nm～30nm。
9.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，在所述二氧化钛掺杂层上蒸镀制备铯盐掺杂层以及在所述铯盐掺杂层上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极的操作中，工作压强为2×10-3～5×10-5Pa，有机材料的蒸镀速率为0.1～1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1～10nm/s。
10.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述玻璃基底的折射率为1.8～2.2，并且所述玻璃基底在400nm的透过率大于90%。
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